8 内存供电电路

CPU 内存显卡供电CPU、内存、显卡这三大配件直接决定了整机的性能表现，我们所购买的主板是否能够为这三大配件提供充足稳定的供电环境，也就成为了一个相当重要的因素。

CPU的供电电路通常是由电容、电感线圈、场效应管(MOSFET管)这三大部分所组成。

除了能够为CPU提供更加纯净稳定的电流之外，还起到了降压限流的作用，以此来保证CPU的正常工作。

现在最常见的组合方案是由“N颗电容+1个电感线圈+N个场效应管”组成一个相对独立的单相供电电路(图1)，这样的组成通常会在CPU供电部分出现2～4次，也就因此出现了两相供电、三相供电甚至是四相供电。

CPU供电图分解由于现在主流CPU的功耗过高，所以CPU供电电路采用多相供电是降低主板内阻及发热量的有效途径，少数主板甚至在场效应管上安装散热片，也是为了保证CPU供电电路的稳定运行。

虽然三相或两相电源并不完全决定CPU供电电路的好坏(比如说华硕主板很多都采用了两相电源)，但对于大多数二三线主板厂商的产品来说，三相确实要比两相电源优秀了许多。

此主题相关图片如下：单相供电电路组成部分中国IT芯片级维修联盟 更多资料中国IT 芯片级维修联盟 更多资料在单相供电电路中，电容和电感线圈的规格越高以及场效应管的数量越多，就代表了供电电路的品质越好。

一般情况下，日系的SANY(三洋)、Rubycon(红宝石)、KZG 电容比较优秀(图2)，台系的TAIC ON 、OST 、TEAPO 、CAPXON 等品牌的电容也可以考虑。

少数高端的超频版主板还会采用化学稳定性极好的固态电容(图3)，彻底杜绝了电容爆浆现象的发生此主题相关图片如下：日系电容和固态电容至于电感线圈的辨别也颇为困难，有些主板采用的线圈线径很细，绕组很多的电感线圈。

有些则采用了绕线圈数较少，线径很粗的线圈(图4)。

线径很粗的线圈采用的是高导磁率、不易饱和的新型磁芯，所以不需要很多的绕线圈数就可以得到足够的磁通量，因此也被越来越多的主板生产商所采用。

DDR内存供电电路
DDR内存需要两种供电电压:2.5V的主供电压和1.25的基准供电电压(又称参考电压).2.5V 供电电压用来为内存芯片提供工作电压,1.25V供电电压用来为内存总线的数据线和地址线提供上拉工作电压.DDR内存供电电路主要有下面几种形式.
1\单场效应管60N03+基准电压源LM431(可以用XX431代换)+比较器LM358构成的2.5V供电电路.
2\单场效应管Q110+基准电压源Q31(SC431\SOT-23)构成的2.5V供电电路
3\专用芯片(ISL6520\RT9214)构成的2.5V内存供电电路
4\双场效应管Q71(15N03)和Q70(15N03)+比较器U42A(LM358)和U42B(LM358)构成的1.25V供电电路
5\双三极管Q4(HA8050D-D)\Q5(HA8550D-D)+比较器构成的1.25V供电电路
6\多端稳压器(RT9173或RT9173B)构成的1.25V供电电中路
7\专用芯片LP2995构成的1.25V供电电路
8\专用芯片ISL6537构成的混合型内存供电电路
DDR2内存需要两种供电电压:1.8V的主供电电压和0.9V的基准电电压(又称参考电压),1.8V 供电电压来为内存芯片提供工作电压,0.9V供电电压用来为内存总线的数据线和地址线提供上拉工作电压.
常用DDR2内存供电芯片有NCP5201\ISL6537等型号。

无复位先测量主板各个供电是否正常，包括内存供电、桥供电、总线供电和CPU 供电。

测量内存电压1.8V正常。

电脑主板内存供电电路分析内存供电电路工作原理SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。

使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由ATX电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。

如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。

而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。

内存供电电路工作原理内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。

图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降下降，使得B点的电压上升。

通过反馈，IN-的电压也上升，直到IN +=IN-，也就是IN+=B 。

这个过程可以简单地描述为：（IN+>IN-）→（OUT ↑）→（DS ↓）→（B ↑）→（IN-↑），直到IN+=IN-。

同理，当IN+<IN-时，它的稳压过程是这样的：（IN+<IN-）→（OUT↓）→（DS↑）→（B↓）→（IN-↓），直到IN+=IN-。

这个电路通过反馈比较，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比较放大器。

要使B点的电压稳定，必须保证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。

在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为：3.3V×（3.24K/（IK+3.24K》≈2.5V这是使用最简单的串联分压方法取得2.5V的基准电压。

