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三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
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8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
s8050放大电路实验S8050 DF331最优方案12V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流5.87V/50=117mA集电极电阻功率为0.686W,基极电阻功率为0.000423W，三极管功率为0.336W7.55V/50=151mA集电极电阻功率为1.14W,基极电阻功率为0.000624w，三极管功率为0.135W二极管电压 2.17V 2.35V基极电流 1.41V/4.7K=0.3mA 1.06V/1.8K=0.589mA 发射结电压0.56V 正偏0.7V 正偏ULN2003输出脚电压0.84V0.9V集电结电压 2.57V 反偏（放大区）0.2V 反偏（放大区）三极管放大倍数117mA/0.3mA=390151mA/0.589mA=256 S8050 DF3315V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流2.27V/50=45.4mA集电极电阻功率为0.103W,基极电阻功率为0.000589W，三极管功率为0.0045W2.32V/50=46.4mA集电极电阻功率为0.107W,基极电阻功率为0.0015W，三极管功率为0.0027W二极管电压 1.88V 1.86V基极电流 1.67V/4.7K=0.353mA 1.66V/1.8K=0.92mA发射结电压0.70V 正偏0.72V 正偏ULN2003输出脚电压0.75V0.76V集电结电压0.61v 正偏（截止区）0.66V 正偏（截至区）三极管放大倍数45.4mA/0.353mA=12846.4mA/0.92mA=40.6 1K8.15V/50=163mA（非常烫手）集电极电阻功率为1.328W,基极电阻功率为0.0008836W，三极管功率为0.048W 2.42V0.94V/1K=0.94mA0.74正偏0.90V0.44V 正偏（截止区）163mA/0.94mA=1731K2.28V/50=45.6mA集电极电阻功率为0.104W,基极电阻功率为0.00256W，三极管功率为0.001824W 1.90V1.60V/1K=1.6mA0.73V 正偏0.76V0.69V 正偏（截至区）45.6mA/1.6mA=28.5。
s8050基极电压S8050基极电压是指S8050三极管的基极电压。
三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
而S8050是一种常见的NPN型三极管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降，被广泛应用于各种电子设备中。
基极电压是指三极管中基极与发射极之间的电压差。
在正常工作状态下，S8050的基极电压通常为0.6V至0.7V之间。
这个数值是根据三极管的材料和结构特性决定的，也是保证三极管正常工作的重要参数之一。
基极电压的大小对三极管的工作状态和性能有着重要影响。
当基极电压小于0.6V时，三极管处于截止状态，无法工作。
而当基极电压大于0.7V时，三极管处于饱和状态，电流放大倍数较低。
因此，在设计电子电路时，需要合理选择基极电压，以确保三极管能够正常工作。
S8050三极管的基极电压可以通过外部电路进行调节。
一种常见的方法是通过电阻分压来实现。
通过将一个适当的电阻连接到基极和地之间，可以将基极电压调整到所需的数值范围内。
这样可以根据具体的应用需求，灵活地控制三极管的工作状态。
除了基极电压，S8050三极管还有其他重要的参数需要考虑。
例如，集电极电流、最大功耗、最大工作温度等。
这些参数都会对三极管的性能和可靠性产生影响。
因此，在选择和使用S8050三极管时，需要仔细研究其参数和规格书，确保其能够满足具体的应用需求。
总之，S8050基极电压是S8050三极管的重要参数之一。
合理选择和调节基极电压，可以确保三极管正常工作，并满足具体的应用需求。
在设计和使用电子电路时，需要充分了解和考虑三极管的各项参数，以确保电路的性能和可靠性。
S80501. 概述S8050是一种NPN型的晶体管，常用于低功耗、低噪音放大器和开关电路中。
它具有高电流增益和较低的饱和压降，使得它在各种电子设备中都得到广泛应用。
2. 特性S8050晶体管具有以下主要特点：•极限值：–集电极-基极电压：30V–集电极-发射极电压：25V–集电极电流：0.5A–整体功耗：625mW•封装：TO-92•高电流增益：40 - 300•高频带宽：100MHz•高电压稳定性•低噪音3. 引脚配置S8050晶体管的引脚配置如下：┌─────┐集电极──┤ ├─ 发射极│ │基极───┤ ├─ 基极└─────┘4. 用途由于S8050具有高电流增益和较低的饱和压降，因此广泛应用于以下领域：1.低噪音放大器：S8050可以在低噪音场合中以放大器的形式使用，比如在无线通信设备中。
2.开关电路：由于S8050的高电流增益和高电压稳定性，它可以用作开关电路的驱动器，如电源开关和控制电路。
3.电源稳压：S8050具有良好的电压稳定性，可用于电源稳定电路中，确保稳定的电压输出。
4.控制电路：由于S8050的快速开关特性，它可以用作控制电路中的开关元件。
5.低功耗设备：由于S8050的低功耗特性，它适合用于低功耗设备的驱动和控制。
5. 电路示意图下图显示了一个使用S8050的常见电路示意图：R1Vcc ────►████|▼███████B████ C| |─────┘RL▼─────┌┘或掉电6. 典型参数以下是S8050的一些典型参数：•集电极-基极电压：30V•集电极-发射极电压：25V•集电极电流：0.5A•整体功耗：625mW•直流电流增益：40-300•最大频率：100MHz•封装类型：TO-927. 使用注意事项•在应用S8050时，必须确保在其允许的电流和电压范围内使用。
•使用适当的散热措施，以确保晶体管处于安全工作温度范围内。
•在进行焊接时应小心，避免损坏引脚和封装。
8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。
编辑本段8050管脚图8050三极管（TO-92封装）管脚图8050三极管（TO-92封装）管脚图8050三极管（TO-92封装）管脚图8050三极管（SOT-23封装）管脚图编辑本段8050三极管参数类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 MHz PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K编辑本段三极管管脚识别方法三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如8050，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
