模拟电子技术答案 第9章 功率放大电路

第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

<1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；< ）<2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；< ）<3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；< ）<4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；< ）<5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；< ）<6）因为放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；< ）<7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

< ）解：<1）×<2）√ <3）× <4）×<5）√ <6）×<7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解：<a）不能。

因为输入信号被V B B短路。

<b）可能。

<c）不能。

因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。

<d）不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

<e）不能。

因为输入信号被C2短路。

<f）不能。

因为输出信号被V C C短路，恒为零。

<g）可能。

<h）不合理。

因为G-S间电压将大于零。

<i）不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的 ＝100，＝100k Ω。

填空：要求先填文字表达式后填得数。

<1）当＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，若要基极电流I B Q＝20μA，则和R W之和R b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。

<2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V，则电压放大倍数＝≈。

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接，在外电路将( c )。

(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中( b )。

(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。

(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R =5k Ω，则电压表V 的读数约为( c )。

(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u O的最大值为( c )。

(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压 u O 等于( b )。

(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝( a )。

(a)0V (b)－6V (c)－18V0V3--11电路如图所示，设二极管D1，D2为理想元件，试计算电路中电流I1，I2的值。

23k+-答：D1导通、D2截止.所以：I1=（12V+3V）/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下齐鲁工业大学齐鲁工业大学第一章测试1.P型半导体是掺入三价元素形成的，多子是自由电子，少子是空穴。

（）A:对 B:错答案:错2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A:杂质浓度 B:掺杂工艺 C:本征半导体 D:温度答案:杂质浓度3.PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

（）A:错 B:对答案:对4.稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

（）A:对 B:错答案:对5.空穴电流是由自由电子填补空位形成的。

（）A:错 B:对答案:错6.如图所示电路中，设二极管特性理想，则UO为（）。

A:－9V B:9V C:－12V D:12V答案:－9V7.如图所示，设二极管的导通电压U D＝0.7V，则U O＝（）V。

A:1.3V B:2V C:-2V D:0.7V答案:1.3V8.PN结正向偏置时，其内电场被（）。

A:削弱 B:增强 C:不变 D:不确定答案:削弱9.半导体二极管加正向电压时，有（）。

A:电流小电阻大 B:电流大电阻大 C:电流大电阻小 D:电流小电阻小答案:电流大电阻小10.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

（）A:对 B:错答案:错第二章测试1.某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b =0.5V，V c= 3.6V，试问该三极管是（）型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的（）。

（）A:b B:a C:NPN D:c E:PNP答案:NPN;c2.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结正偏。

（）A:对 B:错答案:错3.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。

（）A:增大 B:交越失真 C:截止失真 D:减小。

E:饱和失真答案:截止失真;减小。

4.在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态，共基组态的频率响应好。

第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解：波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。

第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。

A:发射结正偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结正偏D:发射结反偏，集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。

A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。

A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。

（）A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。

A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。

A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（）耦合不能放大直流信号。

模拟电子技术随堂练习第1章常用半导体器件4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。

参考答案：C5. 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值3. 晶体管的电流放大系数是指( )。

A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案：B4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。

A. B.C.参考答案：B5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。

参考答案：B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。

A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案：B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为( )。

A.0VB.＋2VC.－2VD.－1V参考答案：C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为( )。

A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案：A9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。

A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案：B10. 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是( )。

A.适当增加RB2，减小RB1B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2D.保持RB2不变，适当减小RB1参考答案：C11. 图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取( )。

第一章测试1.PN结的反向击穿中，（）是可逆的。

A:热击穿B:电击穿答案:A2.在共射放大电路中，当（）时，称放大电路处于静态。

A:B:C:答案:A3.当晶体管工作在放大区时，PNP管各极电位关系为：uC（）uBuE；A.＞ B.＜ C.＝A:B:C:答案:C4.晶体管通过改变（）来控制集电极电流。

A:基极电流B:发射极电流C:基极电压答案:A5.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）A:错B:对答案:A第二章测试1.电路中各电流的交流成分是交流信号源提供的。

（）A:错B:对答案:A2.在电子线路中，一般用输出电阻RO来衡量放大器的带负载能力，RO越小，带负载能力越弱。

A:对B:错答案:B3.已知某基本放大电路原来不存在非线性失真，但在增大集电极电阻Rc后出现了失真，这个失真必定是（）。

A:交越B:频率D:截止答案:C4.计算放大电路的静态工作点时，必须按（）来考虑，计算电压放大倍数则应按（）来考虑。

A:直流通路交流通路B:交流通路交流通路C:直流通路直流通路D:交流通路直流通路答案:A5.图解法不适于分析单级放大器的哪一项指标？A:非线性失真B:输入电阻及输出电阻C:电压放大倍数D:静态工作点答案:B第三章测试1.多级放大电路的放大倍数是？A:各级电压放大倍数的商B:各级电压放大倍数的叠加C:各级电压放大倍数的差D:各级电压放大倍数的乘积答案:D2.为实现阻抗匹配，多级放大电路宜采用光电耦合方式。

