模电复习总结

零点漂移

零点漂移可描述为：输入电压为零，输出电压偏离零值的变化。它又被简称为：零漂

零点漂移是怎样形成的：运算放大器均是采用直接耦合的方式，我们知道直接耦合式放大电路的各级的Q点是相互影响的，由于各级的放大作用，第一级的微弱变化，会使输出级产生很大的变化。当输入短路时（由于一些原因使输入级的Q点发生微弱变化象：温度），输出将随时间缓慢变化，这样就形成了零点漂移。

产生零漂的原因是：晶体三极管的参数受温度的影响。解决零漂最有效的措施是：采用差动电路。

BJT放大电路的零点漂移和差分放大器

2011-08-10 17:55:57| 分类：微电子电路| 标签：晶体管差分放大器|字号

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Xie Meng-xian. (电子科大，成都市)

在电路应用中，双极型晶体管的温度稳定性系数，主要是用来表征晶体管直流偏置电路所决定的工作点的温度稳定性。而在晶体管的直接耦合放大电路中，还会出现的一种重要的不稳定现象——零点漂移。

零点漂移是指当放大器的输入电压为零（输入端短路）时，而在输出端有无规律的、变化缓慢的电压产生的现象，这是晶体管直接耦合放大电路中存在的一个特殊问题。零点漂移不仅与偏置电路有关，而且也与其他许多因素有关。

（1）产生零点漂移的原因：

引起晶体管出现零点漂移的原因很多，例如：温度的变化对晶体管参数的影响，电源电压的波动，元器件参数变值，环境温度变化等；其中最主要的因素是温度的变化，因为晶体管是温度的敏感器件，它的参数（VBE、β、ICBO）都将会随温度而发生变化，最终导致放大电路静态工作点产生偏移。在诸多因素中，不仅温度的影响最大，而且最难控制的也是温度的变化。故有时也把零点漂移简称为温度漂移。

如果晶体管的电压放大倍数为K，输入电压的漂移为ΔVpi，则由于温度的变化（ΔT）而使得输出电压的漂移ΔVpo可近似地表示为

式中的ΔT=T-To是温度的变化，To为室温（25℃），T为任意温度；dVBE/dT 为发射结电压随温度的变化率（一般为-2 mV/℃～-2.5mV/℃）；ICBO为室温下的集电结反向饱和电流；C为常数（一般为0.5%/℃～1.0%/℃）；k为ICBO 的温度系数（Ge晶体管的k≈0.08/℃，Si晶体管的k≈0.12/℃）。

在多级放大器中，直接耦合式放大电路的各级的工作点是相互影响的，由于各级的放大作用，第一级的微弱变化，会使输出级产生很大的变化；因此，第l 级的零点漂移影响最大，级数越多、放大倍数越大，则零点漂移也越严重。可见，减小零点漂移的关键是改善放大电路第1级的性能。

在零点漂移现象严重的情况下，往往会使有效信号被“淹没”，则这时直接耦合放大电路就不能正常工作。因此，必须要采取措施来抑制零点漂移。

（2）抑制零点漂移的措施：

(a) 选用高质量的硅管。因为硅管的ICBO要比锗管的小好几个数量级，因此目前高质量的直流放大电路几乎都采用硅管。另外，晶体管的制造工艺也很重要，即使是同一种类型的晶体管，如工艺不够严格，半导体表面不干净，将会使漂移程度增加。所以必须严格挑选合格的半导体器件。

(b) 在电路中引入直流负反馈，稳定静态工作点。

(c) 采用温度补偿的方法，即利用热敏元件来抵消晶体管特性的变化。补偿是指用另外一个元器件的漂移来抵消放大电路的漂移，如果参数配合得当，就能把漂移抑制在较低的限度之内。在分立元件组成的电路中，常用二极管补偿方式来稳定静态工作点。此方法简单实用，但效果不尽理想，适用于对温漂要求不高的电路。

(d)采用调制手段，调制是指将直流变化量转换为其他形式的变化量(如正弦波幅度的变化)，并通过漂移很小的阻容耦合电路放大，再设法将放大了的信号还原为直流成份的变化。这种方式电路结构复杂、成本高、频率特性差。实现这种方法成本投入较高。

