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在半导体制造（Semiconductor Manufacturing）行业中，有许多专业术语和英文单词频繁出现，以下是一些常见的：1. Wafer - 晶圆，硅片2. Die - 芯片裸片3. Photolithography - 光刻技术4. Etching - 刻蚀5. Deposition - 沉积，包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）6. Ion Implantation - 离子注入7. Cleaning - 清洗8. Thermal Oxidation - 热氧化9. Diffusion - 扩散工艺10. Thin Film Transistor (TFT) - 薄膜晶体管11. Mask - 防护层、光罩12. Doping - 掺杂13. CMP (Chemical Mechanical Polishing) - 化学机械平坦化14. Sputtering - 溅射15. Bonding - 封装时的绑定过程16. Probe - 测试探针17. Final Test - 最终测试18. Packaging - 封装19. Silicon Wafer Fab - 晶圆厂20. Yield - 产出率，良率此外，还有许多与质量管理、设备维护、生产控制相关的词汇，例如：- Process Control - 工艺控制- Defect Inspection - 缺陷检测- Metrology - 测量科学- End-of-Line (EOL) Testing - 生产线末尾测试- Quality Assurance (QA) - 质量保证- Failure Analysis (FA) - 失效分析这些词汇共同构成了半导体制造行业的语言基础。
半导体术语
半导体术语是指在半导体领域中常用的术语和定义。
以下是一些常见的半导体术语：
1. 半导体：一种能够在特定条件下既能传导电流又能阻挡电流的材料，例如硅和锗。
2. PN结：由P型半导体和N型半导体直接接触而形成的结构。
3. 掺杂：在半导体材料中加入少量的杂质，以改变其导电性能。
4. 硅片：半导体制造中常用的基础材料，通常是用纯度很高的单晶硅制成的圆片。
5. 绝缘体：一种不导电电子的材料，如玻璃和塑料。
6. 导体：一种能够自由传导电流的材料，如金属。
7. 硅谷：位于美国加利福尼亚州的地区，以半导体和计算机技术的发展而闻名。
8. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，一种常用的半导体器件。
9. 硅晶体管：一种常见的半导体器件，用于放大和开关电流。
10. 集成电路：将多个电子元件集成到单个芯片上的电路。
11. 二极管：一种由P型和N型半导体组成的器件，用于控制电流流动的方向。
12. 功率半导体：专门设计用于高功率和高电压应用的半导体器件。
这些术语只是半导体领域中的一小部分，还有许多其他术语和定
义与半导体制造、器件设计和电子技术相关。
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业专业词汇. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。
以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。
2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。
3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。
4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。
5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。
6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。
7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。
8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。
9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。
这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。
半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。
半导体词汇1. ac cepta nce t estin g (WA T: wa fer a ccept ancetesti ng) 2. ac cepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCES S：一个E DA（En ginee ringDataAnaly sis）系统4. Acid：酸5. Act ive d evice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Ali gn ma rk(ke y)：对位标记7. All oy：合金8.Alumi num：铝9.Ammon ia：氨水10. Ammo niumfluor ide：N H4F 11. A mmoni um hy droxi de：NH4OH 12. A morph ous s ilico n：α-S i，非晶硅（不是多晶硅）13. An alog：模拟的14. A ngstr om：A（1E-10m）埃15. A nisot ropic：各向异性（如POL Y ETC H）16. AQ L(Acc eptan ce Qu ality Leve l)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(A ntire flect ive c oatin g)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Ant imony(Sb)锑19. Argo n(Ar)氩20. Ars enic(As)砷21.Arsen ic tr ioxid e(As2O3)三氧化二砷22. A rsine(AsH3)23. Ash er：去胶机24. Asp ect r ation：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. A utodo ping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Bac k end：后段（C ONTAC T以后、P CM测试前）27. Bas eline：标准流程28. Benc hmark：基准29. B ipola r：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31. C D：（C ritic al Di mensi on）临界（关键）尺寸。
硅片行业术语大全(中英文对照I-Z)硅片行业术语大全(中英文对照I-Z)Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
半导体行业术语半导体行业术语半导体是一种材料，通常是硅，用于制造电子器件。
半导体行业是电子行业中最重要的部分之一，因为几乎所有的电子设备都需要使用半导体器件。
以下是半导体行业中最常见的一些术语。
1. 基板(Substrate)：半导体芯片的基本材料，通常是硅。
基板是生产芯片的第一步，它作为芯片的支撑并提供必要的物理支持和电气性质。
2. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)：一种基于MOS结构的场效应晶体管，具有高电压开关性能，被广泛应用于电源管理、放大器、驱动器和其他电路中。
3. CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)：一种半导体工艺，它是现代集成电路的主要制造工艺，通过使用p型和n型MOSFET来创建互补的电路，最终达到高带宽、低功耗和高整合度等特性。
4. IC(Integrated Circuit)：全称为集成电路，指将数百万个电子元件以微米尺度组成的半导体芯片上，从而实现了各种不同的功能。
