半导体激光器与发光二极管

半导体激光器的应用与分类半导体光发射器是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，被广泛应用。

按照其发光特性，可分为激光二极管（又称半导体激光器或二极管激光器，Laser Diode，LD），通常光谱宽度不]于5nm（采取专门措施可不大于0.1nm）；发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，光谱宽度一般不小于50nm；超辐射发光二极管(Superluminescent Dmde,SLD)，光谱宽度不大于5nm（采取专门措施可不大于0.1nm）；发光二极管（Light Emiltting，LED），光谱宽度一般不小于50nm；超辐射发光二极管（Superluminescent SLD），光谱宽度为30～50nm，本节重点介绍几种半导体激光器，钽电容简要介绍超辐射发光二极管。

半导体激光器的分类有多种方法。

按波长分：中远红外激光器、近红外激光器、可见光激光器、紫外激光器等；按结构分：双异质结激光器、大光腔激光器、分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器；按应用领域分：光通信激光器、光存储激光器、大功率泵浦激光器、引信用脉冲激光器等；按管心组合方式分：单管、阵列（线阵、面阵）；按注入电流工作方式分：脉冲、连续、准连续等。

LD主要技术摄技术指标有光功率、中心波长、光谱宽度、阈值电流、工作电流、工作电压、斜率效率和电光转换效率等。

半导体激光器的光功率是指在规定驱动电流条件下输出的光功率，该指标直接与工作电流对应，这体现了半导体激光器的电流驱动特性。

如果是连续驱动条件，T491T336M004AT则输出功率就是连续光功率，如果是脉冲驱动条件，输出的光功率可用峰值功率或平均功率来衡量。

hymsm%ddz半导体激光器的中心波长是指激光器所发光谱曲线的中心点所对应的波长，通常用该指标来标称激光器的发光波长。

光谱宽度是标志个导体激光器光谱纯度的一个指标，通常用光谱曲线半高度对应的光谱全宽来表示。

一、
发光二极管的发光原理：
制作LED的材料是重掺杂的，热平衡状态下，N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多迁移率较低的空穴。

由于PN结阻挡层的作用，两者不能自然复合。

当给PN结加以正向电压时，PN结中的电子和空穴辐射复合发光，是自发辐射发光。

激光器的发光原理：
激光器一般由三部分组成：工作介质，激励源，谐振腔。

其发光原理是给工作介质加以某种激励源，泵浦激励过程实现工作原子在上下能级间的粒子数反转分布，再通过工作物质中原子的自发辐射诱导受激辐射实现光的放大作用，经过谐振腔对光波模式的“筛选”和光学正反馈，最后形成持续震荡的相干光辐射，发射激光。

这两种光源的主要差别：
半导体激光器是基于载流子的受激跃迁辐射，发射的是相干光-激光；而二极管是基于注入的载流子的自发跃迁辐射，发射的是非相干光-荧光，而且LED的结构公差没有激光器那么严格，而且无粒子数反转、谐振腔等条件要求。

二、
光源波长与制作激光器所用的材料即工作介质密切相关。

工作介质可以是固体、气体、液体、半导体等。

激光器产生激光的条件之一是在特定的能级间实现粒子数的反转分布，从而使电子在能级之间跃迁完成发光。

不同的材料（工作介质）能级结构不同，能级差不同，电子跃迁所发射的光频也就不同，波长也就会不同，从而产生了不同颜色的光源。

所以不同材料的激光器产生激光的波长也不同。

举例说明：氩激光器产生的光波长为488nm，蓝光；氦氖激光器产生的光波长为543nm，绿光；红宝石激光器产生的光波长为694nm，红光。

发光二极管简称为LED。

由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。

当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。

在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。

砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。

因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机光二极发管LED。

激光二极管包括单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。

量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。

同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。

在双向光接收机的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。

双异质结(DH)平面条形结构，这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。

图中标出所用材料和近似尺寸。

结构中间有一层厚0.1~0.3 μm的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。

三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔DH激光器工作原理：由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子注入有源层。

P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。

同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。

这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。

另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。

图3.6 DH激光器工作原理(a) 双异质结构；(b) 能带；(c) 折射率分布；(d) 光功率分布异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。

一、LED:发光二极管一、LED及其特点Light Emitting Diode,即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。