(e) 采用差动放大电路。这是根据温度补偿的方法，利用两个特性都相同的晶体管来进行补偿，即可很好地抑制零点漂移。在集成电路芯片内部，应用最广的单元电路就是基于参数补偿原理而构成的差动式放大电路。在直接耦合放大电路中，抑制零点漂移最有效地方法是采用差动式放大电路。

（3）差动放大电路：

差动放大电路又叫差分放大器，如图1所示；其中的图（a）是基本形式的差动放大电路，图（b）是电流负反馈形式的差动放大电路。差动放大电路不仅能有效地放大直流信号，而且还能有效地减小由于电源波动和晶体管随温度变化而引起的零点漂移，因而获得了广泛的应用，特别是大量地应用于集成运放电路，常常被用作多级放大器的前置级。

对于图1（a）的基本差动式放大器，图中T1、T2是两个特性相同的晶体管（β1=β2=β），电路的接法对称、参数也对称（即基极和集电极上的电阻分别相等）。该放大电路有两个输入端和两个输出端。因左右两个放大电路完全对称，故在没有信号情况下输出也为0，即输入信号为0时，输出电压Vo=0，即表明差分放大器具有零输入时零输出的特；当温度变化时，左右两个管子的输出电压都要发生变动，也由于晶体管和电路的对称性，则两管的输出变化量（即每个晶

体管的零点漂移）相同，就使得两个晶体管的零点漂移管在输出端相互抵消，从而导致总的输出电压Vo=O。可见，差动放大电路能够有效地抑制零点漂移。

但是，由于性能完全一致的晶体管并不存在，因此完全对称的理想差动放大电路也就不可能实现；所以单靠提高电路的对称性来抑制零点漂移的效果是有限的。特别是，当采用单端输出（即输出电压从一个管的集电极与“地”之间取出）时，零点漂移就根本无法抑制。实际上，这种情况的出现主要是由于基本差动电路中的每个晶体管的集电极电位的漂移并末受到抑制的缘故。为此，常常采用的差动放大电路是图1（b）的典型电路；在这种典型差动放大电路中，主要是增加了一个发射极的公共电阻RE和一个负电源（-VCC）。

调零电位器RP可以看成是RE的一部分。由于发射极电阻RE的电流负反馈作用，就稳定了晶体管的静态工作点，使得晶体管的集电极电位基本不变，从而限制了每个晶体管的零点漂移范围，这就进一步减小了差分电路的零点漂移。所以带有发射极电阻RE的典型差动放大电路具有很小的零点漂移。这种典型差动放大电路即使是采用单端输出，其零点漂移也能得到有效地抑制。

差分电路放大的是差模信号（相位相反的信号），而零点漂移属于共模信号（相位相同的信号）。则可以说晶体管发射极电阻RE能够抑制共模信号，而对差模信号不起抑制作用。显然，若RE的阻值取得大一些，则电流负反馈作用就强一些，因而抑制每个晶体管零点漂移的作用也就显著一些，电路的稳定性也就更好一些。但是RE对差模信号将起着负反馈的作用，会影响到晶体管的增益，因此RE的阻值也不宜过大，一般调零电位器RP的值可取在几十W～几百W 之间。

总之，差动放大电路既可利用晶体管和电路的对称性、采用双端输出的方式来抑制零点漂移；也可以利用发射极公共电阻RE的电流负反馈作用来稳定静态工作点，并从而抑制每个晶体管的零点漂移，这时即使采用单端输出也可以获得很小的零点漂移。差动放大电路这种抑制零点漂移的能力，也就是对共模输入信号的放大作用进行抑制的能力。

差分放大器能够放大差模信号和抑制共模信号的能力，通常采用所谓共模抑制比（C.M.R）这个参数来表征：C.M.R=[差模输入信号的放大倍数]/[共模输入信号的放大倍数]。增大RE，选用高β及其高对称的晶体管，提高电路参数对称性，以及减小基极回路的电阻，都可以提高差分放大器的共模抑制比。

（a）基本差分电路

（b）典型差分电路

（4）四种主要的差动放大电路：

在图1（b）典型差动放大电路的基础上，根据应用的要求，按照输入、输出的端头情况（是单端还是双端），可以有四种主要的差动放大电路（见图2）：（a）双端输入、双端输出差动电路；（b）单端输入、单端输出差动电路；（c）双端输入、单端输出差动电路；（d）单端输入、双端输出差动电路。

