半导体二极管三极管和场效应管
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mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型。
箭头指向g 的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽。
箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽。
希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间:2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型:npn和pnp。
npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域;pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域,图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn BJT。
图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式:截止模式、线性放大模式及饱和模式,见图4。
图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。
它们被广泛应用在其他展品中,特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管(1)我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.(2)PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话,那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述:晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识(转载)2011-05-07 06:39:32| 分类:电路硬件设计| 标签:|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
一、二极管三极管MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流:。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0 。
当外加的反向电压高到一定程度时, p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
首页[1][2][3]下一页尾页由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,现了双极晶实体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
电子元器件知识:二极管、三极管与场效应管。
一、半导体二极管2、半导体二极管的分类分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
7、半导体二极管的识别方法:a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
8、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。
变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。
在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
4.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点:一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示。
由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适。
这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω。
三、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS 管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换)。
对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活。
三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。
四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。
五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成。
三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定。
在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势。
六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。
七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞。
跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到.三极管的一些特殊用法扩流把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其最大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图1。
图2为电容容量扩大电路。
利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。
这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。
二极管和三极管以及场效应晶体管作用
二极管、三极管和场效应晶体管(FET)都是半导体器件,它们在电子学中发挥着重要的作用。
以下是它们的主要作用:
1.二极管(Diode):
•作用:二极管是一种两端具有不同导电性的半导体器件。
其主要作用是实现电流在一个方向上的导通,而在反方向上的阻
断。
这种性质使得二极管常被用作整流器,将交流电信号转换为
直流电信号。
2.三极管(Transistor):
•作用:三极管是一种三层结构的半导体器件,分为发射极、基极和集电极。
通过在基极的电流控制,可以调节从发射极
到集电极的电流。
这使得三极管可以被用作放大器、开关和信号
调节器。
