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DIP制程基础知识培训教材DIP培训项目：一、手插件的原则与标准二、电子元件的单位及换算关系“有铅专用”字样的周转箱三、电子元件的识别四、电子元件的插件标准五、插装零件成型作业要求六、插件/补焊/后焊的作业要求七、无铅/恒温烙铁使用与管理名词解释：DIP：dual in—line package 双内线包装（泛指手插件)一、DIP Manual Assembly Rule1.双手并用：需左右手交替作业。
如预备动作：当左手插件，右手要做好插件准备(极性识别），可以随时将零件插入，反之亦然，尽量缩短等待的间. 2。
插件顺序原则：A、零件由小至大插件(可防止大零件挡手）.B、水平方向由右至左插件（输送带由左至右流线）。
C、垂直方向由上至下插件（可避免手碰到下方零件）3.外观相同但规格不同之零件，不排在同一站或相邻站.4.含固定脚之零件,需于前3站插件完毕(防止引起跳件）.5.有方向性零件之插件原则：A、方向相同之零件排于同一站。
B、不同方向之零件不排在同一站。
6.PCB 板上无印刷及标识、防呆孔时，将正确插件及零件位置图片作标识。
7。
同一站内零件种类（盒）以不超过五种为原则（可保持零件盒在正常作业范围内）.8.零件盒摆放位置顺序需与双手动作顺序相符。
9。
分开作业:左右手的零件要分开,不可右手抓左边零件槽的零件、左手抓右边的零件。
10。
排站时，以一人插6—8 颗零件时，效率最佳。
最大工作区域装配点最佳工作区域作业员插件标准作业范围：最佳工作范围：以肩算起水平180 度47。
4CM. 正常工作范围：以肩算起水平180 度57。
0CM。
最大工作范围：以肩算起水平180 度72。
9CM。
二、生产中所用电子元件的单位及换算关系电阻：1Mohm=103Kohm=106oh电容:1F=106μF=109nF=1012PF电感：1H=103mH=106μH电压:1KV=103V=106mV电流：1A=103mA=106μA频率：1MHz=103KHz=106Hz三、色环电阻中颜色与数值的对应关系黑0 100棕1 101 ±1%红2 102 ±2%橙3 103黄4 104绿5 105兰6 106紫7 107灰8 108白9 109金银有效值倍率误差10—1 ±5％10-2 ±10％±0。
电子原件识别培训教材一、编写此教材的目的:识别区分最基本的电子元件、认识了解最基本的电子元件之内部结构;以便正确的使用,从提高自身之职业素质来提高生产效率和产品之品质.二、最常用之基本元件:电阻〈含排阻〉、电容、电感、二极管、三极管、集成电路<IC芯片>、晶振、轻触开关（不可沾清洗济）等.三、按使用方式分类为:A.贴片元件<即CHIP类> 注:SMT所用元件均为贴片元件B.手插元件<即DIP类>四、常用电子元件的符号代码、单位及单位换算１．电阻（含排阻）电阻的英文单词是Ｒｅｓｉｓｔｏｒ，故用字母Ｒ来表示。
电阻的单位是欧姆（符号：Ω），常用的单位有：兆欧（MΩ）、千欧（KΩ）、欧（Ω）．电阻按其规格分常见的有五种：０４０２、０６０３、０８０５、１２０６；按其精密度可分为精密电阻和普通电阻两种，精密电阻的误差范围为±１％用Ｆ表示；普通电阻误差为±５％用Ｊ表示．ＳＭＴ贴片中常见的有晶片电阻和可调电阻．电阻阻值的换算：１M Ω＝１０３KΩ＝１０６Ω例：８４０００００Ω＝８４００KΩ＝８．４M Ω３４MΩ=３４０００KΩ＝３４００００００Ω1．1晶片电阻型号的意义如图例：0402长为0.04英寸宽为0.02英寸〈注: A 1英寸=2.54CM= 25.4MMB 在SMT贴片时电阻厂商、阻值、误差值都相同，型号不同时则不可相互代用〉1．1．1．电阻的误差值：例：100 Ω±1% 其使用范围 99 Ω～101 Ω100 Ω±5% 其使用范围 95 Ω～105 Ω从上例可以看出，同是100Ω电阻，误差大小不同，其使用范围也相应不同，误差值小的；其使用范围被包含在误差大的之内，因此在电阻厂商、阻值、型号相同的情况下，精密电阻可以代替普通电阻，而普通电阻不可以代替精密电阻。
另如厂商不同时则不可以相互代用。
1．2晶片电阻的阻值换算〈因晶片电阻正面的丝印字不是该电阻的阻值，需依换算表进行换算；具体方法如下〉1．2．1 本体有三位数字的代码（普通），电阻前两位照写，第三位是10的次方数。