（a）

（b）

（c）

（d）

偏置电路

晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路

三极管放大电路中，不加偏置电路的话，信号只有一个半周在基极中产生电流，而且这个半周的一部分会小于三极管的阀值电压，因此三极管只能放大这个信号的不足一个半周。要想放大整个信号周期，需要增加偏置电路。

基本的偏置电路由上偏置电阻和下偏置电阻组成。在共发射极电路中，上偏置电路接在三极管基极与电源之间，下偏置电阻接在基极与地之间，上偏置电阻的作用是提高三极管的工作点，下偏置电阻的作用是使三极管的工作点更加稳定。下偏置电阻两端有并联小电容的情况，但这个电容与偏置无关，起滤除杂波的作用，是旁路电容。

三极管的偏置有三种形式，加有上偏置电阻的叫正偏，不加偏置电路的称为零偏，不加偏置电路并且加上发射极电阻的，称为反偏。音频信号放大需要正偏以降低失真度，高频信号放大常采用零偏或反偏以提高工作效率。

可以简单地概括成一个定义：由上偏置电阻和下偏置电阻等构成的电路称为偏置电路

限幅电路

二极管限幅器、

二极管是串在输入、输出之间，故称它为串联限幅电路。

将二极管和负载并联，则组成并联限幅器

利用三极管的截止和饱和特性也可构成限幅电路

耦合方式：阻容耦合；直接耦合；变压器耦合；光电耦合。

复合管的电流放大系数β≈β1β 2

缺点及解决办法

穿透电流增大ICEO=ICEO2+ β2ICEO1

解决办法：ICEO1经R分流一部分，

r为负反馈电阻，提高工作的稳定性

晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定（b极）

二极管限幅器原理

二极管限幅器原理

限幅器即将削去了一部分振幅波形的输入信号传到输出端的电路，因而也称削波器。电路功能有上限幅（削去波形上部一部分）、下限幅（削去波形下部一部分）、双向限幅（同时削去波形上下各一部分），限幅器电阻R应满足条件RD《R〈RR，RD、RR分别为二极管正向导通电阻和反向截止电阻。上限幅电平用EH表示，下限电平用EL表示。

1、串联限幅器

开关器件位于限幅器的串联臂构成串联限幅器。图5.4-79A为上限幅器及波形图，图中V经R1和R2分压取得限幅电平EH，则限幅器电阻R=R1//R2。图5.4-79B为串联下限幅器及波形图。

2、并联限幅器

开关器件位于限幅器的并联臂构成并联限幅器。图5.4-80A为上限幅，图B为下限幅波形同5.4-79，图中电压源可用稳压管或其他低内阻电压源。

3、双赂限幅器

同时具有上下限幅功能的电路为双向限幅器，波形如5.4-81所示，输入信号高于EH和低于EL的波形被削去，介于EH和EL之间的信号传到输出端。

图5.4-82A为串联双向限幅器，其中EH=V2R4/（R2+R4）；E1=V1R2/（R1+R2）；EL=E1+（EH-E1）（R1//R2）/[（R1//R2）+（R3//R4）]；V1﹤0；V2﹥0。图5.4-82B为并联双向限幅器，EH﹥0，EL﹤0。

4、串并联限幅器

串联和并联形式共同组成的限幅器，其传输和削滤时都具有较低的输出阻抗。如图5.4-83所示三种限幅器，其波形参考前述限幅器波形。

u- u

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体－--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Ｓi、锗Ｇe）。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 ４．两种载流子--－-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ６. 杂质半导体的特性 ＊载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 ＊体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型－--通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.ＰN结

＊ＰN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0．8V，锗材料约为０.２～0.3V。 * ＰＮ结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性---－－-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-－--同ＰN结。 *正向导通压降--－---硅管０.6~０.7V，锗管0．２~０.3Ｖ。 *死区电压--－---硅管0.5Ｖ，锗管０.1Ｖ。 3.分析方法-－----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低： 若Ｖ阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路）; 若Ｖ阳

２) 等效电路法 ?直流等效电路法 ＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>Ｖ阴( 正偏),二极管导通（短路); 若V阳

模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]