在数字电子电路中,三极管构成了逻辑门和存储器等组
件。
3.场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET):
•作用:场效应晶体管是一种通过电场控制电流的半导体器件。
FET有两种主要类型:金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)和绝缘栅场效应晶体管(IGFET)。
FET在放大、开
关和调节电流方面类似于三极管,但是FET的控制电流是通过电
场而不是电流实现的,这使得FET在某些应用中更有效。
总体而言,这些半导体器件在电子电路中扮演着不同的角色,能够完成信号的放大、开关、整流等功能,是现代电子技术中不可或缺的组成部分。
晶体三极管一、三极管的电流放大原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图1、晶体三极管(NPN)的结构图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b 和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给,从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:β1=Ic/Ib式中:β--称为直流放大倍数,集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
半导体基本知识和半导体器件(二极管、三极管、场效应管、集成运放)一、选择题:1、PN结外加正向电压时,其空间电荷区()。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时,其空间电荷区()。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I s将增大,是因为此时PN结内部的()A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时,其内电场被()。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度(0K)和没有外界激发时,本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以()。
A.减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中,()器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时,()。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏,集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏,集电结正偏9、稳压二极管稳压时,其工作在( ),A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用()电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示,该管为()。
A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()。
A.输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管,已知V1的β1 = 30,V2的β2 = 50,则复合后的β约为()。
第4章半导体二极管及其应用电子电路区别于以前所学电路的主要特点是电路中引入各种电子器件。
电子器件的类型很多,目前使用得最广泛的是半导体器件——二极管、稳压管、晶体管、绝缘栅场效应管等。
由于本课程的任务不是研究这些器件内部的物理过程,而是讨论它们的应用,因此,在简单介绍这些器件的外部特性的基础上,讨论它们的应用电路。
4.1 PN结和半导体二极管4.1.1 PN结的单向导电性我们在物理课中已经知道,在纯净的四价半导体晶体材料(主要是硅和锗)中掺入微量三价(例如硼)或五价(例如磷)元素,半导体的导电能力就会大大增强。
这是由于形成了有传导电流能力的载流子。
掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子,称为电子半导体或N型半导体。
而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴,称为空穴半导体或P型半导体。
在掺杂半导体中多数载流子(称多子)数目由掺杂浓度确定,而少数载流子(称少子)数目与温度有关,并且温度升高时,少数载流子数目会增加。
在一块半导体基片上通过适当的半导体工艺技术可以形成P型半导体和N型半导体的交接面,称为PN结。
PN结具有单向导电性:当PN结加正向电压时,P端电位高于N端,PN 结变窄,由多子形成的电流可以由P区向N区流通,见图4-1 (a),而当PN结加反向电压时,N端电位高于P端,PN结变宽,由少子形成的电流极小,视为截止(不导通),见图4-1 (b)。
4.1.2半导体二极管半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。
由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。
因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。
二极管的种类很多,按材料来分,最常用的有硅管和锗管两种;按结构来分,有点接触型,面接触型和硅平面型几种;按用途来分,有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种。
(a )符号 (b )点接触型 (c )面接触型 (d )硅平面型 (e )外形示意图图4-2 常用二极管的符号、结构和外形示意图图4-2是常用二极管的符号、结构及外形的示意图。
二极管的符号如图4-2(a )所示。
箭头表示正向电流的方向。
一般在二极管的管壳表面标有这个符号或色点、色圈来表示二极管的极性,左边实心箭头的符号是工程上常用的符号,右边的符号为新规定的符号。
从工艺结构来看,点接触型二极管(一般为锗管)如图4-2(b)其特点是结面积小,因此结电容小,允许通过的电流也小,适用高频电路的检波或小电流的整流,也可用作数字电路里的开关元件;面接触型二极管(一般为硅管)如图4-2(c)其特点是结面积大,结电容大,允许通过的电流较大,适用于低频整流;硅平面型二极管如图4-2(d),结面积大的可用于大功率整流,结面积小的,适用于脉冲数字电路作开关管。
4.1.3 二极管的伏安特性二极管的电流与电压的关系曲线I = f (V ),称为二极管的伏安特性。
其伏安特性曲线如图4-3所示。
二极管的核心是一个PN 结,具有单向导电性,其实际伏安特性与理论伏安特性略有区别。
由图4-3可见二极管的伏安特性曲线是非线性的,可分为三部分:正向特性、反向特性和反向击穿特性。
1. 正向特性当外加正向电压很低时,管子内多数载流子的扩散运动没形成,故正向电流几乎为零。
