IKSEMI逻辑芯片6反相器电路IW4069 CD4069 HEF4069-奥伟斯
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cd4069振荡电路原理CD4069是一种常用的集成电路芯片,它包含了六个反相器,可以用于构建振荡电路。
振荡电路是一种能够产生周期性信号的电路,其输出信号的频率和波形可以通过改变电路中的元器件来调节。
振荡电路的原理是利用正反馈,将一部分输出信号送回到输入端,从而使电路产生自激振荡。
而CD4069集成电路中的反相器可以方便地构建这样的振荡电路。
在CD4069振荡电路中,通常使用两个反相器构成一个振荡器。
其中一个反相器的输出作为另一个反相器的输入,而该反相器的输出又作为第一个反相器的输入。
这样的连锁反应使得电路能够产生自激振荡。
为了使CD4069振荡电路正常工作,需要在电路中添加适当的元器件。
其中一个关键元件是电容器,它负责储存和释放电荷,影响振荡电路的频率。
另一个关键元件是电阻,它限制电流的流动,调节振荡电路的幅度。
在CD4069振荡电路中,电容器和电阻的选择非常重要。
较大的电容器和较小的电阻会使得振荡电路的频率较低,而较小的电容器和较大的电阻则会使得振荡电路的频率较高。
因此,根据需要可以选择适当的电容器和电阻来调节振荡电路的频率。
还可以通过改变电路中的电源电压来调节振荡电路的频率。
较高的电源电压会使得振荡电路的频率较高,而较低的电源电压则会使得振荡电路的频率较低。
CD4069振荡电路可以应用于多种领域,例如音频信号发生器、时钟电路、计时器等。
通过调节电路中的元器件,可以实现不同的频率和波形输出。
CD4069振荡电路是一种基于正反馈的自激振荡电路,利用其中的反相器和适当的元器件可以构建出频率可调的振荡电路。
它在电子领域中有着广泛的应用,为各种电子设备提供了稳定而可靠的信号源。
cd4069水位感应电路cd4069是6反相器电路,由六个COS/MOS反相器电路组成。
此器件主要用作通用反相器、即用于不需要中功率TTL驱动和逻辑电平转换的电路中,(非门,1输入、1输出)主要用于数字电路中反相的作用。
下面介绍一款基于CD4069数字集成电路制作的水位检测器,它能在水箱(或水塔)进水到位时发出声光报警信号,提醒用户及时关闭水泵或水阀门。
电路工作原理:该水位检测报警器电路由水位检测传感器、间歇振荡器、LED闪烁指示电路、音频振荡器和音频放大电路等组成,如图所示。
水位检测传感器由两只电极片构成。
间歇振荡器由六非门集成电路IC(CD4069)内部的非门电路f、非门电路e和有关外围元器件组成。
LED闪烁指示电路由IC内部的非门电路d、电阻器R3和发光二极管VL组成。
音频振荡器由IC内部的非门电路a、非门电路b和有关外围元器件组成,其振荡频率约lkHz。
音频放大电路由IC内部的非门电路c、晶体管V1、V2和扬声器BL组成。
当水箱内无水或送水未到位时,水位传感器的两个电极片处于开路状态,+9V电压经开关S、电阻器R1加至二极管VDl的正极,使VDl导通,IC的13脚、10脚、1脚和4脚均为高电平,报警器电路不工作。
当水箱(或水塔)加水到位时,水位检测传感器的两个电极片与水接触(通过水接通),使二极管VDl的正极变为低电平,VDl截止,间歇振荡器振荡工作,从IC的10脚输出周期较长的振荡信号。
当该振荡信号电压为正时,二极管VD2导通,IC的1脚为高电平,音频振荡器不工作;当IC的10脚输出的振荡信号电压为负时,VD2截止,音频振荡器振荡工作。
这样,音频振荡器在间歇振荡器的控制下间歇地工作,从IC的6脚输出断续的音频信号,该信号经V1和V2放大后,推动扬声器BL发出报警声。
元器件选择:IC选用CD4069或TC4069六非门集成电路。
VDl、VD2选用1N4148硅开关二极管;VL选用Φ3mm的红色或绿色发光二极管。
cd4069工作原理
CD4069是一种六反相器模块,由六个反相器组成。
它的工作原理基于MOS管的非线性特性和反馈原理。
CD4069内部由多个MOS管组成,其中每个反相器单元具有两个MOS管,一个作为开关管,另一个作为负载管。
这两个MOS管通过引脚和外部电路相连。
工作时,CD4069的输入引脚连接到电路的输入信号源,输出引脚则连接到电路的输出负载。
输入信号经过第一个反相器单元的开关管时,根据输入信号的高低电平,MOS管会有相应的导通和截止状态。
当输入信号为高电平时,开关管导通,输出信号为低电平;当输入信号为低电平时,开关管截止,输出信号为高电平。
输出信号通过负载管得到放大并反相输出。
对于CD4069中的其他反相器单元,工作原理类似,每个单元的负载管输出都会连接到下一个单元的开关管输入,形成级联的反馈。
CD4069的工作原理在于通过MOS管的开关和负载特性实现了输入信号的反相输出。
由于每个反相器单元都相互连接,可以实现在整个模块中的多级反相操作。
总结起来,CD4069的工作原理是通过MOS管的开关和负载特性实现输入信号的反相输出,并通过多个反相器单元的级联来完成多级的反相操作。
cd4069 发光逻辑显示电路
cd4069 发光逻辑显示电路
逻辑笔也称逻辑检测探头,它是数字电路中检测各点逻辑状态的常用工具。
数字电路中的逻辑状态一般分三种:即高电平“l”、低电平“0”和“高阻态”(悬空)。
逻辑状态的测试结果可由发光二极管来显示,也可用发声器来提示,还可用数码发光二极管来显示。
如图所示为利用六反相器CD4069 与发光二极管组成的逻辑检测笔。
采用数字电路CD4069 制作的收音机电路
电路原理图如附图所示。
线圈L 和可变电容C1 构成调谐回路,选出所需要的电台。
