反激电源及变压器设计宝典
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反激式开关电源变压器的设计反激式变压器是反激开关电源的核心,它决定了反激变换器一系列的重要参数,如占空比D ,最大峰值电流,设计反激式变压器,就是要让反激式开关电源工作在一个合理的工作点上。
这样可以让其的发热尽量小,对器件的磨损也尽量小。
同样的芯片,同样的磁芯,若是变压器设计不合理,则整个开关电源的性能会有很大下降,如损耗会加大,最大输出功率也会有下降,下面我系统的说一下我设计变压器的方法。
设计变压器,就是要先选定一个工作点,在这个工作点上算,这个是最苛刻的一个点,这个点就是最低的交流输入电压,对应于最大的输出功率。
下面我就来算了一个输入85V 到265V ,输出5V ,2A 的电源,开关频率是100KHZ 。
第一步,选定原边感应电压V OR这个值是由自己来设定的,这个值就决定了电源的占空比。
可能朋友们不理解什么是原边感应电压,为了便于理解,我们从下面图一所示的例子谈起,慢慢的来。
这是一个典型的单端反激式开关电源,大家再熟悉不过了,下面分析一下一个工作周期的工作情况,当开关管开通的时候,原边相当于一个电感,电感两端加上电压,其电流值不会突变,而线性的上升,有公式上升了的电流:I 升=V S *Ton/L这三项分别是原边输入电压、开关开通时间和原边电感量.在开关管关断的时候,原边电感放电,电感电流又会下降,同样要尊守上面的公式定律,此时有下降了的电流:I降=V OR *T OFF /L这三项分别是原边感应电压(即放电电压)、开关管关断时间和电感量.在经过一个周期后,原边电感电流会回到原来的值,不可能会变,所以,有:V S *T ON /L=V OR *T OFF /L即上升了的等于下降了的,懂吗?好懂吧!上式中可以用D来代替T ON ,用(1图一-D)来代替T OFF。
移项可得:D= V OR /(V OR +V S)此即是最大占空比了。
比如说我设计的这个变压器,我选定感应电压为80V,V S为90V ,则D=80/(80+90)=0.47第二步,确定原边电流波形的参数原边电流波形有三个参数,平均电流,有效值电流,峰值电流.,首先要知道原边电流的波形,原边电流的波形如下图所示。
反激电源及变压器设计宝典下面先容易讲述其工作原理:t0时刻,MOS开通。
变压器初级电流在输入电压的作用下,线性升高,升高速率为Vin/l1。
变压器初级电压感应到次级,整流二极管反向截止。
二极管承受反压为Vin/(NP/NS)+Vout。
t1时刻,MOS关断。
变压器初级电流被强制关断。
我们知道电感电流是不能突变的,而现在MOS要强制关断初级电流,那么初级电感就会在MOS关断过程中,在初级侧产生一个感应电动势。
按照电磁感应定律,我们知道,这个感应电动势在原理图中是下正上负的。
这个感应电动势通过变压器的绕组耦合到次级,因为次级的同名端和初级是反的。
所以次级的感应电动势是上正下负。
当次级的感应电动势达到输出电压时,次级整流二极管导通。
初级电感在MOS开通时储存的能量,通过磁芯耦合到次级电感,然后通过次级线圈释放到次级输出电容中。
在向输出电容中转移能量的过程中,因为次级输出电容容量很大,电压基本不变,所以次级电压被箝位在输出电压Vout,那么由于磁芯绕组电压是按匝数的比例关系,所以此时初级侧的电压也被箝位在Vout/(NS/NP),这里为了简化分析,我们忽视了二极管的正向导通压降。
现在我们引入一个十分重要的概念,反射电压Vf。
反射电压Vf就是次级绕组在向次级整流后的输出电容转移能量时,把次级输出电压根据初次级绕组的匝数比关系反射到初级侧绕组的电压,数值为:Vf=(Vout+Vd)/(NS/NP),式中,Vd是二极管的正向导通压降。
在本例中,Vout约为20V,Vd约为1V,NP/NS=2,那么反射电压约为42V。
从波形图上可以证明这一点。
那么我们从原理图上可以知道,此时MOS 的承受的电压为Vin+Vf。
