蚀刻技术基础知识

蚀刻培训讲义一、流程入板→膨松→退膜→水洗→蚀刻→氨水洗→水洗→孔处理（沉金板）→水洗→退锡→水洗→烘干→出板二、目的将板面上多余之铜蚀去得到符合要求的线路图形三、控制要点与工作原理膨松: 一种浸泡式过程, 先将其软泡, 将给后工序退膜。

控制条件: 浓度3-5% 温度50±5℃行板速率2．退膜1．用3%的强碱或10-13%的RR-2有机去膜液剥除, 抗氧化剂防止铜面氧化, 除泡剂消泡。

2．蚀刻a.概述目前, 印刷电路板（PCB）加工的典型工艺采用“图形电镀法”。

即先在板子外层需保留的铜箔上, 也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层, 然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉, 称为蚀刻。

要注意的是, 这时的板子上面有两层铜, 在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的, 其余的将形成最终所需要的电路。

在这种类型的电镀叫图形电镀, 其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层。

另外一种工艺称为“全板镀铜工艺”, 与图形电镀相比, 全板镀铜的最大缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。

因此当导线线宽十分精细时将会产生一系列的问题。

同时, 侧腐蚀会严重影响线条的均匀性。

目前, 锡或铅锡是最常用的抗蚀层, 用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中, 氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液, 与锡或铅锡不发生任何化学反应。

氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液, 下面作主要介绍。

对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净, 止此而已。

从严格意义上讲, 如果要精确地界定, 那么蚀刻质量必须包括导线线宽的一致性和侧蚀程度。

由于目前腐蚀液的固有特点, 不仅向下而且对左右各方向都产生蚀刻作用, 所以侧蚀几乎是不可避免的。

侧蚀问题是蚀刻参数中经常被提出来讨论的一项,它被定义为蚀刻深度与侧蚀宽度之比, 称为蚀刻因子。

在印刷电路工业中, 它的变化范围很宽泛, 从1到5。

显然, 小的侧蚀度或大的蚀刻因子是最令人满意的。

pcb蚀刻基础知识PCB蚀刻基础知识PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）是电子产品中不可或缺的一部分，它承载了电子元器件，起到连接和支持的作用。

而PCB蚀刻则是制造PCB的重要工艺之一。

本文将介绍PCB蚀刻的基础知识，包括工艺流程、蚀刻液、设备和注意事项等。

一、工艺流程PCB蚀刻的工艺流程通常包括以下几个步骤：制作光阻膜、显影、蚀刻、去光阻和清洗。

1. 制作光阻膜：首先，在铜层上涂覆一层光阻膜，光阻膜可以保护不需要蚀刻的区域。

光阻膜可以通过光刻技术或者丝网印刷技术来制作。

2. 显影：将覆盖在铜层上的光阻膜进行显影处理，即将光阻膜上不需要的部分去除，只留下需要蚀刻的区域。

3. 蚀刻：将经过显影处理后的PCB放入蚀刻槽中，蚀刻槽中的蚀刻液可以将不需要的铜层腐蚀掉，从而形成所需的电路图案。

4. 去光阻：蚀刻完成后，需要将残留在PCB表面的光阻膜去除，通常采用化学溶剂或者热脱附的方法。

5. 清洗：最后，将PCB进行清洗，去除蚀刻液和其他污染物，确保PCB表面的干净。

二、蚀刻液蚀刻液是进行PCB蚀刻的重要材料，常用的蚀刻液有铁氯化物、硫酸、硝酸等。

不同的蚀刻液适用于不同的材料，比如铁氯化物适用于铜，硫酸适用于锌等。

在选择蚀刻液时，需要考虑蚀刻速度、蚀刻均匀性、对废液的处理以及安全性等因素。

同时，在使用蚀刻液时需要注意防护措施，避免对人体和环境造成伤害。

三、设备PCB蚀刻通常需要一些专用的设备，如蚀刻槽、加热器、搅拌器等。

蚀刻槽是用来盛放蚀刻液的容器，通常由耐腐蚀材料制成。

加热器可以控制蚀刻液的温度，高温可以提高蚀刻速度。

搅拌器则可以保证蚀刻液均匀地接触到PCB表面，提高蚀刻的均匀性。

四、注意事项在进行PCB蚀刻时，需要注意以下几点：1. 安全防护：蚀刻液通常具有一定的腐蚀性，使用时要佩戴防护手套、护目镜等防护用品，避免直接接触皮肤和眼睛。

2. 通风换气：蚀刻液挥发时会释放有害气体，应确保工作环境有良好的通风换气设备，减少对人体的危害。

一、DES拉工艺流程：显影→蚀刻→褪膜（注：显影也称冲板）目的：将曝光时由菲林转移到干膜上的图形在铜面上表现出来。

即：干膜曝光区域的铜会留下来，未曝光区域的铜会蚀刻掉。

二、DES拉开机注意事项及参数控制1.开机前检查药水缸及水缸液位是否足够，检查冷却水、压缩空气是否打开。

2.开机后检查各段药水温度压力是否在要求范围。

3.参数控制药水参数控制：药水名称浓度显影： PC2034B 0.6~1.2%蚀刻： Cu2+ 110~170g/lH+ 1.6~2.8 N褪膜： NaOH 2~4%酸洗： H2SO4 1~3%溶液浓度配制：显影缸：A5：10LT A6：25LT A7：25LT褪膜缸：A5：27kg A6：30kg A7：30kg酸洗缸：A5：3LT A6：3LT A7：3LT配药房：显影开料缸：PC2031B 25LT褪膜开料缸：NaOH 25kg三、冲板注意事项：1.在批量冲板前，首先必须做首板，待拉长恢复，首板OK后方可生产。