经非门G1-G3 的高频放大后,由非门G3 的输出端输出信号,再由电容C3 进行滤波,把含有高频信号的直流电变为含有音频信号的直流电,很显然这里省去了二级管检波。
经电容C4 的隔直流作用后,落在负载电阻R2 上的就只有音频信号。
再通过过非门G4-G6 的低频放大,信号通过电容C7 加到三极管V 的基极进行阻抗变换和功率放大,由三极管的发射极输出信号。
最后由耳机发出声音。
电阻R6、电容C5 和C8 构成退耦电路,防止电路产生低频自激。
这里采用6V 的电源,目的是提高放大器对高频信号的放大能力。
通过实验发现当使用3V 电源时,由非门构成的放大器对高频信号几乎没有放大的作用。
电路中,电容C2 为高频旁路电容,用于切断直流电,让高频信号通。
CD4069六反相器与非门电路的原理与应用_cd4069典型应用电路图 - 电子技术图一 CD4069闪烁灯这是一个用CD4069反相器制作的led闪烁灯,它的电路原理图如下图六,led灯闪烁频率可以调节,led灯数量可以增加。
图二 CD4069集成电路外形CD4069六反相器是众多40系列互补MOS集成电路之一,是典型的数字集成电路,它的结构很简单,是由六个反相器组成的,每个反相器就是一个非门电路,其常见的封装形式为双列直插式,如上图二;利用其非门性质可以组成振荡电路、反转电路等,其电路结构和原理简单、体积较小、价格便宜,在电子技术实践当中得到了广泛的应用。
一、4069六反相器推荐工作条件电源电压范围3v-15v;输入电压范围0v-VDD工作温度范围:M类-55℃-125℃,E类-40℃-85℃功耗700mw静态电流25摄氏度时<4uA;输出低电平电压0.05V;输出高电平电压VDD-0.05V;输入输出传播时间小于90ns内部结构及管脚序号见下图三。
图三 CD4069六反相器内部结构及管脚二、反相器基本概念以及与非门的关系反相器,顾名思义,“反”就是反过来的意思,就是和前一个不一样,“相”就是相位、状态的意思,反相器就是非门电路,也即输入低电平输出就是高电平,或者输入高电平输出就是低电平;这里所说的高低电平是相对的,即高与低之间相对而言,并不是具体的某一个值,比如3v也可能是高电平也可能是低电平。
电平高低是输入对输入输出对输出,比如输入1v为高电平,-1v为低电平,输出3v为高电平,0v为低电平;不能拿输出的3v对输入的1v。
这一点应该注意;反相器也可以是分立元件的,也可以是集成电路的,如CD4069就是集成电路反相器,其内部集成了六个反相器;下图是用分立元件组成的反相器,当输入低电平-6v时,输出为高电平0v,若输入为高电平0v,则输出为低电平-12v;这就是晶体管的倒相作用,其工作在开关状态(饱和、截止);图四分立元件反相器三、反相器组成的振荡电路反相器的用途非常广泛,最典型的就是振荡电路,其振荡频率较低;还作为开关作用,开关状态就是非门状态。
cd4069工作原理
工作原理:基于MOSFET晶体管的逻辑门电路。
每个反相器内部包含两个MOSFET晶体管和两个电阻,其中一个MOSFET晶体管被称为P型MOSFET,另一个被称为N型MOSFET。
设定左边反相器为1,右边为2,在某一个时刻,反相器1的输入端为高电平,则1的输出端为低电平,经过反相器2之后输出高电平向电容充电,随着电容两端的电压升高,1的输入端逐渐变为低电平,一旦低于1/2VCC 就会使非门翻转,此时1与2中间为高电平,经2反相后向电容反向充电,达到条件之后再次翻转,因此OUT端就会形成高低电平变化,周而复始形成振荡。
其中左边的电阻R0与右边的电容C1组成正反馈,中间电阻R1为补偿调节电阻,用于在电源电压变化时稳定频率。
其振荡频率为1/2.2RC。
CD4069是一种集成电路芯片,也被称为六反相器。
它由六个反相器组成,每个反相器都有一个输入和一个输出。
输入信号经过反向处理后输出,即输出信号是输入信号的反向信号。
cd4069振荡电路原理CD4069是一种常用的集成电路,它是一个六反相器门电路,常用于振荡电路中。
本文将介绍CD4069振荡电路的原理及其应用。
CD4069振荡电路的原理是基于反相器的特性。
反相器是一种能够将输入信号反相输出的电路元件。
在CD4069中,有六个反相器,分别为U1、U2、U3、U4、U5和U6。
这些反相器可以通过连接不同的引脚来实现不同的功能。
在CD4069振荡电路中,一般使用两个反相器构成一个简单的振荡器。
其中一个反相器用作反馈路径,将输出信号反馈给输入端,形成正反馈回路。
另一个反相器则用作输出端,输出振荡信号。
CD4069振荡电路常用的连接方式有多种,例如RC振荡器、LC振荡器和配合电容的振荡器等。
其中,RC振荡器是最简单的一种振荡电路。
它由一个电阻和一个电容组成,通过调整电阻和电容的数值可以改变振荡频率。
CD4069振荡电路的工作原理如下:首先,将一个反相器的输出端连接到另一个反相器的输入端,形成一个正反馈回路。
然后,在正反馈回路中加入一个适当的电阻和电容,通过调整它们的数值来控制振荡频率。
当电路上电后,由于正反馈的作用,反相器的输出信号将持续反复地变化,形成一个稳定的振荡信号。
CD4069振荡电路具有很多应用。
首先,它可以用作时钟信号发生器。
在数字系统中,时钟信号是非常重要的,它用来同步各个部件的工作。
CD4069振荡电路可以产生稳定的方波信号,用作时钟信号发生器。
CD4069振荡电路还可以用于音频发生器。
通过调整电阻和电容的数值,可以改变振荡频率,从而产生不同音调的声音。
CD4069振荡电路还可以用于数字系统的逻辑门延迟补偿。
在数字系统中,逻辑门的延迟会影响系统的性能。
通过使用CD4069振荡电路,可以产生一个与逻辑门延迟相等但相反的延迟信号,从而实现逻辑门延迟的补偿。
