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摸拟电子技术(第2版) 4 A卷答案一、单选题(每题1分)1.D2.A3.B4.D5.D6.D7.B8.C9.A10.C11.B12.C13.B14.D15.B16.A17.A18.B19.C20.A21.D22.B23.B24.A25.B26.D27.A28.B29.C二、判断题(每题1分)1.错误2.错误3.错误4.正确１5.错误6.错误7.错误8.错误9.错误10.正确11.错误12.错误13.错误14.错误15.错误16.错误三、填空题(每题1分)1.∞、∞、0、∞、02.电压、电流、串联、并联3.正、负4.电压串联、∞、11、11、1、14、14、15.提高、扩展、减小、改变6.电压、电流7.正、负8.虚短、虚断9. 10、0.00910.电压、电流、串联、并联11.零、约等于输入信号12.基本放大、反馈２３13. 负反馈、正反馈14. 稳定静态工作点、提高放大器的动态性能15. 串联 负、电流 负16. 输入、增大、减小17. 输出、引回到输入18. 输出、减小、增大19. 60dB20. 小、大21. 开环（或答：基本）、闭环（或答：反馈）四、计算分析题(每题1分)1. V V V R R R R R R RU F O 5.222323252////132323-=⨯+⨯-=⋅+⋅-=Ω=+=k R R R R R F P 43.1)////(2132. （1）由图可知432R R R i i i +=，即3OA 4A 2A R u u R u R u -+=-代入数据可得A O 52u u =。
又因为４2A1R u R u I -=可得I A u u 5-=，故I u u u 26052A O -==A u f = -260 （2）R i =10k Ω计算的最后结果数字： （1）A u f = -260（2）R i =10k Ω3. （a ）12R R A uf -= （b ）212R R R A uf +=4. (1) 应引入电压串联负反馈，如下图所示图号：4309(2) 。
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
第四章 习题解答4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-=4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。
设漏极电流i D 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？ 答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C μμ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mA V V V VI VmA th GS GSWC D D S D S x o n 7.3118.052101.022122=-⨯-⨯⨯=--=μ （b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS W ox n D 72.08.02101.022121=-⨯⨯⨯=-⋅=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-⨯-⨯⨯=--=μ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I VmA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212212=-⨯⨯⨯=-⋅=μ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，μn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
第四章 负反馈放大电路与基本运算电路4.1 反馈放大电路如图P4.1.1所示，已知开环电压增益1000=u A ，电压反馈系数02.0=u F ，输出电压为)( sin 5V t u O ω=试求输入电压i u 、反馈电压f u 和净输入电压id u 。
解：)(sin 51000sin 5mV t t A u u u O id ωω===)(sin 1.005.0sin 5V t t F u u u O f ωω=⨯== )(sin 105mV t u u u f id i ω=+=4.2 放大电路输入的正弦波电压有效值为20mV ，开环时正弦波输出电压有效值为10V ，试求引入反馈系数为0.01的电压串联负反馈后输出电压的有效值。