当正向电压超过一定数值时,才有明显的正向电流,这个电压值称为死区电压,通常硅管的死区电压约为0.5V ,锗管的死区电压约为0.2V ,当正向电压大于死区电压后,正向电流迅速增长,曲线接近上升直线,在伏安特性的这一部分,当电流迅速增加时,二极管的正向压降变化很小,硅管正向压降约为0.6~0.7V ,锗管的正向压降约为0.2~0.3V 。
二极管的伏安特性对温度很敏感,温度升高时,正向特性曲线向左移,如图4-3所示,这说明,对应同样大小的正向电流,正向压降随温升而减小。
研究表明,温度每升高10C ,正向压降减小2mV。
2. 反向特性二极管加上反向电压时,形成很小的反向电流,且在一定温度下它的数量基本维持不变,因此,当反向电压在一定范围内增大时,反向电流的大小基本恒定,而与反向电压大小无关,故称为反向饱和电流,一般小功率锗管的反向电流可达几十μA,而小功率硅管的反向电流要小得多,一般在0.1μA以下,当温度升高时,少数载流子数目增加,使反向电流增大,特性曲线下移,研究表明,温度每升高100C ,反向电流近似增大一倍。
3.反向击穿特性当二极管的外加反向电压大于一定数值(反向击穿电压)时,反向电流突然急剧增加称为二极管反向击穿。
反向击穿电压一般在几十伏以上。
4.1.4 二极管的主要参数二极管的特性除用伏安特性曲线表示外,参数同样能反映出二极管的电性能,器件的参数是正确选择和使用器件的依据。
各种器件的参数由厂家产品手册给出,由于制造工艺方面的原因,既使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册常给出某个参数的范围,半导体二极管的主要参数有以下几个:1.最大整流电流I DMI DM指的是二极管长期工作时,允许通过的最大的正向平均电流。
在使用时,若电流超过这个数值,将使PN结过热而把管子烧坏。
2.反向工作峰值电压V RMV RM是指管子不被击穿所允许的最大反向电压。
一般这个参数是二极管反向击穿电压的一半,若反向电压超过这个数值,管子将会有击穿的危险。
3.反向峰值电流I RMI RM是指二极管加反向电压V RM时的反向电流值,I RM越小二极管的单向导电性愈好。
I RM 受温度影响很大,使用时要加以注意。
硅管的反向电流较小,一般在几微安以下,锗管的反向电流较大,为硅管的几十到几百倍。
4.最高工作频率ƒM二极管在外加高频交流电压时,由于PN结的电容效应,单向导电作用退化。
ƒM指的是二极管单向导电作用开始明显退化的交流信号的频率。
4.1.5 二极管的等效电路及其应用由于二极管的伏安特性是非线性的,为了分析计算方Array便,在特定的条件下,我们可以将其线性化处理,视为理想元件。
1.理想二极管等效电路在电路中,若二极管导通时的正向压降远小于和它串联元件的电压,二极管截止时反向电流远小于与之并联元件的电流,那么可以忽略管子的正向压降和反向电流把二极管理想化为一个开关,当外加正向电压时,二极管导通,正向压降为0,相当于开关闭合,当外加反向电压时,二极管截止,反向电流为0,相当于开关断开,理想二极管的等效电路如图4-4。
利用理想二极管表示实际二极管进行电路的分析和计算可以得出比较满意的结果,但稍有一些误差。
2.二极管应用电路举例二极管的应用范围很广,主要都是利用它的单向导电性。
下面介绍几种应用电路。
(1) 限幅电路:限幅器的功能就是限制输出电压的幅度。
例4-1 图4-5(a )就是利用二极管作为正向限幅器的电路图。
已知v i = V m sin ωt ,且V m >V S ,试分析工作原理,并作出输出电压v o 的波形。
解:a) 二极管导通的条件是v i >V S ,由于D 为理想二极管,D 一旦导通,管压降为零,此时v o = V Sb ) 当v i ≤V S 时,二极管截止,该支路断开,R 中无电流,其压降为0。
所以v o =v ic) 根据以上分析,可作出v o 的波形,如图4-5(b )所示,由图可见,输出电压的正向幅度被限制在V S 值。
注意:作图时,v o 和v i 的波形在时间轴上要对应,这样才能正确反映v o 的变化过程。
(2) 二极管门电路门电路是一种逻辑电路,在输入信号(条件)和输出信号(结果)之间存在着一定的因果关系即逻辑关系。
在逻辑电路中,通常用符号0和1来表示两种对立的逻辑状态。
用1表示高电平,用0表示低电平,称为正逻辑,反之为负逻辑。
基本的逻辑关系有三种:与逻辑、或逻辑、非逻辑。
与此相对应的门电路就有与门、或门、非门。
由这三种基本门电路可以组成其他多种复合门电路。
例4-2 图 4-6所示为最简单的与门电路及逻辑图符号。
它是由二极管D 1、D 2和电阻R 及电源V CC 组成。
图中A 、B 为两个输入端,F 为输出端。
设V CC =5V ,A 、B 输入端的高电平(逻辑1)为3V ,低电平(逻辑0)为0V , 并忽略二极管D 1、D 2的正向导通压降。
试分析电路的输入与输出之间的关系。
解:(1)当输入端AB 均为低电平0时,即V A = V B = 0V 时,二极管D 1、D 2均为正向偏置而导通,使输出端F 的电压V F = 0V ,即输出端F 为低电平0。
(2)当输入端A 为低电平0,B 为高电平1,即V A = 0V ,V B = 3V 时,D 1阴极电位低于D2阴极电位,D1导通,使V F =0V,因而D2为反向偏置而截止,输出端F为低电平0。
(3)当输入端A为高电平1,B为低电平0,即V A = 3V,V B =0V时,D1、D2的工作情况与(2)相反,输出端F仍为低电平0。
(4)当输入端A、B均为高电平1时,即V A =V B =3V时,D1、D2均为正向偏置而导通,使输出端F的电压V F =3V,即输出端F为高电平1。
从上述分析可知,只有当所有输入端都是高电平1时,输出端才是高电平1,否则输出端均为低电平0。
这种“只有当决定一事件结果的所有条件都满足时,结果才发生”的逻辑关系称为与(And)逻辑,与门电路满足与逻辑关系。
与逻辑也称为逻辑乘、与运算。
通常用符号“·”表示,设A、B、F分别为逻辑变量,则与运算的表达式可写成以下形式:F=A·B或F=AB上式读作F等于A与B。
逻辑与的含义是:只有输入变量A、B都为1 时,输出变量F才为1;只要A、B中有一个为0,F便为0。
换言之,也就是“有0出0,全1出1”。
这一结论也适合于有多个变量参加的与运算。
表4-1列出了图4-6所示电路输入与输出逻辑电平的关系。
但在逻辑电路分析中,通常用逻辑0、1来描述输入与输出之间的关系,所列出的表称为真值表(即逻辑状态表)。
上述与门的真值表如表4-2所示。
另外,图4-7给出了或门电路及逻辑图符号。
它也是由二极管和电阻组成的。
图中A、B 是两个输入端,F是输出端。
设A、B输入端的高电平(逻辑1)为3V,低电平(逻辑0)为0V,并忽略二极管D1、D2的正向导通压降。
通过分析(详细过程读者可以自己分析)可知,只要A 、B当中有一个是高电平(逻辑1)输出就是高电平(逻辑1)。
只有当A、B同时为低电平(逻辑0)时,输出才是低电平(逻辑0)。
这种“在决定一事件结果的所有条件中,只要有一个或一个以上满足时结果就发生”的逻辑关系称或(Or)逻辑。
或门电路满足或逻辑关系。
或逻辑也称为逻辑加、或运算。
通常用符号“+”来表示,设A、B、F分别为逻辑变量,则或运算的表达式可写成以下形式:F=A+B上式读作F等于A或B。