模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

模电复习总结解析

第二章 信号的运算与处理 一、分析依据 运算放大器的理想特性和工作在深度负反馈下的两个概念 ① Ri 很大，Ro 很小，A 很大 ② 虚短——在深度负反馈的条件下，运放的两输入端的电压差为零 即 u N ＝u P ③ 虚断——运放的两输入端不取用电流。 即 i N ＝i P ＝0 1）节点电流法 对电路中的任一节点，直接连接于该节点的所有支 路的电流之代数和恒等于零。 2）叠加原理 由两个或多个信号源所产生的响应表示为每一个信号源单独作用时所产生的响应之和。 二.基本运算电路 1.分析设计公式 1）反相比例运算电路 R 2 =R 1//R f 2）同相比例运算电路 R 2=R 1//R f 3）反相求和运算电路 R 4=R 1//R 2//R 3//R f 4）同相求和运算电路 R 1//R 2//R 3//R 4=R f //R 5 5）加减运算电路

R 1//R 2//R f =R 3 //R 4//R 5 6） 基本差动放大电路 i N v I2 +v O － R L R 3 R 4 +－A v I1 R 1i P v P v N R 2 R 1 = R 2 R 3 =R 4 R 3v O = (v I2－v I1) R 1 7）仪用放大器 R 1 + － A 1 v O v 1 R 2R 3 R 4 + －A 3 v O1 R 2 + －A 2 v 2 v O2 R 4 R 3R 4 2R 2v O =－ (1+) (v 1－v 2) R 3 R 1 2.电路特点及设计注意事项 三、其他应用 1. 积分运算 2. 微分运算 3.绝对值运算电路 第三章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si 、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

模电课程总结

模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了，而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒，到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电，我觉得模电的难度要大一些，学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲，虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异，但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效，上课的互动也能加深学习印象，更重要的是模电离不开电路，单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间，有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题，比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过，但是很少有人注意到。 2.要有个线索，建立自己的知识树，注意前后的联系，不要脱节。比如：半导体材料的性 质，半导体构成的元件，半导体元件组成的放大电路，处理电路。前后紧密相连，环环相扣，围绕着一个核心问题：信号的放大，运算，处理，转换，产生。在学习的时候，一定要从前往后切实的掌握基本概念，理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法，掌握工作原理，结构特点，性能特点。比如典型 的差分电路，多级放大电路的基本组成，各种功率放大电路等，唯有如此，才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真，这也是模电数电的一个重大区别，数电电路复杂，但是一 旦接对结果一定正确，而模电虽然电路简单，但是即使设计和电路都正确，结果还是出不来。这时就要具体分析电路，哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适，在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手，可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍，一方面对这些元件有个初步的认识，另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看：电路的识别及定性分析，首先根据电路特征判断其属于哪种电路，然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选：在已知需求情况下选择电路形式，在已知功能情况下选择元器件类型，在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选，比如选择合适的放大电路，应根据动态静态，带负载能力输入电阻大小等来选择，选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流，带负载能力，输入电阻等来选择。 3.会算：电路的定量分析，例如对于放大电路会求解静态工作点，Au，输入输出电阻，上 下限截止频率，会画出交直流等效电路；对于运算电路会求解运算关系等 4.会调：电路参数的调节和设置，主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数，比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真，是由于哪些因素引起，相应调节对应参数 5.会设计：能够根据要求设计相应功能的电路，这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路，设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多，但是主线清晰的学科，具有很强的工程性和实践性，对于我来说还是很有难度和挑战性的，但是迎难而上收获才会更多！

模电知识点归纳2(完全版).

第一章常用半导体器件 1. 什么是杂质半导体?有哪 2种杂质半导体? 2. 什么是 N 型杂质半导体?在 N 型半导体中, 掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P 型半导体? 3. 什么是 P 型杂质半导体?在 P 型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为 N 型半导体? 4. 什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5. 二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6. 理想二极管的特点? 7. 什么是稳压管?电路符号?正向导通, 反向截止, 反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压 Uz 指的是什么?稳定电流 Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8. 二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1二极管的开关电路, D 为理想二极管,求 U AO

(2二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形 (3二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (4二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压

如果图中四个二极管全 部反过来接, 求负载上 输出电压的平均值? (5二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (6二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 9. 什么是晶体管?它的结构和电路符号? (见教材 P29页 , 晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么? 10.晶体管有哪三种工作状态?如果已知β=50, I CS =3mA, U CES =0.3V 则以下晶体管分别工作在什么状态? I C 为多大? 第二章基本放大电路 1. 利用晶体管的电流放大作用, 可以组成哪三种基本放大电路?如何判断放大电路的接法