也有伴侣注重到了,在MOS关断的时候,Vds的波形显示,MOS上的电压远超过Vin+Vf!这是怎么回事呢?这是由于,我们的这个例子中,变压器的初级有漏感。
漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。
那么MOS关断过程中,漏感电流也是不能突变的。
单端反激式开关电源中变压器的设计变压器作为单端反激式开关电源中的关键部件,在一定时间内具有不变的变换特性,因此具有较强的可靠性。
变压器的设计方案的选择对单端反激式开关电源的工作稳定性和效率都有很大的影响,因此变压器的设计步骤和要求都需要非常精细地考虑。
一、变压器设计步骤1、选择基本参数:在变压器设计中,首先要根据单端反激式开关电源的功率、输入电压、输出电压、铁芯材料、匝数及其他参数等,确定变压器的基本参数。
2、磁材和匝组设计:根据变压器的基本参数,确定变压器的磁芯材料,以及计算求出的空心铁芯的尺寸,以此作为变压器的磁材和匝组设计的参考。
3、选择变压器结构形式:根据变压器的功率大小,以及其应用环境的实际情况,选择工作最稳定的变压器结构形式。
4、绕组设计:针对上述选择的变压器结构形式,根据变压器的基本参数,选择合适的绕组几何参数,并根据电流要求以及其他条件,采用不同的工艺技术完成绕组的设计。
5、振荡线圈设计:由于单端反激式开关电源较复杂,为了实现对电压幅值、相位和线性度的控制,可能要设计振荡线圈。
因此,在实际的设计中,需要根据电路的实际要求,进行振荡线圈的合理设计。
1、电气特性要求:变压器的电气特性包括变换率、耐压要求、绝缘耐压要求、额定功率、工频噪声。
变压器应能满足额定电压比、额定电流、绝缘耐压、额定功率等要求,而且应保持满足所需的线性度要求,并具有良好的耐辐射和抗干扰能力。
2、机械特性要求:机械特性包括尺寸、外形和结构特性。
变压器的结构特性要求包括安装大小、安装方式、绝缘要求、电正性要求等,并要求可以长时间稳定的运行,在正常工作情况下,满足高强度,无变形。
3、热效应要求:在变压器设计中还应考虑高效率、低损耗要求,其中尤其需要考虑到热效应。
热效应要求变压器的绝缘材料具有高的热稳定性;并且磁芯的结构设计要考虑到磁芯材料的热导性和热抗性;另外,还要考虑到电磁绕组材料的空气隙、绕组物理结构等造成的损耗,以确保变压器的热效应稳定可靠。
开关电源学习漏感:变压器初次级耦合过程中漏掉的那一部分磁通!变压器的漏感应该是线圈所产生的磁力线不能都通过次级线圈,因此产生漏磁的电感称为漏感。
RCD钳位电路的作用:反激式开关电源在开关管断开的瞬间由于漏感不能通过变压器耦合到次级绕组,导致漏感的反激电动势很大,高压很容易导致开关管的损坏,所以用RCD钳位电压到安全的范围,将漏感的能量存储在电容C中,再由电阻R消耗掉。
反激式开关电源:反激电路是由buck-boost拓扑电路演变过来的。
演变的过程把MOS和二极管D1放到下面,与上图等效。
在A B之间增加一个变压器,由于初级和次级的电感上承受的伏秒积是相等的,所以用这个变压器来等效。
由于电感和变压器的初级电感并联,为了直观把电感合二为一,并且调整变压器的同名端得到下图;上面的电路图便是最基本的反激式开关电路图了,由于变压器在开关管导通时储存能量,断开时通过次级绕组释放能量,变压器的实质是耦合电感,耦合电感不仅承担输入与输出的电气隔离,而且实现了电压的变换,而不仅仅是通过改变占空比来实现。
由于此耦合电感并非理想器件,所以存在漏感,而实际线路中也会存在杂散电感。
当MOS关断时,漏感和杂散电感中的能量会在MOS的漏极产生很高的电压尖峰,从而会导致器件的损坏。
故而,我们必须对漏感能量进行处理,最常见的就是增加一个RCD 吸收电路。
用C来暂存漏感能量,用R来耗散之。
二极管的反向恢复电流理想的二极管在承受反向电压时截止,不会有反向电流通过。
而实际二极管正向导通时,PN结内的电荷被积累,当二极管承受反向电压时,PN结内积累的电荷将释放并形成一个反向恢复电流,它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。