製二 課 新進人員教育訓練教案第一章認識電阻電阻,顧名思義,就是阻止電流流動的阻力.有阻止電流流動能力的元件,稱為電阻器(resistor),其單位為毆姆.電阻器可以分為固定電阻器與可變電阻器兩種,從材質方面分類,通常又可以分為混合式與繞線式兩種.( 1) 固定電阻器( fi*ed resistor ) :固定電阻是指該電阻的電阻值,由製作廠家製成*一固定數值.此種電阻,在電子設備中使用甚廣,按其結構又分為以下幾種:1.型線繞式電阻器2.碳膜電阻器3.固定碳素混合電阻4.絕緣固定式碳膜電阻器5.固定金屬膜電阻器6.厚膜微型電阻器7.厚膜電阻網路< 1. 功率型線繞式電阻器power type coated wirewound resistor>這種電阻器是在瓷器管狀的耐熱卷蕊上繞上電阻線,其外圍在施以洋灰色或磁漆等耐熱物質.以下的圖就是功率線繞式電阻器剖析圖.< 2. 固定碳膜電阻器fi*ed carbon film resistor>這種電阻器在磁管或磁棒的外表上附著碳素系物質薄膜的電阻體,並加上適當的的端子,其外表再加以保護塗裝.以下的圖就是固定碳膜電阻器剖析圖.< 3. 固定式碳素混合電阻器fi*ed carbon position resistor>這種電阻器是利用碳素系導電物質混合其他適當的物質所形成,電阻器的外表具絕緣性.以下的圖就是固定式碳素混合電阻器剖析圖.< 4. 絕緣性固定碳膜電阻器insulated fi*ed carbon film resistor>這種電阻器是在瓷體的外表加上碳素膜的電阻體及端子,外表再封以絕緣質.以下的圖就是絕緣性固定碳膜電阻器剖析圖.< 5. 固定金屬膜電阻器fi*ed metal film resistor>這種電阻器是在瓷體的外表加上鉻化鎳(NiCr)合金薄膜的電阻體及端子,外表再加以保護塗裝.以下的圖就是固定金屬膜電阻器剖析圖.< 6. 厚膜微型電阻器thick film chip resistor>這種電阻器是在高純度鋁質基體(high purity alumina substrate)上密著電阻體厚膜,兩端加以電極面作為與外部線路銲接之用,並在電阻厚膜的外表加上保護塗裝.以下的圖就是厚膜微型電阻器剖析圖.< 7. 厚膜電阻網路thick film resistor network>這種電阻器是在高純度鋁質基板上分佈著多個電阻體厚膜,在鋁質基板上接成一特定的網路.在包裝的形式上有所謂單行式(single in line)或雙行式(dual in line)兩種.以下的圖就是厚膜電阻網路剖析圖.依其構造材料之特性可分成碳膜電阻與金屬膜電阻,其各色環所代表之意義,可參考(A,B圖表)來判斷.固定電阻器標示電阻值的方法有色碼標示法,直接數字標示法等兩種.(A) 色碼標示法:大局部的電阻器值表示均用四個或是五各色帶(容許誤差在正負1%以下)來標示,可由下圖中知道.色碼讀法由左至右,第一,第二為數值,第三為倍數,第四為誤差,(假设為五個色帶,則第一,二,三為數值,第四為倍數第五為誤差)(B) 直接數字標示法:是直接在電阻器外表標示其值及消耗功率,例如3K3WD,後面D是為誤差值,其各英文字母所表示的誤差百分比可參考(A,B圖表).( 2) 可變電阻器( variable resistors ) :可變電阻可分為電位器( potentiometer ),微調電阻器( trimmer )或稱半定可調電阻器,和線繞功率型可變電阻器( rheostats).可變電阻--- 就是在固定的電阻器上,再加上一個可動局部(稱為"動子"),由動子的變動而得到所需的電阻值,各型可變電阻的變化可分成九種變化類型:A型:15 %對數關係,此型可供做收錄音機,音響的音量控制.B型:直線關係,適用於音質控制電路.C型:15 %反對數關係,其特性恰好與A型相反.D型:10 %對數關係.E型:25 %反對數關係.U型: 介於A型與B型之間.W型:近似於S形狀的關係.T型:相當於D曲線.*型: 相類似曲線.色彩第一色第二色第三色倍數誤差(代號)黑0 0 0 1毆姆-電阻規格臥式碳膜電阻1/8W 5% 臥式碳膜電阻外型尺寸: 長4mm *直徑2φ阻值範圍: 0Ω to 22MΩ1/4W 5% 臥式碳膜電阻外型尺寸: 長4mm*直徑2φ阻值範圍: 0Ω to 22MΩ1/2W 5% 臥式碳膜電阻外型尺寸: 長* mm直徑3φ阻值範圍: 0Ω to 22MΩ1/4W 5% 臥式精细電阻外型尺寸: 長4mm*直徑2φ阻值範圍: 10Ω to 1MΩ1/2W 1% 臥式精细電阻外型尺寸: 長mm*直徑2φ阻值範圍: 10Ω to 1MΩ溫度系數100ppm 以下1W 5% 金屬氧化膜電阻外型尺寸:長*12mm,直徑4.0φ阻值範圍: 0.1Ω to 1MΩ2W 5% 金屬氧化膜電阻外型尺寸:長*15mm,直徑4.5φ阻值範圍: 0.01Ω to 1MΩ3W 5% 金屬氧化膜電阻外型尺寸:長*17mm,直徑6φ阻值範圍: 0.01Ω to 1MΩ臥式水泥電阻80W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸:長*22,寬*8,高*8mm阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ5W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸:長*22,寬*10,高*10mm阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ-10W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸:長*19,寬*10,高*10mm阻值範圍: 0.05Ω to 20KΩ20W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸:長*61,寬*14,高*14mm阻值範圍: 