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体 导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带 电荷极性不同，故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0￡) 00 GO e?；①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时，就会反 向击穿，称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极；N区引出的电极一一阴极 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压一一0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电 流＜0.1叭，锗的开启电压一一0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ，端电压几乎不变，表现出稳压特 性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb｝时号恳竽故审.歸

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 ．什么是杂质半导体？有哪 2 种杂质半导体？ 2 ．什么是 N 型杂质半导体？在N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体？ 3 ．什么是 P 型杂质半导体？在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？ 4 ．什么是 PN 结？ PN 结具有什么样的导电性能？ 5 ．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？ 6 ．理想二极管的特点？ 7 ．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳 定电压 Uz 指的是什么？稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么？ 8 ．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。 （1 ）二极管的开关电路， D 为理想二极管，求U AO （2 ）二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形（3 ）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（4 ）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 如果图中四个二极管全 部反过来接，求负载上输 出电压的平均值？ （5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 9 ．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29 页），晶体管是一种电流控制器件， 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么？

(完整版)模电学习心得集

个人建议：认真分析几个典型电路，主要掌握晶体管的等效模型，以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了，模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕，开始不要太关注乱七八糟的内容，抓住主要的，次要的回过头来很容易解决。 我现在大三，自动化的。个人建议就是，不要要求每字每句都会，大概的了解那些理论，就可以。在以后的学习中，你会慢慢地发现，理解原来的知识的！ 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短，稳压电路， 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象，其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法，所不同的是，新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件，首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材，一开始都会介绍pn结的特性，个人觉得可以不要太在乎里面的结构，但其特性方程是一定要记得的。然后，二极管比较简单，就是一个单一的pn结，在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决（理想模型、恒压降模型、小信号模型，前两者是用于直流分析的，而最后一个是用于交流分析的）。而对于三极管，就相对来说复杂些，在此本人不想说书上有的东西，只想强调一下学习中该注意的问题： 1、对于三极管，它总共有三种工作状态，当它被放在电路中时，我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。（在模电的习题中，除非那道题是专门地考你三极管的状态，否则都是工作在放大区，因为只有这样，管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中，我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的） 2、既然管子基本在放大区，那么它的直流特性就有：be结的电压为0.7V（硅管，锗管是0.2V），发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系，我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是：ce间电压，三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢？这就要弄清直流和交流之间的关系了：在模电里，我们研究的对象都是放大电路，而其中的放大量都是交流信号，并且是比较微弱的交流信号。大家知道，三极管要工作是要一定的偏置条件的，而交流信号又小又有负值，所以我们不能直接放大交流信号，在此我们用的方法就是：给管子一个直流偏置，让它在放大区工作，然后在直流上叠加一个交流信号（也就是让电压波动，不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动，而是围绕你加的那个直流电压波动），然后由于三极管的性质，就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路：从以上的叙述，我们可以看出分析电路应该分为两部分：直流分析和交流分析。不同的分析下，电路图是不一样的，这是因为元件在不同的量下，它的特性不同。（例如电容在直流下就相当于开路，而在交流下可以近似为短路）。而三极管，在交流下就有一个等效模型，也就是把be间等效为一个电阻，ce间等效为一个受控电流源，其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

集美大学模电总结复习要点

最新模电复习要点详解 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模电总结复习资料

模电总结复习资料 1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V，锗材料约为0、2~0、3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0、6~0、7V，锗管0、2~0、3V。 *死区电压------硅管0、5V，锗管0、1V。 3、分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如：V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如：v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如：v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如：等。 二．信号 （1）模型的转换 （2）分类 （3）频谱 二.放大电路 （1）模型

（2）增益 如何确定电路的输出电阻r o？

三．频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

模电课程设计心得体会范文

模电课程设计心得体会范文 【模电课程设计心得体会范文一】 时间总是过得很快，经过一周的课程设计的学习，我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器，这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子，不仅面临着期末考试，而且中间还有一些其他科目的实验，更为紧急的是，之前刚做完protel99的课程设计，本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说，显得很重。昨天刚考完复变，为了尽快完成模电的课程设计，我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难，为了尽快掌握它的用法，我照着原理图学习视频一步一步做，终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图，但离实际应用差距较大，有些器件很难找到，后来到网上搜索了一下相关内容，顺便到学校图书馆借相关书籍，经过不断比较与讨论，最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图，并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。在做电路仿真时，我画好了电路原理图，修改好参数后，创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行，后来请教同学，他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的，开始是创建网络表时出现问题，后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的，这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线，我弄了一晚上也找不出原因，整个人也显得焦躁不已。 接下来，开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊

接实物，以为会比较轻松，但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同，要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线，增加了很大的难度。由于采用了电路板，为了使步线美观、简洁，还真是费了我们不少精力，经过不断的修改与讨论，最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子，我发现从刚开始的matlab到现在的pspice，不管是学习哪种软件，都给我留下了很深的印象。由于没有接触，开始学得很费力，但到后来就好了。在每次的课程设计中，遇到问题，最好的办法就是问别人，因为每个人掌握情况不一样，不可能做到处处都懂，发挥群众的力量，复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会，在很多时候，我遇到的困难或许别人之前就已遇到，向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。 虽然最终实物做出来了，但这并不是我一个人做出来的。通过这次课程设计，我明白了一个团队精神的重要性，因为从头到尾，都是大家集体出主意，来解决中间出现的各种问题。从原理图的最终敲定，到波形的仿真，到元器件的选择与购买，到最后实物的焊接与调试，这都是大家分工合作的结果，正是因为大家配合得默契，每项工作都完成得很棒，衔接得很好，才使我们很快的完成了任务。尽管现在只是初步学会了高保真音频功率放大器设计，离真正掌握还有一定距离，但学习的这段日子确实令我收益匪浅，不仅因为它发生在特别的时间，更重要的是我又多掌握了一门新的技术，收获总是令人快乐，不是吗? 【模电课程设计心得体会范文二】 在这次的模电课程设计中，我们对模电数电有了更清晰的认识。但是在一开始看见题目的时候，还是比较头疼的，不知道如何下手，但是随着慢慢的摸索，思路慢慢的出现了。这之间变化还是蛮大的，从最开始的不愿意动手到后来的因为

模电知识点归纳2(完全版)

第一章常用半导体器件 1．什么是杂质半导体？有哪2种杂质半导体？ 2．什么是N型杂质半导体？在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体？ 3．什么是P型杂质半导体？在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？ 4．什么是PN结？PN结具有什么样的导电性能？ 5．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？ 6．理想二极管的特点？ 7．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳定电压Uz指的是什么？稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么？ 8．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。（1）二极管的开关电路，D为理想二极管，求U AO （2）二极管的限幅电路

D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形（3）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（4）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 如果图中四个二极管全 部反过来接，求负载上输 出电压的平均值？ （5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 9．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29页），晶体管是一种电流控制器件，用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么？

模拟电路总结

32.模拟电子电路总结 ①伏安特性曲线，二极管开启电压为0.7V/0.2V，环境温度升高后，二极管正向特性曲线左移，方向特性曲线下移。 ②晶体管工作在放大区的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 ③共射特性曲线：输入特性曲线和输出特性曲线。Uce增大时，曲线右移。 截止区、放大区、饱和区。 ④结型场效应管U GS(off)和绝缘栅型场效应管U GS(th)。 夹断区、恒流区、可变电阻区。 ⑤静态工作点设置为保证：一、放大不失真二、能够放大。 两种共射放大电路：直接耦合、阻容耦合。 放大电路分析方法：直流通路求静态工作点，交流通路求动态参数。截止失真，饱和失真。等效电路。 Re直流负反馈。晶体管单管三种接法：共射、共基、共集。 共射：既放大电流又放大电压。输入电阻居中，输出电阻较大，频带窄。多用于低频放大电路。 共基：只放大电压不放大电流。输入电阻小，电压放大和输出电阻与共射相当。频率特性最好。 共集：只放大电流不放大电压。输入电阻最大，输出电阻最小，具有电压跟随特性。用于放大电路的输入级和输出级。 场效应管；