总结起来,CD4069振荡电路是一种常用的集成电路,它可以用于时钟信号发生器、音频发生器和逻辑门延迟补偿等应用。
CD4069UBC Inverter CircuitsCD4069UBCInverter CircuitsGeneral DescriptionThe CD4069UB consists of six inverter circuits and is man-ufactured using complementary MOS (CMOS) to achievewide power supply operating range, low power consump-tion, high noise immunity, and symmetric controlled riseand fall times.This device is intended for all general purpose inverterapplications where the special characteristics of theMM74C901, MM74C907, and CD4049A Hex Inverter/Buff-ers are not required. In those applications requiring larger© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation 2C D 4069U B CAbsolute Maximum Ratings (Note 1)(Note 2)Recommended Operating Conditions (Note 2)Note 1: “Absolute Maximum Ratings ” are those values beyond which thesafety of the device cannot be guaranteed. They are not meant to imply that the devices should be operated at these limits. The table of “Recom-mended Operating Conditions ” and Electrical Characteristics table provide conditions for actual device operation.Note 2: V SS = 0V unless otherwise specified.DC Electrical Characteristics (Note 3)Note 3: V SS = 0V unless otherwise specified.Note 4: I OH and I OL are tested one output at a time.DC Supply Voltage (V DD )−0.5V to +18 V DCInput Voltage (V IN )−0.5V to V DD +0.5 V DCStorage Temperature Range (T S )−65°C to +150°CPower Dissipation (P D )Dual-In-Line 700 mW Small Outline 500 mWLead Temperature (T L )(Soldering, 10 seconds)260°C DC Supply Voltage (V DD )3V to 15V DCInput Voltage (V IN )0V to V DD V DCOperating Temperature Range (T A )−55°C to +125°CSymbol ParameterConditions−55°C +25°C +125°C UnitsMinMax MinTypMax MinMax I DDQuiescent Device CurrentV DD = 5V,0.250.257.5µAV IN = V DD or V SS V DD = 10V,0.50.515V IN = V DD or V SS V DD = 15V, 1.01.030V IN = V DD or V SSV OLLOW Level Output Voltage|I O | < 1 µA V DD = 5V 0.0500.050.05VV DD = 10V 0.0500.050.05V DD = 15V0.0500.050.05V OHHIGH Level Output Voltage|I O | < 1 µA V DD = 5V 4.95 4.955 4.95VV DD = 10V 9.959.95109.95V DD = 15V14.9514.951514.95V ILLOW Level Input Voltage|I O | < 1 µAV DD = 5V, V O = 4.5V 1.0 1.0 1.0VV DD = 10V, V O = 9V 2.0 2.0 2.0V DD = 15V, V O = 13.5V3.03.03.0V IHHIGH Level Input Voltage|I O | < 1 µAV DD = 5V, V O = 0.5V 4.0 4.0 4.0VV DD = 10V, V O = 1V 8.08.08.0V DD = 15V, V O = 1.5V12.012.012.0I OLLOW Level Output Current V DD = 5V, V O = 