0.05Ω to 10KΩ5W 5% 立式水泥電阻外型尺寸:長*22,寬*14,高*10mm阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ5W 1% 臥式精细水泥電阻外型尺寸:長*22,寬*8,高*8mm阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ10W 1% 臥式精细水泥電阻外型尺寸:長*22,寬*8,高*8mm阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ80W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸:長*22,寬*8,高*8mm阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ-排列電阻5P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto470K Ω7P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto 100KΩ9P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto1MΩ11P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto1MΩ6P 排列電阻單排獨立腳阻值範圍: 100Ωto 470KΩ-8P 排列電阻單排獨立腳阻值範圍: 10Ωto470KΩ10P 排列電阻單排獨立腳阻值範圍: 100Ωto470KΩ光敏、熱敏電阻CDS 光敏電阻外型尺寸: 5mm to 30mm國產5φ負溫度係數熱敏電阻阻值範圍: 1KΩ to 100KΩ立式熱敏電阻阻值範圍: 2.7KΩ to 10KΩ-臥式熱敏電阻阻值範圍: 10KΩ to 47KΩ大電流熱敏電阻阻值範圍: 0.5Ω 30A to 1Ω 30A可變電阻24φAIKO 工業用碳膜圓柄可變電阻阻值範圍: 500Ω-2MΩ柄長: 15mm16φ碳膜可變電阻阻值範圍: 500Ω-2MΩ額定功率: W外型尺寸: 16φ柄長: 15 /25mm24φ碳膜可變電阻阻值範圍:500Ω-2MΩ額定功率: W外型尺寸:24φ, 柄長: 15 /25mm16φ 日製(COSMOS)碳膜密封可變電阻電阻材質:碳膜阻值範圍: 100Ω-1MΩ額定功率: 0.125W外型尺寸: 16φ柄長: 15mm24φ 日製(COSMOS)碳膜密封可變電阻電阻材質: 碳膜阻值範圍: 500Ω-1MΩ額定功率: 0.25W外型尺寸: 24φ柄長: 20mm-24φ 日製(COSMOS)雙連碳膜可變電阻電阻材質: 碳膜阻值範圍: 500Ω-1MΩ額定功率: 0.25W外型尺寸: 24φ柄長: 20mm10W高功率磁金屬膜可變電阻電阻材質:磁金屬膜額定功率: 10W外型尺寸: 24φ柄長: 75mm10W高功率磁金屬膜可變電阻電阻材質:磁金屬膜額定功率: 10W外型尺寸: 24φ柄長: 15mm 25W 大功率磁線繞VR本體材質: 磁,阻值範圍: 2Ω-1KΩ額定功率: 25W, 外型尺寸: 46φ50W 大功率磁線繞VR本體材質: 磁,阻值範圍: 2Ω-1KΩ額定功率: 50W, 外型尺寸: 63φ100W 大功率磁線繞VR本體材質: 磁,阻值範圍: 2Ω-1KΩ額定功率: 100W, 外型尺寸: 85φ50φ360度日製可變電阻直徑: 50.8φ,柄長:20mm, 柄直徑: 6φ50φ360度日製可變電阻直徑: 50.8φ, 柄長:30mm, 柄直徑: 6φ不燃性D型線繞可調電阻不燃性D型線繞電阻不燃性D型線繞電阻不燃性琺瑯波浪線瓷管電阻琺瑯波浪線繞線電阻器第二章認識電容一般應用於無線電及其他電子設備的電容器主要有兩大類:固定電容器與可變電容器.固定電容器在一定電容值的電路中使用,而可變電容器則適用於隨時或是必要時需要變更的電路中.根本的電容器是兩塊金屬板,中間夾以絕緣物質所構成;如圖A所示,中間所夾的絕緣物質,就稱為介質.電容器的介質很多,如雲母,瓷,塑膠,紙,空氣,鈦,鉭,油脂和電解質的氧化膜等.電容器的識別,一般都是直接標示其值,耐壓,極性,但有些是用其他數字或符號來表示.如上圖圖B所示;2A 表示耐壓值,103表示電容量,而M表示誤差.( 1 ) 固定電容器:固定電容器,通常依其使用的介質不同又可分為以下數種:A.紙質電容器( paper capacitor ) :這種電容器是使用紙張作為介質體製成的電容器.B.塑膠膜電容器( plastic film capacitor ) :以一種專供製造電容器使用的聚乙烯塑膠膜作為介質體而製成.C.質電容器( ceramic capacitor ) :以質材料(如塊滑石) 作為介質製成的固定電容器.D.電解質電容器( electrolytic capacitor ) :這種電容器可以陽極及內部的材料不同而分為以下四種:•鋁極固體電解電容器.