LED可以直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。

LED的特点:LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所;效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80%;适用性：很小，每个单元LED小片是3-5 mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境;稳定性：10万小时，光衰为初始的50%;响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED 灯的响应时间为纳秒级。

二、LED的发光原理及结构介绍发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。

在某些半导体材料的P N结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。

PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。

这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LE D。

当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。

而通过对其中发光材料的研究，人们逐渐开发出各种光色、光效率越来越高的L ED元件，但是无论怎么变化，LED总的发光原理和结构都没有发生太大的变化。

三、LED常用照明术语1、平均寿命：指一批灯至50%的数量损坏时的小时数。

单位：小时（h）。

2、经济寿命：在同时考虑灯泡的损坏以及光束输出衰减的状况下，其综合光束输出减至特定的小时数。

室外的光源为70%，室内的光源为80%。

3、色温：光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时，黑体的温度称为该光源的色温。

半导体器件应用半导体激光器与光电二极管的应用半导体器件应用——半导体激光器与光电二极管的应用半导体器件作为电子技术中的重要组成部分，广泛应用于各个领域。

其中，半导体激光器和光电二极管是常见的半导体器件，具有重要的应用价值。

本文将探讨半导体激光器和光电二极管的应用，并介绍它们在不同领域中的具体作用。

一、半导体激光器的应用半导体激光器是利用半导体材料电流注入产生的激射效应发出激光的器件。

它具有体积小、效率高、功率稳定等特点，因此在许多领域中有着广泛的应用。

1. 信息通信领域半导体激光器在信息通信领域中，被广泛应用于光纤通信、光存储等设备中。

例如，它可以作为激光器光源，用于传输高速、大容量的光信号。

此外，半导体激光器还可以用于光纤传感器，实现对光纤中的变形、温度等参数进行高精度检测。

2. 医疗领域在医疗领域中，半导体激光器可以用于激光手术、激光治疗等。

例如，它可以作为可控制的、高功率的激光器光源，用于进行精确的手术操作。

此外，半导体激光器还可以用于肿瘤治疗、皮肤美容等领域，发挥其独特的照射效果。

3. 工业制造领域在工业制造领域中，半导体激光器常被应用于激光切割、激光打标等设备中。

例如，它可以作为高功率的激光器光源，用于精确切割各种材料，如金属、塑料等。

另外，半导体激光器还可以用于激光焊接、激光清洗等工艺，提高生产效率和产品质量。

4. 生物医学领域在生物医学领域中，半导体激光器被广泛应用于细胞成像、蛋白质分析等研究中。

例如，它可以作为激发光源，用于激发荧光染料，实现对细胞、组织等生物样本的高清晰成像。

此外，半导体激光器还可以用于光谱分析、蛋白质定量等方面，为生物科学的发展提供了有力支持。

二、光电二极管的应用光电二极管是一种基于光电效应工作的半导体器件，具有高效率、快速响应等优点。

它广泛应用于光电探测、光电转换等领域。

1. 光电检测领域光电二极管在光电检测领域中起着重要的作用。

例如，在光电传感器中，光电二极管可以将光信号转换成电信号，实现对光强、光波长等参数的检测。

半导体发光二极管和半导体激光器在结构上的差异
半导体发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）在结构上存在一些差异。