0.4V 0.640.510.880.36mA(Note 4)V DD = 10V, V O = 0.5V 1.6 1.3 2.250.9V DD = 15V, V O = 1.5V 4.2 3.48.8 2.4I OHHIGH Level Output Current V DD = 5V, V O = 4.6V −0.64−0.51−0.88−0.36mA (Note 4)V DD = 10V, V O = 9.5V −1.6−1.3−2.25−0.9V DD = 15V, V O = 13.5V −4.2−3.4−8.8−2.4I INInput CurrentV DD = 15V, V IN = 0V −0.1−10−5−0.1−1.0µA V DD = 15V, V IN = 15V0.110−50.11.0CD4069UBCAC Electrical Characteristics (Note 5)T A = 25°C, C L = 50 pF, R L = 200 k Ω, t r and t f ≤ 20 ns, unless otherwise specified Note 5: AC Parameters are guaranteed by DC correlated testing.Note 6: C PD determines the no load AC power consumption of any CMOS device. For complete explanation, see Family Characteristics application note —AN-90.AC Test Circuits and Switching Time WaveformsSymbol ParameterConditionsMinTyp Max Unitst PHL or t PLHPropagation Delay Time from V DD = 5V 5090ns Input to OutputV DD = 10V 3060V DD = 15V 2550t THL or t TLHTransition TimeV DD = 5V 80150ns V DD = 10V 50100V DD = 15V4080C IN Average Input Capacitance Any Gate 615pF C PDPower Dissipation CapacitanceAny Gate (Note 6)12pF 4C D 4069U B CTypical Performance CharacteristicsGate Transfer CharacteristicsPower Dissipation vs. FrequencyPropagation Delay vs. Ambient TemperaturePropagation Delay vs. Ambient TemperaturePropagation Delay Time vs. Load Capacitance CD4069UBCPhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted14-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150" NarrowPackage Number M14A 6C D 4069U B CPhysical Dimensionsinches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)14-Lead Small Outline Package (SOP), EIAJ TYPE II, 5.3mm WidePackage Number M14D7CD4069UBC Inverter CircuitsPhysical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300" WidePackage Number N14AFairchild does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and Fairchild reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD ’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:1.Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be rea-sonably expected to result in a significant injury to the user.2. A critical component in any component of a life support device or system whose failure to perform can be rea-sonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.。
IW4069、CD4069、HEF4069类型包含六个逆变器电路。
这些器件适用于所有通用逆变器应用,这些应用不需要IW4069、CD4069、HEF4069十六进制反相器/缓冲器等电路的中等功率TTL驱动和逻辑电平转换功能。
