半导体激光器与发光二极管

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第三章 半导体激光器与发光二极管
(3)受激辐射 这是另一种发光过程,处于高能级E2的电
子当受到外来光子的激发而跃 迁到低能级E1, 同时放出一个能量为2hf的光子,由于这个过程 是在外来光子的激发下产生的,因此叫受激辐 射。
发光二极管图例
图 3.2*
圆形发光二极管工作参 数 波长:470nm 发光强度: 1000-4000mcd 正向电压;3.4v
第三章 半导体激光器与发光二极管
光电检测器图例
图 3.3* 插拔式光电二极管 图3.4* APD雪崩光电二极管
第三章 半导体激光器与发光二极管
§3-1 与激光器有关的概念
缺点:谱线宽度较宽;调制速率较低;与光纤的耦合效率较低。
2020/4/9
3
第三章 半导体激光器与发光二极管
半导体激光器(LD)图例
图 3.1*
红光点状光斑激光器
工作参数
输出波长:
635nm 650nm 670nm 出光功率:
0~75mw 光斑直径:
工作电压:3V 4.5V 5V 6V
第三章 半导体激光器与发光二极管
第三章 半导体激光器与发光二极管
第三章 半导体激光器与发光二极管
构成光纤通信系统三大部分之一的光发射部 分的核心是产生激光或荧光的光源,它包括半导 体激光器LD(Laser Diode) 和半导体发光二极 管LED(Light Emitting Diode),它们的共同 特点是:体积小,重量轻,耗电量小。
第三章 半导体激光器与发光二极管
(2)受激吸收 物质在外来光子的的激发下,低能级上的
电子吸收了外来光子的能量,而跃迁到高能级 上,这个过程叫受激吸收。 受激吸收的特点: 1°这个过程必须在外来光子的激发下才能产生, 因此是受激跃迁。 2°外来光子的能量要等于电子跃迁的能级之差, 如E=E2-E1=hf 3°受激跃迁的过程中,不是放出能量,而是消 耗外来光能。
电子在原子核外按一定的轨道运动,就具有了一定 的电子能量,因此,电子运动的能量只能有某些允许的 数值,这些允许的数值,因轨道不同,而一个个分开的, 即不连续的,我们把这些分立的能量值,称为原子的不 同能级。(*04)
第三章 半导体激光器与发光二极管
2、费米能级 物质中的电子不停地做无规则的运动,他们可以
被电子占据的概率为50% 若E< Ef:则f(E) > 1/2 若E>Ef :则f(E) < 1/2。 故:费米统计规律是:
物质粒子能级分布的基本规律, 它反映了物质中的电子按一定规 律占据能级。
第三章 半导体激光器与发光二极管
三、光与物质的三种作用形式
光可以被物质吸收,也可以从物质中发射,爱因斯坦指出了 三种不同的基本过程如图3.2所示(下面简述E1、E2二能级系统 为例)。 (1)自发辐射 这是一种发光过程。 设原子的两个能级E1和E2,E1为低能级,E2为高能级,由于处 在高能级的电子不稳定,在未受外界激发的情况下,自发地跃 迁到低能级,在跃迁的过程中,根据能量守恒原理,发射出一 个能量为hf的光子,发射出的光子能量为两个能级之差:
一、光子 1950年,爱因斯坦提出光量子学说。他认为光
是由能量为hf的光量子组成的,其中,h=6.626×10-34 J·S,称为普朗克常数,f是光波频率,人们称这些光量 子叫做光子。
不同频率的光子具有不同的能量,而携带信息的 光波它具有的能量只能是hf的整数倍,当光与物质相 互作用时,光子的能量作为一个整体被吸收或反射。
激光,其英文LASER就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大)的缩写。
第三章 半导体激光器与发光二极管
引言
一、 光纤通信系统对光源的基本要求: (1)稳定性好,可在室温下连续工作; (2)尺寸和结构要小; (3)光波应匹配光纤的两个低损耗波段; (4)信号调制容量大。
在不同的能级间跃迁,即对于某一电子而言,它所具 有的能量时大时小,不断变化,而电子按能量大小的 分布却有一定规律。
第三章 半导体激光器与发光二极管
在热平衡条件下,能量为E的能级被一个电子占
据的概率为:f (E)
1
1
1 e[(EE f ) / K0T ]
1
E exp(
Ef
)
KT
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式中:f (E() 概率) :为电子的费米分布函数
2020/4/9
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引言
第三章 半导体激光器与发光二极管
二、 最常用的发光器件:
(1)LD:半导体激光二极管或称激光器(LD),发出的是激光. a. 极窄的光谱带宽;b. 极大的调制容量; c 有定向输出特性;d. 辐射具有光相干特性。 适用于长距离,大容量,高码速系统
优点:输出特性曲线线性好;使用寿命长;成本低. (2)LED:发光二极管或称发光管(LED),发出的是荧光。 a. 非相干的自发辐射; b.结构及工作方式简单; 适用于短距离,低速,模拟系统
Ko:玻耳兹曼常数 T:绝对温度
, K 0 1.38 10 34 J / K
E f :费米能级,它只反映电子在各能级中分布 情况的一个参数。
根据上式,我们可以得到图3.1所示的费米分布函数 曲线:
第三章 半导体激光器与发光二极管
由图3.1可见:在T>0K时 若E=Ef:则f(E)=1/2,则说明该能级
光子概念的提出,使人们认识到,光不仅具有波 动性,而且还具有粒子性,而且两者不可分割(两重 性)。
第三章 半导体激光器与发光二极管
二、费米能级
1、 原子能级的概念 物质是由原子组成,而原子又是由原子核和核外
电子构成,当物质中原子的内部能量变化时,即可能产 生光波。因此要研究激光的产生过程,就应了解原子能 级分布。
即 hf E2 E1 ,则发射光子的频率: f E2 E1
h
第三章 半导体激光器与发光二极管
自发辐射的特点如下: 1)这个过程是在没有外界作用的条件下, 而自发产生的,是自发跃迁。 2)由于发射出光子的频率决定于所跃迁的 能级,而发生自发辐射的高能级不是一个, 而可以是一系列的高能级,因此辐射光子 的频率亦不同,频率范围很宽。 3)即使有些电子是在相同的能级差间进行 跃迁,也就是辐射出的光子的频率相同时, 但由于它们是独立的,自发的辐射,因此, 它的发射方向和相位也是各不相同的,是 非相干的。