反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。
因此,输出整流二极管的反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。
可以通过在二极管两端并联RC缓冲器,以抑制其反向恢复噪声.。
碳化硅材料的肖特基二极管,恢复电流极小。
一、正激式开关电源高频变压器:No待求参数项 详细公式1 副边电压Vs Vs = Vp*Ns/Np2 最大占空比θonmax θonmax = Vo/(Vs-0.5)1、θonmax的概念是指:根据磁通复位原则,其在闭环控制下所能达到的最大占空比。
2、0.5是考虑输出整流二极管压降的调整值,以下同。
3 临界输出电感Lso Lso = (Vs-0.5)*(Vs-0.5-Vo)*θonmax2/(2*f*Po)1、由能量守恒:(1/T)*∫0ton{Vs*[(Vs-Vo)*t/Lso]}dt = Po2、Ton=θon/f4 实际工作占空比θon 如果输出电感Ls≥Lso:θon=θonmax否则: θon=√{2*f*Ls*Po /[(Vs-0.5)*(Vs-0.5-Vo)]}1、由能量守恒:(1/T)*∫0ton{Vs*[(Vs-Vo)*t/Ls]}dt = Po2、Ton=θon/f5 导通时间Ton Ton =θon /f6 最小副边电流Ismin Ismin = [Po-(Vs-0.5)*(Vs-0.5-Vo)*θon2/(2*f*Ls)]/[(Vs-0.5)*θon]1、由能量守恒:(1/T)*∫0ton{Vs*[(Vs-Vo)*t/Ls+Ismin]}dt = Po2、Ton=θon/f7 副边电流增量ΔIs ΔIs = (Vs-0.5-Vo)* Ton/ Ls8 副边电流峰值Ismax Ismax = Ismin+ΔIs9 副边有效电流Is Is = √[(Ismin2+ Ismin*ΔIs+ΔIs2/3)*θon]1、Is=√[(1/T)*∫0ton(Ismin+ΔIs*t/Ton)2dt]2、θon= Ton/T10 副边电流直流分量Isdc Isdc = (Ismin+ΔIs/2) *θon11 副边电流交流分量Isac Isac = √(Is2- Isdc2)12 副边绕组需用线径Ds Ds = 0.5*√Is电流密度取5A/mm213 原边励磁电流Ic Ic = Vp*Ton / Lp14 最小原边电流Ipmin Ipmin = Ismin*Ns/Np15 原边电流增量ΔIp ΔIp = (ΔIs* Ns/Np+Ic)/η16 原边电流峰值Ipmax Ipmax = Ipmin+ΔIp17 原边有效电流Ip Ip = √[(Ipmin2+ Ipmin*ΔIp+ΔIp2/3)*θon]1、Ip=√[(1/T)*∫0ton(Ipmin+ΔIp*t/Ton)2dt]2、θon= Ton/T18 原边电流直流分量Ipdc Ipdc = (Ipmin+ΔIp/2) *θon19 原边电流交流分量Ipac Ipac = √(Ip2- Ipdc2)20 原边绕组需用线径Dp Dp = 0.55*√Ip电流密度取4.2A/mm221 最大励磁释放圈数Np′ Np′=η*Np*(1-θon) /θon22 磁感应强度增量ΔB ΔB = Vp*θon / (Np*f*Sc)23 剩磁Br Br = 0.1T24 最大磁感应强度Bm Bm = ΔB+Br25标称磁芯材质损耗P Fe(100KHz 100℃ KW/m3)磁芯材质PC30:P Fe = 600磁芯材质PC40:P Fe = 45026 选用磁芯的损耗系数ωω= 1.08* P Fe / (0.22.4*1001.2)1.08为调节系数27 磁芯损耗Pc Pc = ω*Vc*(ΔB/2)2.4*f1.228 气隙导磁截面积Sg 方形中心柱:Sg= [(a+δ′/2)*( b+δ′/2)/(a*b)]*Sc 圆形中心柱:Sg= {π*(d/2+δ′/2)2/[π*(d/2)2]} *Sc29 