基本共源放大电路、自给偏压电路、分压式偏置电路。 多级电路耦合方式： 直接耦合：良好的低频特性，可放大变化缓慢的信号。 阻容耦合：各级电路静态工作点独立，电路分析、设计、调试简单。有大电容的存在不利于集成化。 变压器耦合：静态工作点独立，不利于集成化，可实现阻抗变换，在功率放大中得到广泛的应用。 零点漂移和温度漂移 抑制温漂的方法：引入直流负反馈、采用温度补偿，电路中二极管。差分放大电路。 差分放大电路中共模抑制比。 互补对称输出电路。 集成运放电路的组成： 输入级：双端输入的差分放大电路，输入电阻高，差模放大倍数大，抑制共模能力强，静态电流小。 中间级：采用共射（共源）放大电路，为提高放大倍数采用复合管放大电路，以恒流源做集电极负载。 输出级：输出电压线性范围宽、输出电阻小（带负载能力强）非线性失真小。多互补对称输出电路。 集成运放频率补偿：一、滞后补偿1.简单电容补偿2.密勒效应补偿二、超前补偿 放大电路中反馈特性

模拟电路总复习知识点

第一章 绪论 1． 模拟信号和数字信号 ·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图1.1.8）。 ·数字信号：时间、幅度离散的信号（图1.1.10） 2．放大电路的基本知识 ·输入电阻i R ：是从放大器输入口视入的等效交流电阻。i R 是信号源的负载，i R 从信号源吸收信号功率。 ·输出电阻o R ：放大器在输出口对负载L R 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载L R 输出功率o P ），该信号源的内阻即为输出电阻。 ·放大器各种增益定义如下： 端电压增益：o V i V A V =&&& 源电压增益：o i VS V s s i V R A A V R R ==+&&&& 电流增益：o I i I A I =&&& 互导增益：o G i I A V =&&& 互阻增益：o I i V A I =&&& 负载开路电压增益（内电压增益）：0L o V i R V A V →∞=&&&，00L V V L R A A R R =+&& 功率增益：0||||P V I i P A A A P = =&& ·V A &、G A &、R A &、I A &的分贝数为20lg A &；p A 的分贝数为20lg p A 。 ·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须1>P A 。 ·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图1.2.2）。 ·频率响应及带宽：o ()()() V i V j A j V j ωωω=或()()V V A A ω?ω=∠& ()V A ω—— 幅频相应（图1.2.7）：电压增益的模与角频率的关系。 ()?ω—— 相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。 BW —— 带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差H L BW f f =-。 ·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真（图1.2.9） ·非线性失真：器件的非线性造成。

(完整版)模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。 3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。 4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。 5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 6、硅管Uo n和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。 7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。 8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。 9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开 关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用. 10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。 11、失真有三种情况: ⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。 ⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。 ⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。 1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。 共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。 共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相，所以又称同相器。 2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等，相位相反的输入电压。（是待放大的信号） 共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等，相位相同的输入电压。（是干扰信号） 差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。 共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。 差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。 共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。（电路完全对称时A uc =0） 共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比，电路越对称K CRM越大，电路的抑制能力越强。 3、差分电路对差模输入信号有放大作用，对共模输入信号有抑制作用，即差分电路的用途：用于直接耦合放大器中抑 制零点漂移。（即以达到U I =0，U0=0的目的） 4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ，R0 。 功率放大器的主要指标要求是（1）输出功率大，且不失真；（2）效率要高，管耗要小，所以功率放大电路通常工作在甲乙类（或乙类）工作状态，同时为减小失真，采用乙类互补对称电路。为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。 5、多级放大电路的耦合方式有： 直接耦合：既可以放大交流信号，也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号； 耦合过程无损耗。常用于集成电路。但各级工作点互相牵连，会产生零点漂移。 阻容耦合：最大的优点是各级工作点互相独立，但只能放大交流信号。耦合过程有损耗，不利于集成。 变压器耦合：与阻容耦合优缺点同，已少用。

模电知识点总结

第一章绪论 1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真 2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大 第二章预算放大器 1.集成运放适合于放大差模信号 2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均 为虚地。 3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈 4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。 5.根据输入输出表达式判断电路种类 同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。 反相：虚地。 第三章二极管及其基本电路 1.二极管最主要的特征：单向导电性 2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路 4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂 6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容 9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况 正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧 反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管 13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压 下进行,反向电流随光照强度的增加而上升 14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二 极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好. 当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路 第四章双极结型三极管及放大电路 1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏 饱和区,发射结集电极正偏 截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断 5.工作在放大区的三极管，若当I b 以12A μ增大到22A μ时，I c 从1mA变为2mA，β约 为100