第二章 电路的基本分析方法
2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。
解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：(b)(a)
(c)(d)5Ω6Ω4Ω4Ω8Ω5Ω3Ω
3Ω4Ω
4Ω4Ω
6Ω10Ω
3Ω4Ω
10Ω4Ω7Ω3Ω4Ω7Ω
6Ω5Ω6Ωaa
a
babb
bdcc
dcc
3Ω4Ω7Ω4Ω
8Ω4Ω7Ω3Ω3Ωa
ba
b4Ω10Ω10Ω
(a)
(d)(c)(b)
a
bc
c
ddc
6Ω5Ω6Ω6Ω5Ω4Ω4Ω3Ω4Ωa
b4Ωc（a）图 Rab=8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω（b）图 Rab=7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω（c）图 Rab=5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω（d）图 Rab=3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）
2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。
解：为方便求解，将a图中3个6Ω电阻和b图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。
（a）Rab=2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω（b） Rab=6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω
2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。3Ω
3Ω6Ω6Ω
2Ω2Ω
3Ω2Ω6Ω3Ωba
ba
(b)(a)题2.2图cc
5A6Ω
6Ω3Ω-12V+3A2A-9V+
6Ω(b)(a)题2.3
图a
ba
b6Ω6Ω6Ω2Ω3Ω3Ω2Ω
3Ω2Ω3Ω
(a)(b)cc解：（a）两电源相串联，先将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，最后再变换成电流源；等效电路为
（b）图中与12V恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与5A恒流源串联的9V电压源亦可除去（短接）。两电源相并联，先将电压源变换成电流源，再将两并联的电流源变换成一个电流源，等效电路如下：
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第一章 常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体
三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N
型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数
相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是
空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是
电子 。
4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止
。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为
0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。 7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。
9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、
稳压二极管 、
开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。
10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。
1 第1章 电路模型和电路定律
三、单项选择题
1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ）
A、一定为正值 B、一定为负值 C、不能肯定是正值或负值
2、已知空间有a、b两点，电压Uab=10V，a点电位为Va=4V，则b点电位Vb为（ B ）
A、6V B、－6V C、14V
3、当电阻R上的u、i参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ）
A、Riu B、Riu C、
iRu
4、一电阻R上u、i参考方向不一致，令u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（ A ）
A、200Ω B、－200Ω C、±200Ω
5、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（ B ）
A、10V B、20V C、30V
6、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。
A、储存电场能量 B、储存磁场能量 C、耗能
7、理想电压源和理想电流源间（ B ）
A、有等效变换关系 B、没有等效变换关系 C、有条件下的等效关系
8、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ）
A、有电流，有功率损耗 B、无电流，无功率损耗 C、有电流，无功率损耗
9、图示电路中5V电压源发出的功率P等于（ A ）
A）15W B）－15W
C）30W D）－30W
五、计算分析题
1、图1.1所示电路，已知U=3V，求R。（2Ω）
2、图1.2所示电路，已知US＝3V，IS＝2A，求UAB和I。（3V、5A）
3、图1.3所示电路，负载电阻RL可以任意改变，问RL等于多大时其上可获得最大功率，1mA 2KΩ + 10V － 4KΩ ＋
1 中篇 模拟电子技术基础
第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管
一、填空题
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 相同 。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和
反向击穿 区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。
6、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为
MOS管，属于 电压 控制型器件。MOS管只有 多数 载流子构成导通电流。
7、场效应管是利用外加电压产生的 电场 来控制漏极电流的大小的。
二、判断正误
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 （ × ）
2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ）
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。 （ × ）
4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。 （ × ）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ × ）