•鋁極液態電解電容器.•鉭質固體電解電容器.•鉭質非固體電解電容器. E.雲母電容器( mica capacitor ) :主要是以雲母片做為介質體製成而成.( 2 ) 可變電容器:可變電容器,依使用之介質可分為:A.空氣介質可變電容.B.質可變電容.電容器的電氣性能試驗可分為:( 1 ) 耐壓試驗( 2 )絕緣電阻測量( 3 ) 洩漏電流測量( 4 )靜電容量測量( 5 )品質因數測量( 6 ) 阻抗測定( 7 )溫度特性測量( 8 )突波電壓測試.電容器的機械特性試驗可分為:( 1 )端子強度試驗( 2 )耐震性能試驗( 3 ) 衝擊試驗( 4 )可焊性試驗( 5 )銲錫耐熱性試驗( 6 )密封性試驗( 7 )耐溶劑性試驗( 8 )放射線穿透試驗.電容器的環境測試可分為:( 1 )耐寒性試驗( 2 ) 耐熱性試驗( 3 )溫度循環試驗( 4 )浸漬循環試驗( 5 )耐濕性試驗( 6 )鹽水噴霧試驗( 7 )減壓試驗( 8 )耐濕負載試驗( 9 )高溫負載試驗( 10 ) 耐燃性試驗.電容規格瓷電容低壓質電容電壓範圍: 16V to 200V電容值範圍: 1pF to104(0.1)高壓質電容電壓範圍: 1KV to 10KV電容值範圍: 1pF to 104(0.1)急充放電電容急充放電電容電壓範圍: 350V /400V電容值範圍: 330μF to 6800μF 急充放電電容電壓範圍: 400V to 1KV 電容值範圍: 0.5μF to 2.2μF立式鉭質電容立式鉭質電容電壓範圍: 6.3V to 35V 電容值範圍: 0.1μF to 47μF積層電容立式臥式積層電容電壓範圍: 50V to 100V電容值範圍: 102 to 4749P 積層排列電容規格: 102*8 9P,103*8 9P,104*8 9P日製晶片型積層電容金屬化膜電容棕色立式金屬化膜電容(MEF)電壓範圍: 50V to1200V電容值範圍: 0.001K to10K黃色臥式圓型金屬化膜(MET)電壓範圍: 100V to1000V電容值範圍: 0.01K to10K黃色臥式扁型金屬化膜(MEA)電壓範圍: 100V to1000V電容值範圍: 0.01K to10K5mm 63V 方型金屬化膜腳距: 5mm電壓: 63V電容值範圍: 0.001J to 1.5J其他綠色塑膠薄膜電容電壓:100V電容值範圍: 0.001J(102) to 0.47J(474)500V雲母電容(高級音響、無線電機用)電容值:10pF to 10000pF, ±5%立式PS 透明塑膠電容電壓: 50V電容值範圍: 56pF to10000pF6φ日製上調半固定電容電容值範圍: 3pF to 70pFAC 250V 交流電容器AC 400V 電源接地Y 電容電容值誤差表代碼 B C D F G H J K L M N 誤差值±1 ﹪±0.25﹪±0.5 ﹪±1 ﹪±2 ﹪±3 ﹪±5 ﹪±10 ﹪±15 ﹪±20 ﹪±30 ﹪常用的數值倍量符號表10-12ｐ微微pico10-9ｎ奈nano10-6μ微micro10-3ｍ毫milli103ｋ千kilo106Ｍ百萬mega109Ｇ十億giga1012Ｔ兆tera電容器耐壓值表(單位V)第三章認識電晶體一個典型的接面電晶體( j u n c t i o n t r a n s i s t o r )是由一片N型矽(或鍺 )物質外加兩片P型矽(或鍺 )物質疊合而成.另一結構方式是由P型物質介於兩片N型物質之中組合而成.前者我們稱為P-N-P電晶體,後者我們則稱為N-P-N電晶體.圖A所示就是兩種電晶體的型態.電晶體的三部份為射極(e m i t t e r),基極(b a s e),集極(c o l e c t o r).當射極與基極接面所加的偏壓為順向時,射極上的箭頭即為電流的流向.此時,射極與基極接面的特性為低阻抗及低電壓降.假设集極與基極之間加上反向偏壓時.相當於負偏壓加於二極體上,因此集極-基極間之阻抗甚高.電晶體的種類 :一邊常用的電晶體可以分為 :[1.接面電晶體 ][2.場效電晶體 ][3.金氧半場效電晶體 ][4.矽控整流器 ][5.雙向三極體][6.單接面電晶體 ]1.接面電晶體(j u n c t i o n t r a n s i s t o r):接面電晶體又稱為雙極式電晶體,又可分為P-N-P與N-P-N兩種電晶體 .其工作原理與構造就如同前面所敘述的一樣 .(參考圖A)2.場效電晶體(F E T , f i e l d e f f e c t t r a n s i s t o r):F E T是由一長立方體之N型物質,沿此立方體之中央局部,加上一環繞之P型物質,而形成一環繞之P-N結合.此P型物質接至外部的接點稱之為"閘極"(g a t e).立體方塊之兩端,各有一歐姆接觸(o h m i c c o n t a c t),一端稱為源極(s o u r c e),另一端稱為汲極(d r a i n).在P-N接面上通常加以反向偏壓,因而障壁層將深入通道( c h a n n e l )內,並有效地控制其導通的面積.