有效磁芯气隙δ′ δ′=μo*(Np2*Sc/Lp-Sc/AL)1、根据磁路欧姆定律:H*l = I*Np 有空气隙时:Hc*lc + Ho*lo = Ip*Np又有:H = B/μ Ip = Vp*Ton/Lp 代入上式得:ΔB*lc/μc +ΔB*δ/μo = Vp*Ton*Np /Lp 式中:lc为磁路长度,δ为空气隙长度,Np为初级圈数,Lp为初级电感量,ΔB为工作磁感应强度增量;μo为空气中的磁导率,其值为4π×10-7H/m;2、ΔB=Vp*Ton/Np*Sc3、μc为磁芯的磁导率,μc=μe*μo4、μe为闭合磁路(无气隙)的有效磁导率,μe的推导过程如下:由:Hc*lc=Ip*Np Hc=Bc/μc=Bc/μe*μo Ip=Vp*Ton/Lpo 得到:Bc*lc/(μe*μo)=Np*Vp*Ton/Lpo又根据:Bc=Vp*Ton/Np*Sc 代入上式化简 得:μe = Lpo*lc/μo*Np2*Sc5、Lpo为对应Np下闭合磁芯的电感量,其值为:Lpo = AL*Np26、将式步骤5代入4,4代入3,3、2 代入1得:Lp =Np2*Sc/(Sc/AL +δ/μo)30 实际磁芯气隙δ如果δ′/lc≤0.005: δ=δ′如果δ′/lc>0.03: δ=μo*Np2*Sc/Lp 否则 δ=δ′*Sg/Sc31 穿透直径ΔD ΔD = 132.2/√f32 开关管反压Uceo Uceo = √2 *Vinmax+√2 *Vinmax*Np/ Np′33 输出整流管反压Ud Ud = Vo+√2 *Vinmax*Ns/Np′34 副边续流二极管反压Ud′ Ud′=√2 *Vinmax*Ns/Np二、双端开关电源高频变压器设计步骤:No待求参数项 详细公式1 副边电压Vs 如果为半桥:Vs = Vp*Ns/(2*Np) 否则: Vs = Vp*Ns/Np2 最大占空比θonmax θonmax = Vo/(Vs-0.5)1、θonmax的概念是指:根据磁通复位原则,其在闭环控制下所能达到的最大占空比。
反激式电源变压器设计峰值电流:IP=2PO/Uin*Dmax*η单位;APO:输出功率。
Uin:最小直流输入电压。
Dmax:最大占空比。
一般为0.45.η:效率。
一次侧电感量:LP= (Vin*Dmax)^2/2*Pin*Fs*Krf 单位;HDcm: Krf=1 CCM: Krf=0.3-0.5一次侧匝数:NP=100*IP*LP/ BM *AEAE:平方厘米BM:高斯LP:UHIP: A二次侧匝数:NS=NP*(UO+UF)/URUR=UIN*DMAX/1-DMAXUO:输出电压。
UF:输出二极管压降。
UR;反射电压。
DMAX:最大占空比。
一般为0.45反馈匝数:NV=NS*(UV+UFV)/(VO+VF)NV:反馈圈数NS:次级圈数UV:反馈电压。
UFV:反馈二极管压降磁芯气隙:LG={(0.4/3.14)*IP*NP}/BMLG:磁路气隙,单位:CM。
BM:最大磁感应强度;单位:MT。
一次侧电流有效值:IPRMS=IP*√DMAX/3二次侧电流有效值:IPRMS=(2*IO/1-DMAX)*√DMA X/3最大磁通密度:BM=100*IP*LP/NP*AEAE:平方厘米BM:高斯LP:UHIP;安倍1特期拉=1000 毫特斯拉=10000高斯初级线径:OD=L*(BW-2*M)/NPL:初级层数BW:骨架宽度MMM:安全边距MM有效骨架宽度:BE=D*(B-2M)D=层数B=骨架宽度单位:MM导线外径DPM:DPM=BE/NP 单位;MM导线电流验证:J= 1.28*IRMS/DPM^2IRMS=有效值电流(A)DPM=无绝缘线外径(MM)。
反激电源变压器设计一、变压器参数的选择反激电源变压器的核心参数包括输入电压、输出电压、输出功率和工作频率。
在设计反激电源变压器时,首先要确定输入电压和输出电压的数值,通常可以根据电子设备的需求进行选择。
然后,根据输出功率计算变压器的功率大小,一般情况下可以按照变压器的负载能力来选择。
