专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

专升本《集成电路版图设计》一、（共75题,共150分）1. 单词“LAYOUT”的含义是:（）。

（2分）A.版图B.电路C.输出.标准答案：A2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为（）。

（2分）A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案：A3. 由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100）的区域。

对于发射区电阻可以忽略（）和电导调制效应。

（2分）A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案：B4. 在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入（）外延层内；（2分）A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案：A5. 电容的标准单位是（）。

（2分）A.法拉B.伏特C.安培.标准答案：A6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。

（2分）A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案：C7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。

（2分）A.反比B.正比C.无关.标准答案：B8. 流过导体的电流会在导体周围产生（）。

（2分）A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案：B9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。

重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。

（2分）A.最大 B.最小 C.任意.标准答案：A10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。

（2分）A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案：C11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。

（2分）A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案：A12. 使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。

（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：A13. MOS晶体管是一种（）控制器件。

专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。

（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。

（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。

（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。

（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。

（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。

（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。

忽略M3的体效应。

要使和严格相等，应取为（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。

（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。

请计算该电路的等效输入电阻为（）。

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。

（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。

（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。

（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。

（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。

（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。

（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。

忽略M3的体效应。

要使和严格相等，应取为（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。

（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。

请计算该电路的等效输入电阻为（）。

专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性.标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。

（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区.标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。

（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态.标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。

（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻.标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。

（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大.标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。

（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动.标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。

（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补.标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。

（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区.标准答案：A 9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。

（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻.标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。

（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模.标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（2分） ( ).标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

模拟集成电路设计期末试卷..《模拟集成电路设计原理》期末考试⼀．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相⽐，MOS器件的尺⼨很容易按____⽐例____缩⼩，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。

2、放⼤应⽤时，通常使MOS管⼯作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表⽰电压转换电流的能⼒。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较⼩___（较⼤、较⼩）。

4、源跟随器主要应⽤是起到___电压缓冲器___的作⽤。

5、共源共栅放⼤器结构的⼀个重要特性就是_输出阻抗_很⾼，因此可以做成___恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输⼊电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流⽽不受⼯艺和温度的影响，实际应⽤中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进⼀步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为⽅便求解，在⼀定条件下可⽤___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使⽤的有源电流镜结构如下图所⽰，电路的输⼊电容C in为__ C F（1－A）__。

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反⽐__（正⽐、反⽐）。

⼆．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS⼯艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同⼀衬底上，其中某⼀类器件要做在⼀个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，⼀个“弱”的反型层仍然存在，并有⼀些源漏电流，甚⾄当V GS3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增⼤时，实际的反型沟道长度逐渐减⼩，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ??为电路的等效跨导，来表⽰输⼊电压转换成输出电流的能⼒ 5、⽶勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。

模拟CMOS集成电路设计课后题在现代电子科学领域中，模拟CMOS集成电路设计是一门重要的课程，它涉及到电子工程中的基本原理和技术，对从事电子电路设计和集成电路制造的专业人员来说，具有非常重要的意义。

而课后题作为知识的巩固和扩展，对于深入理解和掌握这门课程也至关重要。

接下来，我将针对模拟CMOS集成电路设计课后题进行深度和广度兼具的全面评估，并据此撰写一篇有价值的文章。

一、基本概念解释1. 什么是模拟CMOS集成电路设计？模拟CMOS集成电路设计即使用CMOS工艺制作的模拟电路。

它在数字电路的基础上加入了模拟电路。

2. 课后题的重要性课后题是对课堂所学知识的巩固和拓展，通过解答课后题可以帮助学生更深入地理解和掌握课程内容，提高解决问题的能力。

二、课后题解析1. 请列举一些模拟CMOS集成电路设计的常见应用？模拟CMOS集成电路设计常见的应用包括放大电路、滤波电路、比较器、运算放大器等。

2. 什么是CMOS工艺？CMOS是指互补型金属氧化物半导体技术，它是当今集成电路工艺的主流之一。

CMOS工艺具有低功耗、高集成度和良好的抗干扰能力等特点。

3. 请解释CMOS集成电路的工作原理。

CMOS集成电路由N型金属氧化物半导体场效应晶体管和P型金属氧化物半导体场效应晶体管组成。

当输入电压改变时，两个晶体管的导通状态都会随之改变，从而实现信号的放大和处理。

4. 请说明模拟CMOS集成电路设计中需要考虑的主要因素？在模拟CMOS集成电路设计中，需要考虑的主要因素包括功耗、速度、噪声、线性度、稳定性等。

5. 如何进行模拟CMOS集成电路的性能指标评估？模拟CMOS集成电路的性能指标评估包括静态指标和动态指标两部分，静态指标包括增益、带宽、输入输出阻抗等；动态指标包括上升时间、下降时间、过冲、欠冲等。