这种集成将多个独立的电路集成到一个单一的芯片中，因此可以生产大容量、高速度和低功耗的芯片。
5. 大规模集成电路(Very Large Scale Integration)：简称VLSI，是一种集成电路的制造技术，可以将几百万到几十亿的电子元件集成到一个微处理器芯片上。
这种技术不仅将电路缩小到微小的尺寸，而且也提高了整体性能和耗能效率。
6. SoC(System-on-a-Chip)：是一种完全集成的芯片，包含数字、模拟和射频(流)功能，具有高度的可编程性。
SoC可以在移动设备、智能家居、互联汽车和其他应用中实现！7. FPGA(Field Programmable Gate Array)：可编程的逻辑芯片，可以快速重置、重新配置和重新设计电路，通过内置大量的数据存储器、处理能力和专用的高速通道，可实现快速数据处理。
硅片行业术语大全(中英文对照 I-Z)Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafer s are cut.晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层 - 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer) 光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafer s.光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射 - 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafer s of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
芯片行业术语
1.片上系统（SoC）：将多个功能模块集成在一块芯片上，实现多种应用。
2. 集成电路（IC）：将电子元器件等集成在一块芯片上，实现电路功能。
3. 硅片（Wafer）：用于制造芯片的硅基材料。
4. 微处理器（Microprocessor）：内置运算器、控制器和存储器的集成电路。
5. 处理器架构（Architecture）：指处理器内部的结构、功能和工作方式。
6. 指令集（Instruction Set）：处理器能够执行的操作指令集合。
7. 芯片制造工艺（Process）：指制造芯片的各种工艺和步骤。
8. 晶体管（Transistor）：用于控制电流的电子器件，是芯片的基本组成单元。
9. NMOS/PNOS/CMOS：不同种类的晶体管工作方式，影响芯片性能和功耗。
10. 时钟频率（Clock Frequency）：处理器每秒钟执行指令的次数，影响处理器速度。
11. 超线程技术（Hyper-Threading）：一种多线程技术，可以提高处理器的效率。
12. 缓存（Cache）：用于存储处理器频繁访问的数据和指令，提
高处理器速度。
13. 硬件加速器（Hardware Accelerator）：用于加速处理器特定任务的电路。
14. 图形处理器（GPU）：专门用于处理图形图像和视频的处理器。
15. 半导体产业链（Semiconductor Supply Chain）：指从芯片设计到终端应用的整个产业链。
以上是一些常见的芯片行业术语，它们在芯片设计、制造和应用中起着重要的作用。
半导体用语
1、半导体用语
（一）硅片
1、硅片：半导体器件的基础，是由半导体绝缘体（如硅或硅基）制成的片状结构，平面可有一块。
2、基板：是硅片的基本结构，包括基板片、连接和双面封装用硅片，以及可能存在的外部电极等。
3、印制电路板（PCB）：用于连接硅片上的电路元件，分为直接印制电路板和印制电路板，可以增加元件的密度。
4、热熔带：用于接通硅片上的电路，由熔融状态的热熔料组成，是一种常用的安装电路的简单方法。
5、焊锡：用于将硅片上的元件与PCB相连，由高熔点锡料组成，可根据元件要求进行不同的焊接工艺。
（二）封装
1、封装：半导体器件完成后，需要经过封装工艺，将器件封装到管壳中，以保护其芯片。
2、套管：硅片采用双层结构封装，一层是外部的硅管壳，另一层是内部的硅封装，套管可能是聚氯乙烯、铝箔、陶瓷或塑料。
3、外壳：用于封装硅片，外壳种类多样，如塑料壳、铝合金壳等，可以阻止外部环境的污染，并对结构进行支撑。
4、表面安装封装（SMT）：将器件封装到PCB表面上，可以使器件的安装密度更大。
5、浸渍封装（DIP）：将器件放入陶瓷中，再通过高温和高压，使器件固定在陶瓷中，可以提高封装的可靠性。
硅片行业术语大全硅片行业术语大全Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free h ole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。
受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithograp hy process.套准精度- 在光刻工艺中转移图形的精度。
Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting各向异性- 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。
Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surfac e of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the res*不良词语*t of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污区域- 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
由沾污、手印和水滴产生的污染。
Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse.椭圆方位角- 测量入射面和主晶轴之间的角度。
半导体专业术语
1. “晶圆”呀，就像半导体世界的大舞台，各种芯片都要在这上面表演呢！比如你手机里的芯片，就是在晶圆上诞生的哟。
2. “光刻”不就是给半导体画画嘛，精细得很嘞！你想想看，能把那么复杂的电路画得那么准确，是不是很厉害呀！就像一个超级厉害的画家。
3. “掺杂”，这就像是给半导体加点特别的调料，让它有不同的性能呢！好比做菜，加点盐味道就不一样了，掺杂能让半导体变得更独特哦。
4. “封装”，可以说是给半导体穿上保护衣啦！就像给宝贝手机套上手机壳一样，能保护里面的芯片好好工作呀。
5. “MOSFET”，这可是半导体里的大明星呢！很多电子设备都离不开它，它就像一个超级能干的小助手，默默地奉献着。
比如电脑里就有它在努力工作哦。
6. “PN 结”，就像是半导体里的一道神奇关卡，控制着电流的通过呢！就像小区门口的保安，决定谁能进出一样。
7. “蚀刻”，这简直就是给半导体做雕刻呀，把不需要的部分去掉，留下精华！就像雕刻大师精心雕琢作品一样。
8. “半导体器件”，那可是各种各样的宝贝呀！从小小的二极管到复杂的集成电路，它们就像一个神奇的宝库，给我们的生活带来便利。
你家里的电器里肯定有它们的身影呢！
9. “禁带宽度”，这就像是半导体的一个小秘密，决定了它的很多特性呢！是不是很神秘呀？
10. “外延生长”，可以想象成让半导体像小树苗一样长大，变得更强大更优秀！是不是很有意思呀？。
半导体业界常用术语
1. “晶圆，那可是半导体的根基啊！就好比是大楼的基石，没有它怎么能行呢？你想想，要是没有晶圆，那些芯片从哪儿来呀！”
2. “封装，这就像是给半导体穿上一件保护衣，让它能安全地工作呀！你看，把那些精细的器件包裹起来，多重要啊！”
3. “光刻机，哇哦，这可是半导体制造的关键设备呀！没有它，就像画家没有画笔，怎么能画出美丽的图案呢？”
4. “蚀刻，这简直就是在半导体上进行精细雕琢呀！就跟雕刻大师精心塑造作品一样，厉害吧！”
5. “掺杂，这可是改变半导体性能的重要手段呢！就好像给它注入了特别的力量，让它变得与众不同。
”
6. “外延，这就像是给半导体不断添砖加瓦，让它成长壮大呀，你说神奇不神奇？”
7. “MOS 管，嘿，这可是半导体里的小能手啊！在电路里发挥着大作用，就像一个勤劳的小蜜蜂！”
8. “集成电路，哇，这可是把好多好多的半导体元件集合在一起呀，那威力可大了去了，你能想象吗？”