最后,确定工作频率,一般常用的工作频率有50Hz和60Hz两种,可以根据具体的应用需求来选择。
二、绕线的计算1.确定绕组的匝数比反激电源变压器通常是多绕组变压器,其中包括输入绕组、输出绕组和反馈绕组。
输入绕组的匝数Np从输入电压和功率的关系中可以计算得到,公式为Np = Vin * Iin / P,其中Vin表示输入电压,Iin表示输入电流,P表示输出功率。
输出绕组的匝数Ns可以由输出电压和功率的关系计算得到,公式为Ns = Vout * Iout / P,其中Vout表示输出电压,Iout表示输出电流,P表示输出功率。
反馈绕组的匝数Nf可以根据设计需求确定,通常取决于反馈网络的设计。
2.计算绕组的截面积绕制反激电源变压器时需要考虑绕组的电流和电阻损耗。
根据电流密度J,可以计算出绕组的截面积A,公式为A=I/J,其中I为电流密度,J为截面积。
电流密度的取值可以根据设计经验或者具体的应用需求来确定。
另外,要考虑绕组的电阻损耗,可以通过计算电阻来确定。
3.确定绕组的材料反激电源变压器的绕组通常采用铜导线,因为铜导线有较好的导电性能和热稳定性。
在选择铜导线时,要考虑导线的直径、长度和截面积等参数,同时还要根据绕组的电流来选择合适的导线规格,以保证导线能够承受相应的电流负荷。
三、设计注意事项1.绕制绕组时要注意匝数的计算和绕线的排列方式,以保证绕组的结构紧凑和电感性能的稳定。
2.反激电源变压器中会产生电磁干扰,因此在设计时要合理布局绕组,减小磁感应强度的泄漏。
3.反激电源变压器的绕组要用绝缘材料进行绝缘处理,以避免电气短路和绝缘击穿现象的发生。
反激电源变压器是一种常用的电源变压器,其工作原理是利用变压器的反转作用以实现能量的传递。
在电子设备中广泛应用,特别是在小功率电源供应中,以其高效、小体积、低成本等优势备受青睐。
在设计反激电源变压器时,关键元件参数的选择至关重要,直接影响到变压器的性能与稳定性。
本文将从反激电源变压器的设计要点和关键元件参数的设计角度入手,详细介绍如何合理选择关键元件参数,在保证性能的实现效率和可靠性的最大化。
一、反激电源变压器的设计要点1. 输入输出参数确定反激电源变压器的设计首先需要确定输入和输出的电压、电流参数。
输入参数主要包括输入电压范围、输入电流限制等,而输出参数涉及输出电压、输出电流等。
这些参数的确定需要考虑到实际应用场景和需求,以确保变压器在实际工作中能够稳定可靠地工作。
2. 磁芯选择磁芯是反激电源变压器中重要的材料之一,直接影响到变压器的工作效率和性能。
一般来说,高频电源变压器会选择磁芯材料具有低损耗、高饱和磁感应强度、低磁滞等特点的材料,如磁粉芯、铁氧体磁芯等。
3. 绕线设计绕线是构成变压器的重要组成部分,绕线的设计影响到变压器的电磁特性和功率传输效率。
在反激电源变压器中,需要合理设计绕线的匝数、线径等参数,以降低损耗、提高效率。
4. 开关管选择开关管是反激电源变压器中的关键元件之一,直接影响到变压器的频率、效率和稳定性。
在选择开关管时,需要考虑到其导通压降、开关速度、耐压能力等参数,以确保变压器的可靠工作。
二、关键元件参数设计1. 输入电感元件的参数设计输入端的电感元件是反激电源变压器中的重要元件之一,其参数设计直接关系到变压器的输入电流波形和功率因数。
- 选择电感元件的匝数时,应根据输入输出电压比例和工作频率来确定,一般来说,输入端的电感匝数可以通过输入输出电压比例的平方来估算。
- 选择电感元件的材料时,需要考虑到其导磁性能、损耗、饱和磁感应强度等因素,以确保电感元件能够在高频工作条件下保持良好的性能。
电源网独家攻略单端反激开关电源变压器设计单端反激开关电源变压器设计单端反激开关电源的变压器实质上是一个耦合电感,它要承担着储能、变压、传递能量等工作。
下面对工作于连续模式和断续模式的单端反激变换器的变压器设计进行了总结。
1、已知的参数这些参数由设计人员根据用户的需求和电路的特点确定,包括:输入电压Vin、输出电压Vout、每路输出的功率Pout、效率η、开关频率fs(或周期T)、线路主开关管的耐压Vmos。
