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（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
电子技术基础与技能模拟习题（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、能完成两个1位二进制数相加并考虑到低位来的进位的器件称为A、译码器B、全加器C、编码器D、半加器正确答案：B2、在编码器74LS148中，关于输入使能端说法正确的为A、该引脚为低电平时，所有输出端为高电平B、该引脚为低电平时，编码器正常工作C、该引脚为高电平时，编码器正常工作D、该引脚为高电平时，所有输入端为高电平正确答案：B3、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接2、3脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为A、PNP型，且1脚为基极B、NPN型，且1脚为基极C、NPN型，且2脚为基极D、PNP型，且2脚为基极正确答案：A4、甲类功放的效率低是因为A、静态电流过大B、管子通过交流电流C、单管放大的能力小D、变压器效率低正确答案：A5、74LS192是( )进制可逆计数器。
A、异步、十B、异步、十六C、同步、十六D、同步、十正确答案：D6、温度影响了放大电路中( )的参数，从而使静态工作点不稳定。
A、电源B、三极管C、电阻D、电容正确答案：B7、8421BCD码1000 1001表示的十进制数码为A、67B、68C、79D、89正确答案：D8、下列所述中，属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压不可调C、输出电流小D、输出电压稳定度高且可调节正确答案：D9、在登录你的电子信箱的过程中，要有两个条件，一个是用户名，一个是与用户名对应的密码，要完成这个事件( 登陆成功)，它们体现的逻辑关系为A、“与”关系B、不存在逻辑关系C、“非”关系D、“或”关系正确答案：A10、一个八进制计数，最多能记忆的脉冲个数为A、10B、7C、9D、8正确答案：B11、Q0~Q3为74LS194的A、并行数据输端B、串行数据输入端C、并行数据输出端D、串行数据输出端正确答案：C12、开关电源若不能启动，应重点调整A、误差放大级B、脉宽控制级C、调整管基极偏置D、脉冲变压器正确答案：C13、8位二进制数能表示十进制数的最大值是A、256B、255C、298D、292正确答案：B14、若逻辑函数L=( )( )，则L可简化为A、L=A+BCB、L=AB+CC、L=AC+BD、L=ABC正确答案：A15、下列不属于组合逻辑电路的有A、译码器B、计数器C、数据分配器D、编码器正确答案：B16、D触发器的D端和Q端相连，D触发器的初态为“0”状态，试问经过10个时钟脉冲后触发器的状态为A、1状态B、0状态C、不定状态D、高阻状态正确答案：B17、译码器是一类多输入多输出器件，属于A、组合逻辑电路B、基本门电路C、编码器D、时序逻辑电路正确答案：A18、若逻辑函数L=(A+BCD )AB，则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案：C19、将一位十进制数的输入信号转换成8421BCD码的电路属于一种A、加法器B、数据比较器C、编码器D、译码器正确答案：C20、74LS161是( )进制加计数器。
电力电子技术习题（附参考答案）一、单选题（共20题，每题1分，共20分）1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案：B2、电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。
A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案：C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：B4、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C5、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、30～35B、20～25C、10～15D、40～45正确答案：A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A7、电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A8、在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案：D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是（）。