笔记本电脑内存供电电路是如何运行的笔记本电脑的内存供电电路主要负责为内存模块提供稳定的电源供应。

以下是其运行的基本原理：
内存供电电路主要采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，通过精密稳压器将电源的+5V电压转换为2.5V电压，作为基准电压。

这个基准电压被加到运算放大器的同相输入端IN+，同时IN-端接场效应管的漏极（D）与源极（S）之间的管压降。

运算放大器将IN+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么运算放大器的输出电压上升，进而使场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降下降，使得B点的电压上升。

同时，这个反馈机制使得IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B 。

这个过程可以简单地描述为：（IN+>IN-）→（OUT ↑）→（DS ↓）→（B ↑）→（IN-↑），直到IN+=IN-。

此外，内存供电电路还包括滤波电容等元件，起到滤波、储能和稳定电压的作用，确保内存模块获得平滑、稳定的电源供应。

请注意，以上内容仅供参考，具体运行方式可能因品牌和型号而有所不同。

【主板内存供电电路分析】主板内存供电电路分析方法,主板内
存供电电路知识
本文关键词：
主板内存供电电路分析：
一、主板内存供电电路的功能
内存供电电路主要是向内存提供其所需的3. 3V电压、2.5V、1 .8V. 1.25V上拉电压、0.9V上拉电压等，如
果内存供电电路过于简单或设计不合理就会出现内存供电不足的现象，继而影响主板的稳定性。

二、主板内存供电电路的组成分类
1.内存供电电路主要包括两种供电方式，一种为开关电源组成的供电方式，采用这种方式的供电电路主要由
专业电源管理芯片、电感、场效应管、滤波电容等部件组成，如图上所示。

这种供电电路的工作原理和CPU供
电电路的原理比较相似。

2.另一种供电方式为采用低压差线性调压芯片组成的调压电路进行供电的方式，调压电路组成的内存供电电
路主要由运算放大器（如LM358）、精密稳压器（如TL431）、场效应管、电阻和电容等组成。

如图所示为采
用调压方式的内存供电电路。

DDR再谈－－DDR的几个要点2011-10-26 09:08:22| 分类：Memorizer | 标签：|字号大中小订阅1. 电源DDR的电源可以分为三类：a>主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ 和VDD合成一个电源使用。

有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。

电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。

电源电压的要求一般在±5%以内。

电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。

由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平面铺到管脚上，是最理想的状态，并且在电源入口加大电容储能，每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。

b>参考电源Vref，参考电源Vref要求跟随VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用电源芯片提供，也可以采用电阻分压的方式得到。

由于Vref一般电流较小，在几个mA~几十mA的数量级，所以用电阻分压的方式，即节约成本，又能在布局上比较灵活，放置的离Vref管脚比较近，紧密的跟随VDDQ电压，所以建议使用此种方式。

需要注意分压用的电阻在100~10K均可，需要使用1%精度的电阻。

Vref参考电压的每个管脚上需要加10nF的点容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好。

c>用于匹配的电压VTT(Tracking Termination Voltage)VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。

DDR的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到VTT，如控制器带的DDR器件比较少的情况下。

如果使用VTT，则VTT的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去。

并且VTT要求电源即可以吸电流，又可以灌电流才可以。

一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT的电源芯片来满足要求。

内存供电产生原理：
在静态时：sc486即获得了供电+5valw送给第20PIN和第5pin,此时SC486从第8pin生成参考电压dimm-vref0.9V供给内存作为内存的参考电压，同时从第14,15PIN产生+0.9VSUS供给内存和北桥的传输线，作为传输信号线的载体电压。

当EC发出SUS-ON3.3v给sc486的第一pin和第十一pin后，此时sc486从第23脚输出高电平给PQ31的G极，PQ31导通，将主供电导通1.8v给电感PL20充电，同时给PC311，PC312充电，当充满后，sc486发出高电平给pq77,pq78的G极，使pq77,pq78导通，pq31截止，此时充得的电通过PQ77，PQ78后给pc308充电，使pc308另一端的电压超过5v送给sc486的24pin,使sc486内部再次启动，依此循环，不断实现将主供电调节成1.8VSUS给内存供电，当供电完成后，SC486从第7pin生成DDR2_PWRGD 3.3v给EC，告诉ec内存供电产生完毕。

