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西 安 邮 电 大 学
开放式电子电路实验 实验报告
院 系： 通信与信息工程学院
专业班级： 通工1004班
姓名： 庞丹旭
学 号： 03101133
实验日期： 2012-2013第一学期
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实验一 三极管放大电路
一、实验目的
1．掌握多级放大器静态工作点的调整与测试方法。
2．学会放大器频率特性测量方法。
3．了解放大器的失真及消除方法。
4．掌握两级放大电路放大倍数的测量方法和计算方法。
5．进一步掌握两级放大电路的工作原理。
二、实验仪器
示波器
万用表
信号发生器
直流电源
三、实验设计要求
1．信号源内阻：Rs=51K
2．输入信号频率 20Hz-20Khz
3．Av=3
4．RL=200Ω/75Ω
5．Vo=3Vpp
6．P电源=30mW
7．增加平坦度<0.1dB
四、设计思路
求各部分的直流电位：
如图所示，基级的直流电位VB是用R1和R2对电源电压VCC进行分压后的电位，所以，流进晶体管的基级电路的直流成分IB是很小的，可以忽略， 则：VB=R2/(R1+R2)*VCC
(V)
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发射机的直流电位VE，仅比VB低于基级—发射机间的电压VBE，如设VBE=0.6V，则VE为：VE=VB-0.6 (V)
发射级上流动的直流电流IE为 IE=VE/RE=(VB-0.6)/RE
集电极的电流电压VC为电源电压减去RC的压降而算得的值，所以VC为：VC=VCC-IC*RC
在式中，基级电流为最少的值，所以可忽略，则IC=IE。
求交流电压放大倍数：、
接着求上图电路的交流放大倍数
由于晶体管的基级-发射极间存在的二极管是在导通情况下使用的（交流电阻为0），所以基级端子的交流电位直接出现在发射极，因此，由交流输入电压vi引起的ie的交流变化部分△ie为：△ie=vi/RE
另外，令集电极电流的交流变化部分为△ic，则vc交流变化部分△vc为：△vc=△ic*RC
三极管的放大电路
三极管是现代电子技术中最重要的元器件之一，它广泛应用于信号放大，开关控制等领域。三极管放大电路是三极管应用的重要部分，具有重要的研究和应用价值。
三极管放大电路是指将三极管作为信号放大器的一种电路。三极管放大电路具有以下特点：
1.放大倍数高。三极管放大电路的放大倍数可以达到几千倍，远高于其他普通放大器的放大倍数。
2.线性好。三极管放大电路的电流电压关系非常稳定，能够实现非常好的线性放大。
3.动态范围宽。三极管放大电路能够处理大范围的信号级别，可以实现符合实际需求的信号处理。
三极管放大电路具有以下分类：
1.共基极放大电路（CB）。共基极放大电路对输入信号具有很高的阻抗，可以实现电流放大。 2.共发射极放大电路（CE）。共发射极放大电路对输入信号的耦合较好，可以实现电压放大。
3.共集电极放大电路（CC）。共集电极放大电路具有低输入阻抗，可以大大减少输入噪声。
三极管放大电路的设计需要根据应用场景的要求来确定，一般来说，应根据电压放大倍数和电流放大倍数来确定放大电路的特性。对于要求高的应用场景，需要选择特性优异的三极管，并根据实际情况进行调整。
三极管放大电路的关键参数包括放大倍数、输入阻抗、输出阻抗、带宽等。对于不同的应用场景，需要根据这些参数来确定放大电路的特性。
半导体三极管及其放大电路
一、选择题
1.晶体管能够放大的外部条件是_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏
c 发射结正偏，集电结反偏
答案：c
2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏
答案：a 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________
a 0.1V b 0.5V c 0.7V 答案：b
4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________ a 0.1V b 0.3V c 0.5V
答案：b
5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____
a 40 b 50 c 60
答案：c
6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________ a 越好 b 越差 c 无变化
答案：a 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________
a 高 b 低 c 一样答案：a
8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________ a 增大 b 减小 c 不变
答案：a 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________ a 升高 b 降低 c 不变
答案：b 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极 b 基极 c 集电极答案：c
11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________ a 右移 b 左移 c 不变
答案：b
12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________
a 上移 b 下移 c 不变
答案：a
12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________ a 不变 b 减小 c 增大
答案：c 12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________
a 两者无关 b 有关 c 无法判断答案：a
15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的β一定减小
半导体三极管的三种基本放大电路
放大电路在放大信号时，总有两个电极作为信号的输入端，同时也应有两个电极作为输出端。根据半导体三极管三个电极与输入、输出端子的连接方式，可归纳为三种:共发射极电路、共基极电路以及共集电极电路。图15-8 所示就是这三种电路的接法。
这三种电路的共同特点是，它们各有两个回路，其中一个是输入回路，另一个是输出回路，并且这两个回路有一个公共端，而公共端是对交流信号而言的。它们的区别在于:共发射极电路管子的发射极是公共端，信号从基极与发射极之间输入，而从集电极和发射极之间输出;共基极电路则以基极作为输入、输出端的公共端;共集电极电路则以集电极作为输入、输出的共公端，因为它的输出信号是从发射极引出的.所以又把共集电极放大电路称为
射极输出器。
下面从几个方面对这三个电路的特性进行比较。
1.电流放大倍数
共发射极电路的输入电流是基极电流IB，输出电流是集电极电流IC， 电流放大倍数β=△IC/△IB，通常β值是较大的。
共基极电路的输入电流是发射极电流IE，输出电流是集电极电流IC， 电流放大倍数α=△IC/△IE。由于△IC小于△IE，所以α 总是小于1的。
共集电极的输入电流是基极电流lB，输出电流是发射极电流IE，电流放大倍数K=△IE/△IB=(△IB+△IC)/△IB=1+β，可见其电流放大倍数也是较大的。
2. 电压放大倍数
共发射极电路的输入端实际上是三极管的发射结，由于三极管处于正向电压工作状态，所以它的输入阻抗是很低的、而输出端的集电结是处于反向电压工作状态，它的输出阻抗是很大的。由于共发射极电路的电流放大倍数较大，输出电流就会在输出端产生较大的输出电压，因而共发射极电路的电压放大倍数较大。 共基极电路的电流放大倍数虽然小于1，但可以选择较大的集电极负载电阻RL和合适的集电极电源EC，使RL的阻值增大后IC不变，那么在RL上仍可以得到较大的输出电压. .使电压放大倍数远大于1。