A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案：C10、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案：B11、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案：A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案：A13、IGBT属于（）控制型元件。
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
电子信息基础练习题库（含答案）一、单选题（共106题，每题1分，共106分）1.三相负载做星型连接时,关于相电流与线电流的关系正确的是( )A、相电流是对应线电流根号3倍B、线电流是对应相电流3倍C、线电流是对应相电流根号3倍D、线电流等于对应相电流正确答案：D2.以下关于交流电相比于直流电的优点中,错误的是( )A、便于安全B、便于产生C、便于使用D、便于传输正确答案：A3.关于正弦交流电最大值的说法中错误是( )A、电流最大值Im用表示B、电压最大值用Um表示C、电动势最大值Em用表示D、功率最大值Qm表示正确答案：D4.关于正弦交流电波形图表示法的优点正确的是( )A、直观B、严谨C、方便求瞬时值D、便于进行和差运算正确答案：A5.关于电压源和电流源,下列说法正确的是:( )A、电压源输出电压恒定不变B、电流源输出电流恒定不变C、理想电压源和理想电流源可以等效互换D、理想电压源输出电压恒定不变正确答案：C6.关于RLC串联谐振的特点,错误的是( )A、谐振时阻抗最小;Z0=RB、谐振时电流最大C、谐振时电感和电容上的电压大小相等,相位相反且为总电压的Q倍D、功率因数最小正确答案：D7.以下关于串联电容器特点的说法中错误的是( )A、各电容器上的带电量相等B、等效总电容的倒数等于各个分电容的倒数之和C、等效电容等于各个电容之和D、总电压等于各个电容器上的分电压之和正确答案：C8.关于电位的说法错误的是( )A、电位的高低与选择的参考点有关B、电位具有相对性C、电路中某点的电位是固定不变的D、电位的单位是伏特正确答案：C9.要使剖相式异步电动机反转,可 ( )A、将剖相电容器换接到另一绕组上B、将主绕组和副绕组的首末端同时对调C、将两棵电源线对调D、剖相式异步电动机造好后旋转方向不能改变正确答案：A10.以下不属于电路作用的是( )A、电能传输B、电能的转换C、信号的传递和处理D、发电正确答案：D11.某闭合电路的电源电动势为3伏,电源内阻0.3欧姆,负载电阻2.7欧姆。
电子练习册习题册~018E6(总27页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一部分模拟电子技术与技能第1章二极管及其应用二极管一、判断题1.硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）2.二极管的型号基本能反映其所用半导体材料、性能、类别及质量。
（）3.二极管具有单向导电特性。
（）4.1N4000系列整流二极管封装上印有粗环线的一侧为二极管的负极。
（）5.漏电流越大，说明二极管的单向导电性越差。
（）6.发光二极管在使用时必须正向偏置，此外还应并接限流电阻。
（）7.发光二极管的发光颜色是由外壳颜色决定的。
（）8.发光二极管是一种将电信号转变为光信号的二极管。
（）9.光敏电阻在使用时要注意正负极性。
（）10.整流二极管和硅稳压二极管一样，都能工作在反向击穿区。
（）11.光电二极管必须加反向电压才能正常工作。
（）12.变容二极管的结电容大小与外加反向偏压有关。
（）二、填空题1.利用半导体的_________制成杂质半导体；利用半导体的________制成光敏电阻；利用半导体的________制成热敏电阻。
2.P型半导体是在纯硅或纯锗中掺入_________后形成的杂质半导体，N型半导体是在纯硅或纯锗中掺入_________后形成的杂质半导体。
3.在P型半导体中，多数载流子是______，在N型半导体中，多数载流子是_____。
4.二极管的核心部分是一个________,具有__________特性。
5.当在路测量二极管的正向压降为时，可以确定该管为_____二极管；当在路测量二极管的正向压降为时，可以确定该管为______二极管。
6.二极管导通后，正向电流与正向电压呈________关系，硅管的正向压降为_____V，锗管的正向压降为_______V。
7.二极管加正向电压时__________，加反向电压时_________，这种特性称为二极管的__________特性。
