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icp刻蚀原理ICP刻蚀原理。
ICP刻蚀（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
ICP刻蚀利用高能离子束对材料表面进行加工，具有高精度、高选择性和高速度的特点。
本文将介绍ICP刻蚀的原理及其在微纳加工中的应用。
ICP刻蚀利用电磁场产生的等离子体对材料表面进行加工。
首先，气体被加热并注入到真空室中，然后通过射频电源产生高频电场，使气体电离并形成等离子体。
等离子体中的离子在电场力的作用下加速，并与材料表面发生碰撞，从而使材料表面发生化学反应或物理碰撞，最终实现对材料的刻蚀。
ICP刻蚀的等离子体密度高、能量集中，因此能够实现对材料表面的高精度加工。
ICP刻蚀的原理主要包括离子轰击、化学反应和物理吸附等过程。
离子轰击是指等离子体中的离子在加速过程中与材料表面发生碰撞，传递能量并引起表面原子的脱落。
化学反应是指等离子体中的活性离子与材料表面发生化学反应，产生新的化合物并脱离表面。
物理吸附是指等离子体中的离子和中性粒子被材料表面吸附，从而改变表面的化学性质。
ICP刻蚀在微纳加工中具有广泛的应用。
首先，ICP刻蚀能够实现对材料表面的高精度加工，例如制备纳米结构、微结构和光子晶体等。
其次，ICP刻蚀具有高选择性，能够实现对不同材料的刻蚀，例如对硅、氮化硅、氮化铝等材料的选择性刻蚀。
此外，ICP刻蚀还具有高速度，能够实现对大面积材料的快速加工，提高生产效率。
总之，ICP刻蚀是一种重要的微纳加工技术，具有高精度、高选择性和高速度的特点。
ICP刻蚀的原理包括离子轰击、化学反应和物理吸附等过程，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
随着科学技术的不断发展，ICP刻蚀技术将在更多领域发挥重要作用，推动微纳加工技术的进步和应用。
icp刻蚀工艺流程ICP刻蚀工艺流程一、引言ICP刻蚀工艺是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的基本流程，以及其中涉及的关键步骤和注意事项。
二、ICP刻蚀工艺流程1. 设计和准备在开始ICP刻蚀工艺之前，首先需要进行器件的设计和准备工作。
这包括选择合适的刻蚀目标材料、确定刻蚀深度和形状等。
同时，还需要设计合适的掩膜图形，以控制刻蚀区域。
2. 清洗和预处理在进行ICP刻蚀之前，需要对刻蚀目标材料进行清洗和预处理，以去除表面的杂质和氧化物。
常用的方法包括超声波清洗、酸洗和溶剂清洗等。
3. 掩膜制备接下来需要制备掩膜，用于保护不需要刻蚀的区域。
常用的掩膜材料包括光刻胶和金属掩膜。
通过光刻技术，将掩膜图形转移到掩膜材料上，并进行曝光和显影等步骤，最终形成掩膜。
4. 刻蚀在刻蚀过程中，需要使用ICP刻蚀机。
ICP刻蚀机利用高频电场和低频电场的耦合效应，在高真空环境中进行刻蚀。
首先将刻蚀目标材料放置在刻蚀室中，并加入刻蚀气体，如氟化物等。
然后，在高频电场的作用下，将刻蚀气体电离生成等离子体。
最后，利用等离子体的化学反应和物理碰撞效应，将刻蚀气体中的物质从刻蚀目标材料表面去除，实现刻蚀效果。
5. 清洗和检验刻蚀完成后，需要对刻蚀样品进行清洗，以去除残留的刻蚀剂和杂质。
常用的清洗方法包括溶剂清洗、超声波清洗和离子清洗等。
清洗完成后，需要对刻蚀样品进行检验，以验证刻蚀效果是否符合要求。
6. 后处理在ICP刻蚀工艺完成后，可能还需要进行后处理步骤，以进一步改善器件性能。
常见的后处理方法包括退火、沉积和离子注入等。
三、注意事项1. 安全操作：ICP刻蚀工艺需要在高真空环境下进行，操作人员需要具备相关安全知识和技能，严格遵守操作规程。
2. 刻蚀参数：刻蚀参数的选择对于刻蚀效果至关重要。
包括刻蚀气体的流量、功率、压力等参数，需要根据刻蚀目标材料的性质和要求进行调整。
icp刻蚀原理ICP刻蚀原理。
ICP刻蚀（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
ICP刻蚀利用高频电场激发等离子体，通过化学反应和物理碰撞去除材料表面，从而实现微米甚至纳米级的加工精度。
本文将介绍ICP刻蚀的原理及其关键步骤。
ICP刻蚀的原理主要包括等离子体产生、离子轰击和物理/化学反应三个方面。
首先，ICP刻蚀利用高频电源产生的电磁场激发气体形成等离子体。
在真空或低压环境下，高频电源通过线圈产生交变电场，使气体分子电离并形成等离子体。
等离子体的产生是ICP刻蚀的第一步，也是最关键的一步。
接下来，产生的等离子体通过RF功率传递到ICP反应室中的气体中，气体分子在高能离子的作用下发生碰撞，产生大量的活性物种，如自由基、离子等。
这些活性物种对材料表面进行离子轰击，从而去除材料表面的原子或分子。
离子轰击是ICP刻蚀的关键步骤之一，它直接影响着刻蚀速率和表面粗糙度。
最后，离子轰击还会引发物理和化学反应，如表面原子的解吸、气相反应等。
这些反应会改变材料表面的化学组成和结构，进一步影响刻蚀过程的结果。
