电子电路基础习题册答案
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电子电路基础习题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
第一章直流电路§1-1 电路的基本概念一、填空题1.电流电源负载控制装置连接导线2.电源负载火线搭铁3.传输转换利用产生处理传输4.化学能电能直5.铅酸燃料超级电容器6.电荷量安培安 A7.电荷的定向带负电的自由电子正负离子正电荷自由电子负离子8.直流电直流 DC9.稳恒直流电10.脉动直流11.交流电交流 AC 直流电交流电12.交流电流表交流电流直流电流表直流电流 + -13.电位金属车架14.电压 Uab 伏特15.电动势 E 负正16.交流电压表交流电压直流电压表电压电流并17.200~60018.电流欧姆Ω19.负温度系数正温度系数20.材料长度横截面积R=ρlS21.电功 W 焦耳千瓦时 1 度电的度22.电功率P瓦特23.发热电流的平方电阻时间Q=I2Rt24.通路断路短路二、判断题1.× 2 .× 3.√ 4.√ 5.√ 6.× 7.√三、选择题1.A 2.C 3.A 4.B 5.B四、简答题1.(1)当启动发动机时,为启动电动机提供强大的启动电流(一般高达200~600A)。
(2)当发电机过载时,可以协助发电机向用电设备供电。
(3)当发动机处于怠速运转时,向用电设备供电。
(4)相当于一个大容量电容器,在发电机转速或用电负载发生较大变化时,可保持电压相对稳定;同时,还可吸收瞬时高压,对汽车中的用电设备起到保护作用。
2.某些特殊材料制成的电阻,对温度、电压、湿度、光照、气体、磁场、压力等作用特别敏感,称为敏感电阻,如热敏电阻、压敏电阻、湿敏电阻、光敏电阻等。
其中,电阻值随温度升高而减小的热敏电阻称为负温度系数(NTC)的热敏电阻,电阻值随温度升高而增大的热敏电阻称为正温度系数(PTC)的热敏电阻。
3.电路中的热敏电阻传感器为负温度系数的热敏电阻传感器。
汽车水温传感器的内部是一个负温度系数的半导体热敏电阻,温度愈低,电阻愈大;反之电阻愈小,安装在发动机缸体或缸盖的水套上,与冷却水直接触。
习题22.1在图2.18所示的电路中,求各理想电流源的端电压、功率及各电阻上消耗的功率。
解答:由节点方程得I3=I2-I1=1A,U1=I3R1=1A×20Ω=20V,U2=U1+I2R2=20V+2A×10Ω=40V,P1= U1I1=20V×1A=20W,P2=-U2I2=-80W,电阻上的功率P R1=20V×1A=20W,P R2=20V×2A=40W。
2.2求图2.19所示电路中各支路电流,并计算理想电流源的电压U1。
已知I1=3A,R2=12Ω,R3=8Ω,R4=12Ω,R5=6Ω。
电压和电流的参考方向如图中所示。
解答:节点方程I1+I2+I3=0,I3=I4+I5,网孔方程I2R2=I3R3+I4R4,I4R4=I5R5,联立上述方程得I2=I3=-1.5A,I4=-0.5A,I5=-1A,U1=I2R2=-1.5A×12Ω=-18V。
2.3试用支路电流法求图2.20所示电路中各支路电流,并求三个电源的输出功率和负载电阻RL上的取用功率。
解答:节点方程I1+I2+10=I,网孔方程0.8I1+116=0.4I2+120,0.8I1+4I=120,联立三方程得I1=75/8A,I2=35/4A,I=225/8A,三个电源的输出功率分别为1125W,1015W,1125W;负载电阻上的取用功率为3164.0625W。
2.4用网孔电流法求解习题2.3。
解答:将电流源与负载电阻的位置互换形成三个网孔,网孔参考电流方向均为顺时针方向,网孔电流方程如下1.2I A-0.4I B=120-116,4.4I B-0.4I A-4I C=116,I C=-10A,解得I A=75/8A,I B=145/8A,于是I1=I A=75/8A,I2=I B-I A=35/4A,I=I B-I C=225/8A。
2.5图2.21所示电路,网孔电流如图中所标,试列写可用来求解该电路的网孔方程。
2、串联负反馈都是电流负反馈,并联负反馈都是电压反馈。
(错)3、将负反馈放大器的输出端短路,则反馈信号也随之消失。
(错)4、在瞬时极性法判断中,+表示对地电压为正,—表示对地电压为负。
(错)5、在串联反馈中,反馈信号在输入端是以电压形式出现,在并联反馈中,反馈信号在输入端是以电流形式出现。
(对)三、选择题1、反馈放大短路的含义是(C )。
A.输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路外,还有反向传输的信号通路2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分,Re1引入(C ),Re2引入(B )。
A.交流反馈B.直流反馈C.交直流反馈3、判断是串联反馈还是并联反馈的方法是(C )。
A.输出端短路法B.瞬时极性法C.输入端短路法4、将放反馈放大器的输出端短路,若反馈信号仍存在则属(B )。
A.电压负反馈B.电流负反馈C.串联负反馈D.并联负反馈5.电路如图3-1-2a所示,反馈类型为(D )。
A.电压并联直流负反馈B.电压并联交直流负反馈C.电流串联交直流负反馈D.电流并联交直流负反馈6、电路如图3-1-2b所示,反馈类型为(C )。
