《模拟电子技术》总复习

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时，三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。

已量出I1=-，I2=-，I3=。

此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。

2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。

（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。

（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。

（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。

图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。

（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。

（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。

在电路中引入直流负反馈。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。

A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。

A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容C E，下列说法正确的是 D 。

A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 B 。

A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。

A. U BE>0，U BC<0B. U BE>0，U BC>0C. U BE<0，U BC<0D. U BE<0，U BC>01.8在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 A 。

A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 A 。

A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 C 。

A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。

A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。

（A）B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。

（A）B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在A 。

（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在B 。

（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。

（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。

（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。

（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。

（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。

（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。

（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。

（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。