2、计算在反激变换器中,副边反射电压即反激电压Vf与输入电压之和不能高过主开关管的耐压,同时还要留有一定的裕量(此处假设为150V)。
反激电压由下式确定:反激电压和输出电压的关系由原、副边的匝比确定。
所以确定了反激电压之后,就可以确定原、副边的匝比了。
另外,反激电源的最大占空比出现在最低输入电压、最大输出功率的状态,根据在稳态下,变压器的磁平衡,可以有下式:设在最大占空比时,当开关管开通时,原边电流为Ip1,当开关管关断时,原边电流上升到Ip2。
若Ip1为0,则说明变换器工作于断续模式,否则工作于连续模式。
由能量守恒,我们有下式:一般连续模式设计,我们令这样就可以求出变换器的原边电流,由此可以得到原边电感量:对于连续模式,;对于断续模式,。
可由法求出所要铁芯:在上式中, Aw为磁芯窗口面积,单位为cm2Ae为磁芯截面积,单位为cm2Lp为原边电感量,单位为HIp2为原边峰值电流,单位为ABw为磁芯工作磁感应强度,单位为TK0为窗口有效使用系数,根据安规的要求和输出路数决定,一般为0.2~0.4Kj为电流密度系数,一般取395A/cm2根据求得的AwAe值选择合适的磁芯,一般尽量选择窗口长宽之比比较大的磁芯,这样磁芯的窗口有效使用系数较高,同时可以减小漏感。
有了磁芯就可以求出原边的匝数。
根据下式:再根据原、副边的匝比关系可以求出副边的匝数。
有时求的匝数不是整数,这时应该调整某些参数,使原、副边的匝数合适。
王道反激电源及变压器设计宝典电源网讯对于探讨反激电源以及变压器这个话题,我犹豫了很久。
因为关于反激的话题大家讨论了很多很多,这个话题已经被讨论的非常透彻了。
关于反激电源的参数设计也有多篇文章总结。
还有热心的网友,根据计算过程,自己编写了软件或电子表格把计算做的傻瓜化。
但我也注意到,几乎每天都会出现关于反激设计过程出现问题而求助的帖子,所以,思量再三,我决定还是再一次提出这个话题!我不知道我是否能写出一些有新意的东西,但我会尽力去写好。
不期望能入高手的法眼,但愿能给入门者一些帮助。
纵观电源市场,没有哪一个拓扑能像反激电路那么普及,可见反激电源在电源设计中具有不可替代的地位。
说句不算夸张的话,把反激电源设计彻底搞透了,哪怕其他的拓扑一点不懂,在职场上找个月薪10K的工作也不是什么难事。
提纲1、反激电路是由buck-boost拓扑演变而来,先分析一下buck-boost电路的工作过程。
工作时序说明:t0时刻,Q1开通,那么D1承受反向电压截止,电感电流在输入电压作用下线性上升。
t1时刻,Q1关断,由于电感电流不能突变,所以,电感电流通过D1,向C1充电。
并在C1两端电压作用下,电流下降。
t2时刻,Q1开通,开始一个新的周期。
从上面的波形图中,我们可以看到,在整个工作周期中,电感L1的电流都没有到零。
所以,这个工作模式是电流连续的CCM模式,又叫做能量不完全转移模式。
因为电感中的储能没有完全释放。
从工作过程我们也可以知道,这个拓扑能量传递的方式是,在MOS管开通时,向电感中储存能量,MOS管关断时,电感向输出电容释放能量。
MOS管不直接向负载传递能量。
整个能量传递过程是先储存再释放的过程。
整个电路的输出能力,取决于电感的储存能力。
我们还要注意到,根据电流流动的方向,可以判断出,在输入输出共地的情况下,输出的电压是负电压。
MOS管开通时,电感L1承受的是输入电压,MOS关断时,电感L1承受的是输出电压。
那么,在稳态时,电路要保证电感不进入饱和,必定要保证电感承受的正向和反向的伏秒积的平衡。
那么:Vin×(t1-t0)=Vout×(t2-t1),假如整个工作周期为T,占空比为D,那么就是:Vin×D=Vout×(1-D)那么输出电压和占空比的关系就是:Vout=Vin×D/(1-D)同时,我们注意看MOS管和二极管D1的电压应力,都是Vin+Vout另外,因为是CCM模式,所以从电流波形上可以看出来,二极管存在反向恢复问题。
MOS开通时有电流尖峰。
上面的工作模式是电流连续的CCM模式。