三、个人观点和总结从我个人的观点来看，模拟CMOS集成电路设计是电子工程领域中非常重要的一门课程，通过课后题的解答可以更好地理解和掌握课程中的知识点，培养自己的问题解决能力。

专升本《集成电路工艺技术基础》一、（共34题,共150分）1. 恒定电场条件下，按照微电子工艺下器件的等比例缩小原则，若器件的几何尺寸等比例缩小k倍，则衬底掺杂浓度N应该________k倍，电压Vdd应该________k倍，芯片密度则提高________ 倍。

（6分）.标准答案：1. 提高;2. 缩小;3. k2;2. 拉制单晶的过程包括________、________、________、________、________及________。

（12分）.标准答案：1. 熔硅;2. 引晶;3. 收颈;4. 放肩;5. 等径生长;6. 收晶。

;3. 影响氧化速率的因素有________、________、________、________及________等。

（10分）.标准答案：1. 温度;2. 压强;3. 晶向;4. 掺杂浓度;5. 杂质类型（掺氯）; 4. 掺杂是指在衬底选择区域掺入定量杂质，包括________________和________________两项工艺。

（4分）.标准答案：1. 扩散掺杂;2. 离子注入掺杂;5. 从机理上分析，可以将整个溅射分解为四个过程，分别是________________________________、________________________________、________________________________及________________________________。

（8分）.标准答案：1. 等离子体产生过程;2. 离子轰击靶过程;3. 靶原子气相输入过程;4. 沉积成膜过程;6. 硅单晶氧化速度最快的晶向是____________________。

（2分）.标准答案：1. （111）;7. 半导体工艺中Si3N4一般采用____________进行腐蚀，而SiO2则一般采用____________进行腐蚀，Si则一般采用____________和____________进行腐蚀。

模拟cmos集成电路设计课后题CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）集成电路设计是现代电子技术的关键领域之一。

该领域涉及到各种基本电路以及整个系统的设计与优化。

本文将模拟一篇CMOS集成电路设计的课后题，其中包括对基本电路的设计以及系统级优化的考察。

第一部分：基本电路设计（2000字左右）1. 设计一个2输入与门的CMOS电路。

给出电路图，并写出相应的布尔表达式。

2. 为了减小功耗并提高响应速度，经常需要将电路设计为动态逻辑电路。

请设计一个动态逻辑的非门电路，给出电路图，并写出相应的时钟脉冲控制信号。

第二部分：CMOS集成电路设计（2000字左右）3. 设计一个3输入与门的CMOS电路，并对其功耗进行优化。

4. 设计一个4位二进制全加器的CMOS电路，并考虑功耗和面积的优化。

第三部分：系统级优化（2000字左右）5. 将两个2输入与门和一个2输入或门组合成一个3输入与门。

请给出详细的设计流程和最终的电路图。

6. 设计一个8位互补码加法器的CMOS电路，并考虑功耗、面积和延迟的优化。

第一部分：基本电路设计1. 设计一个2输入与门的CMOS电路。

给出电路图，并写出相应的布尔表达式。

CMOS与门的基本电路由PMOS管和NMOS管组成。

在输入A和B分别接入与门电路的两个输入端，而输出则连接到NMOS管和PMOS管接口的并联电路的输出端。

当A和B同时为高电平时，输出才为高电平。

其布尔表达式可以写为：Z = A * B。

2. 为了减小功耗并提高响应速度，经常需要将电路设计为动态逻辑电路。

请设计一个动态逻辑的非门电路，给出电路图，并写出相应的时钟脉冲控制信号。

动态非门电路的设计可以采用PMOS管串联的结构。

当输入S 为高电平时，NMOS管导通，输出结果为0；当输入S为低电平时，PMOS管导通，输出结果为1。

其时钟脉冲控制信号可以表示为：NAND(A, A)。