解：50002.010===i O u U U A3.83650001.050015001==⨯+=+=F A A A u u f V A U U f i O 67.13.8302.0=⨯==4.3 反馈放大电路如图P4.3所示，试指出各电路的反馈元件，并说明是交流反馈还是直流反馈？（设图中所有电容对交流信号均可视为短路）解：a ）反馈元件：2R 直流电压串联负反馈b ）反馈元件：2R 、C 直流电压串联负反馈c ）反馈元件：2R 、3R 交直流电压并联负反馈d）反馈元件：2R、2A直流电压串联负反馈交直流电压并联正反馈e）反馈元件：E R电流串联负反馈f）反馈元件：B R电压并联负反馈4.4 试分析图P4.4所示各电路中级间反馈是正反馈还是负反馈？若是负反馈，指出反馈类型（设图中所有电容对交流信号均可视为短路）解：a）3R级间交直流电流联并负反馈5R本级交直流电流串联负反馈R本级直流电流串联负反馈2b）2R本级电压串联负反馈4R本级电压并联负反馈R级间电压并联正反馈5c）4R级间电压串联负反馈5R本级电流串联负反馈d）2R、4R本级电压并联负反馈6R级间电流串联正反馈4.5 某负反馈放大电路，其闭环放大倍数为100，且当开环放大倍数变化10﹪时闭环放大倍数的变化不超过1﹪，试求开环放大倍数和反馈系数。
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。
A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 B 。
A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。
4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2，差模输入电压为v id ，共模输入电压为v ic ，则当v i1=50mV ，v i2=50mV 时，v id =_0mV __，v ic =_50mV __；当v i1=50mV ，v i2=-50mV 时，v id =_100mA __，v ic =_0mA__；当v i1=50mV ，v i2=0V 时，v id =_50mV __，v ic =_25mA __。
5、电流源常用于放大电路，作为_A ___（A.有源负载，B.电源，C.信号源），使得放大倍数__A __（A.提高，B.稳定）。
6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ；功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、（a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗）7、功率放大电路中，___甲类____功率放大电路导通角最大；_____乙类___功率放大电路效率较高。
（甲类、乙类、甲乙类） 8、甲类功放效率低是因为 B 。
A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。
已知晶体管1T 和2T 的50=β，并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。
(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。
(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ，差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。
解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。
解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。
第四章答案模拟集成电路基础1．什么是功率放大器？与一般电压放大器相比，对功率放大器有何特殊要求？主要用于向负载提供功率的放大电路常称为功率放大电路，简称功放。
功率放大电路的主要任务是获得一定的不失真或较小失真的输出功率，因此输出的电压、电流均较大，其值一般接近于功率三极管（以后简称功率管）的使用极限值。
功率放大电路中讨论的主要性能指标是输出信号的功率、功率放大电路的效率、三极管的功率损耗以及非线性失真等。
2．功率放大电路有哪些特点？（1）．输出功率为交流功率（2）．要求输出功率尽可能大（3）．效率要高（4）．减小非线性失真（5）．功率管要注意散热与保护（6）. 由于信号幅值大，对于功率放大器的分析，采用图解分析法。
3．什么是甲类放大？分析甲类放大效率低的原因及解决办法。
三极管在信号的整个周期内都处于导通状态，即导通角θ=360˚，这种工作方式通常称为甲类放大。
在甲类放大电路中，电源始终不断地输送功率，在没有信号输入时，也有静态偏置电流通过，这些功率全部消耗在三极管和电阻上，使三极管发热，并转化为热量的形式耗散出去，因此静态功耗大、效率低。
要提高效率，就必须降低静态工作点，增大功率三角形的面积，但会带来信号失真，可以通过两个三级管共同工作的乙类放大提高功放效率。
4．功率放大器电路中的三极管有哪几种工作状态，它们的导通角分别是多少？画出各种状态下的静态工作点以及与之相应的工作波形。
（1）甲类放大，导通角θ=360˚；（2）甲乙类放大导通角180˚<θ<360˚（3）乙类放大导通角θ=180˚。
（a）甲类放大在一周期内i c>0 （b）甲乙类放大在一周期内有（c）乙类放大在一周期内半个周期以上i c>0 只有半个周期i c>05．在题图4-1所示电路中，设BJT的β=100，V CC=12V，V CES=0.5V，R L=8Ω，输入信号v i为正弦波。
（1）说明该电路功率放大的类型？（2）计算电路可能达到的最大不失真输出功率P OM。