A.电流串联负反馈B.电压并联正反馈C.电压串联负反馈D.电流并联正反馈四、简答题1、什么是正反馈?什么是负反馈?主要用途是什么?略2、图3-1-3所示电路中,所引入的分别是直流单奎还是交流反馈?是正反馈还是负反馈?3、图2-1-4所示电路中,在不增加电路元件的情况下,如何改变接线方式,可达到稳定静态工作点,减小失真的目的?4、在图3-1-5所示各电路中,指出哪些是反馈元件?判断个电路的反馈类型(如系多级放大器,只判断级间反馈类型)。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
§3-2负反馈对放大器性能影响一、填空题1、放大器引入负反馈使得放大器的放大倍数下降,放大倍数的稳定性提高,非线性失真减小,同频带展宽,改变了放大器的输入输出电阻。
电工电子技术基础习题参考答案第一章1-1题略(a)u=iR+Us(b)u=-iR+Us1-2题略解:设各支路参考电流I1、I2、I;参考电压U AB,电压源Us、电流源Is。
如图所示,联立方程。
I1+ I2-I=0 基尔霍夫电流定律:ΣI=0I1 R1+U AB-Us=0 基尔霍夫电压定律:ΣU=0U AB=I R2 部分电路欧姆定律:U=I R参数代入I1+ 2-I=0I1 +U AB-2=0U AB=I解得I1=0I=2AU AB=2V所求电流I=2A。
1-3题略解:(1)设电压源Us1、电压源Us2。
如图所示,联立方程。
-I1+ I2-I3=0 基尔霍夫电流定律(节点A):ΣI=0-I1 R1+U3-U S1=0 基尔霍夫电压定律(回路1):ΣU=0I2 R2+U3- Us2=0基尔霍夫电压定律(回路2):ΣU=0参数代入-0.003+ 0.001-I3=0-0.003·10000-30+U3=00.001·20000+U3- 80=0解得I3=-2mAU3=60V(2)说明元件3是电源,电压源Us1、电阻R1、R2是负载输入功率,电压源Us2、元件3是输出功率。
(3)演算电路功率总输出功率:P O=P US2+ P3=Us2·I2+(- I3)·U3=Us2·I2- I3·U3=80·0.001 -(- 0.002)·60=80mW+120mW=200mW总输入功率:Pi=P US1+ P R1+ P R2=Us1·I1 + I12·R1 + I22·R2=30·0.003 +(0.003)2·10000 +(0.001)2·20000=90mW +90mW+20mW=200mW电路功率演算结果:总输入功率等于总输入功率,功率平衡。
1-4题略解:设各支路参考电流I1、I2;参考电压U A、参考电压U B,电压源Us1、电压源Us2、电压源Us3。
电子电路第6版习题答案电子电路第6版是一本经典的电子电路教材,广泛用于电子工程专业的学习和教学。
本文将为读者提供一些电子电路第6版习题的答案,帮助大家更好地理解和掌握电子电路的知识。
第一章:基本电路概念1. 电流的定义是单位时间内通过导体的电荷量。
电流的单位是安培(A)。
2. 电压的定义是单位电荷所具有的能量。
电压的单位是伏特(V)。
3. 电阻的定义是导体对电流的阻碍程度。
电阻的单位是欧姆(Ω)。
4. 电阻的串联和并联可以通过以下公式计算:- 串联电阻:R = R1 + R2 + R3 + ...- 并联电阻:1/R = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3 + ...第二章:基本电路分析技术1. 基尔霍夫定律是电路分析中的重要工具。
它分为基尔霍夫第一定律和基尔霍夫第二定律。
- 基尔霍夫第一定律(电流定律):电流在节点处守恒。
- 基尔霍夫第二定律(电压定律):电压在闭合回路中的代数和为零。
2. 超节点法是一种简化复杂电路分析的方法。
通过将电路中的某些节点合并成一个超节点,可以简化电路分析的过程。
3. 戴维南定理是电路分析中的重要定理,它可以将电路中的任意一个支路转化为电压源和电阻的串联电路,从而简化电路的分析。
第三章:放大器1. 放大器是电子电路中常用的一种电子器件,用于放大电压、电流或功率。
2. 放大器的增益可以通过以下公式计算:- 电压增益:Av = Vout / Vin- 电流增益:Ai = Iout / Iin- 功率增益:Ap = Pout / Pin3. 放大器的类型包括共射放大器、共基放大器和共集放大器。
它们分别适用于不同的应用场景。
第四章:操作放大器1. 操作放大器是一种特殊的放大器,具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点。
2. 操作放大器的典型电路符号为三角形,有两个输入端(非反相输入端和反相输入端)和一个输出端。
3. 操作放大器的运算模式包括反相放大、非反相放大和求和模式。