2.对板面铜厚不一以及光面板/细线板，一定要按照拉长所要求的方式去放板，同时注意板的型号、层次，必须保证不放错板。

3.对于冲大背板，必须站起来冲板；对于板厚小于5mil、H/H以下的板（根据拉长要求）必须带板条冲板。

4.冲板时，板与板之间的距离保持大于2inch（即5.08cm）5.在撕膜时，板两面保护膜要同时撕下。

不允许撕了一面然后再撕另一面，避免菲林碎粘到板面，导致蚀板不净现象。

6.在撕膜时，一定要注意严防撕膜不净的问题发生，且刀片不能划入图形，以防划伤，导致报废。

7.放板时，必须双手拿板，轻拿轻放，发现有板弯或板角翘，一定将其抚平，并放好放正以防卡板。

8.对每够一批量LOT卡时，用一胶片隔开，作为该批板已完的标识。

四、执漏注意事项：1.在检查板面时，必须戴黑色胶手套，手拿板边。

严防显影不净，显影过度，撕膜不净的板流入蚀刻。

2.在操作过程中，必须做到小心操作，不要划伤板面，发现显影不净等不良板时，即时通知冲板员工停放，然后通知拉长解决。

刻蚀（ETCH）工艺的基础知识何谓蚀刻（Etch）?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

蚀刻种类：答：（1）干蚀刻（2）湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为：答：poly, oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何？答：金身线（W）/铝线（A1）/铜线（Cu）何谓dielectric蚀刻（介电质蚀刻）？答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何？答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正，负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子，正离子，负离子，中性分子,活性基及发散光子等，产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻？答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching（蚀刻不足）?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching（过蚀刻）答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate （蚀刻速率）答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning （陈化处理）答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。

Asher的主要用途：答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何？答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) I PA Vapor Dry何谓 Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓 Mar agon i Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓 IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：Tencor Surf scan测蚀刻速率时，使用何者量测仪器？答：膜厚计，测量膜厚差值何谓AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI 口检Wafer须检查哪些项口：答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理？答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何？答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗？答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate”机台是什幺用途？答:烘烤Hot Plate烘烤温度为何？答:90~120 度 C何种气体为Poly ETCH主要使用气体？答:C12, IIBr, IIC1用于Al金属蚀刻的主要气体为答：C12, BC13用于W金属蚀刻的主要气体为答:SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体？答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为：答:H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为：答:XII40II/II202/II20UV curing是什幺用途？答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing”用于何种层次？答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何？答：当机台有危险发生之顾虑或己不可控制，可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示？答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门 (3)化学药剂危险.严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置？答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.遇IPA槽着火时应如何处置?？答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何？答：HF (氢氟酸)与NH4F (氟化铉).BOE为那三个英文字缩写？答：Buffered Oxide Etcher 。

化学蚀刻工艺导言：化学蚀刻工艺是一种通过化学反应来去除材料表面的特定区域的工艺。

它广泛应用于半导体制造、电子元件制造、光学器件制造等领域。

本文将介绍化学蚀刻工艺的基本原理、工艺流程以及应用领域等内容。

一、基本原理化学蚀刻工艺基于材料与特定蚀刻液之间的化学反应。

在蚀刻液中，特定的化学物质可以与材料表面发生反应，使得表面的材料被溶解或转化为其他物质。

通过控制蚀刻液的成分、浓度、温度和蚀刻时间等参数，可以实现对材料表面的精确蚀刻。

二、工艺流程化学蚀刻工艺通常包括以下几个步骤：蚀刻前处理、掩膜制备、蚀刻过程和后处理。

1. 蚀刻前处理：在进行化学蚀刻之前，需要对待蚀刻材料进行预处理，以确保材料表面的纯净度和平整度。

常见的蚀刻前处理方法包括清洗、去除氧化层等。

2. 掩膜制备：在需要保护的区域上制备一层掩膜，以防止蚀刻液对此区域的侵蚀。

掩膜通常采用光刻技术制备，即使用光刻胶和光刻机将图案转移到待蚀刻材料表面。

3. 蚀刻过程：将待蚀刻材料浸泡在预先调配好的蚀刻液中，使其与蚀刻液进行反应。

蚀刻液的选择与待蚀刻材料的性质密切相关，常见的蚀刻液包括酸性、碱性和氧化性溶液等。

蚀刻时间的控制非常重要，过长或过短的蚀刻时间都会导致蚀刻效果不理想。

4. 后处理：蚀刻完成后，需要对样品进行清洗和去除掩膜等后处理工序。

清洗可以去除蚀刻液残留，而去除掩膜可以使得样品的表面完整。

三、应用领域化学蚀刻工艺在各个领域都有广泛的应用。

1. 半导体制造：化学蚀刻工艺是半导体制造中不可或缺的工艺之一。

通过化学蚀刻，可以在晶圆表面形成导电层、绝缘层、衬底等结构，实现电路的功能。

2. 电子元件制造：化学蚀刻工艺可用于制备电子元件的金属线路、电容器等。

通过控制蚀刻液的选择和蚀刻条件，可以实现微米级或纳米级的精确蚀刻。

3. 光学器件制造：光学器件制造中的光栅、反射镜等结构常常需要使用化学蚀刻工艺来实现。

化学蚀刻可以精确控制光学器件的形状和尺寸，提高光学性能。