通过精确控制等离子体的能量、离子轰击的角度和反应气体的种类，可以实现对材料表面的精确加工。
ICP刻蚀的关键步骤包括等离子体产生、离子轰击和物理/化学反应。
这些步骤相互作用，共同影响着刻蚀过程的结果。
在实际应用中，需要综合考虑材料的性质、刻蚀条件和加工要求，选择合适的ICP刻蚀参数，以实现对材料表面的精确加工。
总的来说，ICP刻蚀是一种高精度、高效率的微纳加工技术，具有广泛的应用前景。
通过深入理解ICP刻蚀的原理及关键步骤，可以更好地指导实际应用，推动微纳加工技术的发展和应用。
希望本文对ICP刻蚀技术的理解有所帮助，也希望ICP刻蚀技术能够在更多领域得到应用和推广。
icp刻蚀工艺ICP刻蚀工艺是一种常用于半导体制造中的重要工艺，用于在硅片表面精确刻蚀出所需的结构和图案。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的原理、特点以及应用。
一、ICP刻蚀工艺的原理ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀工艺是利用高频电场和磁场耦合的等离子体来进行刻蚀的一种方法。
其原理是通过在真空室中建立等离子体，使得气体分子被激发成等离子体，然后利用等离子体中的离子和中性粒子对硅片表面进行刻蚀。
ICP刻蚀工艺主要包括四个步骤：气体注入、等离子体激发、离子轰击和副产物排除。
首先，将所需的刻蚀气体注入真空室中，通常使用的刻蚀气体有氟化物和氯化物等；接着，通过高频电场和磁场的耦合作用，激发气体分子成为等离子体；然后，利用等离子体中的离子对硅片表面进行轰击，使其发生化学反应并刻蚀；最后，通过真空泵将副产物排除，保持真空室的清洁。
二、ICP刻蚀工艺的特点1. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺由于利用了高能离子轰击硅片表面，因此具有较高的刻蚀速率，可在短时间内完成较深的刻蚀。
2. 高刻蚀选择性：ICP刻蚀工艺可根据所使用的刻蚀气体的不同，实现对不同材料的选择性刻蚀。
这对于多层结构的刻蚀非常重要。
3. 高刻蚀均匀性：ICP刻蚀工艺利用等离子体对硅片表面进行刻蚀，其刻蚀均匀性较好，可以得到较为平坦的表面。
4. 低表面粗糙度：由于ICP刻蚀工艺对硅片表面的刻蚀是通过离子轰击实现的，因此其表面粗糙度较低。
5. 环境友好：ICP刻蚀工艺不需要使用有机溶剂等对环境有害的化学物质，对环境的影响较小。
三、ICP刻蚀工艺的应用ICP刻蚀工艺广泛应用于半导体制造中的多个领域，如集成电路、光学器件、微机电系统等。
在集成电路制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀金属线、多晶硅、氮化硅等材料，用于制作电路的导线、晶体管等结构。
在光学器件制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀光波导、光栅等结构，用于制作光通信器件、光传感器等。
在微机电系统制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀微结构、微通道等，用于制作微流体芯片、压力传感器等。
2019年国产半导体刻蚀设备领先企业中微公司专题研究：CCP、ICP是先进干法刻蚀设备的主流技术路径正文目录中微公司：潜力深远的国产半导体刻蚀设备领先企业 (5)十余年专注发展，构建半导体刻蚀设备+MOCVD设备产业双布局 (5)受益于持续的技术创新和市场开拓，公司盈利能力逐步提升 (8)自主研发是公司发展的核心驱动力，人才激励机制保障长期竞争力 (12)市场地位稳步提升，产品竞争力迈向全球第一梯队 (15)募投项目聚焦核心产品，自主研发+外延式成长或是公司未来发展路径 (17)刻蚀技术解析：半导体工艺的“点睛之笔” (19)刻蚀工艺是复制掩膜图形的关键步骤，干法刻蚀是芯片制造主要技术路径 (20)CCP、ICP是先进干法刻蚀设备的主流技术路径 (22)中国孕育全球最大半导体设备市场，刻蚀设备是国产化前沿阵地 (26)全球刻蚀设备市场高度集中，海外龙头自主研发实力强劲 (26)国产刻蚀设备制造商奋起直追，进口替代历史机遇渐行渐近 (28)中国大陆半导体设备需求高涨，刻蚀设备19~21年均市场或达343亿元 (30)半导体设备行业估值讨论 (35)海外半导体设备公司估值方法讨论 (35)应用材料 (35)泛林半导体 (36)A股半导体设备公司估值水平 (39)风险提示 (40)图表目录图表1：中微公司主要产品情况一览 (5)图表2：中微公司设立以来主要产品的演变情况 (6)图表3：中微公司股权结构图 (7)图表4：中微公司控股和参股公司结构图 (8)图表5：近年公司刻蚀设备产品的产量和销量 (8)图表6：近年公司MOCVD设备产品的产量和销量 (8)图表7：近年公司刻蚀设备产品收入 (9)图表8：近年公司MOCVD设备产品收入 (9)图表9：近年公司主要产品的销售均价情况 (9)图表10：近年公司营业收入及增速 (10)图表11：近年公司归母净利润及增速 (10)图表12：近年公司收入的业务构成情况 (10)图表13：近年公司收入的地区构成情况 (10)图表14：近年公司主要业务毛利率情况 (11)图表15：近年公司期间费用率情况 (11)图表16：公司与同行业上市公司毛利率水平的对比 (11)图表17：公司产品的主要原材料构成及对应零部件 (12)图表18：近年公司研发投入情况 (12)图表19：公司电容性等离子体刻蚀设备（CCP）核心技术 (13)图表20：公司电感性等离子体刻蚀设备（ICP）核心技术 (13)图表21：公司深硅刻蚀设备（TSV）核心技术 (13)图表22：公司MOCVD设备核心技术 (14)图表23：公司电容性等离子体刻蚀设备（CCP）主要研发项目 (14)图表24：公司电感性等离子体刻蚀设备（ICP）主要研发项目 (14)图表25：公司MOCVD设备主要研发项目 (15)图表26：近年公司员工人数及人均产值情况 (15)图表27：2018年公司各专业分工员工人数及占比 (15)图表28：公司所处行业主要竞争者一览 (16)图表29：公司所处行业主要客户群体一览 (16)图表30：国内知名存储芯片制造企业A近期刻蚀设备份额（台数占比） (16)图表31：国内知名存储芯片制造企业B近期刻蚀设备份额（台数占比） (16)图表32：公司拟募集资金的运用 (17)图表33：半导体晶圆加工的六大生产区域示意图 (19)图表34：晶圆加工流程所需核心设备及中外代表企业 (19)图表35：干法刻蚀流程示意图 (20)图表36：主要刻蚀参数 (20)图表37：刻蚀工艺分类示意图 (21)图表38：干法刻蚀的物理和化学反应机理 (21)图表39：干法刻蚀的应用 (22)图表40：传统反应离子刻蚀机示意图 (23)图表41：电子回旋加速振荡刻蚀机（ECR）示意图 (23)图表42：电容、电感耦合等离子体刻蚀机（CCP、ICP）示意图 (24)图表43：双等离子体源刻蚀机示意图 (24)图表44：原子层刻蚀（ALE）工艺示意图 (25)图表45：2018年全球半导体设备系统及服务市场份额 (26)图表46：2018年全球前十大半导体设备供应商排名（按半导体业务营收排名） (26)图表47：全球半导体设备企业优势产品分布图（营业收入为2018财年数据） (27)图表48：2017年全球刻蚀设备市场份额分布情况 (27)图表49：2009~2017财年应用材料、拉姆研究、东京电子研发费用及营收占比情况 . 28图表50：刻蚀设备龙头公司收购相关标的情况 (28)图表51：2017年中国大陆进口半导体设备的金额占比 (29)图表52：中国半导体设备代表企业产品分布图 (29)图表53：中外刻蚀设备企业产品及技术比较 (30)图表54：2008~2017年全球GDP与半导体及设备市场规模增速比较 (31)图表55：2005~2020年全球半导体设备销售规模及预测 (31)图表56：2005~2020年全球半导体设备销售额的地区分布 (32)图表57：2005~2020年中国半导体设备销售额的全球占比 (32)图表58：2011~2020年中国大陆半导体设备销售规模及增速 (32)图表59：中国大陆晶圆厂分布及建设规划 (33)图表60：晶圆厂建设投资构成 (33)图表61：中国大陆半导体晶圆制造设备、刻蚀设备需求空间测算 (34)图表62：应用材料1987-2018年间不同估值方法情况展示 (36)图表63：泛林半导体1987-2018年间不同估值方法情况展示 (38)图表64：中国半导体设备行业主要设备制造商一览 (39)图表65：A股半导体设备上市公司估值情况 (39)中微公司：潜力深远的国产半导体刻蚀设备领先企业十余年专注发展，构建半导体刻蚀设备+MOCVD设备产业双布局中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，是中国集成电路设备行业的领先企业，是由一大批在全球半导体设备产业长期耕耘，做出突出贡献的研发、工程技术、销售和营运专家创立和参与的科创企业。
详解ICP刻蚀机的组成引言I C P刻蚀机（I nd uct i ve ly Co up le dP las m aE tc he r）是一种常用的微电子加工设备，用于将材料表面进行刻蚀和制作微细结构。
本文将深入分析I CP刻蚀机的组成，包括主要的硬件和控制系统，并介绍其工作原理和应用。
IC P刻蚀机的主要硬件组成I C P刻蚀机主要由以下几个部分组成：1.真空系统真空系统是I CP刻蚀机的核心组件，用于创建真空环境以避免杂质和气体对刻蚀过程的影响。
真空系统包括真空室、真空泵和阀门等。
真空室是刻蚀的主要工作区域，通过真空泵排除室内气体，阀门用于控制气体流动。
2.天线和射频发生器I C P刻蚀机使用高频电场来激活气体分子，产生等离子体。
天线通过射频发生器提供高频功率，激励气体分子产生等离子体，并将等离子体输送到刻蚀室。
3.气路系统气路系统用于输送刻蚀气体和辅助气体。
刻蚀气体可根据不同的材料选择，例如氟化氢、氧气、氯气等。
辅助气体用于调节刻蚀速率和表面平整度。