六个逆变器中的每一个都是一个单级Hex InverterHigh-Voltage Silicon-Gate CMOSThe IW4069、CD4069、HEF4069 types consist of six inverter circuits.These devices are intended for all general-purpose inverter applicationswhere the medium-power TTL-drive and logic-level-conversioncapabilities of circuits such as the IW4049UB Hex Inverter/Buffers are notrequired. Each of the six inverters is a single stageOperating Voltage Range: 3.0 to 18 V工作电压范围:3.0至18 V在整个封装温度范围内,18 V时的最大输入电流为1A。
在18和25C下为100 nA噪声容限(在整个封装温度范围内):最小0.5 V @ 5.0 V电源最小1.0 V @ 10.0 V电源最低1.5 V @ 15.0 V电源ORDERING INFORMATIONIW4069UBN PlasticIW4069UBD SOICT A = -55︒ to 125︒ C for all packagesLOGIC DIAGRAMPIN 14 =V CCPIN 7 = GNDPIN ASSIGNMENTFUNCTION TABLEInputs OutputA YL HH LL – LOW voltage levelH – HIGH voltage levelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*Symbol Parameter Value UnitV CC DC Supply Voltage (Referenced to GND) -0.5 to +20VV IN DC Input Voltage (Referenced to GND) -0.5 to V CC +0.5VI IN DC Input Current, per Pin ±10 mAP D Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP+ 500mWSOIC Package+ 500Ptot Power Dissipation per Output Transistor 100mWTstg Storage Temperature -65 to +150 ︒C*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.+Derating - Plastic DIP: - 12 mW/︒C from 100︒ to 125︒CSOIC Package: : - 7 mW/︒C from 65︒ to 125︒C最大额定值是那些可能会损坏设备的值。
功能操作应限于建议的操作条件。
+降额-塑料DIP:-从100W到125 fromC为12 mW /°CSOIC封装::-从65°到125°C为7 mW /°CRECOMMENDED OPERATING CONDITIONSSymbol Parameter Min Max UnitV CC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 3.0 18 V V IN, V OUT DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0V CC V T A Operating Temperature, All Package Types -55+125 ︒CThis device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high-impedance circuit. For proper operation, V IN and V OUT should be constrained to the range GND≤(V IN orV OUT)≤V CC.Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or V CC). Unused outputs must be left open.该设备包含保护电路,以防止由于高静电电压或电场而造成损坏。
但是,必须采取预防措施,以避免向该高阻抗电路施加高于最大额定电压的任何电压。
为了正常工作,VIN和VOUT应该限制在GND to(VIN或VOUT)VCC。
未使用的输入必须始终连接到适当的逻辑电压电平(例如GND或VCC)。
未使用的输出必须保持打开状态。
