图解教程之 MOS(场效应管)的极性辨别工作原理好坏判断

MOS管结构原理图解!mos管三个极分别是什么及判定方法？什么是mos管mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。

双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。

另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。

FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N 沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。

而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。

因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

mos管优势1.可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.可以用作可变电阻。

4.可以方便地用作恒流源。

5.可以用作电子开关。

6.在电路设计上的灵活性大。

栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。

另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。

MOS管结构原理图解1、结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

MOS管如何检测S、D、G集，如何判别好坏
一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

如表针向左侧大。

Q1：高压稳场管；Q2：低压稳场管Q2的S极接地；测量方法：红表笔接地，黑表笔接场管S极，如数值小于10，则说明当前所测场管Q2，Q2的D极连接Q1的S极。

判断Q1是否击穿：红表笔接D极，黑表笔接S极，数值小于10，证明击穿。

场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，场效应管N沟道和P沟道判断方法（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞（2）场效应管的好坏判断把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。

如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。

不符合以上规律的场效应管均为坏管。

场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。

用万用表测量场效应管极性及好坏判断来源:互联网作者:电子电路图网【大中小】1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。

场效应开关管好坏及极性判别方法2007-09-24 21:16:56| 分类：默认分类|字号订阅场效应开关管好坏及极性判别方法！判断场效应开关管好坏的方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，用黑表笔接D极，红表笔接S极，用手同时触及一下G、D极，场效应开关管应呈瞬时导通状态，即表针摆向阻值较小的位置；再用手触及一下G、S极，场效应开关管应无反应，即表针在回零位置不动；此时即可判断该场效应开关管为好管。

场效应开关管的极性判别方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，分别测量三个管脚之间的电阻，若某脚与其他两只引脚之间的电阻值均为无穷大，并且交换表笔后再测仍为无穷大，则此脚为G极，其他两脚为S极和D极；然后用万用表测S极与D极间的电阻一次，交换两表笔后再测一次，其中阻值较低的一次，黑表笔接的是S极，红表笔接的是D极关于《IRF NMOS场效应管管脚的辨识方法》的补充说明关于《IRF NMOS场效应管管脚的辨识方法》的补充说明原文（略加了修饰）：IRF540是NMOS场效应管，中间和散热片相通的是D极，另外两个自然是S和G了。

将S和G 其中之一与D相连，串一数十欧电阻接至+12V电源+极，另一极接+12V电源-极，有电流的话，则前者为G，后者为S；否则相反。

唯一的假设：管子未坏。

如果你的指针万用表有X10K档（6~15V电池供电），则无须+12V电源。

其黑表笔就是表内电源的+极。

用它可以代替上述的电源+电阻+电流表。

只需要记住表针摆动（也就是通常说的有电阻）就是有电流；表针摆动越多（电阻越小）电流就越大。

补充说明：一点没错，场效应管确实是电压控制器件。

但是为什么要在G极接电阻呢？上面提到的加电阻云云，只是为了测试安全的需要。

以上测试的原理很简单，就是：把G和D直接相连，在G、D和S之间加的电压，当G-S之间的控制电压（在这里也就是D-S之间电压）大于NMOS管的导通门限控制电压时，NMOS管的D-S极将有电流出现。

如何简单判断MOS管的好坏？创意电子DIY分享优质科学领域创作者03-09 22:5338赞踩以前回答过用数字万用表二极管档和电阻档判断MOS管的好坏，测量方法比较繁琐，需要多次调换表笔来测量才能知道管子的好坏，并且数字万用表的测试电压较低，不能使MOS管充分导通。

这里介绍一个简单的MOS管测量电路，其可以快速判断MOS管的好坏。

▲ 简单的MOS管好坏测量电路。

现在MOS管一般很少用于线性放大电路中，这种管子一般都是作为电子开关使用，工作于开关状态，故判断MOS管好坏，只要测量其开关性能即可。

这里以N沟道MOS管为例，来介绍一下判断的方法。

上图中的VT为N沟道MOS管，HL是一个工作电压为6V的小灯泡（若没有这种灯泡，亦可以用一个小电机代替），这里作为MOS 管的漏极（D极）负载。

当开关K拨至❸脚时，MOS管栅源两极（即GS两极）之间的电压为0V，管子截止，小灯泡HL不会点亮。

若K拨至❶脚时，MOS管的栅极与＋6V电源连接，此时管子饱和导通，HL点亮。

若K再拨至❸脚，则管子又截止，HL熄灭。

用这种方法测量MOS管时，若K拨至❸脚，HL仍会点亮，说明该管漏源两极之间已击穿损坏。

若K拨至❶脚，MOS管不会导通使HL点亮，则可能是MOS管的栅源两极内部已损坏。

▲ TO-220封装的N沟道MOS管IRF3205。

一般TO-220封装的MOS管的引脚排列如上图所示，管子自身散热片与中间的引脚漏极相连。

由于大功率MOS管栅源两极的开启电压较高，为了使MOS管能充分导通，电路的电压应适当高一些，而像AO3400、SI2302这类贴片MOS管，其开启电压较低（一般在1.5~2V），此时电路采用一节锂电池作电源即可。

