第一章 直流电路 一、填空题 1．电源、负载 、导线 和控制装置 2．通路、断路、和短路 短路 3．定向移动 I A mA μA 4.某点 参考点 有 无 5. 20V -50V -30V 6. b指向a a指向b 1.5 V 7．阻碍 R 欧姆（Ω） 8． 正比 反比 I=U/R 9．5A 10．0.4A
11．电能 其他 电功 W 焦耳 12．2 13．单位时间 14．1 15．导体发热 电烙铁 电吹风 电熨斗 16．0.45 484 17．50Ω 2Ω 18．1:2 1:1 1:1 2:1 19．4 6 7 3 20．6A 21．短路 二、判断题 1．√ 2. √ 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. × 9. √ 10. × 11. √ 12. × 三、选择题 1．C 2.C 3.C 4. C 5. A 6. B 7. D 8. B 9. C 10. C 11.A 12. A 四、问答题 1.答：电流热效应的利：利用电流热效应可以制成很多电器设备，如：电烙铁、电饭煲、
电熨斗等。
电流热效应的弊：元器件和电气设备发热过多，不仅消耗电能，而且会加速绝缘材料的老化，
严重时还会引起电气火灾。
2. “220V”表示这个灯泡的额定电压
“40W”表示这个灯泡的额定功率 3．答：（1）对交、直流电流应分别使用交流电流表和直流电流表测量。 （2）电流表必须串接到被测量的电路中。 （3）电流必须从电流表的正端流入负端流出。 （4）选择合适的量程。 五、计算题 1．解：（1）C为参考点，则 UA=-3V-5V=-8V
UB=-5V
UC=0V
UAB= UA- UB=-8V-(-5V)=-3V
UBC= UB- UC=-5V
UAC= UA- UC =-8V
（2）以B为参考点，则UA=-3V=-3V
UB=0V
UC=5V
UAB= UA- UB=-3V
UBC= UB- UC=0-（5）=-5V
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第一章 常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体
三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N
型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数
相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是
空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是
电子 。
4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止
。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为
0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。 7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。
9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、
稳压二极管 、
开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。
10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。
1 第1章 电路模型和电路定律
三、单项选择题
1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ）
A、一定为正值 B、一定为负值 C、不能肯定是正值或负值
2、已知空间有a、b两点，电压Uab=10V，a点电位为Va=4V，则b点电位Vb为（ B ）
A、6V B、－6V C、14V
3、当电阻R上的u、i参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ）
A、Riu B、Riu C、
iRu
4、一电阻R上u、i参考方向不一致，令u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（ A ）
A、200Ω B、－200Ω C、±200Ω
5、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（ B ）
A、10V B、20V C、30V
6、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。
A、储存电场能量 B、储存磁场能量 C、耗能
7、理想电压源和理想电流源间（ B ）
A、有等效变换关系 B、没有等效变换关系 C、有条件下的等效关系
8、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ）
A、有电流，有功率损耗 B、无电流，无功率损耗 C、有电流，无功率损耗
9、图示电路中5V电压源发出的功率P等于（ A ）
A）15W B）－15W
C）30W D）－30W
五、计算分析题
1、图1.1所示电路，已知U=3V，求R。（2Ω）
2、图1.2所示电路，已知US＝3V，IS＝2A，求UAB和I。（3V、5A）
3、图1.3所示电路，负载电阻RL可以任意改变，问RL等于多大时其上可获得最大功率，1mA 2KΩ + 10V － 4KΩ ＋
1 中篇 模拟电子技术基础
第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管
一、填空题
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 相同 。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和
反向击穿 区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。
6、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为
MOS管，属于 电压 控制型器件。MOS管只有 多数 载流子构成导通电流。
7、场效应管是利用外加电压产生的 电场 来控制漏极电流的大小的。
二、判断正误
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 （ × ）
2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ）
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。 （ × ）
4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。 （ × ）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ × ）