在F E T工作時,電壓V d s加於通道之兩端,所有多數載子將在通道中流動.假假设反向電壓變動時,障壁層的寬度及通道有效導通面積也隨之變動,使通道電流產生變化 .3.金氧半場效電晶體(M O S F E T,m e t a l o*i d e s e m i c o n d u c t o r F E T):如圖B所示在P+區域(源極 )及P+區域(汲極 )上加以適當的電壓,使另一電極(閘極 )面附近產生一導通之通道.當一電壓V d s加於汲極(負壓 )及源極(正壓 )時,N-P+(汲極 )接面形成一負偏壓,只有微小的電流從源極流向汲極.假假设現在使閘極上有一與源極對應之負偏壓,電洞便受到N型區域外表之吸引並使其變為P型.因此,便有一P型通道接面在P+(源極 )及P+(汲極 )兩區域之間.電流便受到V d s的影響而從源極流向汲極,其大小隨閘極電壓之升高而增加.4.矽控整流器(S C R,s i l i c o n c o n t r o l e d r e c t i f i e r):整流元件.在一般狀況下,它阻隔任一方向的電流.但經過觸發( t r i g g e r )之後,它可容許順向的電流流動,但反向電流仍被阻隔.因此 ,具有可控制的整流作用.當閘極未觸發之前的初期狀況,陽極和陰極之間為高電阻.但當閘極受到很小的電流觸發之後,其作用則與一般整流器相似.在導通後,則形成穩定狀態直至主電流減至很小時才回復至初期高電阻狀態 .5.雙向三極體(t r i a c):雙向三極體是由S C R發展出來的控制元件.可藉閘極來控制順向及反向特性.S C R為單一的控制整流器,僅能控制D C整流輸出,而雙向三極體則能控制A C功率,如圖C所示.改變向三極體可視為兩個S C R相並聯------即一個N-P-N-P單體與一個P-N-P-N單體並聯 .6.單接面電晶體 (U J T,u n i j u n c t i o n t r a n s i s t o r):單接面電晶體是由一個P-N接面所組成,利用其接面間之負電阻(n e g a t i v e r e s i s t a n c e)效應可應用方脈涉及非正弦波產生器中.電晶體的種類判別(P N P或 N P N):<1>將三用電錶V O M旋轉至歐姆檔 *1(或*10)並作歸零調整.<2>依圖D-a所示將V O M的測試棒與待測電晶體之腳中任接兩腳(1,2腳),假设指針不動,試棒互相對調(如圖D-b),假设指針不動,則另一腳則為基極(亦即先找出不通的兩腳 ).<3>再以另一腳為主(第三腳),紅棒接第三腳,黑棒接第一腳,如圖E-a指針偏轉,紅棒不動,再以黑棒接第二腳,如圖E-b,指針偏轉 .則電晶體為P N P.<4>假设以第三腳接黑棒,第一腳接紅棒,如圖F-a,指針偏轉,黑棒不動,再以紅棒接第二腳,如圖F-b,指針偏轉,則電晶體為N P N.用三用電錶V O M判斷電晶體的接腳 :<1>依上述先判斷出電晶體的基極為何種類(N P N或P N P).<2>將V O M的電阻檔轉至歐姆檔*10或是*1K檔,並作歸零調整.<3>知道了基極接腳後,剩下的兩腳即為集極和射極.<4>只要給電晶體施以基極電流ＩB,將會有βＩB的集極電流 .<5>假設待測的電晶體為N P N型,且第一腳為射極,第二腳為基極,第三腳為集極如圖G-a所示,並假設所使用的V O M紅棒為接V O M內部電池的負極,黑棒為接V O M內部電池之正極 .<6>將V O M的黑棒接在待測電晶體的第三腳(假設為集極),紅棒接在待測電晶體的第一腳 (假設為射極 ),用手指按住第三腳與第二腳 (假設為基極 ) (此處,以手指的電阻造成基極電流ＩB ) .假设假設正確,使電晶體產生β ＩB =ＩC而使V O M指針順向偏轉,如圖G-b所示;假設錯誤 ,則如圖G-c所示,V O M指針將呈現出高阻抗.此時,第三腳應為射極,第一腳為集極 .認識電晶體一個典型的接面電晶體( junction transistor )是由一片N型矽( 或鍺)物質外加兩片P型矽( 或鍺)物質疊合而成.另一結構方式是由P型物質介於兩片N型物質之中組合而成.前者我們稱為P-N-P電晶體,後者我們則稱為N-P-N電晶體.圖A所示就是兩種電晶體的型態.電晶體的三部份為射極( emitter ) , 基極( base ) ,集極( collector ).當射極與基極接面所加的偏壓為順向時,射極上的箭頭即為電流的流向.此時,射極與基極接面的特性為低阻抗及低電壓降.假设集極與基極之間加上反向偏壓時.相當於負偏壓加於二極體上,因此集極-基極間之阻抗甚高.電晶體的種類:一邊常用的電晶體可以分為:[ 1.接面電晶體] [2.場效電晶體][ 3.金氧半場效電晶體][ 4.矽控整流器][ 5.雙向三極體] [ 6.單接面電晶體]1.接面電晶體( junction transistor ) :接面電晶體又稱為雙極式電晶體,又可分為P-N-P與N-P-N兩種電晶體 . 其工作原理與構造就如同前面所敘述的一樣 . ( 參考圖A )2.場效電晶體( FET, field effect transistor ) :FET是由一長立方體之N型物質,沿此立方體之中央局部,加上一環繞之P型物質,而形成一環繞之P-N結合.