第一章 思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性?为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的?1.2. 为什么二极管具有单向导电特性?如何用万用表判断二极管的好坏? 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管? 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别?它们与通常电阻有什么不同? 1.5. 三极管的放大原理是什么?三极管为什么存在不同的工作状态? 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路,它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同?1.7.稳压二极管为何能够稳定电压?1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别?共射和共基电流放大倍数的关系是什么?1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么?1.10. 如图P1-2所示,设I S =10-11A ,U T =26mV ,试计算u i =0,0.3V ,0.5V ,0.7V 时电流I 的值,以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。
解:由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时,I=0;当U i =0.3V 时,I=1.026×10-6A ; 当U i =0.5V 时,I=2.248×10-3A ; 当U i =0.7V 时,I=4.927A ; 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10-3 Ω(a)(b)图P1-1图P1-2+ -u i Di1.11. 电路如图P1-3所示,二极管导通电压U D =0.7V ,U T =26mV ,电源U =3.3V ,电阻R =1k Ω,电容C 对交流信号可视为短路;输入电压u i 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?解:U =3.3V>>100mV ,I =(U -U D )/R = (3.3-0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻:R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值:Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路,二极管的导通电压U D =0.3V 、反向击穿电压足够大,设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示,试画出输出u o 的波形。
《电路与电子技术基础》参考解答 习题一1-1 一个继电器的线圈,电阻为48Ω,当电流为0.18A 时才能动作,问线圈两端应施加多大的电压?答:根据欧姆定律可得:U=IR=0.18*48=8.64V1-2 一个1000W 的电炉,接在220V 电源使用时,流过的电流有多大?答:由电路的功率计算公式可知:P=UI ,所以A 55.42201000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。
解:(1)图(a),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周,电压方程式为: -6+4I+2I=0 即得:I=1A则U ac =2(-I)=-2V (或者U ac =-6+4I=-2V )对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。
故:U cb =4V # 所以:U ab =U ac +U cb =-2+4=2V#(2)图(b),由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ,假定电流方向如图所示,与(a)同理在回路中列出电压方程为:-3+1I+2I=0 即得:I=1A则U ac =1(-I)=-1V (或者U ac =-3+2I=-1V )对于cb 支路:因为构不成回路,所以电流为零。
故:U cb =8V 所以:U ab =U ac +U cb =-1+8=7V #1-7 电路如题图1-2所示,求(1)列出电路得基尔霍夫电压定律方程; (2)求出电流(3)求U ab 及U cd解:(1)假设电流的参考方向如图所示,对于db 支路,因为不构成回路,支路电流等于零,U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为:2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0得:10I+4=0 # (2)求电流由上面得回路电压方程式得:)A (4.0104-=-=I #a 4b (a)aΩ b(b)题图1-1 习题1-3电路图1Ω2 2Ω22Ω1Ω题图1-2 习题1-7电路图负号表示电流的实际方向与参考方向相反。
电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
第四章集成运算放大器的应用§4-1 集成运放的主要参数和工作点= 1、理想集成运放的开环差模电压放大倍数为 Aud=∞,共模抑制比为 KCMR ∞,开环差模输入电阻为 ri= ∞,差模输出电阻为 r0=0 ,频带宽度为 Fbw=∞。