4.静电托盘静电托盘是用于保持待刻蚀衬底的组件，通过静电吸附力将衬底固定在托盘上。
静电托盘具有良好的绝缘特性，能够避免电荷对刻蚀过程的影响。
5.温度控制系统温度控制系统用于控制刻蚀室和衬底的温度。
通过精确控制温度，可以调节刻蚀速率和刻蚀质量，提高刻蚀的精度和一致性。
IC P刻蚀机的工作原理I C P刻蚀机的工作原理基于电离等离子体刻蚀技术。
下面将详细介绍I C P刻蚀机的工作流程：1.打开真空系统，通过真空泵排出刻蚀室内的气体，创建高真空环境。
2.通过天线和射频发生器提供高频功率，激活气体分子，产生等离子体。
3.利用辅助气体将等离子体输送到刻蚀室，并均匀分布在待刻蚀衬底上。
4.同时，通过静电托盘将待刻蚀衬底固定在刻蚀室中。
5.利用刻蚀气体中的离子和中性粒子与材料表面发生化学反应，溶解或氧化材料，从而实现刻蚀过程。
6.控制温度控制系统，以控制刻蚀速率和表面平整度。
tcp刻蚀原理
TCP刻蚀是指利用电感耦合等离子体（ICP）来进行刻蚀的一种技术。
ICP刻蚀的原理是将射频电源的能量通过电感线圈，以磁场耦合的形式进入反应腔内部，从而产生等离子体并用于刻蚀。
TCP刻蚀与其他等离子体刻蚀技术相比，具有以下优势：
1.刻蚀速度快：TCP刻蚀的刻蚀速度比其他等离子体刻蚀技术快得多，可达每
分钟数十微米。
2.刻蚀精度高：TCP刻蚀具有较高的刻蚀精度，可达到亚微米级。
3.刻蚀成本低：TCP刻蚀的设备成本相对较低，因此具有较高的性价比。
TCP刻蚀主要用于以下领域：
●半导体制造：TCP刻蚀用于半导体制造中的晶圆刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀
等。
●光电器件制造：TCP刻蚀用于光电器件制造中的光学薄膜刻蚀、MEMS器件
刻蚀等。
●其他领域：TCP刻蚀还用于其他领域，如微机电系统（MEMS）、生物医学
工程等。
TCP刻蚀的具体工艺流程如下：
●将待刻蚀的晶圆或其他工件放置在反应腔中。
●向反应腔中充入待刻蚀的气体。
●通入射频电源，产生等离子体。
●等离子体中的带电粒子与待刻蚀的工件表面发生碰撞，使工件表面的材料发
生化学或物理反应，从而实现刻蚀。
TCP刻蚀是一种重要的半导体制造技术，在半导体制造领域具有广泛的应用。
随着技术的不断发展，TCP刻蚀的刻蚀速度、刻蚀精度和刻蚀成本将进一步提高，其在半导体制造领域的应用将更加广泛。
半导体刻蚀工艺技术——ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductively coupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做了简要分析。
阐述了ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响以及干法刻蚀的生成物。
由于ICP技术在加工过程中可控性高，具有越来越重要的地位。
以在硅基MEMS器件的ICP刻蚀为例，详细的介绍了在硅基MEMS制作过程中ICP刻蚀的反应过程，说明了在ICP刻蚀过程中如何实现控制加工深度和角度。
据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势,对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ一V族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。
关键词：ICP、刻蚀、参数、模型、等离子体Process technology of semiconductor etching——ICPLIU Zhi Wei（Xi'an Electronic and Science University, School of Microelectronics.1411122908）Abstract：ICP technology is one of the commonly used in micro nano processing technology，This paper simply introduces ICP etching technology (inductively coupled plasma) structure and the basic principles of etching equipment,To do a brief analysis on the ICP process involved in chemical, physical process.Describes the effects of ICP etching parameters on the etching results and the resultant dry etching. Because the ICP technology in the process of processing high controllability, plays a more and more