此P 型物質接至外部的接點稱之為"閘極" ( gate ) .立體方塊之兩端,各有一歐姆接觸( ohmic contact ),一端稱為源極( source ),另一端稱為汲極( drain ) .在P-N接面上通常加以反向偏壓,因而障壁層將深入通道( channel )內,並有效地控制其導通的面積.在FET工作時,電壓Vds加於通道之兩端,所有多數載子將在通道中流動.假假设反向電壓變動時,障壁層的寬度及通道有效導通面積也隨之變動,使通道電流產生變化 .3.金氧半場效電晶體( MOSFET , metal o*ide semiconductor FET ) :如圖B所示在P+區域( 源極)及P+區域( 汲極)上加以適當的電壓,使另一電極( 閘極)面附近產生一導通之通道.當一電壓Vds加於汲極( 負壓)及源極( 正壓)時,N-P+( 汲極)接面形成一負偏壓,只有微小的電流從源極流向汲極.假假设現在使閘極上有一與源極對應之負偏壓,電洞便受到N型區域外表之吸引並使其變為P型.因此,便有一P 型通道接面在P+( 源極)及P+( 汲極)兩區域之間.電流便受到Vds的影響而從源極流向汲極,其大小隨閘極電壓之升高而增加.4.矽控整流器( SCR , silicon controlled rectifier ) :整流元件.在一般狀況下,它阻隔任一方向的電流.但經過觸發( trigger )之後,它可容許順向的電流流動,但反向電流仍被阻隔.因此,具有可控制的整流作用.當閘極未觸發之前的初期狀況,陽極和陰極之間為高電阻.但當閘極受到很小的電流觸發之後,其作用則與一般整流器相似.在導通後,則形成穩定狀態直至主電流減至很小時才回復至初期高電阻狀態 .5.雙向三極體( triac ) :雙向三極體是由SCR發展出來的控制元件.可藉閘極來控制順向及反向特性.SCR為單一的控制整流器,僅能控制DC整流輸出,而雙向三極體則能控制AC功率,如圖C所示.改變向三極體可視為兩個SCR相並聯------ 即一個N-P-N-P單體與一個P-N-P-N單體並聯 .6.單接面電晶體( UJT , unijunction transistor ) :單接面電晶體是由一個P-N接面所組成,利用其接面間之負電阻(negative resistance)效應可應用方脈涉及非正弦波產生器中.電晶體的種類判別( PNP 或NPN ) :<1> 將三用電錶VOM旋轉至歐姆檔* 1 (或* 10)並作歸零調整.<2>依圖D-a所示將VOM的測試棒與待測電晶體之腳中任接兩腳(1,2腳),假设指針不動,試棒互相對調(如圖D-b),假设指針不動,則另一腳則為基極( 亦即先找出不通的兩腳) .<3>再以另一腳為主( 第三腳),紅棒接第三腳,黑棒接第一腳,如圖E-a指針偏轉,紅棒不動,再以黑棒接第二腳,如圖E-b,指針偏轉 .則電晶體為PNP .<4>假设以第三腳接黑棒,第一腳接紅棒,如圖F-a,指針偏轉,黑棒不動,再以紅棒接第二腳,如圖F-b,指針偏轉,則電晶體為NPN .用三用電錶VOM判斷電晶體的接腳:<1>依上述先判斷出電晶體的基極為何種類(NPN或PNP).<2>將VOM的電阻檔轉至歐姆檔*10或是*1K檔,並作歸零調整.<3>知道了基極接腳後,剩下的兩腳即為集極和射極.<4>只要給電晶體施以基極電流ＩB,將會有βＩB的集極電流 .<5>假設待測的電晶體為NPN型,且第一腳為射極,第二腳為基極,第三腳為集極如圖G-a所示,並假設所使用的VOM紅棒為接VOM內部電池的負極,黑棒為接VOM內部電池之正極 .<6>將VOM的黑棒接在待測電晶體的第三腳(假設為集極),紅棒接在待測電晶體的第一腳( 假設為射極),用手指按住第三腳與第二腳( 假設為基極) ( 此處,以手指的電阻造成基極電流ＩB ) .假设假設正確,使電晶體產生β ＩB = ＩC而使VOM指針順向偏轉,如圖G-b所示;假設錯誤,則如圖G-c所示,VOM指針將呈現出高阻抗.此時,第三腳應為射極,第一腳為集極 .第四章認識電感電感器是由捲繞漆包線所形成之線圈,通過與流過該線圈之電流成直交之磁束的磁蕊所構成,而對交流具有高阻抗,對直流顯示極低之電阻特性的電路元件.電感器的單位為亨利,符號為H,有時也以毫亨來表示,符號為mH.電感器與電感之間的測量--"電感量",就是每單位電流流經電感器所產生的磁通鏈(Flu* linkage).磁通鏈等於電感器的閘數與其相交的磁力線數之乘積.電感器又稱為電感線圈,高Q線圈,L元件等...簡稱L .低頻線圈又分為[ 電感線圈] 和[抗流線圈] 兩類, 電感線圈與抗流線圈都可以工作於較低頻率,抗流線圈主要應用於電源電路的濾波局部,它能夠通過較高的直流電流.然而電感線圈則要求較高之Q值及陡削的諧振特性.當直流電通過線圈時,僅在接通或中斷瞬間產生感抗(inductivereactance),在正常工作期間僅有電感器本身的直流電阻而已.但當交流信號通過時,其感抗將依頻率的增高而加大.電感器對交流信號所產生的阻力,便稱為交流有效電阻(effective AC resistance).電感線圈的種類,依其構造分類,通常分為固定電感器與可變電感器.