内存供电电路形式：1、稳压源+比较器+开关管（N沟道场管）；2、IC+双场管（N）+L（线圈电感）；一、稳压源+比较器+开关管（N沟道场管）组成：稳压源（TL431）为R，K相连+R2R3分压+比较器+NMOS（D入S出）;闭环电路：IN+、IN‐之一来自前级，另一个来自后级反馈作稳压控制，称之闭环比较；此图工作原理：此种电路结构主要是通过IN+的电压，检测IN‐电压（也就是负载电压）是否一致来控制开关管的导通，最终稳定后级电压大小；工作状态：1、加电后：TL431的R,K相连，产生恒定2.5V，经R2，R3分压得到恒定IN+, IN+等于负载所需，此时NMOS未导通，Vout = IN‐ = 0, IN+大于IN‐ ，OUT升至H，NMOS导通，导通程度随比较器OUT升高而扩大，VOUT升高，升至负载所需时，IN+等于IN‐，OUT不变，NMOS稳定；2、负载开始工作：负载开始耗电，导致Vout电压降低，反馈IN‐随之降低，此时IN+大于IN‐，OUT继续上升，NMOS导通扩大，Vout升高至负载所需时，IN+等于IN‐，输出电压不变，场管稳定；3、负载闲置：负载工作减小，而NMOS瞬间仍保持繁忙时的较大导通状态，导致Vout电压升高，IN‐随之升高，此时IN+小于IN‐ ，比较器OUT端降低，NMOS导通程度降低，Vout电压降至负载所需IN+等于IN‐ ；若比较器的工作电压降至低电平，NMOS截止，仅由C持续供电，Vout快速降低，降至负载所需以下（也就是小于IN+电压），IN+重新大于IN‐ , 比较器OUT重新升高重复1至稳定；总结：R2，R3的阻值确定VOUT，由比较器根据负载状态，调节NMOS进行稳压；注：1、反馈断有接地电阻的，；2、内存供电上的转换变化：① 正常D入S出，做降压； ② 先连开关S入D出，在降压D入S出； ③ 先降压D入S出，在开关S入D出；④先降压，在降压；必须有降压场管D入S出接法；二、重点： IC + 双MOS + L (脉宽调制降压电路PWM电路)自举升压引脚，外围串联升压电容，主要提升芯片内部驱动电路的电压高管（HG）的控制信号（与FB进行比较，调节输出方波的大小，稳定输出（方波既电压输出的形状波形）COMP误差放大引脚，将后级产生的波形放大后与芯片内部产生的基准频率做比较，调节脉宽（脉宽：高电平所占宽度）PH 相位检测，电流反馈，检测高低管工作时产生的电流波形OCSET过电流设置，过流保护脉宽周期固定，高电平所占的比例方波来回切换的电平（图形显示）供电电路工作流程：1、加电，首先为IC供电，由BOOT激励振荡电路工作，并将振荡放大生成UG，反相放大生成LG；2、当UG送出高电平时，高管G极得到高电平导通，供电经小电感、高管送出为后级负载供电，同时为大电感、电容及升压电容进行充电、储能；3、当UG送出低电平,LG送出高电平，此时高管截止，低管导通，由于电感有自感电动势的特性，电感正负极互换，电感经低管接地形成回路，放电为负载供电；（低管导通时升压电容开始放电，经低管接地形成回路，与二极管供电叠加为成一路供电给BOOT引脚，保证UG、LG导通完全，截止干脆；4、经高低管通断及电感的充放电，产生稳定的VOUT为负载提供电，同时经电阻分压反馈至FB，与IC内固有的基准电压作比较：① FB电压低于基准电压，IC调宽脉宽，令UG送出高电平时间延长，高管导通时间延长，L 充电时间延长，放电时间缩短，VOUT电压上升；② FB高于基准电压，IC调窄脉宽，令高管导通时间缩短，放电时间延长，几个周期下来，VOUT电压下降；IC+双MOS管+L 跑线：1、内存供电引脚，测大线圈电感（与之联通的为后级电感）；2、找大线圈电感附近两个场管，与之相连的场管引脚为D/S极，S极相连的为高管，D极相连的为低管；3、高管D极连接的小电感前级为供电{3.3/5(VCC、VSB、Dual)}，低管S极接地；4、IC的UG、LG分别连接高管、低管的G极；5、确定IC的BOOT引脚，先找与其相连的二极管（如没有则集成在内部了）再找到二极管的供电（3.3/5VCC/VSB），然后找到升压电容（与PH脚经升压电容相连）；6、确定IC的VCC电压来源（有可能与BOOT的二极管供电来自同一路）；7、大电感后级经电阻串联分压至FB引脚（两个电阻其中一个接地）；8、COMP与FB经耦合电容相连；简：1、确定大电感与之相连的场管S/D2、确定高管D极相连小电感找到供电来源，低管S接地3、高低管G及连接IC“UG、LG”4、找到BOOT连接的二极管和升压电容5、找到IC供电来源6、找到与FB反馈相连的电阻及连接电感（找到COMP连接FB的线路）内存供电总结：1、内存类型、供电/上拉引脚的识别；2、内存的管理IC；3、供电形式；4、稳压源+比较器+开关管，电路图、原理、变化；5、IC+双MOS+L（PWM脉宽调制降压电路），电路图、原理；6、上拉电压测量点，RT91733B引脚定义；。

