iC
vCE = 0V vCE ≥ 1V
iB
vBE - e VBB 共射极放大电路
b +
c+
vCE
VCC
①截止区
②非线性区
③线性区(放大区) 线性区(放大区)
NPN共射输入特性曲线的特点描述 共射输入特性曲线的特点描述 共射输入特性曲线
(1)当vCE=0V时,相当于正向偏置的两个二极管并联, 当 =0V时 相当于正向偏置的两个二极管并联, 所以与PN PN结的正向特性相似 所以与PN结的正向特性相似 ≥1V的特性曲线比 =0V的右移 原因: 的右移. (2) vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移.原因: vCE≥1V时集电结反偏,集电结吸引自由电子的能力增 ≥1V时集电结反偏 时集电结反偏, 从发射区注入的自由电子更多地流向集电区, 强,从发射区注入的自由电子更多地流向集电区,对 即发射区发射的自由电子数一定) 应于相同的vBE (即发射区发射的自由电子数一定) , 流向基极的电流减小, 流向基极的电流减小,曲线右移 >1V与 =1V的曲线非常接近 的曲线非常接近, (3) vCE>1V与vCE=1V的曲线非常接近,可以近似认 为重合 (4)有一段死区 (5)非线性特性 温度上升, (6)温度上升,曲线左移 陡峭上升部分可以近似认为是直线, (7)陡峭上升部分可以近似认为是直线,即iB与vBE 成正比( 放大状态时,NPN的 PNP的 成正比(8)放大状态时,NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V
基区 发射结(Je) 发射结 集电结(Jc) 集电结 基极,用B或b表示(Base) 基极
三极管符号
结构特点(对 型均适用) 结构特点 对NPN PNP型均适用 型均适用
发射区的掺杂浓度最高; 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米, 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且 掺杂浓度最低. 掺杂浓度最低.