如依線圈的導磁材料分類,又可分為空心,鐵心,鐵粉心及非導磁金屬心等..四種.如依照繞製方法或形狀分類,則又可分為單層螺管線圈與複層線圈,以及蜂房,蛛網,環狀,花籃等式..線圈.假设再依照使用用途以及機能分類的話,又可以在區分出,濾波器線圈,加感線圈,調諧線圈,振盪線圈等..其他...[ 固定電感器]固定電感器的意義是電感為一定數值,線圈亦被固定.固定電感器又可細分為以下數類:< 1 >重載式( heavy- duty )線圈:以粗大之導線疏繞而成,多用於功率較大的發射機電路 .< 2 >輕載式( light duty )線圈:除體積大小不同外,大體與重載式線圈一样,因使用較細導線如漆包,絲包,或紗包等繞製而成,故圈間距離可較重載更為緊密,此種線圈被廣泛地運用在各式接收機中 .< 3 >微型電感器( chip inductor ):在一微小之導磁鐵心上繞製線圈並加以適當之包裝以利自動裝配機使用 .[ 可變電感器]可變電感器可分為兩類:< 1 >變移接頭式可變電感器:此種電感器的構造方式有兩種,其中一種是線圈具有假设干接頭( taps ),用一變換開關可隨時選擇不同的電感量.另外一種是在線圈之外面裝一可移動的滑輪或夾箍,利用輪或箍的移動以改變電感量.通常應用於發射機上 .< 2 >導磁係數式可變電感器:這種電感器,其線圈內具有磁性鐵心,調整鐵心之位置以改變其電感量 . 通常多應用於無線電機的調諧電路中 .抗流線圈( choke coil )亦為一種固定電感器,它與前述固定式電感器不同之處主要在應用方面.< 1 >射頻抗流圈:其對射頻具有高電感抗, 故可用以阻止射頻電流通過 .< 2 >聲頻抗流圈:其異於射頻抗流圈者,具有更高的感抗,才能阻止聲頻交流通過 .電感器的自諧振及分佈電容之測量:無論線圈的繞法如何,很難使分佈電容完全消除.分佈電容的存在與線圈工作的電感形成所謂自諧振.一般而言,自諧振頻率比線圈工作頻率為高,但可能接近工作頻率的諧波( harmonics ), 故電感器在電路中工作的性能可能存有*些限制 .一. 自諧振的測量:( 1 )最小訊號輸出法:測試時應先將電感器自電路中取下,以防止受到四周電路的電容及電感的影響.調整信號產生器之輸出頻率,使其低於諧振頻率.假设電流表為指針式時,應調整信號產生器的輸出信號強度,使電流表上的指示約為滿標度的75%,然後逐漸增加信號產生器的頻率,並注意電流表指示的數值,直至電流表的指示讀數至最低點為止.自諧振頻率可能多於一個, 我們應檢查整個頻帶,以尋找所有存在的自諧振頻率 .( 2 ) 射頻阻抗分析儀或相位分析儀測試法:圖A所示為電感線圈理想化的自諧振等效電路.由並聯諧振的特性中知道,諧振阻抗最大,通過的電流最小,而電路成電導(或電阻) 性.測量時,使用射頻阻抗分析器或相位分析儀最為簡便,而結果亦最為準確,如圖B所示.使用阻抗分析儀或相位分析器作自諧振測試時,應先依使用方法將儀器完成校準之後,在予測量.測量時必須將線圈自線路中取下,目的是防止附近電路的電容及電感效應的影響.如果線圈無法取下來時,必須使線圈盡量遠離其他的電路或元件.測量時先將測試頻率調至低於諧振頻率的位置.如頻率無法預知時,可將頻率調至最低.然後逐漸增加測試頻率並注意相角的指示數值,至於值等於零或轉換極性時為止.此時外加的測試頻率極為受冊線圈的自諧振頻率.如前面所敘述的,自諧振頻率可能多於一個,應查看整個頻帶是否有其他自諧振頻率存在.二. 分佈電容的測量:當自諧振頻率確定後,可以代入以下計算分佈電容量 .第五章認識積體電路。
DIP 零件認識DIP Component introductionDaniel KuoDIP Component list •電解電容(Electrolytic Capacitor) Polarity•陶瓷電容(Ceramics Capacitor)•電感(Inductor)•變壓器(Transformer) Polarity•電源插座(Power Jack)•開關(Switch)•蜂鳴器(Buzzer)•LED Polarity•排針(Pin Header)•排母(Female Header)•Box Header•Wafer connector•USB座(USB Jack)•天線插座(Antenna Jack)•RJ插座(RJ Socket)•震盪器(Crystal)•電池座(Battery Socket ) PolarityVoltage CapacitanceSupplier Polarity外觀標示(Outline): 廠牌容值,電壓值. (Supplier, Capacitance, Voltage)極性(Polarity): 白色(或金色)長條. (White or golden color bar)料號(P/N): 150-300-□□□□插件需注意零件底部平貼Component bottom must touch PCB closely) * 1F ＝1×106μF =10×109VoltageCapacitance外觀標示(Outline): 電壓值,電容值. (Remark the Voltage, Capacitance)外觀標示(Outline): 