在原图的基础上,把电感量降低为80uH,其他参数不变,仿真看稳态的波形如下:t0时刻,Q1开通,那么D1承受反向电压截止,电感电流在输入电压作用下从0开始线性上升。
t1时刻,Q1关断,由于电感电流不能突变,所以,电感电流通过D1,向C1充电。
并在C1两端电压作用下,电流下降。
t2时刻,电感电流和二极管电流降到零。
D1截止,MOS的结电容和电感开始发生谐振。
所以可以看见MOS的Vds电压出现周期性的振荡。
t3时刻,Q1再次开通,进入一个新的周期。
在这个工作模式中,因为电感电流会到零,所以是电流不连续的DCM模式。
有叫做能量完全转移模式,因为电感中储存的能量完全转移到了输出端。
而二极管因为也工作在DCM状态,所以没有反向恢复的问题。
但是我们应该注意到,DCM模式的二极管、电感和MOS漏极的峰值电流是大于上面的CCM模式的。
需要注意的是在DCM下的伏秒积的平衡是:Vin×(t1-t0)=Vout(t2-t1)只是个波形的正反问题。
就好象示波器的探头和夹子如果反过来,那么波形就倒过来。
你注意看图的右边,看波形具体的定义是什么。
有的波形是两个点相减出来的。
看波形图也要配合这原理图来看的。
当MOS开通的时候,二极管D1承受着反压,是一个负的电压。
MOS关断的时候,二极管导通,正向压降很低二极管的反向恢复,和其工作时PN 结的载流子的运动有关系。
DCM时,因为二极管已经没有电流流过了,内部载流子已经完成了复合过程。
所以不存在反向回复问题。
会有一点点反向电流,不过那是结电容造成的。
在CCM和DCM模式有个过渡的状态,叫CRM,就是临界模式。
这个模式就是电感电流刚好降到零的时候,MOS开通。
这个方式就是DCM向CCM过渡的临界模式。
CCM在轻载的时候,会进入DCM模式的。
CRM模式可以避免二极管的反向恢复问题。
同时也能避免深度DCM时,电流峰值很大的缺点。
要保持电路一直工作在CRM模式,需要用变频的控制方式。
我还注意到,在DCM模式,电感电流降到零以后,电感会和MOS的结电容谐振,给MOS结电容放电。
那么,是不是可以有种工作方式是当MOS 结电容放电到最低点的时候,MOS开通进入下一个周期,这样就可以降低MOS开通的损耗了。
答案是肯定的。
这种方式就叫做准谐振,QR方式。
也是需要变频控制的。
不管是PWM模式,CRM模式,QR模式,现在都有丰富的控制IC可以提供用来设计。
2、那么我们常说,反激flyback电路是从buck-boost电路演变而来,究竟是如何从buck-boost拓扑演变出反激flyback拓扑的呢?请看下面的图:这是基本的buck-boost拓扑结构。
下面我们把MOS管和二极管的位置改变一下,都挪到下面来。
变成如下的电路结构。
这个电路和上面的电路是完全等效的。
接下来,我们把这个电路,从A、B两点断开,然后在断开的地方接入一个变压器,得到下图:为什么变压器要接在这个地方?因为buck-boost电路中,电感上承受的双向伏秒积是相等的,不会导致变压器累积偏磁。
我们注意到,变压器的初级和基本拓扑中的电感是并联关系,那么可以将变压器的励磁电感和这个电感合二为一。
另外,把变压器次级输出调整一下,以适应阅读习惯。
得到下图:这就是最典型的隔离flyback电路了。
由于变压器的工作过程是先储存能量后释放,而不是仅仅担负传递能量的角色。
故而这个变压器的本质是个耦合电感。
采用这个耦合电感来传递能量,不仅可以实现输入与输出的隔离,同时也实现了电压的变换,而不是仅仅靠占空比来调节电压。
由于此耦合电感并非理想器件,所以存在漏感,而实际线路中也会存在杂散电感。
当MOS关断时,漏感和杂散电感中的能量会在MOS的漏极产生很高的电压尖峰,从而会导致器件的损坏。
故而,我们必须对漏感能量进行处理,最常见的就是增加一个RCD吸收电路。
用C来暂存漏感能量,用R来耗散之。
下面先让我们仿真一下反激flyback电路的工作过程。
在使用耦合电感仿真的时候,我们需要知道saber中,耦合电感怎么用。
简单的办法,就是选择一个理想的线性变压器,然后设置其电感量来仿真。