important role. Using ICP etching in silicon MEMS device as an example, describes in detail in the reaction process of silicon based MEMS in the production process of ICP etching, explains how to realize the control of machining depth and angle in the ICP etching process. According to the development status and development trend at home and abroad in recent years of ICP technology, its application in optoelectronic devices and semiconductor oxide, III a group V compound as well as some brief introduction.Key words：ICP、etching, parameter, model, plasma1引言刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分,微电子学的快速发展推动其不断向前。
icp刻蚀工艺流程ICP刻蚀工艺流程ICP刻蚀是一种常见的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、微纳电子等领域。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的流程。
一、工艺准备在进行ICP刻蚀之前，需要进行一系列的工艺准备工作。
首先，需要选择合适的刻蚀气体和刻蚀液。
常用的刻蚀气体有氟化氢、氧气等，而刻蚀液则根据材料的不同而不同。
其次，需要选择合适的刻蚀设备，并对设备进行清洁和检查，确保其正常工作。
最后，需要准备好样品，包括样品的尺寸、形状和材料。
二、装载样品在ICP刻蚀工艺中，样品是放置在刻蚀设备的夹持台上进行刻蚀的。
在装载样品之前，需要对夹持台进行清洁，并确保夹持台与样品表面之间没有杂质或污染物。
然后，将样品放置在夹持台上，并通过真空吸附或机械固定的方式固定样品，以保证刻蚀过程中样品的稳定性。
三、真空抽气在开始ICP刻蚀之前，需要将刻蚀设备中的气体抽取出来，以建立一个较高的真空环境。
通过真空泵将刻蚀室内的气体抽走，直到达到所需的真空度。
真空度的选择要根据刻蚀材料和工艺要求来确定，一般要求真空度在数十帕以下。
四、气体进入当真空度达到要求后，可以开始向刻蚀室内注入刻蚀气体。
刻蚀气体进入刻蚀室后，要经过一系列的处理，如通过气体分配系统进行分配和调节，然后进入反应室与样品发生化学反应。
在进入反应室之前，刻蚀气体还需要通过净化系统去除其中的杂质和污染物。
五、放电激发当刻蚀气体进入反应室后，需要通过高频电场的激发使其变为等离子体。
这一步骤称为放电激发，其目的是提高等离子体的密度和活性。
放电激发可以通过射频电源或微波电源来实现，具体的选择要根据刻蚀材料和工艺要求来确定。
六、刻蚀过程在放电激发后，等离子体将与样品表面发生化学反应，从而实现刻蚀效果。
刻蚀过程中，需要控制刻蚀气体的流量、功率和时间等参数，以实现所需的刻蚀速率和刻蚀深度。
同时，还需要通过监测和调节等离子体的密度和温度等参数，以保证刻蚀过程的稳定性和一致性。
七、刻蚀结束当刻蚀达到预定的深度或时间后，刻蚀过程结束。
详述蚀刻原理及类型不要单一的理解plasma的激发方式。
一般来讲，常见的有：RIE：Reactive Ion EtchingICP：Inductively coupled plasmaTCP：transformer coupled plasmaCCP：Capacitively Coupled Plasma话说80年代，半导体处于6寸-8寸时代。
大部分厂家使用RIE，这个就是比较通用chamber。
上部电极接地，下部接power。
基本上就满足了当时plasma的蚀刻要求。
要我说，这个就是武林中的九阴真经。
RIEInteraction between ions & neutral reactive species(radicals) in a reactive gasTop = groundedBot = RF 13.56MHzBot = negatively biased (self_bias voltage Vdc)as if DC voltage were appliedVdc several hundreds of VPositive ions accelerated by this voltage > anisotropyDamage: due to energy of ion bombardment (ion sputtering)到了90年代，三国鼎立，出现AMAT ICP，Lam TCP ，TEL CCP的强势武功。