2、集成运放根据用途不同,可分为通用型、高输入阻抗型、高精度型和低功耗型等。
3、集成运放的应用主要分为线性区和非线性区在分析电路工作原理时,都可以当作理想运放对待。
4、集成运放在线性应用时工作在负反馈状态,这时输出电压与差模输入电压满足关系;在非线性应用时工作在开环或正反馈状态,这时输出电压只有两种情况;+U0m 或 -U0m 。
5、理想集成运放工作在线性区的两个特点:(1) up=uN ,净输入电压为零这一特性成为虚短,(2) ip=iN,净输入电流为零这一特性称为虚断。
6、在图4-1-1理想运放中,设Ui=25v,R=Ω,U0=,则流过二极管的电流为 10 mA ,二极管正向压降为 v。
7、在图4-1-2所示电路中,集成运放是理想的,稳压管的稳压值为,Rf=2R1则U0=-15 V。
二、判断题1、反相输入比例运算放大器是电压串联负反馈。
(×)2、同相输入比例运算放大器是电压并联正反馈。
(×)3、同相输入比例运算放大器的闭环电压放大倍数一定大于或等于1。
(√)4、电压比较器“虚断”的概念不再成立,“虚短”的概念依然成立。
(√)5、理想集成运放线性应用时,其输入端存在着“虚断”和“虚短”的特点。
(√)6、反相输入比例运算器中,当Rf=R1,它就成了跟随器。
(×)7、同相输入比例运算器中,当Rf=∞,R1=0,它就成了跟随器。
(×)三、选择题1、反比例运算电路的反馈类型是(B )。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈2、通向比例运算电路的反馈类型是(A )。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电压串联正反馈3、在图4-1-3所示电路中,设集成运放是理想的,则电路存在如下关系( B )。
第一章习题答案:1、I=3A,U=4V2、U=2V3、(a)耗能=120W 释放能量=120W ,(b) 耗能=122W 释放能量=122W4、I=2.8A U=10V5、I=0.5A U=9.6V6、U=-45V7、U=-4V U=8V8、I=18A P=1012.5W9、(a)55S 3S B543A33S 11S B3A321R UI U)R 1R 1R 1(U R 1I R UUR 1U )R 1R 1R 1(-=+++--=-++(b)V6UU U2I U 51I13U)141(U41U 2U41U )4121(BC C BABA=-+=-=++--=-+10、3S 33S C 543B3A433S 3S C 3B32A21S 11S C 4B2A421I R U U )R 1R 1R 1(UR 1UR 1R U I U R 1U )R 1R 1(U R 1I R U U R 1U R 1U )R 1R 1R 1(-=+++---=-+---=--++11、U=1.2V 12、A 12548I =13、I=7A U=14V14、U=-1/9 V I=17/7 A 15、I=19A16、(a)U OC =8V R eq =16Ω (b) U OC =26/7 V R eq =10/7Ω17、(a)U OC =15V R eq =12.5Ω (b) U OC =-4.8 V R eq =-0.6Ω 18、U=-40V 19、I=0.5A20、(a)R L =R eq =6Ω P Lmax =37.5W (a)R L =R eq =9Ω P Lmax = 4/9W 21、R eq = 400Ω I=0.04A U=4V P=0.16W P Lmax = 0.25W 22、U OC =1.25V R eq =1.25Ω 第二章习题答案2-1 (a )u 1c (0+)=100V i L (0+)=0A u 2c (0+)=0V i 2(0+)=0A(b) i L (0+)=6A u c (0+)=0V i c (0+)=6A u 1R (0+)=96V u L (0+)=–12V2-2 (a) u c (0+)=3V i L (0+)=1.5A i c (0+)=–3A u L (0+)=0V(b) u c (0+)=22V i c (0+)=–1A2-3 (a) u (t)=6e3t-V i (t)= 2e3t-A(b) u (t)=4 et2- V i (t)= 4×105- et2- A2-4 (a) i (t)= 2 et8- A u (t)= 16 et8- V(b) i (t)= 0.1 e t10- A u (t)= et10- V2-5 (a) u (t)=8(1– et250-) V i (t)= 103- et250- A(b) u (t)=15(1– et50-) V i (t)= 15×104-(1– et50-) A2-6 (a) i (t)= 3 (1–e2t-) A u (t)= 12 + 3e2t -V (b) i (t)= 2 (1– et10-) A u (t)= 50 + 10et10- V 2-7 u c (t)=10 + 5 e5103-⨯-tV i c (t)= –6 e5103-⨯-tA 2-8 u c (t)= –10 (1–e3t-) V i c (t)= 3–35e3t-A2-9 i (t)= 0.0275–0.003 e t410- A2-10 i (t)= –38+38 et7- A u (t)= –3112+3112 