零件上方標示電感值極性(Polarity): 無. (No)料號(P/N): 160-200-□□□□R(or G). * 1H ＝1×103mH=10×106μH150 ---15×100μH , 4R7 ---4.7μHPolarity Supplier D/C•外觀標示(Outline): 零件上方標示廠牌,Date Code. (Supplier, Date Code)•極性(Polarity): 有. (Yes)•料號(P/N): 160-610-□□□□R(or G).Polar point電源插座(Power Jack)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-300-□□□□R(or G).開關(Switch)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-700-□□□□R(or G).蜂鳴器(Buzzer)•外觀標示(Outline):無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 240-200-□□□□R(or G).LED+Polar is +排針(Pin Header)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無, 但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).排母(Female Header)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).Box Header•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).Wafer Connector•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).USB 插座(USB Jack)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).天線插座(Antenna Jack)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-600-□□□□R(or G).RJ插座(RJ Socket)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-100-□□□□R(or G).震盪器(Crystal)Value震盪器(Crystal) z PCB Location remark ---Y4電池座(Battery Socket )•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 有. (Yes)•料號(P/N): 220-900-□□□□R(or G).。
电子厂新员工基础理论培训教材拟制：赵建第一部分电子元件的认识13></a>.1电阻器是电路元件中应用最广泛的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。
它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还作为分流器，分压器，阻抗匹配和负载使用。
1.2电阻的特性a、电阻没有极性也没有方向；b、电阻不能产生电荷也不能存储电荷；c、一般的电阻都是线性电阻·1.3.电阻的基本单位1.4. 公司常用电阻：a: 贴片电阻表示方法阻值R=10＊103 ohm=10Kohmb：色环电阻表示方法色环颜色所代表的数字或意义色别第一色环最大一位数字第二色环第二位数字第三色环应乘的数第四色环误差棕1110红22100橙31000黄4410000绿55100000蓝66 1000000紫77 10000000灰88 100000000白99 1000000000黑1金0.1±5%银0.01±10%无色±20%2. 电容简介2.1电容是一种能贮存电荷的组件，在电路应用中作隔直流、通交流及旁路，滤波和耦合、采样保护等作用·在电路中的符合是C·2.2电容的单位电容的单位是法拉( F ).1F=103mF=106uF=109nF=1012pF 例贴片电容102容值C =10*102pF = 1000pF 2.3电容的特性电解电容有正负极性之分.使用时若极性插反,则内部击穿而造成器件爆裂。
电解电容器上都印有电容值及耐压值.极性也标示其上.(见下图)注：万用表也可检测其容值。
3.0电感的介绍3.1 电感能储存能量,在电路中作通直流、隔交流，高频滤波，振荡等作用·无极性·在电路中用L 表示·3.2单位：亨利( H )1H = 1000mH1mH = 1000uH4.0二极管简介a. 其内部具有一个PN结，外部具有两个电极的半导体器件·b. 二极管有正、负极性之分.c. 二极管有两个工作状态:处于正偏时导通,两端电压为0.6-0.8V,反偏时截止。