电子技术及实训习题（含参考答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、测得工作在放大电路中三极管的电位值V1=6V， V2=11.7V， V3=12V。
判断管子的三个电极(____)。
A、1B,2E,3C；B、1C,2B,3E；C、1B,2C,3E；D、1E,2B,3C正确答案：B2、晶体三极管基极电流保持不变，当(____)时，三极管工作在饱和区。
A、发射结加反向电压，集电结加正向电压B、发射结加正向电压，集电结加反向电压；C、发射结加正向电压，集电结加正向电压；D、发射结加反向电压，集电结加反向电压；正确答案：C3、单相半波整流电路中，二极管导通的时间是(____)周期。
A、1/4；B、1/6；C、1/2D、1/3；正确答案：C4、共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。
A、越小越好；B、1倍左右C、在20～100倍之间D、在10～20倍之间；正确答案：B5、电容滤波电路的滤波效果和电容的大小关系是(____)。
A、电容越大越好；B、电容适当就行；C、电容越小越好；D、不确定正确答案：A6、PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。
用试验法测得三极管1端对地电压-6.2V，2端对地电压为-6V, 3端对地电压为-9V，则发射极(____)。
A、无法判断B、为3端；C、为2端；D、为1端；正确答案：C7、测得工作在放大电路中三极管的电位值V1=3.5V， V2=2.8V， V3=12V。
判断管子的材料(____)。
A、锗管；B、锂管C、硅管；D、钠管；正确答案：C8、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值A、和；B、差；C、算数平均；D、乘积正确答案：B9、工作在放大区的某三极管，基极电流从10微安增大到20微安时，集电极电流从1毫安变为1.5毫安，其电流放大系数β约为(____)。
A、100；B、50；C、25D、10；正确答案：B10、测得工作在放大电路中三极管的电位值V1=3.5V，V2=2.8V，V3=12V。
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗 ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
电子式练习题有答案一、选择题1. 电子的基本电荷量是多少？A. 1.602×10^-19 CB. 9.65×10^-29 CC. 1.6×10^-19 CD. 9.65×10^-31 C答案：C2. 电子在真空中的运动速度与光速的比值是多少？A. 0.1B. 0.3C. 0.5D. 0.99答案：D3. 电子的静止质量是多少？A. 9.109×10^-31 kgB. 1.673×10^-27 kgC. 5.486×10^-4 uD. 9.10938356×10^-31 kg答案：D4. 电子的自旋量子数是多少？A. 1/2B. 1C. 3/2D. 2答案：A5. 电子的波粒二象性指的是什么？A. 电子同时具有波动性和粒子性B. 电子仅具有波动性C. 电子仅具有粒子性D. 电子的波动性与粒子性无关答案：A二、填空题6. 电子在原子中的运动状态可以用______来描述。
答案：量子态7. 电子云模型描述了电子在原子核周围的概率分布，其中电子出现的概率密度与电子的______有关。
答案：能量8. 电子的能级跃迁是指电子从一个能级跃迁到另一个能级，这个过程伴随着______的发射或吸收。
答案：光子9. 电子的自旋方向可以是______或______。
答案：上旋，下旋10. 电子在固体中的运动受到晶格的散射，这种现象称为______。
答案：电子散射三、简答题11. 简述电子的波粒二象性。
答案：电子的波粒二象性是指电子在不同的实验条件下，既可以表现出波动性，也可以表现出粒子性。
例如，在双缝实验中，电子通过两个狭缝后会在屏幕上形成干涉条纹，显示出波动性；而在光电效应实验中，电子撞击金属表面时会释放出光电子，显示出粒子性。
12. 解释什么是电子的能级和能级跃迁。
答案：电子的能级是指电子在原子中可以占据的特定能量状态。
能级跃迁是指电子从一个能级跃迁到另一个能级的过程，通常伴随着能量的吸收或释放。
电工学习题（下）1-1 电路如图1-1所示，已知输入电压t u i ωsin 10=V ，电动势5=S U V ，二极管正向压降忽略不计，试画出输出电压o u 的波形。
1-2 电路如图1-2所示，已知输入电压t u i ωsin 10=V ，电动势5=S U V ，二极管正向压降忽略不计。
试画出输出电压o u 的波形。
图1-1 题1-1 图1-2 题1-21-3 试判别图1-3电路中的二极管是导通还是截止？并计算输出电压0U 。