et7- V改为: i (t)= 4e t7- A u (t)= 56 et7- V2-11 2-122-132t te5.2e5.25)t (i --+-=2-14 画波形2-15 (a )该电路为积分电路(b )该电路不够成积分电路 (c)该电路不构成微分电路 改为: (a )该电路为阻容耦合电路 (b )该电路微分电路ttO e514e)149(14)t (u ---=-+=t105214e2)t (i )t (i )t (i ⨯-=+=(c)该电路为积分电路第三章习题 答案3.1 ⑴50, 225,36.87o;⑵7,214,40.1o3.2 20sin(5000×2πt-30o)mV3.3 ⑴t sin 23ω,⑵)90t sin(25o -ω⑶)59t sin(283.5o +ω,⑷)87.36t sin(25o -ω 3.4 A )9.16t sin(25i o -=ω 3.5 P=0.05W 3.6 7A ,3.5A 3.7A )135t 10sin(2100o6+3.8 Ωo 105∠,Ωo30100∠改为i :503.9 5A,12Ω3.10 5A ,39Ω,19.5Ω,19.5Ω 3.11 0.15o30∠ A 改为:0.8535o30∠ A 3.12 ⑴250 rad/s ,⑵500 rad/s ,⑶1000 rad/s 3.13 0.6,1162W ,1546V ar 3.14 L=1.56H ,C=5.16μF3.15 50V 改为:-j52V 3.16 K 打开:I 1=I 3=6A ,U ab =1202V ,U bc =120V ;K 闭合:I 1=I 2=6A ,I 3=0,U ab =0V ,U bc =120V3.17 14.1Ω,14.1Ω,7.1Ω,14.1A 3.18 10A ,15Ω,7.5Ω,7.5Ω 3.19 3.83A ,0.9883.20 50.7μF ,1260∠85.5o V ,-j1256V3.21 1250 rad/s ,I R =4A ,I C =I L =10A ,U=200V3.22⑴C=10μF ,U C =89.4V 或C=40μF ,U C =111.8V ⑵G>0.125S 3.23 ω0=484~1838kHz ,可以收听 3.24 13.9kV 3.25 220V ,44A 3.26 7.6A ,13.2A 3.27 1.174A ,376.5V 3.28 30.08A ,17.37A4.1 解:用万用表测量二极管的正向直流电阻,选择量程越大,通二极管的电流就减小,由二极管的伏安特性曲线可知,电流急剧减小时,电压减小的很慢,所以测量出来的电阻值会大副增大。
第1章电路的基本知识1.1电路的概念 (1) 略(2) 电路通常由电源、负载和中间环节(导线和开关)等部分组成。
A •电源的作用:将其他形式的能转换成电能。
B •负载的作用:将电能转换成其他形式的能。
C •中间环节的作用:传递、分配和控制电能。
1.2电路中的主要物理量 (1) 零、负电位、正电位 (2) 3、1.5、3、1.5、0、3 (3) -7,-5 1.3电阻 (1) 3: 4 (2)查表1.3,知锰铜合金的电阻率 J =4.4 10亠」m1.4欧姆定律 (1)电动势、内压降(2)当R= R 时,电路处于开路状态,其特点是电路中电流为零,电源端电压等于电 源电动势;当R=0时,电路处于短路状态,其特点是短路电流极大,电源端电压等于。
由于I =0.22A=220mA . 50mA ,故此人有生命危险。
1.5电功与电功率P 40(2)略(3) W 二Ult =220 0.2 7200 = 316800J思考与练习一、 判断题1" 2. X 3. V 4. X 5. V 6. X 7. X 8. V 9. X 二、 选择题1. C2. C3. B4. B5. B6. B7. C8. B根据t ,得1RS 3 0.21 10 P 4.4如0二=1.43 m(3)U 220R "1000= 0.22 A(1)t=W 二空£=25h三、填空题1 •正、相反;2•参考点;3•负极、正极; 4 •高、低、低、高; 5•材料、长度、横截面积、 R - ; 6• 1800、土 5%; 7. 220S四、计算题1 • U ab =V a -V b =10 - 5 = 5VU bc *b-V c =5-(-5) =10 V U ac 二V a-V c =10 -(-5) =15V U ca - —U ac - - 15VR = U420门I0.2 220100 10(2)U =IR =2 100=200V(3) U r =lr =2 10 =20V 4.