9. “半导体材料，这可是一切的源头啊！没有好的材料，怎么能做出优秀的半导体呢，对吧？”
10. “PN 结，这可是半导体的重要结构呢！就像是一个神奇的开关，控制着电流的通过，厉害吧！”。
使节光伏产业链各环节主要制造商和分布一览太阳能产业示意图太阳能产业示意图中国高纯多晶硅材料生产和投资现状一览表中国高纯多晶硅材料生产和投资现状一览表（含已有产能和在建、拟建项目）中国高纯多晶硅材料生产和投资现状一览表国外硅片供应商大全国外硅片供应商大全(转载)/sites/start/start.htm /default.asphttp://www.rasa.co.jp硅片行业术语大全Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。
受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套准精度- 在光刻工艺中转移图形的精度。
Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting各向异性- 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。
Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc. 沾污区域- 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
由沾污、手印和水滴产生的污染。
Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse.椭圆方位角- 测量入射面和主晶轴之间的角度。
Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use ‘back surface’.)背面- 晶圆片的底部表面。
（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”）Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on top of the wafer.底部硅层- 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。
Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.双极晶体管- 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer.绑定晶圆片- 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。
Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs.绑定面- 两个晶圆片结合的接触区。
Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic.埋层- 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。
Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates between the two wafers.氧化埋层(BOX) - 在两个晶圆片间的绝缘层。
Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer.载流子- 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process.化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。
此工艺在前道工艺中使用。
Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.卡盘痕迹- 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。
Cleavage Plane - A fracture plane that is preferred.解理面- 破裂面Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length.裂纹- 长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。
Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.微坑- 在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。
Conductivity (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material.传导性（电学方面）- 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。
Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”.导电类型- 晶圆片中载流子的类型，N型和P型。
Contaminant, Particulate (see light point defect)污染微粒（参见光点缺陷）Contamination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer.沾污区域- 部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。
Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer.沾污颗粒- 晶圆片表面上的颗粒。
Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies and dislocations that can have an impact on a circuit’s electrical performance.晶体缺陷- 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。
Crystal Indices (see Miller indices)晶体指数（参见米勒指数）Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers.耗尽层- 晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。
Dimple - A concave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions.表面起伏- 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。
Donor - A contaminate that has donated ext ra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”.施主- 可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。
Dopant - An element that contributes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements.搀杂剂- 可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。
晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III 和V族元素中发现。
Doping - The process of the donation of an electron or hole to the conduction process by a dopant. 掺杂- 把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。
Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm.芯片边缘和缩进- 晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。