若想了解更多的电子电路及元器件知识，请关注本头条号，谢谢。

10评论电子维修优质科技领域创作者03-09 23:1368赞踩MOS管的好坏可以使用数字万用表进行判断，通过测量MOS管漏极和源极的电阻可以简单的判断出内部是否击穿短路，下面我们来看具体的测量步骤。

场效应管好坏的简单判断方法场效应管（MOSFET）是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。

判断场效应管的好坏对于电子技术的从业人员来说非常重要。

本文将介绍一种简单有效的方法来判断场效应管的好坏。

首先，我们需要了解场效应管的基本工作原理。

场效应管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）组成。

当栅极电压为零时，场效应管处于截至状态，漏极和源极之间没有电流流动。

当给栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成正偏压，从而形成一个电场，引起漏极和源极之间的电流。

因此，我们可以通过观察场效应管的漏极电流来判断其好坏。

那么，如何判断场效应管的好坏呢？1. 正确连接场效应管：首先，确保场效应管正确连接在电路中。

根据场效应管的引脚布局，将源极连接到适当的电位上，将漏极连接到负载电阻或负载电路中，将栅极连接到合适的驱动电路。

正确连接场效应管是判断其好坏的前提。

2. 测量漏极电流：使用万用表或示波器等仪器，将其测量引线分别连接到场效应管的漏极和源极上，同时保持栅极电压为零（短接到源极）。

记录并观察漏极电流的数值。

3. 比较漏极电流：通过比较测量的漏极电流数值与场效应管的规格书或参考值进行比较。

规格书中通常会给出不同工作条件下的典型电流值范围。

如果测量得到的漏极电流在典型电流值范围内，那么场效应管可以被认为是良好的。

如果漏极电流明显偏离典型值范围，那么场效应管可能存在问题。

需要注意的是，不同类型和型号的场效应管其参数范围有所不同。

因此，判断场效应管的好坏需要结合具体规格书中的参数范围来进行。

总结一下，判断场效应管好坏的简单方法是测量漏极电流，并比较其数值和规格书中的典型值范围。

正确连接场效应管和合适的测量仪器也是必要的。

在实际工作中，还可以结合其他测试方法和技巧来进一步确认场效应管的性能。

通过以上方法，我们可以较为准确地判断场效应管的好坏，有助于电子技术从业人员进行故障排除和电路设计。

然而，在一些特殊情况下，可能需要进一步的测试和分析才能得出最终结论。

MOS管各管脚的判别1用RX100档黑表笔接任意一个点极，红表笔接另外两个电极。

若测得某一电极与其它两极的阻值都很大（P沟时）或很小，（N沟时）则黑表笔接的是G极（栅极）2在测另外两极的电阻时，阻值较小的那一次，黑表笔所接的是S极，另一个就是D极了。

结型具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

绝缘栅场效应管3、判断极性将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔（红表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。

4、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。

用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

图解：指针式万用表检测场效应管场效应管的栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值（阻值接近无穷大）。

MOS场效应管的D-S极间均并联有一只寄生二极管（Internal Diode），有些MOS管的G-S极之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件“保护二极管”，以保护场效应管。

由于G-S极的保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。

因此，可以通过测量D、S两只引脚间正反向阻值差异来判断场效应管的好坏。

选择指针式万用表的R×1kΩ挡，轮流测试任意两只引脚之间的电阻值。

当指针出现较大幅度偏转时，与黑表笔相接的引脚即为N沟道MOS管的S极，与红表笔相接的引脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如图1所示。

图1 N沟道MOS管测量示意图然后将万用表的电阻挡切换到的R×10kΩ挡，并调零。

对于N沟道场效应管，将黑表笔接漏极D、红表笔接源极S（P沟道场效应管是红表笔接漏极D、黑表笔接源极S），如图2所示。

图2 黑表笔接漏极D、红表笔接源极S黑表笔接漏极D、红表笔接源极S后，万用表的指针通常会有一定的偏转，这时就可以用一个金属导体短接G、D、S三个电极，泄放掉G-S极间等效结电容中存储的电荷所建立起的电压UGS，如图3所示。

图3 用一个金属导体短接G、D、S三个电极经过上一步的短接放电后，就会发现一个神奇的现象：用金属导体短接G、D、S三个电极后移开金属导体（G极悬空），就会发现本来偏转的万用表指针突然恢复到无穷大的位置，如图4所示。