( 1)P =UI = 220 4 =880W(2)W 二 Pt =880 1800 =1584000J2 2(3) Q =l Rt =4 0.5 1800 =14400J(4) E =W -Q =1584000 -14400 =1569600 J第2章直流电路的分析与计算2.1电阻的连接(1) I mb =0.5AR 1 4U 2 = IR 2 =0.5 20 =10V U U U 2 =210 =12VR 2故 P 2』P 二10 28 =14WR 2 202. I24 120= 0.2A 3・(1)(2)由于P P 2 R 1 U 2 R 2 R 1WORD 格式整理10(3) (a ) R ab(b) R ab(R R)RR 」R 3(R R) R (c) R ab=R=1门R (2 R)RR(汀)R32 —Q 52.2基尔霍夫定律 (1) 5、3、6、3 (2) 假设I 2、I 3的方向和回路绕行方向如图 I 1 R 1 1 3R 3 = E 1 12 R 2 T 3 R 3 = E2 0.008 I 2 =丨3 0.008 50 8OI3 =3 I 丨2艮 +8013 =12解得 =0.0245 A=24.5mA =0.0325 A=32.5mA R 2 = 384门2.3电压源与电流源的等效变换 (1) I s =—、不变、并、E — I s r 、不变、r (2) ( a )把两个电压源等效变换为电流源,如图- ----1Q0Q200 n 10¥ a -O rn,evO匸(a)2.2( a )所示。
电子电路基础习题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路基础习题答案电子电路基础习题答案电子电路是现代科技的基石,是各种电子设备和系统的核心。
学习电子电路的基础知识对于电子工程师来说至关重要。
在学习过程中,习题是检验自己理解和掌握程度的重要方式。
在这篇文章中,我将为大家提供一些电子电路基础习题的答案,希望能够帮助大家更好地理解和学习电子电路。
1. 电阻与电流关系的问题:根据欧姆定律,电阻与电流之间的关系可以用以下公式表示:U = I * R,其中U为电压,I为电流,R为电阻。
根据这个公式,我们可以得出结论:电阻与电流成正比,当电流增加时,电阻也会增加。
2. 并联电阻的计算问题:当多个电阻并联时,总电阻可以通过以下公式计算:1/Rt = 1/R1 + 1/R2 +1/R3 + ... + 1/Rn,其中Rt为总电阻,R1、R2、R3等为各个并联电阻的阻值。
根据这个公式,我们可以得出结论:并联电阻的总阻值小于任何一个并联电阻的阻值。
3. 串联电阻的计算问题:当多个电阻串联时,总电阻可以通过以下公式计算:Rt = R1 + R2 + R3 + ... + Rn,其中Rt为总电阻,R1、R2、R3等为各个串联电阻的阻值。
根据这个公式,我们可以得出结论:串联电阻的总阻值等于各个串联电阻的阻值之和。
4. 电压分压问题:当一个电阻与一个电压源串联时,根据电压分压原理,电阻两端的电压可以通过以下公式计算:U1 = U * (R1 / (R1 + R2)),其中U1为电阻两端的电压,U为电压源的电压,R1为电阻的阻值,R2为电压源的内阻。
根据这个公式,我们可以得出结论:电阻越大,电阻两端的电压越小。
5. 电流分流问题:当多个电阻并联时,根据电流分流原理,各个电阻上的电流可以通过以下公式计算:I1 = I * (R2 / (R1 + R2)),其中I1为通过第一个电阻的电流,I为总电流,R1、R2为各个并联电阻的阻值。
根据这个公式,我们可以得出结论:电阻越大,通过它的电流越小。
电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路;1.4.2 1-n ,)1(--n b ;1.4.3 不变;1.4.4 21W ,负载;1.4.5 Ω1.65A , ;1.4.6 1A 3A , ; 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=; 1.4.8 1A ;1.4.9 Ω4.0,A 5.12;1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源;1.4.11 3A ;1.4.12 3A ;1.4.13 Ω2;1.4.14 15V ,Ω5.4;1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ; 1.4.17 B ; 1.4.18 D ; 1.4.19 A ;1.4.20 A ; 1.4.21 C ; 1.4.22 B ; 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路,开路;2.4.2 零输入响应;2.4.3 短路,开路;2.4.4 电容电压,电感电流;2.4.5 越慢;2.4.6 换路瞬间;2.4.7 三角波;2.4.8 s 05.0,k Ω25; 2.4.9 C R R R R 3232+; 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ; 2.4.12 D ; 2.4.13 B ;2.4.14 D ; 2.4.15 B ; 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10, , ; 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ;3.4.3 容性, A 44;3.4.4 10V ,2V3.4.5 相同;3.4.6 V 30,20V ;3.4.7 A 44,W 7744;3.4.8 A 5;3.4.9 减小、不变、提高;3.4.10 F 7.87μ;3.4.11 20kVA ,12kvar -;3.4.12 不变、增加、减少;3.4.13 电阻性,电容性; 3.4.14 LC π21,阻抗,电流;3.4.15 1rad/s ,4;3.4.16 Ω10;3.4.17 P L U U =,P L 3I I =,︒-30; 3.4.18 P L 3U U =,P L I I =,超前。