几种常见8050的区别8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
PNP 、NPN 的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN 是用B T E 的电流（IB ）控制C T E 的电流（IC ） , E 极电位最低，且正常放大时通 常C 极电位最高，即 VC > VB > VEPNP 是用E T B 的电流（IB ）控制E T C 的电流（IC ）, E 极电位最高，且正常放大时通 常C 极电位最低，即 VC<VB<VENPN 电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板 （直接或间接） PNP 电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间 接）。
这也是为了满足上面的 VC 和VE 的关系。
NPN 基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP 基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发 射极短路。
NPN 和PNP 的区别： 1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn 。
黄电结、a oN -P -一基工H一rbo --------c-—N --WlxVa集电權G2. 如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择 pnp 。
3. 如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择 npn 。
4. 如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp 。
圄片一TO92封装S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN 管，S8550是PNP 管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右一一e ;发射极；b 基级；c 集电极。
指针万用表核对：档位拨到 hfe 档位，8050插入到NPN 测试孔，8550插入到PNP 测试孔，万用表正确指示 hfe 值的，万用表测试孔标定的ebc 管脚记下就是了。
S8550 TO-92封装TO 921. 发射扱2. 基极玉集电扱SOT —23T 基极 2发射根3集电棣團片二贴片对装W WEI 1 Z5M|S8550PNP General Purpose Transistors 观 Lead(Pb)-Free,.™r Z. BA^iE I^COLLECTOR、ABSOLCTE MAXJMUV1 RATIM^S (T 沪站t )RjtflDgS? nibihl ^'alur Uni[ Coilectcr-Emilter VoltageVCEO -2SVdc Collector-Base Voltage VtBOVdc Emvitt^r-Base VOltageV£BO-SOVdc Collector Current<C -SOO m Adc Total Device Dissipation T A =25 <Z Pp Q 635 W Junction Ttrnperature TJ ISO p Storage. Ternp&ratureTstg-55 10 fl 50°CS8550 SOT-23MAXIMUM RATINGS (T A =25 Cunless ottienvise notedSymbol Pa4r<amfli$r Value Units VtM Gollector'Basft Vbitfige 40 V VetoCoKectw-Emlfter votta^e 25 V 皿 Emilter-Base Vdtage 5V lcGodeclw Currenl -Conlinuou^ 0.5A P CCoiilectv OiMipanon 03w 卜Junction Temp&mure150£JStoraoa TemperalurB■55-15QS8050 TO-92FEATURESComplim&frtary tc S855OCollector Current" IC=& 5AMARKING; J3YSOT-23DimMin MaxA2.8Q03 040 6 1 2001 400 CQmC 1.110 D Q.37QO^OCIG 1.TB0 2X0 H 0.013 0.100J o.oes0.177K0.4AO 0<600 L 0.6S0 1 QEOs 2.100 2 500 ¥0.450OuOOOAll Di men sio n in mmi ■in*A 初 e 賈ci 「V •嚏per”豊n 乳河 晒补-MtEle TS8050 SOT-23。
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标S8050=J3YANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =40V ，I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =20V ，V BE =0)I CES ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =3V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =50mA)H FE(1)120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =500mA)H FE(2)50——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =500mA ，I B =50mA)V CE(sat)——0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =500mA ，I B =50mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =5V ，I C =20mA)f T—250—MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—6—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