主板内存供电电路维修详解今天写的这例故障十分普遍，修理过程也比较简单，所以拍了一些照片上来简述一下！希望大家能够看明白！今天下午盱眙高达电脑维修公司接到了一块SOLTEK 845PE 主板，故障现象是不能点亮，伴随着蜂鸣器长鸣报警！从报警声得知故障是内存部分，但客户已经更换过其它内存试过，情况还是一样，就此可以判断故障原因是北桥与内存槽的连接线路零件或内存供电问题。

从下图中测试卡显示结果也证明了是不能正确检测到内存。

主板测试显示内存部分有问题。

首先检查内存的第七脚供电电压是否是标准的DDR 2.5V 供电，看下图：内存供电脚，内存左面左数第七脚。

从万用表的读书可以看出，内存供电电压只有1.8V 左右。

离DDR的标准电压2.5V 相差甚大！知道具体原因就好办了，顺着内存插槽的第7脚跟着线路找到了内存供电MOS 管，汗一下！！居然在AGP槽尾部下面，傍边还有两个小电解电容！这样就增加了更换难度！为了避免伤及傍边的零件及AGP槽，唯有先拆下电容再用风枪底部辅助加热，上面用电烙铁拆下！（拆下的经过因为双手进行，没有第三只手拍照了）从该主板上拆下的MOS可以看到已经烧了一个白色的圈！准备装上一个代用的3055 MOS 管！安装过程也是双手进行，也没有第三只手拍照！下图是装好并清理干净PCB后的效果！除了焊锡比较新外可以说和原装没有任何分别！装好MOS管后可以试机了，装上内存等必要部件，通电！看下图测量结果：重新测量内存供电电压，已经恢复到DDR需要的2.5V 电压。

再装上显卡，可以点亮了～！测试卡的走数也跑到了下一步了！屏幕也出现了自检信息！还以为全部问题解决了！谁知道还有问题，CMOS不能保存（电子电压正常）！再经过检查，一直通电的情况下没问题，拔下电源立刻清零了！从现象来看肯定是备用电子切换电路问题，很容易就查到了是一只三极管开路了！换上立刻正常！请浏览后下载，资料供参考，期待您的好评与关注！。

内存电路原理嘿，朋友们！今天咱来聊聊内存电路原理这个神奇的玩意儿。

你看啊，内存电路就好比是一个超级大的仓库，里面一格一格地存放着各种数据。

这就好像咱家里的柜子，不同的格子放着不同的东西。

而那些电路呢，就是连接各个格子的通道，让数据能快速地进进出出。

想象一下，电脑要运行一个程序，就像是要从这个大仓库里找出需要的东西。

如果内存电路不灵光，那找东西的速度可就慢啦，就跟你在一个乱七八糟的仓库里找东西一样，半天都找不到，急得你直跺脚！内存电路里的那些晶体管呀，就像是一个个勤劳的小工人，它们负责开关这些通道，让数据能准确无误地流动。

它们可不能偷懒，要是有一个“开小差”，那整个系统可能就出问题啦。

再来说说内存的读写速度。

这就好比是你跑步的速度，跑快点就能早点到达目的地嘛。

内存读写速度快，电脑处理数据的效率就高，你用起来就觉得特别顺畅，一点都不卡顿。

要是读写速度慢，哎呀，那感觉就像你在泥潭里走路，费劲得很呢！而且啊，内存电路的稳定性也很重要。

就跟你走在路上，路得平平稳稳的，不然你走着走着就摔跤了。

内存电路要是不稳定，时不时地出点小毛病，那电脑可就经常闹脾气啦，一会儿死机，一会儿出错的。

你说这内存电路是不是很神奇？它虽然小小的，藏在电脑里面，但却起着至关重要的作用。

没有它，电脑就没法高效地工作，我们就没法愉快地玩游戏、看电影、工作啦！所以啊，我们得好好爱护这个小小的内存电路，别让它太累了，也别让它受到伤害。

就像我们要爱护自己的身体一样，给它一个良好的工作环境，让它能一直为我们服务。

怎么样，现在是不是对内存电路原理有了更清楚的认识啦？是不是觉得这个小小的东西其实很不简单呢？下次再用电脑的时候，你可以想想这个神奇的内存电路，感谢它默默地为我们付出哦！。