电子电路基础习题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号,发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
16、用数字式万用表测量二极管,应将功能开关置于二极管挡,将黑表笔插入插孔,接二极管的负极;红表笔插入V,Ω插孔,接二极管的正极,其显示的读数为二极管的正向压降。
一、判断题1、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(√)2、P型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
(×)3、晶体二极管有一个PN结,所以有单向导电性。
(√)4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
(√)5、硅稳压管的动态电阻小,则稳压管的稳压性能愈好。
(√)6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起,其交界处形成PN结。
(√)7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。
(×)8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻,其数值是相同的。
(×)9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压,PN结就会击穿。
()10、二极管的反向电阻越大,其单向导电性能越好。
(×)11、用500型万用表测试发光二极管,应选R×10K挡。
(√)三、选择题1、当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将(A )。
A.增大 B .减小 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把万用表欧姆档拨到(A )。
A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为(B )。
A. P型半导体B. 本征半导体C、N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用(B )实现的。
A.PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性C.PN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示,已知两个稳压管的UZ1=7V,UZ2=5V 它们的正向压降均为0.7V,则输出电压U0为(C )A. 12VB. 5.7VC. 7.7VD.7V6、在图1-1-5所示的电路中,流过二极管的电流I1、I2分别是(D )。
A.I1=8mA , I2=0B. I1=2mAC. I1=0, I2=6mAD. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻(B )反向电阻。
A.大于B. 小于C.等于D.不确定8、电路如图1-1-6所示,V为理想二极管,则二极管的状态为(A )。
A.导通B.截止C.击穿9、上题中,A、B两端的电压为(C )。
A.3VB. -3VC.6VD.-6V10、某二极管反向击穿电压为140V,则它的最高反向工作电压为(C )。
A. 280VB. 140VC. 70VD. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示,(1)处于导通状态的二极管是(A )。
A.只有V1导通B.只有V2导通C.V1、V2均导通D.V1、V2均不导通(2)考虑二极管正向压降为0.7V时,输出电压U0为(B )。
A.-14.3V B.-0.7V C.-12V D.-15V12、P型半导体中多数载流子是(D ),N型半导体中多数载流子是(C )。
A.正离子B.负离子C.自由电子 D.空穴13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻,测量结果是(C )。
A.相同B.R×10挡的测试值较小C.R×1K挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时,测得的阻值不相同,其原因是(c )。
A.二极管的质量差B.万用表不同欧姆档有不同的内阻C.二极管有非线性的伏安特性二、简答题1、什么是本征半导体?N型半导体?PN结?答:本征半导体即纯净的单晶半导体,其内部存在数量相等的两种载流子,一种是负电的自由电子,另一种是带正电空穴。
N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量,P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。
PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区,一边形成N型半导体。