本来大家都是从九阴真经的RIE发展而来。
所以骨子里面还是有相同的地方。
大师兄：AMAT我嫡传RIE，然后在RIE基础上加了一个类似锅盖的线圈，通电加上power以后，多了一个控制plasma 的有利武器。
可以精确的控制plasma的激励浓度和电子密度。
称霸一时。
Inductively-- 感应式，就是靠通电线圈激发的。
二师兄：LAM。
大师兄既然搞了一个Inductively，我不能抄袭，干脆把桶形的线圈变成盘形，一个是结构更见简单，另外，和wafer 合成平行板型。
应该效果也不错。
这个想法就是传说中的transformer coupled plasma，Lam 凭借此招，名震江湖。
三师兄：TEL DRAM and SCCP2位师兄已经把线圈的模式发展的淋漓尽致，看来我走coil 是没有前途了。
干脆，我剑走偏锋。
和他们杠上了。
AMAT方向：老大使用线圈通电。
水生木，木生火，五行相生相克。
变化的电场产生磁场，变化的磁场也会产生电场。
我在RIE 外面套一个永磁体，这个就是DRAM。
LAM 方向：nnd，二师兄盘形罗线圈，老子直接上面板。
我在RIE 上部加一个电容面板60M激发，这个就是SCCM或者将TCP 的盘形coil 变成电容面板。
也是CCP的高级模式，即SCCM。
这个时候，Lam发话了，三弟，你怎么可以这么聪明。
你搞sccm 双power，我把你上部power 移下来。
九阳神功：due power。
一时间，你有张良计，我有过墙梯。
三家纠缠不已。
这个就是etch 的三国鼎立。
ICP: Inductively coupled plasmaAn RF induction plasma helical resonator consists of acylindrical quartz chamber with an antenna wound helicallyaround the chamber, in a coil-like manner. By allowing analternating current to flow through the coil, an alternatingfield is created orthogonally to the antenna. As a result, aninduction field is created within the vacuum in the oppositedirection of the current flow in the antenna. Electrons areaccelerated by this field to produce a plasma. Anelectrostatic shield is provided around the chamber. Plasmawith an ion density of 1 x 1212/cm3 can be obtained underlow-pressure conditions of 5 x 10–4 torr. Note also that thistechnique produces high-density plasmas in a widepressure range (10–3 to 102 torr).TCP: transformer coupled plasmaThe RF induction TCP system features a spiral coil at theupper section of the chamber (on top of the insulating plate)to enable a plasma to be induced within the chamberth h th li ti f RF lt t th through the application of voltage to the coil. This system can be considered an MRIE system with the magnetreplaced by an RF-applied spiral coil. It is simple instructure and involves no magnet. An ion density of 1 x1012/cm3 can be obtained at a pressure of 5 x 10-4 torr orless. This plasma is flat and highly uniform.在此期间，西域金伦法王进犯中原。
就是传说中hitachi的ECR ：凭借微波武器，也偶尔逐鹿中原。