第四章参考答案4.1 根据图4.39所示的场效应管转移特性曲线，判断场效应管的类型，并标出夹断电压G S(off)U 或开启电压G S(th)U 和漏极饱和电流D SS I 的位置。
Di GSv 0Di GSv 0D i GSv（a ） （b ） （c ）图4.39 习题4.1的图解：Di GSv 0D i GSv 0D i GSv GS(off)U GS(off)U GS(off)U（a ） （b ） （c ）图题4.1 答案（a ）P 沟道耗尽型MOS 管；（b ）N 沟道耗尽型MOS 管；（c ）P 沟道结型FET 。
4.2 根据图4.40所示的场效应管输出特性曲线，判断场效应管的类型，并确定夹断电压G S(off)U 或开启电压G S(th)U 的大小。
i D /mAu DS /V 0u GS = 3V u GS = 2Vu GS = 4V u GS =5V i D /mAu DS /Vu GS = -2V u GS = -3Vu GS = -1V u GS =0V i D /mAu DS /V0u GS = -5V u GS = -6Vu GS = -4V u GS =-3V（a ） （b ） （c ）图4.40 习题4.2的图解：（a ）N 沟道增强型MOS 管，GS(th)2V U =；（b ）P 沟道增强型MOS 管，GS(th)3V U =-；（c ）N 沟道结型FET ，GS(off)3V U =-。
4.3 在场效应管组成的电路中，其各极的电位如图4.41所示，已知G S(off)G S(th)3V U U ==，确定管子的工作状态。
3V1V8V1V1V 8V-5V0V -1V0V4V 4V（a ） （b ） （c ） （d ）图4.41 习题4.3的图解：（a ）截止区；（b ）饱和区；（c ）可变电阻区；（d ）饱和区。
4.4 已知N 沟道增强型MOS 管的参数为G S (t h )1V U =，100m W =μ，5m L =μ，2n 650cm /V s μ= ，92ox 76.710F /cm C -=⨯。
当GS GS(th)2U U =，管子工作在饱和区，试计算此时的漏极电流D I 。
解： 22n ox D n GS GS(th)GS(th)()(2)1mA 2μC W I K u U U L=-=⨯≈4.5判断图4.42中的各电路能否放大交流信号，并说明理由。
DR +-iu +-ou GR R1C SC 2C +++DDV -G1R G2R DR +-iu +-ou GR R1C SC 2C +++DDV（a ） （b ）（b ）不能，GS 0U =没有形成导电沟道，所以不能正常放大；DR +-iu +-ou GR R1C SC 2C +++DDV +-iu +-ou GR R1C SC 2C +++DDV（c ） c ）不能，因为GS 0U >；（ ）不能，因为缺少漏极电阻DR图4.42 习题4.5电路图解：（a ）能；（d 。
4.6 电路如图 4.43所示，已知DSS 4mA I =，GS(off)4V U =-，G 1M R =Ω，1K R =Ω，D 2K R =Ω， DD 12V V =。
电容的容量足够大，求静态工作点Q （GSQ U 、DSQ U 、D Q I ）。
DR +-iu +-ou GR R1C SC 2C +++DDV RuuC CVRRRu VRV-图4.43 习题4.6电路图解： G S Q G S D QD Q1U U U I R I =-=-=-⨯ 假设管子工作在饱和区则GSQ DQ 22DQ DSS GS(off)1(1)4(1)4U I I I U ⨯=-=⨯-解得合理解，DQ 1.53mA I =，GSQ 1.53V U =-DSQ DD DQ D ()12 1.5337.41V U V I R R =-+=-⨯=因为DSQ GSQ GS(off)(7.41 1.534)U U U >->-+，管子工作在恒流区，假设成立。
所以静态工作点GSQ 1.53V U =-，DSQ 7.41V U=，DQ 1.53mA I =。
4.7电路如图4.44所示，已知2n 0.1mA/V K =，G S(th)1V U =，G130K R =Ω，G220K R =Ω，D 10K R =Ω， DD 5V V =。
电容的容量足够大，求该电路的静态工作点，说明此时场效应管工作在什么状态。
uDR +-iu +-ou 1C 2C ++DDV G1R G2R Ru uCV RV-图4.44习题4.7电路图解：G 1G D D G 1G 23053V2030R U V R R ==⨯=++GSQ G S 3V U U U =-=假设管子工作在饱和区22D Q n G SQ G S(th)()0.1(31)0.4mAI K U U =-=⨯-=DSQ DD DQ D 50.4101V U V I R =-=-⨯=因为DSQ GSQ GS(off)(131)U U U <-<-，管子工作在可变电阻区，假设不成立。
则22D Q n G SQ G S(th)D SQ D SQ D SQ D SQ [2()]0.1(4)I K U U U U U U =--=⨯⨯-DSQ DD DQ D U V I R =-解得合理解，DQ 0.36mA I =，DSQ 1.4V U =所以静态工作点GSQ 3V U =，DSQ 1.4V U =，DQ 0.36mA I =，管子工作在可变电阻区。