图4 万用表指针恢复到无穷大为什么用金属导体短接G、D、S三个电极后再移开，万用表指针会恢复到无穷大的位置呢？这是因为短接电极后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，D-S间电阻RDS为∞，故万用表的指针不会发生偏转。

万用表指针恢复到无穷大后，用手指碰触G-D极，此时指针会向右发生偏转，如图5所示。

MOS管如何判别管脚及检测好坏双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。

双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。

另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。

FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，以下为N沟道和P沟道符号。

用指针式万用表对MOS管进行判别~01用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

02用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

教大家采用万用表，测量MOS管好坏，学好这一招就能自已动手维修一.笔记本主板中MOS管,如下图所示:二.MOS管引脚与电极认识1.我们已常见的SO-8封装MOS管为例进行介绍:图中MOS管共有八个脚，显然会有几个脚内部是相连的。

第1步：请确定MOS管PIN1（第一脚）方法：芯片上会用一个小圆点标示出PIN1，它一般会在芯片的左下角。

第2步：请确定MOS管其他脚，方法：从PIN1开始，逆时针方向依次为2，3，…..6，7，8脚。

2.确认MOS管电极。

方法：D极单独位于一边，而G极是第4PIN。

剩下的3个脚则是S极。

它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。

请注意：不论NMOS 管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的，假如MOS管表面磨损，或是无法辨认PIN1的标记圆点，你可以用什么方法确认PIN1脚，以及G极，D极和S极？拿出万用表，试试吧！3. 再来看看DFN封装MOS管备注：外形上来看，DNF封装的MOS管仍旧有8个脚，但已经变成贴片形式，节约了高度，散热性能更好些，但其PIN脚极性还是一样排列4. 接下来，看看6个脚的TSOP-6封装MOS管：PIN1,2,5,6为D极； PIN3为G极； PIN4为S极。

5.同样是6个脚，的SOT-363封装MOS管则为双MOS管，所以测量方法又不一样.6. 看看3PIN脚的MOS管：（1）SOT-23三.采用万用表测量MOS管.1.拿最常见的3PIN脚MOS管（SOT-23）讲起。

2.再来看看6PIN脚的MOS管（ TSOP-6封装）3. G极，D极和S极知道后，N沟道P沟道的判断方法和前面还是一样：4.测量的二极体值相反时，为PMOS管四.测量的注意事项与代换原则：1.以上都是在MOS管没有被接入任何电路的情形下进行的测量。

如果MOS管在板时进行测量，测量的值会受到所在电路的影响，有可能会误判,建议在板测量出异常时，最好取下进行一次复判。

测量前，最好用表笔金属针头部分短接MOS管G极与S极，以释放MOS管G 极可能残留的静电电荷。

场效应管（MOS管）如何判断好坏？一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。

若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。

在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管。

也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。

若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。

结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。

若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。

2．检测其放大能力用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的RSD会减小，表针向右摆动）。

只要表针有较大幅度的摆动，即说明被测管有较大的放大能力。

（二）双栅场效应晶体管的检测1．电极的判别大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。

因此，只要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。

检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。

当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个电极为栅极G1和栅极G2。

2．估测放大能力用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极，加入人体感应信号。

如何迅速判断场效应管的利害将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己，从左到右挨次为： G （栅极）， D （漏极）， S （源极）。

先将黑表笔接在 G 极上，而后红表笔分别触碰 D 极和 S 极，而后再对调表笔，再测，如这两次测得的结果，都使万用表的指针不动，那么，初步判断这个场效应管是好的。

最后，在将黑表笔接在 D 极，红表笔接在 S 极上，此时，万用表指针应不动；而后再对调表笔，再测，此时，万用表指针应向右摇动。

经过这两次判断，这个场效应管就是好的。

假如所测的结果与上述不符，则这个场效应管就是坏的。

要么是击穿了，要么是性能不好了。

用万用表定性判断场效应管一、定性判断 MOS 型场效应管的利害先用万用表 R×10kΩ挡(内置有 9V 或 15V 电池，把负表笔 (黑接栅极 (G，正表笔 (红接源极 (S。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有稍微偏转。

再改用万用表 R×1Ω挡，将负表笔接漏极 (D，正笔接源极 (S，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100 档，红表笔随意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有稍微摇动，就证明第三脚为栅极。

欲获取更显然的察看成效，还可利用人体凑近或许用手指触摸悬空脚，只需看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其他二脚分别是源极和漏极。

判断原由： JFET 的输入电阻大于100MΩ，而且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很简单在栅极上感觉出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感觉电压直接加在栅极上，因为输入扰乱信号较强，上述现象会更为显然。

如表针向左边大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻 RDS 增大，漏 -源极间电流减小 IDS 。

反之，表针向右边大幅度偏转，说明管子趋势导通，RDS↓，IDS↑。

但表针终究向哪个方向偏转，应视感觉电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。