以下是其中一些主要的差异：
1. 结构设计：LED通常采用PN结构，而激光器则采用PN结构和衍射光栅或腔内反射镜等光学元件组成。

2. 激光器引入光学腔：LED并没有光学腔，而激光器在PN结构中引入光学腔以增强光的反射和准直，从而实现激光效应。

3. 相干辐射：激光器由于引入了光学腔，激发的光线在光学腔内进行多次正反射，形成相干辐射，从而产生准定向、单色和相干的激光输出。

而LED没有光学腔，输出的光线较为非相干，非准定向和非单色。

4. 电流注入区域：激光器的电流注入区域较小，一般在纳米或亚微米级别，而LED的电流注入区域相对较大，一般在微米级别。

5. 输出功率：激光器的输出功率较高，可以达到几十毫瓦到几瓦的级别，而LED的输出功率一般在几毫瓦以下。

总体而言，半导体激光器相对于半导体发光二极管具有更复杂的结构，引入了光学腔以实现激光效应，并且具有更高的输出功率和相干性。

而LED则更简单，输出功率相对较低且辐射为非相干性。

概述：一、光源在光纤通信系统中，光源器件可实现从电信号到光信号的转换，是光发射机以及光纤通信系统的核心器件，它的性能直接关系到光纤通信系统的性能和质量指标。

光纤通信系统要求光源具有合适的发射波长，处在光纤的低损耗窗口之中；有足够大的输出功率，从而有较长的传输距离；有较窄的发光谱线，可以减少光纤的色散对信号传输质量的影响；易于与光纤耦合，确保更多的光功率进入光纤；易于调制，响应速度要快，调制失真小，带宽大；在室温下能连续工作，可靠性高，寿命至少在10万小时以上。

下面简单介绍已广泛应用的两类半导体光源：半导体发光二极管（LED ）和半导体激光二极管（LD ）。

1 发光二极管（LED ）发光二极管（LED ）是低速、短距离光波通信系统中常用的光源。

其寿命很长，受温度影响较小，输出光功率与注入电流的线性关系较好，价格也比较便宜。

驱动电路简单，不存在模式噪声等问 题。

发光二极管结构简单，是一个正向偏置的PN 同质结，电子-空穴对在耗尽区辐射复合发光，称为电致发光。

发出的部分光耦合进入光纤供传输使用。

LED 所发出的光是非相干光，具有较宽的谱宽（30～60nm ）和较大的发射角（≈100°）。

自发辐射产生的功率是由正向偏置电压产生的注入电流提供的，当注入电流为I ，在稳态时，电子-空穴对通过辐射和非辐射复合，其复合率等于载流子注入率I/q ，其中发射电子的复合率决定于内量子效率ηint ，光子产生率为(I ηint/q)，因此LED 内产生的光功率为()int int /P w q η= (2.1)式中，ω 为光量子能量。

假定所有发射的光子能量近似相等，并设从LED 逸出的功率占内部产生功率的份额为ηext ，则LED 的发射功率为()int int /e ext ext P P w q I ηηη== (2.2) ηext 亦称为外量子效率。

由上式可知，LED 发射功率P 和注入电流I 成正比。

半导体二极管和发光二极管概述及解释说明1. 引言1.1 概述半导体二极管和发光二极管是两种常见的电子元件，它们在现代电子技术领域发挥着重要的作用。

半导体二极管是一种基本的电子器件，具有良好的整流特性，可以将电流只在一个方向上进行传导，被广泛应用于电源、通信和计算机等领域。

而发光二极管则是在半导体二极管基础上进一步演化而来的元件，在通常情况下能够将电能转化为光能，并在光学显示、照明和通信等领域有广泛应用。

1.2 文章结构本文将分为五个主要部分对半导体二极管和发光二极管进行概述和解释说明。

首先，在引言部分对这两种元件做总体概述，并介绍文章的结构安排。

接下来，第二部分将详细阐述半导体二极管的基本原理、结构和工作方式，并探讨其广泛应用的领域。

第三部分将解释发光二极管的工作原理，介绍其不同的结构和分类，并探讨它在不同应用范围内的使用情况和未来发展趋势。

第四部分将比较分析半导体二极管和发光二极管的特点和区别，包括理论性能差异、应用场景选择比较以及技术发展前景对比评估。

最后，结论与展望部分将总结概括文章要点，并提出对未来发展的展望和建议。

1.3 目的本文旨在全面了解和阐述半导体二极管和发光二极管这两种重要电子元件的概念、原理、结构以及广泛应用领域。

通过对它们进行详细解释说明和比较分析，可以帮助读者更好地理解它们在现代电子技术中扮演的角色，并为相关领域中的技术研究和应用提供参考依据。

此外，还将对未来这两种元件的发展进行展望，并提出相关建议，旨在促进电子技术领域的进一步创新与发展。

2. 半导体二极管:2.1 基本原理:半导体二极管是一种基于半导体材料制造的电子器件。

它由两个不同掺杂的半导体材料构成，通常是P 型(正负载) 和N 型(负载) 的硅或锗晶体。

当二极管处于正向偏置状态时，即正压施加在P 区域上，而负压施加在N 区域上，电子会从N 区流向P 区，同时空穴从P 区流向N 区。

这种电荷移动形成了一个电流，在此过程中，在PN 结处生成一个电势垒。