The 2.45-GHz microwave generated by a magnetron isintroduced into the process chamber via a waveguide. Theelectric field created by this microwave and the magneticfield set up perpendicular to the electric field by thesolenoid coil, work in a synergistic manner so that fast- ECRmoving electrons develop in the plasma as they make acyclotron motion. This makes it possible to stably producehigh-density plasma at a pressure below 7.5 mtorr. Theplasma can be produced more efficiently when the fluxdensity of the magnetic field is set at 875 Gauss, a level atwhich electron cyclotron resonance (ECR) occurs. Note alsothat the application of an RF bias voltage to the electrode onwhich the wafer is positioned allows the energies of theions incident upon the wafer to be controlled as desired.• Microwave plasma etching system(1) Provides profile control over a wide range, fromanisotropic etching to fully isotropic etching(2) Offers an ionization rate three to four orders ofmagnitude greater than with RIE, to ensure high-speedetching with minimal damage caused by ion energies(3) Allows clean etching with the fewest possiblecontaminant sources as a result of electrodeless dischargewithin the quartz belljar.不要单纯的说哪个那个好，好比九阴真经和独孤九剑比起来。
有的打。
ICP：RF power is transferred to the plasma via an rf magnetic field.An ionizing electric field is induced by this rf magnetic field.This induced electric field is not referenced to any surface.Inductive coupling is much more efficient at plasma production since energy is not spent in accelerating ions with a high voltage into a surface.CCP：RF power is transferred directly to the plasma by an rf electric field.The rf field causes the electrons to accelerate and collide with atoms and molecules to begin the ionization process.The rf field also accelerates the ions to the electrode surface, where the wafer is mounted.As the rf field increases, both ion production and ion energy increase, potentially leading towafer damage at high energy.Capacitive coupling is not efficient at creating ions, since a large amount of energy is used to accelerate the ions into the electrode surface.=================For ICPMERITHigher densityCan work at lower pressureDEMERITLess process stability================compare图片1.jpg補充一點小小的充說明:由於電漿技術的長足發展，過去必須在高溫下才可合成的材料漸漸地可以用低溫的技術取代。