4.8电路如图 4.45所示，由电流源提供偏置。
设管子的参数为2n 160A/V K =μ，G S(th)1V U =，DD SS 5V V V ==，DQ 0.25mA I =，DQ 2.5V U =，求该电路的静态工作点及D R 的阻值。
ou DDV DR +-i u ou SC +DD V G1R SSV -图4.45习题4.8电路图解：当i 0v =时，栅极相当于接地，且G R 上无电流通过。
假设管子工作在饱和区2D Q n G S G S(th)()I K u U =-2G SQ 0.250.16(1)U =-解得GSQ 2.25V U =，S GSQ 2.25V V U =-=-DSQ DQ S 2.5 2.25 4.75V U V V =-=+=因为DSQ GSQ GS(th)(4.75 2.251)U U U >->-，管子工作在恒流区，假设成立。
所以静态工作点GSQ 2.25V U =，DSQ 4.75V U =，DQ 0.25mA I =，D D SD D SD Q D DD Q5 2.510K Ω0.25V V V V I R R I ---=⇒===4.9电路如图 4.46（a ）所示，已知电容的容量足够大，G 1M R =Ω，0.3K R =Ω，D 1.7K R =Ω，L 2K R =Ω DD 20V V =，结型场效应管的输出特性曲线如图4.46（b ）所示。
（1）用图解法求静态工作点Q 。
（2）求输出电压的最大不失真幅度。
DR +-iu +-ou GR R1C SC 2C +++DDV LR i D /mAu DS /V-2V -3V -1V u GS =0V 5101520246810-4V（a ） （b ）图4.46习题4.9电路图i D /mA u DS /V 0-2V -3V-1V u GS =0V 51015202468100-1-2-3-42468-4V i D /mAu GS /V A BCD EF图题4.9答案解：（1）①作直流负载线DS DD D D ()U V I R R =-+令DS 0U =得 D D D D 2010m A2V I R R===+令D 0I =得DS DD 20V U V ==在输出特性曲线上连接（20，0），（0，5）得到直流负载线CD 。
②直流负载线AB 与G S u 交点处的坐标值逐点转移到GS D u i -坐标上，得到对应的转移特性曲线CD 。
③在转移特性曲线上作出GS DQ U I R =-的直线令D 0I =得GS 0U = 令D 8mA I =得GS 2.4V U =-在转移特性曲线上连接（0，0），（－2.4，8）两点得到一直线，此直线与转移特性曲线的交点即为静态工作点Q 。
对应Q 点的值为GSQ 1.5V U =-，DSQ 10V U =，DQ 5mA I =。
（2）交流负载'L D L //0.92K R R R ==Ω'o c L 50.92 4.6V v i R ==⨯=交流负载线与横轴的交点为（10＋4.6＝14.6V ）连接Q 点得到交流负载线EF 。
EF 可知输出电压的最大不失真幅度为4.6V 。
4.10电路如图4.47所示，已知2n 0.1mA/V K =，G S(th)1V U =，G160K R =Ω，G290K R =Ω，D 20K R =Ω，L 20K R =Ω， DD 5V V =，s 2K R =Ω。
电容的容量足够大。
（1）求该电路的静态工作点。
（2）画出微变等效电路，并计算u A 、i R 、o R 。
（3）计算源电压放大倍数us A 。
R RuuRR CCCVR RL R DR sR +-s u +-iu +-ou 1C 2C ++DDV G1R G2R R图4.47 习题4.10电路图m gsg U -+-+SG1R D R LR G2R -gsu +s R +-s u Di i u o u DR DDV G1R G2R图题4.10答案解：（1）G 1G S D D G 1G 26052V6090R U V R R ==⨯=++假设管子工作在饱和区22D Q n G SQ G S(th)()0.1(21)0.1mAI K U U =-=⨯-=DSQ DD DQ D 50.1203V U V I R =-=-⨯=因为DSQ GSQ GS(th)(321)U U U >->-，管子工作在恒流区，假设成立。
所以静态工作点G SQ 2V U =，DSQ 3V U =，DQ 0.1mA I =。
（2）m n GSQ GS(th)2()20.110.2mS g K U U =-=⨯⨯=u m D L (//)0.2102A g R R =-=-⨯=-i G1G2//36K ΩR R R ==o D 20K ΩR R ==（3）i us u i s362 1.89362R A A R R ==-⨯=-++4.11电路如图 4.48所示，已知场效应管在工作点上的跨导m 1m S g =，DS D r R ，G 1M R =Ω，G1100K R =Ω，G2300K R =Ω，S12K R =Ω，S210K R =Ω，D 10K R =Ω，L 10K R =Ω，DD 20V V =电容的容量足够大，求电路的小信号电压增益u o i /A u u =，输入电阻i R 和输出电阻o R 。