A:对B:错答案:B3.阻容耦合电路各级静态工作点相互独立，计算方法同单管放大电路。

A:错B:对答案:B4.在对多级放大电路进行动态分析时，后一级作为前一级的（），前一级作为后级的（）。

A:负载负载B:负载信号源C:信号源负载D:信号源信号源答案:B5.多级放大电路的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合等。

A:对答案:A第四章测试1.功率放大器的功放管消耗的功率主要发生在（）上。

绪论单元测试1.常用电子仪器的使用方法体现了模拟电子技术课程的实践性。

A:对B:错答案:A2.掌握基本观念，基本电路和基本分析方法是学好模拟电子技术课程的要求。

A:对B:错答案:A第一章测试1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A:掺杂工艺B:杂质浓度C:温度D:晶体缺陷答案:B2.在N型半导体中，多数载流子是（）。

A:正离子B:空穴C:电子D:负离子答案:C3.二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（）。

A:右移B:左移C:上移D:下移答案:D4.双极型晶体管本质上是一个（）。

A:电压控制的电压源B:电压控制的电流源C:电流控制的电压源D:电流控制的电流源答案:D5.晶体管的导电机理为两种载流子（电子和空穴）参与导电，（）A:错B:对答案:B第二章测试1.放大电路的静态是指（）。

A:输入交流信号频率不变时的电路状态；B:输入交流信号幅值不变时的电路状态C:输入端开路时的状态D:输入交流信号幅值为0时的电路状态；答案:D2.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明电路的输出电阻为（）。

A:3 kΩB:4 kΩC:2 kΩD:1 kΩ答案:D3.工作在放大区的双极型三极管，如果当IB从10μA增大到20μA时，IC从1.1mA变为1.9mA，那么它的β约为（）。

A:80B:90C:100D:70答案:A4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）A:错B:对答案:B5.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，它与静态工作点无关。

（）A:错B:对答案:A第三章测试1.场效应管工作时参与导电的是（）。

A:多子B:少子C:负离子D:正离子答案:A2.场效应管本质上是一个（）。

A:电压控制的电流源B:电压控制的电压源C:电流控制的电流源D:电流控制的电压源答案:A3.下列对场效应管的描述中，不正确的是（）。

A:场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点B:场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFETC:场效应管工作时多子、少子均参与导电D:场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器答案:C4.场效应管是一种载流子（即多子）参与导电。

习题题9-1 在图P9-1所示的两个电路中，已知V CC 均为6V ，R L 均为8Ω，且图(a)中的电容C 足够大，假设三极管的饱和管压降U CES =1V 。

（1）分别估算两个电路的最大输出功率P om ；（2）分别估算两个电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η；（3）分别估算两个电路中三极管最大功耗P Tm ；（4）为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦波电压有效值为多少？（a ）（b ）解：①（a ）图为OTL 电路，电路的最大输出功率为：（b ）图为OCL 电路，电路的最大输出功率为：②（a ）图电路的直流电源消耗的功率为：效率：W R U V P L CES CC om 25.082)126(2)2(22=⨯-=-=W R U V P L CES cc om 56.182)16(2)(22=⨯-=-=W R U V πV t ωtd ωI πV P L CES CC cc πcm CC V 48.0=812614.36=2=)(sin 12=0--∫%1.5248.025.0===V om P P η图 P9-1（b ）图电路的直流电源消耗的功率为：效率：③（a ）图忽略U CES 时电路的最大输出功率：三极管最大功耗：P Tm =0.2P om =0.2×0.56=0.11W（b ）图忽略U CES 时电路的最大输出功率：∴三极管的最大功耗：P Tm =0.2P om =0.2×2.25=0.45W④（a ）图为了在负载上得到最大功率，此时输出电压为最大值：由于射极输出器A u ≈1，∴此时输入电压有效值：（b ）图为了在负载上得到最大功率，此时输出电压为最大值：U om =Vcc －U CES =6-1=5V由于射极输出器A u ≈1，∴此时输入电压有效值：W R U V πV t ωtd ωI πV P L CES CC cc πcm cc V 39.2=81614.36×2=2=)(sin 1=0--∫%3.6539.256.1===V om P P ηW R V P L cc om 56.0886822=⨯==W R V P L cc om 25.2826222=⨯==V U V U ces cc om 21262=-=-=V U U om i 41.1222===V U U om i 53.32162=-==题9-2在图P9-1所示的两个电路中，已知R L ＝8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES 均为1V ，如果要求得到最大输出功率P om ＝3W ，试估算两个电路的直流电源应为多大？解：a）2cc ces om cc ces L ()12)15.9V 2V U P V U R -=⨯⇒== b）2cc ces om cc ces L())7.93V 2V U P V U R -=⇒== 相同负载和输出功率，OTL 的VCC 高于OCL ，但OTL 只需一路电源。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。

