模电总结复习资料模拟电子技术基础第五版样本

绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。

如：V CE、I C等。

•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。

如：v CE、i B等。

•小写字母、小写下标表示纯交流量。

如：v ce、i b等。

•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。

如：等。

二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。

PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。

）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。

（理想模型、恒压降模型、折线模型）。

（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

（由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。

）小信号模型中h ie和h fe含义。

）用h参数分析共射极放大电路。

（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。

）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。

各种组态的特点及用途。

P147。

（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。

第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。

1。

1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。

输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。

理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。

2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。

2.2 理想运算放大器2.2。

1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。

2。

输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。

2.2。

2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。

2。

3 基本线性运放电路2.3。

1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。

2。

由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。

由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。

虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。

由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。

模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书，希望大家都能在这个学期继续坚持下去，有时间一定要看看。

希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。

有一句话叫：“把时间浪费在不该花的地方，是一件最愚蠢的事。

”今天为大家分享的是模电总结资料之一：模拟电子基础（第五版),本书共分三册，共36章、120多页，是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。

在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述，对所学知识进行了梳理，同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍，并给出了实验原理与应用方法。

一、基本概念电路的构成过程是：(1)产生信号的电源：由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。

(2)信号的基本特性：由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。

(3)信息形式：用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。

电路所能实现的全部物理过程，以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。

例如，电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。

电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。

有：时间步长、频率）时钟钟、电压基准；时间继电器式电路板(SOSD)等。

(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理，以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。

1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。

模拟电子电路由输入输出端组成。

A.输入端的输出信号包括：频率和电压；谐波分量和电源谐波分量。

B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件，主要是对信号进行采样和运算的部件。

C.时间继电器式电路板，也称为功率继电器。

D.控制输出的一种电路，包括：时间基准和电流基准。

2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。

电流在经过电感后，在通过电感的电流场作用下转换为数字信号，其特性曲线称为数字信号。

电感在数字信号中起着很重要的作用。