1-4 在图1-4电路中，已知输入电压t u i ωsin 10=V ，稳压管U Z =5V ，二极管正向压降忽略不计，且R L >>R ，试画出输出电压o u 的波形。
图1-3 题1-3 图1-4 题1-41-5 写出三极管的三种工作状态，并说明在三种状态下发射结、集电结的偏置状况。
1-6 今测得放大电路中一三极管的各极对地电位分别为-1V ，-1.3V ，-6V ，试判别三极管的三个电极，并说明是硅管还是锗管，是NPN 型还是PNP 型。
1-1 已知放大电路中一三极管各极对地电位分别为4.2V ，3.5V ，9.6V ，试判别管子的类型、管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管。
1-8 在电路中测得各三极管的三个电极对地电位如图1-5所示，其中NPN 型为硅管，PNP 型为锗管，判断各三极管的工作状态。
图1-5 题1-82-1 已知放大器如图1-1所示，E C =12 V , R B1=30K, R B2=10K, R C =3K, R F =390Ω, R E =3K, R L =3K,β=50求：(1).静态工作点；(2).画出微变等效电路；(3).电压放大倍数；(4).放大器的输入电阻；(5).放大器的输出电阻。
2-2 在图2-2的放大电路中,已知E C =15 V , R C =5K, R L =5K, R B =500K, β=50求(1).估算静态工作点；(2).晶体管的输入电阻; (3). 画出微变等效电路； (4). 总的放大倍数2-3 放大电路如图2-3所示,晶体管的β=50, E C =12 V , R C =2.5K, R E =1.5K,R B1=36K, R B2=12K, 求(1).估算放大电路的静态工作点；(2). 画出微变等效电路； (3).输出端未接负载电阻时的电压放大倍数；(4). 输出端接负载电阻R L =2.5K 时的电压放大倍数。
2-4 射级输出器电路如图2-4所示, E C =20 V , R B =200K, R E =3.9K, R L =2K,β=60, R S =1K 。
求(1).静态工作点；(2). 电压放大倍数；(3). 输入电阻和输出电阻（4）分析输出电压稳定的原因。
5V-0.1V0V1V图2-1 题2-1 图2-2 题2-22-5 多级放大器如图2-5所示，E C =20 V , R B1=30K, R B2=10K, R C =5.1K, R F =390ΩR E1=3.3K,R B =200K, R E2=10K, R L =5.1K,β1 =β2 =50求：(1).各级静态工作点；(2).画出微变等效电路；(3).各级放大倍数和总的放大倍数；(4).末级采用设计输出器有何优点。
2-6 多级放大器如图2-6所示，E C =12 V, R B1=30K, R B2=15K, R C =3K, R E1=3K,R B =130K, R E2=3K, R L =1.5K,β1 =β2 =50求：(1).静态工作点；(2).画出微变等效电路；(3).总的放大倍数；(4).放大器的输入电阻；(5).放大器的输出电阻。
2-7 多级放大器如图2-7所示，E C =12 V , R B =450K, R B21=30K, R B22=10K,R C =5K, R E1=10K,u O图2-3 题2-3图2-4 题2-4图2-5 题2-5图2-6 题2-6R E1=10K, R E2=3K, R L =5K,β1 =β2 =50,u i =10sin6280t(mv)求：(1).计算各级静态工作点；(2).画出微变等效电路；(3).各级放大倍数和总的放大倍数；(4).放大器的输入电阻和输出电阻;(5)写出输出电压瞬时表达式;(6).前级采用射级输出器有什么好处?2-8两级阻容耦合放大电路如图2-8所示,已知β1=β2=50, E C =20 V, R B11=30K, R B12=10K, R C1=8K, R E1=4K, R B21=33K, R B22=8.2K, R C2=10K, R F =390Ω, R E2=3K, R L =3K 求：(1).静态工作点；(2).画出微变等效电路；(3).总的放大倍数；(4).放大器的输入电阻;(5).放大器的输出电阻。
3-1 试计算图3-1种电路输出电压u 03-2 图3-2 为以积分电路,求其输出电压与输入电压的关系式u O图2-7 题2-7图2-8 题2-83-3 已知运算放大器如图3-3所示：运放的饱和值为±12v,u i =6V,R 1=5K, R 2=5K, R F =10K, R 3= R 4=10K, C=0.2μF,在图3-4中画出输出电压的波形。
3-4 已知运算放大器如图所示：运放的饱和值为±10v,u i =6V , R 1=20K, R 2=40K, R 3=20K, R 4= 10K, R F1=R F2 =40K 。