五.分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中,理想二极管导通还是截止,若导通,则流过二极管的电流是多少?解:图a) V导通,I=5mA图b) V截止,I=0图c) V导通,I=10mA2、在图1-1-9所示电路中,二极管为理想二极管,ui=10sinωtV,试画出输出电压波形。
3、在图1-1-10 所示电路中,二极管为硅管,求A点电位和流过二极管的电流。
4、在图1-1-11所示电路中,二极管是导通还是截止,输出电压U0是多少?图1-1-11解:a)V导通,U0=11.3Vb)V导通,I0=15-12/3=2mAU R=1×3=3V U O=U R-15=-12Vc)V导通,U O=0.7V§1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个PN 结,分别为发射结、集电结,三个电极分别为发射极、基极和基极,三极管按内部结构不同可分为NPN 和PNP 型。
2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是发射结正偏和集电结反偏,电流分配关系是I E=I C+I B。
3、在模拟电子电路中,晶体管通常被用作电流控制元件,工作在输出特性曲线上的放大区;在数字电子电路中,晶体三极管通常被用作开关元件,工作在输出特性曲线上区或饱和区或截止区。
4、在一块正常放大电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V,则该管为PNP 型锗材料三极管,1脚是发射极,2脚是基极,3脚是集电极。
5、NPN型三极管,挡U BE>0.5V,U BE>U CE时,工作在饱和状态;当U BE>0.5V,U BE<U CE时,工作在放大状态;当U BE<0时,工作在截止状态。
6、当温度升高时,三极管的电流放大系数β将升高,穿透电流I CEO将增加,发射结电压U BE将增大。
7、衡量晶体三极管放大能力的参数是共射电流放大系数,三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大,而锗管的穿透电流比硅管大,所以硅三极管的热稳定性好。
9、三极管的输出特性可分为三个区域,即截止区和放大区,当三极管工作在饱和区时,I C=βI B才成立;当三极管工作在包河区时UCE= U CES;当三极管工作在截止区时,I C= O(I CEO) 。
10、I CEO称为三极管的穿透电流,它反映三极管的温度稳定性,I CEO是I CBO的1+β倍,先选用管子时,希望I CEO尽量小。
11、测量晶体三极管3AX31的电流,当I B=20uA时,I C=2mA;当I B=60uA时,I C=5.4mA,则该管的β为85 ,I CEO= 0.3mA ,I CBO= 3.5uA 。
12、设三极管的P CM=150mW, I CM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若U CE=10V,I C允许的最大值为15mA ;若U CE=1V, I C允许的最大值为100mA ;若I C=3A,U CE允许的最大值为30v 。
13、复合管是由两个以上的三极管按一定方式连接而成,用复合管提高输出级的电流放大倍数。
14、有二只三极管构成的复合管的类型,取决于输入管三极管的类型,其电流放大系数β= β1×β2 。
二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(N型或P型)构成的,所以发射极和集电极可以相互调换使用。
(×)2、晶体三极管的放大作用具体体现在△I C=β△I B。
(√)3、晶体三极管具有能量放大作用。
(×)4、硅三极管的I CBO值要比锗三极管的小。
(√)5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时,晶体三极管肯定损坏。
(√)6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。
(√)7、3CG21管工作在饱和状态时,一定是UBE<UCE。
(×)8、某晶体三极管的I B=10uA时,I C=0.44mA;I B=20u时,I C=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。
(√)9、因为三极管有两个PN结,二极管有一个PN结,所以用两个二极管可以连接成一个三极管。
(×)10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态(NPN型为硅管,PNP 型为锗管)。
11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。
(×)12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。
(√)三、选择题1、三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于(A )A.放大状态B.饱和状态C.截止状态2、三极管在饱和状态时,它的IC将(C )。
A.随I B的增加而增加B.随I B的增加而减小C.与I B无关3、三极管的特性曲线是指它的(C )。