答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。

（）答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。

答案:发射结正偏，集电结反偏6.二极管具有（）导电特性。

答案:单向7.下图电路中，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，VCC＝15V， RL＝8Ω，电路的最大输出功率Pomax =（）W。

【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。

答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易（）。

答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（）。

答案:共摸抑制比11.在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（）V【图片】答案:-212.在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。

当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。

【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下，有电流放大，但没有电压放大作用的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路，下列说法正确的是（）。

答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应小于10000。

（）答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。

（）答案:错误17.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。

模拟电子技术（黑龙江联盟）知到章节测试答案智慧树2023年最新哈尔滨工程大学绪论单元测试1.工作在放大状态的某NPN晶体管，各电极电位关系为（）。

参考答案:VC>VB>VE2.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。

参考答案:晶体管参数随环境温度的变化而变化3.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。

当CB电路时，，ui和uo的相位________。

参考答案:同相4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。

参考答案:抑制共模信号能力增强5.多级放大电路的初级一般采用（）参考答案:差动放大电路第一章测试1.二极管的重要特点之一为（）参考答案:单向导通性2.稳压二极管主要用途是（）参考答案:稳压3.常见的彩灯采用的是（）管参考答案:发光二极管4.三极管是（）器件参考答案:电流控制电流5.三极管静态工作点Q点过高，容易引起（）失真参考答案:饱和6.场效应管是参考答案:电压控制电流7.场效应管三个电极分别为（）参考答案:G,S,D8.场效应管是单极性载流子参与导电参考答案:对9.场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路参考答案:对10.场效应管和三极管工作原理相同参考答案:错第二章测试1.在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同参考答案:对2.理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是参考答案:电容3.直流负载线的斜率是（）。

参考答案:-1/Rc4.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真参考答案:对5.共发射极放大电路信号从（）参考答案:基极输入，集电极输出6.对于一个共集组态的基本放大电路，它具有的特点。

参考答案:电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小7.差动放大电路对（）有放大作用参考答案:差模信号8.电路的共模抑制比越大表示抑制共模信号和零点漂移的能力越强参考答案:对9.下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路参考答案:中低频大信号10.参考答案:第三章测试1.阻容耦合放大电路不能放大参考答案:直流信号2.直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成参考答案:对3.差动放大电路一般放在多级放大电路的第（）级参考答案:14.下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。

•放大的概念
题量：10 满分：100 分
一.判断题（共10题100.0分）
1放大电路放大的对象是不变的电压或电流×
2任何放大电路都有功率放大作用√
3放大电路中实现能量转换和控制的元件是有源元件√
4放大电路的输出电流和电压都要求不失真√
5放大电路中负载的能量来源于有源元件。

×来自电源
6当放大电路的输入信号不为零时的工作状态称为静态×
7放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

√
8放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。

×
9由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

×
10下图不能够放大交流信号√。

第一章测试1【判断题】(5分)BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A.对B.错2【判断题】(5分)稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A.错B.对3【单选题】(5分)要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结正偏，集电结反偏4【单选题】(5分)工作在放大区的某晶体三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2m A，那么它的β约为（）。

A.90B.50C.83D.1005【单选题】(5分)在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。

A.E、B、CB.E、C、BC.C、E、BD.C、B、E6【单选题】(5分)A.73B.8.7C.5.7D.4.37【单选题】(5分)设某增强型N沟道MOS管U GS（th）=3V，试问当它的栅源电压u GS=2.5V时，该管处于（）区。

A.放大B.可变电阻C.截止D.击穿8【多选题】(5分)A.aB.bC.dD.c9【多选题】(5分)A.bB.dC.cD.a10【多选题】(5分)A.bB.dC.cD.a第二章测试1【判断题】(5分)阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

A.对B.错2【判断题】(5分)耗尽型N MOS管的多子与少子都参与导电。

（）A.错B.对3【单选题】(5分)A.12B.0.5C.0.7D.64【单选题】(5分)设某增强型N沟道MOS管U GS（th）=3V，试问当它的栅源电压u GS=2.5V时，该管处于（）状态。

A.截止B.放大C.饱和D.击穿5【单选题】(5分)A.6B.4.24C.5.7D.4.036【单选题】(5分)A.=-1200B.=1200C.>1200D.<12007【单选题】(5分)A.40B.10C.1008【多选题】(5分)现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。