求： u 01， u 0的值 3-5 试计算图3-6电路输出电压u 0u u u u 2R图3-1 题3-1 图3-2 题3-2t (m s )t (m s )t (m s )图3-3 题3-3图3-4 题3-3u i 图3-5 题3-4图3-6 题3-5u u3-6 已知运算放大器如图3-7所示：运放的饱和值为±10v,u i1=6V, u i2=2V ,R 1=20K, R 2=40K, R 3=20K, R 4= R 5= R 6=200K, R F1=R F2= R 7=100K,C=10μF 求：(1). u 01， u 02 ，u 0的值或者表达式；(2).t=1秒，t=2秒时的u 0的值。
u 图3-7 题3-6图5-1 题5-35-4试分析下图时序电路的逻辑功能、画出波形图并列出输出状态表（设初态为000）逻辑功能为_________________________________________________5-5试分析下图时序电路的逻辑功能、画出波形图并列出输出状态表（设初态为000）Q 3 Q 2 Q 1逻辑功能为________________________________________________________5-6逻辑电路如图1所示，在图2中画出Q 1、Q 2、Q 3的波形图，指明逻辑功能（设初态为000）逻辑功能为_____________________________________________________Q 3Q 2 Q 1 7 CP86 4 53 1 2 Q 1 Q 2 Q 3图1图2CP6-1 单相半波整流电路如图6-1所示，已知t u ωsin 2220=V ，负载电阻Ω=99L R 。
（1）画出u o 和i o 的波形图；（2）计算整流电压平均值U o 和整流电流平均值I o 。
6-2 电路如图6-2所示，电源电压有效值402=U V ，负载电阻Ω=K R L 2。
求：（1）输出电压、电流平均值和电源输出功率；（2）如有一只二极管断开，再求以上各值。
图6-1 题6-1 图6-2 题6-26-3 对图6-3的单相全波整流电容滤波电路，试回答下列问题： （1） 电解电容C 的极性连接是否正确？ （2） 若D 2开路，会出现什么现象？ （3） 若D 2接反，会出现什么现象？ （4） 若D 2击穿后短路，会出现什么现象？6-4 桥式整流电容滤波电路如图6-4所示，已知输入交流电压有效值为122=U V ，μ200=C F ，Ω=200L R 。
求：（1）输出电压平均值0U ；（2）C 断路时的0U ；（3）D 1 断路时的0U ；（4）D 1和C 都断路时的0U ；（5）R L 断路时的0U 。
图6-3 题6-3 图6-4 题6-46-5 整流稳压电路如图6-5所示，已知Ω=K R 1，Ω=K R L 2，t u ωsin 2252=V ，稳压管的参数为10=Z U V ，5=Z I mA ，20=ZM I mA 。
求：（1）S 1、S 2均闭合时，'0U 、0U 、DZ I ；（2）S 1开、S 2合时，电压?0='U ，此时稳压管能否正常工作？0u0u +-+-U 0+-6-6 整流稳压电路如图6-6所示，已知Ω=K R 6.0,Ω=K R L 1，270='U V ，稳压管的参数为9=Z U V ，5=Z I mA ，26=ZM I mA 。
求：（1）0I 、DZ I ；（2）若负载开路，稳压管能否正常工作？图6-5 题6-5 图6-6 题6-66-7 电路如图6-7所示。
已知电源电压有效值202=U V ，若用直流电压表测得输出电压U o 分别为28V ，24V ，18V ，9V 。
问哪个值是正常的？不正常的值是电路出了什么故障？6-8 图6-8电路中，已知：Ω=600R ，Ω=K R L 1，t u ωsin 2202=V ，稳压管的参数为V U Z 9=，mA I Z 5=，mA I ZM 26=。
（1）若3S 闭合，求0U ；（2）若1S 、3S 闭合，求0U ；（3）若1S 、2S 、3S 均闭合，求DZ I ；（4）若1S 、2S 闭合，3S 打开，此时稳压管能否正常工作？图6-7 题6-7 图6-8 题6-87-1 可控硅导通的条件是什么，已经导通的可控硅在什么条件下才能从导通转为截止？ 7-2 可控硅是否有放大作用？它与晶体三极管的放大有何不同？7-3 在单相半波可控整流电路中，负载电阻R L 为10Ω,需直流电压60V,现直接由220V 电网供电，使计算可控硅的导通角，电流的有效值，并选用可控硅。
II00I+-7-4 在单项半控桥式可控整流电路中，输入电压为交流220V ,负载电阻为20Ω。
试求：（1）α=60°时，输出电压平均值U 0和电流平均值I 0，并选择可控硅和二极管。
(2) 画出i o 电流i o 以及可控硅两端电压u SCR 波形。
7-5 某电阻值为32Ω的激磁线圈（大电感负载）需要可调直流电压U 0=0~160V,若采用单相半控桥式整流电路并待续流二极管，交流电源电压为220V,试求可控硅的导通角为多大。