还有一个办法,就是利用耦合电感K这个模型来仿真。
下图是我们用来仿真的电路图,为了让大家能看到元件参数的设置,我把所有元件的关键参数都显示出来了。
还有,因为仿真的需要,我把输入和输出共地,实际电路当然是隔离的。
细心的朋友可能会注意到,变压器的初级电感量是202uH,参与耦合的却只有200uH,那么有2uH是漏感。
次级是50uH,没有漏感。
变压器的电感比是200:50,那么意味着变压器的匝比NP/NS=2:1设定瞬态扫描,时间10ms,步长10ns,看看稳态时的波形吧:下面先简单叙述其工作原理:t0时刻,MOS开通。
变压器初级电流在输入电压的作用下,线性上升,上升速率为Vin/l1。
变压器初级电压感应到次级,整流二极管反向截止。
二极管承受反压为Vin/(NP/NS)+Vout。
t1时刻,MOS关断。
变压器初级电流被强制关断。
我们知道电感电流是不能突变的,而现在MOS要强制关断初级电流,那么初级电感就会在MOS 关断过程中,在初级侧产生一个感应电动势。
根据电磁感应定律,我们知道,这个感应电动势在原理图中是下正上负的。
这个感应电动势通过变压器的绕组耦合到次级,由于次级的同名端和初级是反的。
所以次级的感应电动势是上正下负。
当次级的感应电动势达到输出电压时,次级整流二极管导通。
初级电感在MOS开通时储存的能量,通过磁芯耦合到次级电感,然后通过次级线圈释放到次级输出电容中。
在向输出电容中转移能量的过程中,由于次级输出电容容量很大,电压基本不变,所以次级电压被箝位在输出电压Vout,那么因为磁芯绕组电压是按匝数的比例关系,所以此时初级侧的电压也被箝位在Vout/(NS/NP),这里为了简化分析,我们忽略了二极管的正向导通压降。
现在我们引入一个非常重要的概念,反射电压Vf。
反射电压Vf就是次级绕组在向次级整流后的输出电容转移能量时,把次级输出电压按照初次级绕组的匝数比关系反射到初级侧绕组的电压,数值为:Vf=(Vout+Vd)/(NS/NP),式中,Vd是二极管的正向导通压降。
在本例中,Vout约为20V,Vd约为1V,NP/NS=2,那么反射电压约为42V。
从波形图上可以证实这一点。
那么我们从原理图上可以知道,此时MOS 的承受的电压为Vin+Vf。
也有朋友注意到了,在MOS关断的时候,Vds的波形显示,MOS上的电压远超过Vin+Vf!这是怎么回事呢?这是因为,我们的这个例子中,变压器的初级有漏感。
漏感的能量是不会通过磁芯耦合到次级的。
那么MOS 关断过程中,漏感电流也是不能突变的。
漏感的电流变化也会产生感应电动势,这个感应电动势因为无法被次级耦合而箝位,电压会冲的很高。
那么为了避免MOS被电压击穿而损坏,所以我们在初级侧加了一个RCD 吸收缓冲电路,把漏感能量先储存在电容里,然后通过R消耗掉。
当然,这个R不仅消耗漏感能量。
因为在MOS关断时,所有绕组都共享磁芯中储存的能量。
其实,留意看看,初级配上RCD吸收电路,和次级整流滤波后带一个电阻负载,电路结构完全是相同的。
故而初级侧这时候也像一个输出绕组似的,只不过输出的电压是Vf,那么Vf也会在RCD吸收回路的R上产生功率。
因此,初级侧的RCD吸收回路的R不要取值太小,以避免Vf在其上消耗过多的能量而降低效率。
t3时刻,MOS再次开通,开始下一个周期。
那么现在有一个问题。
在一个工组周期中,我们看到,初级电感电流随着MOS的关断是被强制关断的。
在MOS关断期间,初级电感电流为0,电流是不连续的。
那么,是不是我们的这个电路是工作在DCM状态的呢?在flyback电路中,CCM和DCM的判断,不是按照初级电流是否连续来判断的。
而是根据初、次级的电流合成来判断的。
只要初、次级电流不同是为零,就是CCM模式。
而如果存在初、次级电流同时为零的状态,就是DCM模式。
介于二者之间的就是CRM过渡模式。
所以根据这个我们从波形图中可以看到,当MOS开通时,次级电流还没有降到零。
而MOS开通时,初级电流并不是从零开始上升,故而,这个例子中的电路是工作在CCM模式的。