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西 安 邮 电 大 学
开放式电子电路实验 实验报告
院 系： 通信与信息工程学院
专业班级： 通工1004班
姓名： 庞丹旭
学 号： 03101133
实验日期： 2012-2013第一学期
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实验一 三极管放大电路
一、实验目的
1．掌握多级放大器静态工作点的调整与测试方法。
2．学会放大器频率特性测量方法。
3．了解放大器的失真及消除方法。
4．掌握两级放大电路放大倍数的测量方法和计算方法。
5．进一步掌握两级放大电路的工作原理。
二、实验仪器
示波器
万用表
信号发生器
直流电源
三、实验设计要求
1．信号源内阻：Rs=51K
2．输入信号频率 20Hz-20Khz
3．Av=3
4．RL=200Ω/75Ω
5．Vo=3Vpp
6．P电源=30mW
7．增加平坦度<0.1dB
四、设计思路
求各部分的直流电位：
如图所示，基级的直流电位VB是用R1和R2对电源电压VCC进行分压后的电位，所以，流进晶体管的基级电路的直流成分IB是很小的，可以忽略， 则：VB=R2/(R1+R2)*VCC
(V)
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发射机的直流电位VE，仅比VB低于基级—发射机间的电压VBE，如设VBE=0.6V，则VE为：VE=VB-0.6 (V)
发射级上流动的直流电流IE为 IE=VE/RE=(VB-0.6)/RE
集电极的电流电压VC为电源电压减去RC的压降而算得的值，所以VC为：VC=VCC-IC*RC
在式中，基级电流为最少的值，所以可忽略，则IC=IE。
求交流电压放大倍数：、
接着求上图电路的交流放大倍数
由于晶体管的基级-发射极间存在的二极管是在导通情况下使用的（交流电阻为0），所以基级端子的交流电位直接出现在发射极，因此，由交流输入电压vi引起的ie的交流变化部分△ie为：△ie=vi/RE
另外，令集电极电流的交流变化部分为△ic，则vc交流变化部分△vc为：△vc=△ic*RC
三极管的放大电路
三极管是现代电子技术中最重要的元器件之一，它广泛应用于信号放大，开关控制等领域。三极管放大电路是三极管应用的重要部分，具有重要的研究和应用价值。
三极管放大电路是指将三极管作为信号放大器的一种电路。三极管放大电路具有以下特点：
1.放大倍数高。三极管放大电路的放大倍数可以达到几千倍，远高于其他普通放大器的放大倍数。
2.线性好。三极管放大电路的电流电压关系非常稳定，能够实现非常好的线性放大。
3.动态范围宽。三极管放大电路能够处理大范围的信号级别，可以实现符合实际需求的信号处理。
三极管放大电路具有以下分类：
1.共基极放大电路（CB）。共基极放大电路对输入信号具有很高的阻抗，可以实现电流放大。 2.共发射极放大电路（CE）。共发射极放大电路对输入信号的耦合较好，可以实现电压放大。
3.共集电极放大电路（CC）。共集电极放大电路具有低输入阻抗，可以大大减少输入噪声。
三极管放大电路的设计需要根据应用场景的要求来确定，一般来说，应根据电压放大倍数和电流放大倍数来确定放大电路的特性。对于要求高的应用场景，需要选择特性优异的三极管，并根据实际情况进行调整。
三极管放大电路的关键参数包括放大倍数、输入阻抗、输出阻抗、带宽等。对于不同的应用场景，需要根据这些参数来确定放大电路的特性。
半导体三极管及其放大电路
一、选择题
1.晶体管能够放大的外部条件是_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏
c 发射结正偏，集电结反偏
答案：c
2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏
答案：a 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________
a 0.1V b 0.5V c 0.7V 答案：b
4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________ a 0.1V b 0.3V c 0.5V
答案：b
5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____
a 40 b 50 c 60
答案：c
6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________ a 越好 b 越差 c 无变化
答案：a 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________
a 高 b 低 c 一样答案：a
8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________ a 增大 b 减小 c 不变
答案：a 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________ a 升高 b 降低 c 不变
答案：b 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极 b 基极 c 集电极答案：c
11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________ a 右移 b 左移 c 不变
答案：b
12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________
a 上移 b 下移 c 不变
答案：a
12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________ a 不变 b 减小 c 增大
答案：c 12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________
a 两者无关 b 有关 c 无法判断答案：a
15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的β一定减小
半导体三极管及放大电路基础知识讲解
第一节 学习要求
第二节 半导体三极管
第三节 共射极放大电路
第四节 图解分析法
第五节 小信号模型分析法
第六节 放大电路的工作点稳固问题
第七节 共集电极电路
第八节 放大电路的频率响应概述
第九节 本章小结
第一节 学习要求
〔1〕把握差不多放大电路的两种差不多分析方法--图解法与微变等效电路法。 会用图解法分析电路参数对电路静态工作点的阻碍和分析波形失真等； 会用微变等效电路法估算电压增益、电路输入、输出阻抗等动态指标。
〔2〕熟悉差不多放大电路的三种组态及特点；把握工作点稳固电路的工作原理。
〔3〕把握频率响应的概念。了解共发射极电路频率特性的分析方法和上、下限截止频率的概念。
第二节 半导体三极管〔BJT〕
BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，由于PN结之间的相互阻碍， 使BJT表现出不同于单个 PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。本节将围绕BJT什么缘故具有电流放大作用那个核心问题，讨论BJT的结构、内部载流子的运动过程以及它的特性曲线和参数。
一、BJT的结构简介
BJT又常称为晶体管，它的种类专门多。按照频率分，有高频管、低频管； 按照功率分，有小、中、大功率管；按照半导体材料分，有硅管、锗管；依照结构不同， 又可分成NPN型和PNP型等等。但从它们的外形来看，BJT都有三个电极，如图3.1所示。
图3.1是NPN型BJT的示意图。 它是由两个 PN结的三层半导体制成的。中间是一块专门薄的P型半导体(几微米~几十微米)，两边各为一块N型半导体。从三块半导体上各自接出的一根引线确实是BJT的三个电极，它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。尽管发射区和集电区差不多上N型半导体，然而发射区比集电区掺的杂质多。在几何尺寸上， 集电区的面积比发射区的大，这从图3.1也可看到，因此它们并不是对称的。
