《模拟电子技术》总复习
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《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。
7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中,不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时,三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中,多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中,多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中,晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-,I2=-,I3=。
此可知:1、电极①是 C 极,电极②是 B 极,电极③是 E 极。
2011-2012(2)《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用(一)二极管的符号及伏安特性曲线:(二)二极管的特性:单向导电性(三)二极管的模型:重点掌握理想模型和恒压降模型(四)典型习题1. 电路如图所示,已知u i =10sinωt(V),二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管的状态,并画出输出u i与u o的波形。
(a)(b)(c)2. 设二极管是理想的,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
(a)(b)3.电路如图所示,已知u i =8sinωt(V),二极管的正向导通电压U D=0.7V,试分析二极管的状态,画出输出u i与u o的波形,并标出幅值。
(a)(b)(c)4. 电路如图所示,已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管D1和D2的状态,并求出输出电压U o。
(a)(b)二. 三极管及场效应管的应用(一)三极管的符号及伏安特性曲线:i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线,PNP 管的特性曲线(二)三极管的电流控制作用:B C i i β=(三)三极管放大电路的直流通路和交流通路:(四)三极管的交流等效电路:(五)三极管放大电路的组态(六)放大电路的分析方法交流等效电路法:利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法:利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线,采用作图的方式确定一个Q 点。
(七)放大电路的非线性失真饱和失真:工作点位于饱和区截止失真:工作点位于截止区注意:图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真,PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
(八)放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适, 的波形要失真;,A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中,输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流(有滤波时)电路中,输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中,除去旁路电容C E,下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区,以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0,U BC<0B. U BE>0,U BC>0C. U BE<0,U BC<0D. U BE<0,U BC>01.8在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异,空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
《模拟电子技术》复习一、选择题:1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V,则该BJT三个电极分别是 C 。
(A)B、C、E (B).C、B、E (C)E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V,则该BJT三个电极分别是 B 。
(A)B、C、E (B).C、E、B (C)E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V,V B=0.7V,V E=0V,则该管子工作在A 。
(A)放大区(B)截止区(C)饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V,V B=4V,V E=3.6V,则该管子工作在B 。
(A)放大区(B)截止区(C)饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
(A)正向导通(B)反向截止(C)反向击穿6. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
(A)增大(B)减小(C)不变7. 工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β值约为 C 。
(A)83 (B)91 (C)1008. 三极管放大电路的三种组态中, B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
(A)共射(B)共集(C)共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
(A)稳定电压增益(B)放大信号(C)抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力。
(A)放大差模抑制共模(B)输入电阻高(C)输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的 B 。
(A)差模电压增益增大(B)抑制共模信号的能力增强(C)差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S -T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1。
半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。
3。
本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关.*体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7。
PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0。
6~0.8V,锗材料约为0。
2~0。
3V。
* PN结的单向导电性——-正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二。
半导体二极管*单向导电性--——-—正向导通,反向截止.*二极管伏安特性-———同PN结。
*正向导通压降---——-硅管0.6~0。
7V,锗管0。
2~0。
3V.*死区电压——--—-硅管0.5V,锗管0。
1V。
3.分析方法-——-——将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳〉V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳〈V阴(反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段————将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳〉V阴( 正偏),二极管导通(短路);若 V阳〈V阴(反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。
答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。
答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。
答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。
A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。
A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。
A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。
(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。
A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。
《模拟电子技术》复习题综合(半导体基础知识、单管共射放大电路)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流I CBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中,不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率P CM8、温度升高时,三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中,多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P 型半导体中,多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质二、填空1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ,而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。
2、温度升高时,晶体管的电流放大系数β 增大 ,反向饱和电流I CBO 增大 ,正向结电压U BE 变小 。
(a.变大,d.变小,c.不变)3、在本征半导体中,电子浓度 等于 空穴浓度;4、在P 型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度;5、在N 型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度。