晶体三极管及放大电路练习题

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

基本放大电路习题（含答案）一、选择题A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真3晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性4在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是A．饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真5对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大，B.减小，C.不变)，选择正确的答案填入空格。

1).Rb减小时，输入电阻Ri2).Rb增大时，输出电阻Ro3).信号源内阻R增大时，输入电阻Ri4).负载电阻RL增大时，电压放大倍数|Au||Uo|U5).负载电阻RL减小时，输出电阻Ro6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下测得A的输出电压小。

这说明A的A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小7．三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的倍.A.aB.1+βC.β8．如图1所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。

如图2所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。

如图3所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。

A.放大区B.饱和区C.截止区图1图2图3图49如图4所示放大电路中，①若Rb=100kΩ，Rc=1.5kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于_________；A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.倒置工作状态②集电极电阻Rc的作用是_________；A.放大电流B.调节IBQC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节ICQ③用直流电压表测得VCE≈VCC，可能是因为______；A.Rb开路B.RL短路C.Rc开路D.Rb过小④若VCC≈12V,Rc＝2kΩ,IC计算值为1mA，用直流电压表测得VCE＝8V，这说明_______；A.工作正常B.三极管c－e极间开路C.三极管b－e极间开路D.电容C2短路⑤当Rc、Rb的参数分别为_________时，该电路的静态工作点处在放大区，β=100；A.5.6kΩ,10kΩB.5.6kΩ,510kΩC.5.6kΩ,1MΩD.100kΩ,1MΩ⑥若仅当Rb增加时，VCEQ将______；若仅当Rc减小时，VCEQ将______；若仅当RL增加时，VCEQ将_____；若仅当β减小（换三极管）时，VCEQ将_____。

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。

A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。

11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V一定时，晶体三极管及放大电路练习题CE与之间的关系。

填空题一、12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,区。

当三1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______还需输入信号。

13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的；______区时，关系式IC=IC=0______区时，βIB才成立；当三极管工作在极管工作在基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R，使B0。

______当三极管工作在区时，UCE≈其，则I ，这样可克服失真。

B14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

极电位最______、2NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是，______15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的低。

较大变化。

必须正________________PN3、晶体三极管有两个结，即________和，在放大电路中16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。

17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极偏，________反偏。

为输出端。

随温度升4、晶体三极管反向饱和电流，穿透电流ICEO________ICBO随温度升高而18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V=1V,V=1.7V,V=1.2V。

可判定该三极管CEB是工作于区的型的三极管。

高而________。

，β值随温度升高而________19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，，锗三极管发射结的死区电压约为________V5、硅三极管发射结的死区电压约为试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________Vb．管型是（NPN，PNP）；。

三极管放大电路，反相器题集1，放大电路如图所示，已知三极管的BE V =0.7V ，β=50,be r =1K Ω （1）计算静态工作点Q （2）计算源电压放大倍数sov v 、 输入电阻、输出电阻。

2，在图所示的放大电路中，已知V V CC 12=，V V BE 6.0=，Ω=k R B 201，Ω=k R B 102，Ω=501E R ，Ω=k R E 32，Ω==k R R L C 4，40=β，试求：（1）估算电路的静态工作点（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 （3）若不计1E R ，再求电压放大倍数、输入电阻3，在图所示电路中，12CC =U V ，20B1=R k Ω，10B2=R k Ω，2C =R k Ω，200E1=R Ω，8.1E2=R k Ω，200s =R Ω，3L =R k Ω，晶体管的6.0BE =V V ，50=β，信号源电压10s =V mV 。

试求：（1）静态值I B 、I C 、V CE 。

（2）输入电阻r i 和输出电阻r o 。

（3）求输出电压V o 的值。

4，题图所示电路中,已知V CC =6 V ，V EE =6 V ，R C =２ k Ω，R E =１ k Ω，v s + v o － CCU BEQ =0.7 V ，β=50，静态时V C =0。

（1）（6分）求I BQ 、I CQ 和U CEQ ；（2）（2分）求R ； （3）（2分）画出交流通路。

5，电路和各元件的参数如题所示，β=50，U BE 忽略不计。

（1）画出直流通路，求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（4分） （2）画出交流通路，求输入电阻r i 、输出电阻r o ；（4分） （3）求电压放大倍数A V ；（1分） （4）若u i =20sin(100 t +20°) mV ，试写出u o 的表达式。

（1分）6，如图所示电路，已知三极管V 1的V BE =0.6V ，V CES =0.4V ，β=50，试求（1）电路能否正常工作及Vo 的值；（8分）（2）在输入为8V 时要使三极管饱和，R 1应如何选取？7，如题83图所示电路中，三极管的U BE =0.7V ，U CES =0.3V ，二极管为理想二极管。

晶体三极管及其放大电路一、填空题。

1. 三极管有二个PN结，即发射结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏，集电结必须反偏。

2. 三极管有NPN 型和PNP 型。

3. 三极管各电极电流的分配关系是I E=I C+I B。

4. 三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即放大区、截止区和饱和区。

当三极管工作在放大区时，关系式I C=βI B才成立；当三极管工作在截止区时，I C=0；当三极管工作在饱和区时，U CE=05. 有两只三极管，A管的β=200，I CEO=100μA；B管的β=60，I CEO=15μA； B 管比 A管性能好。

6. 三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而增大，穿透电流I CEO随温度升高而增大，β值随温度的升高而增大。

7. 某三极管的管压降U CE保持不变，基极电流I B=30uA时，I C=1.2mA,则发射极电流I E=1.23mA 。

如果基极电流I B增大到50uA时，I C增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 40 。

8. 工作在放大状态的三极管可作为放大器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。

9. 处于放大状态的三极管，I C与I B的关系是I C=βI B，处于饱和状态的三极管I C不受I B控制，不能实现放大作用，处在截止状态的三极管I C0A 。

10. PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中发射极电位最高，集电极电位最低。

11. 放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为10dB 。

12. 输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为10 dB 。

13. 晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生截止失真。

14. 在共射极放大电路中，当R C减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变上升。

共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的集电与发射极。

15. 用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将升高。

、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D1．已知图示电路中晶体管的100β，k 1be r ，在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时，估计输出电压有效值为____过____。

（ A ．0.5V ， B ．1V ， C ．2V ， D ．5V ）。

+V CC C 2C 1R b 300k 2k(+12V)10F10F 2kR L R c u iu o？？？2.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。

3.放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（）。

？？4.放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（）。

A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答： B答：BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： B5.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(D. CBOBR CEO BR EBO BR U U U )()()(答： B6.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。

A.C BEI I I B. ?BC I βI C. CEO CBOI I )1( D.答： C7.图示电路中，欲增大U CEQ ，可以（）。

A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大？？？8、射极输出电路如图所示，分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响，选择：2（1）．保持i U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____；（2）．保持s U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____。

三极管放大电路一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。

（1）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（3）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（）解：（1）√（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×二、试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图解：（a）不能。

因为输入信号被V B B短路。

（b）可能。

（c）不能。

因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。

（d）不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。

因为输入信号被C2短路。

（f）不能。

因为输出信号被V C C短路，恒为零。

（g）可能。

（h）不合理。

因为G-S间电压将大于零。

（i）不能。

因为T截止。

三、在图所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的＝100，'b R ＝100k Ω。

填空：要求先填文字表达式后填得数。

（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b ＝≈ k Ω；而若测得U C EQ ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。

（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。

解：（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ，；，I U V I U V β-- 。