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)V CC Guaranteed Limit Symbol Parameter Test Conditions V≥-55︒C 25︒C ≤125 Unit︒C V IH Minimum High-Level V OUT=0.5V 5.0 4.0 4.0 4.0V Input Voltage V OUT=1.0 V 108.08.08.0V OUT=1.5V 1512.5 12.5 12.5 V IL Maximum Low -Level V OUT= V CC - 0.5 V 5.0 1.0 1.0 1.0V Input Voltage V OUT= V CC - 1 V 10 2.0 2.0 2.0V OUT= V CC - 1.5 V 15 2.5 2.5 2.5 V OH Minimum High-Level V IN=GND 5.0 4.95 4.95 4.95 V Output Voltage 109.95 9.95 9.951514.9514.9514.95 V OL Maximum Low-Level V IN= V CC 5.0 0.05 0.05 0.05 V Output Voltage 100.05 0.05 0.05150.05 0.05 0.05I IN Maximum Input V IN= GND or V CC18±0.1±0.1±1.0μALeakage CurrentI CC Maximum Quiescent V IN= GND or V CC 5.0 0.25 0.25 7.5μASupply Current 100.50.515(per Package) 15 1.0 1.03020 5.0 5.0150I OL Minimum Output Low V IN= GND or V CC mA(Sink) Current U OL=0.4 V 5.0 0.64 0.51 0.36U OL=0.5 V 10 1.6 1.30.9U OL=1.5 V 15 4.2 3.4 2.4I OH Minimum Output V IN= GND or V CC mAHigh (Source) Current U OH=2.5 V 5.0 -2.0 -1.6 -1.15U OH=4.6 V 5.0 -0.64 -0.51-0.36U OH=9.5 V 10-1.6 -1.3 -0.9U OH=13.5 V 15-4.2 -3.4 -2.4AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C L=50pF, R L=200kΩ, Input t r=t f=20 ns)V CC Guaranteed Limit Symbol Parameter V≥-55︒C 25︒C ≤125︒C Unit t PLH, t PHL Maximum Propagation Delay, Input A to Output 5.0110110110ns Y (Figure 1) 1060608015505080 t TLH, t THL Maximum Output Transition Time, Any Output 5.020*******ns (Figure 1) 1010010010015808080C IN Maximum Input Capacitance - 15pFFigure 1. Switching WaveformsEXPANDED LOGIC DIAGRAM(1/6 of the Device)INPUT/OUTPUT PROTECTION CIRCUIT(for each element)N SUFFIX PLASTIC DIP (MS - 001AA)A148B17F LC-T- SEATINGNPLANEG K M JD H0.25 (0.010) M TNOTES:1.Dimensions “A”, “B” do not include mold flash or protrusions. Maximum mold flash or protrusions 0.25 mm (0.010) per side.D SUFFIX SOIC(MS - 012AB)Dimension, mm Symbol MIN MAX A18.6719.69B 6.17.11C 5.33D0.360.56F 1.14 1.78G 2.54H7.62J0︒10︒K 2.92 3.81L7.628.26 M0.20.36N0.38A148H B P1G7C R x 45-T-SEATINGK PLANED J F0.25 (0.010) M T C MNOTES:1.Dimensions A and B do not include mold flash or protrusion.2.Maximum mold flash or protrusion 0.15 mm (0.006) per sidefor A; for B ‑ 0.25 mm (0.010) per side.Dimension, mm Symbol MIN MAX A8.558.75B 3.84C 1.35 1.75D0.330.51F0.4 1.27G 1.27H 5.27J0°8°K0.10.25 M0.190.25P 5.8 6.2R0.250.5以上是“奥伟斯科技”分享的产品信息,如果您需要订购此款物料,请查看我们的官网与我们联系,非常感谢您的关注与支持!奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片、低功耗单片机、马达驱动芯片、显示驱动芯片、刷卡芯片、时针芯片、存储芯片、语音芯片、低压MOS管、TVS二极管;IKSEMI电源管理芯片、DC/DC转换器:IL34063 IL7660 IL1583 IL1591 IL2307 低压差稳压器:IL1117 三端稳压器:IL2596 IL2576 IL1085 IL1084 IL1083 复位IC;中微爱芯遥控编码芯片、可编程遥控编码芯片AIP4910 AIP4911 AIP4901 AIP4902 AIP4903 AIP4904 CD6220 CD6221 CD6222 AIP6920 AIP6921 AIP6922 AIP2240;优势产品未尽详细,敬请资讯!。