部分生产公司集成电路型号的命名
1.美国仙童公司
种类序号电器等级封装形式温度范围
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分例：ｕA 741AHM
电路种类：uA－线性电路；SH－混合电路
封装形式：D－双列直插式陶瓷封装；E－塑料外壳；F－扁平封装；H－金属管壳；J－金属功率型封装（TO-3)；R－陶瓷小型双列直插式；S－陶瓷双列直插；T－小型双列直插式；U－功率型封装（TO-220),塑料封装（TO-92).
温度范围：C－0～75℃(CMOS40~85℃)，L－MOS-5~125℃
2.美国无线电公司
类型序号改进标志封装形式
类型：CA-模拟电路，CD-数字电路，CDP-微处理器，MWS－MOS电路改进标志：A、B－可以代换原型号的改进型，C －不能代换原型号的改进型
封装形式：D－陶瓷双列直插式封装，E-塑料双列直插式封装，F-陶瓷双列直插式封装(玻璃密封），L-梁式引线器件，Q-四列直插式塑料封装，S－双列直插式（外引线）TO-5型封装，T-TO-5型封装，EM-带散热片的改进型双列直插式塑料封装。
3.美国国家半导体公司
类型序号封装形式
第一部分第二部分第三部分例：LM1126N
种类：LM－模拟电路；LF－线性电路；LH－混合电路；LP－低功耗电路；TBA－仿制电路。
封装形式：D－玻璃、金属双列直插式；G－TO-8金属壳；H－TO-5型金属壳；N－塑料双列直插式。
4.美国摩托罗拉公司
种类序号分类序号改进型
封装形式
第一部分第二部分第三部分第四部分例：MC1306AP
种类：MC－已封装产品；MCC－未封装的芯片；MCCF－反装芯片；MCM－存储器；LM －仿LM系列芯片电路；NMS－存储器系统。
序号分类：13XX－模拟电路；14XX－仿CD4000系列的CMOS电路；58XX－八位uC系列电路；60XX－十六位uC系列电路。
封装形式：F－陶瓷扁平封装；P－塑料双列直插式封装；L－陶瓷双列直插封装；U－陶瓷封装；G－TO-5型封装；K－TO-3型封装；T－TO-220型封装。
5.美国史普耐格公司
种类温度范围序号封装形式
第一部分第二部分第三部分第四部分例：UL N3705A
种类：UL－线性电路；UG－霍尔效应电路；UD－显示电路；UCN－CMOS电路。
温度范围：N－25℃～70℃;S－55℃～150℃
封装形式：A－塑料双列直插封装；B－带散热器塑料双列直插封装；C－片状封装；D－TO-99型封装；E－只有1、4、5、8脚双列塑料封装；M－塑料双列直插式（8脚）封装；R－陶瓷双列直插式封装。
６．美国模拟器件公司
AD 电路序号温度范围封装形式模拟器件
第二部分第三部分第四部分
温度范围：A、B、C－工业用；J、K、L－商业用；S、T、U－军用。
封装形式：D－陶瓷双列直插封装；F－陶瓷扁平；H－TO-5金属园壳。
UCC型号UCC □80 □□含说1：
封装形式含义 1 2 3 义明2：序列号
1. 日本松下公司半导体集成电路型号的命名
1). 双极型线性集成电路：
第1部分第2部分第3 部分第4 部分
2个字母2个数字2个数字1个字母例AN 12 34 S
a.第1部分：双极型集成电路有两个标志（包括AN及DN）是按照
电路类型而划分的，
双极型集成电路、线性集成电路（模拟电路）：AN 、数字集成电路：
DN、MOS电路：MN、EP两个字母表示微型计
算机或小批量生产
b.第2部分：这部分数字与应用领域有关（有一些例外），对于专用
集成电路，在数字后面加上1～2个字母作为特性的区分（常规的集成
电路不用这些字母。对于稳压电源，根据其输出电流值使用L、M及
N中的一个字母或根本不用字母，例：AN78L04。对于三极管阵列，
根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母，例ANB00。
第2部分的数字与其应用领域有关,例：
第2部分数字应用领域
10～19 运算放大器、比较电路
20～25 摄像机
26～29 电视唱片
30～39 录像机
40～49 运算放大器
50～59 电视机
60～64 录像机及音响
65 运算放大器及它
66～68 工业用及家用电器
69 比较器及其它
70～76 音响方面的用途
78～80 稳压器
81～83 工业用及家用电器
90 三极管阵列
c.第3部分：用二位数字，其范围一般为00～99，例如AN4321
d.第4部分：一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况下大致用大致字母S、P、N。
例
AN××××S：字母S是指小型扁平封装；AN××××K：使用收缩双列直插式封装；AN××××P：使用普通塑料封装；
AN××××N：字母N表示改进型
e.其它：OM200：（助听器）是上述线性集成电路标志的例外。2）数字集成电路：
DN68××（4个数字）：霍尔元件集成电路（3端）
DN84××（4个数字）：逻辑集成电路
DN85××（4个数字）：预定标电路等
DN86××（4个数字）：三极管阵列
DN74LS××（×）：通用型小功率TTL电路系列（LSTTL）74表示通用型，该系列LSTTL最多可用三位数字
3). MOS集成电路：
第1部分第2部分第3部分
2个字母4或5个数字1～3个字母
例MN 8037 S
a. 第1部分：MN两个字母表示松下公司的MOS集成电路
,EP两个字母表示微型计算机或小批量生产
对于高速标准逻辑电路，在这部分用标志74HC作为数字的前缀，此时，可用2～4个数字。
b.第2部分：这部分所用的数字表明应用领域，例：
第2部分的数字应用领域
1000～1999※1 微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器2000～2999※2 掩膜只读存贮器，电可编程只读存贮器
3000～3399 漏斗式电荷耦合器件（BBD）
3600～3699 电荷耦合器件（CCD）线性图像传感器
3700～3799 电荷耦合器件（CCD）固态图像似感器
3800～3899 电荷耦合器件（CCD）视频信号延迟元件
4000～4999 CMOS4000系列存贮器（动态随机存取存贮器，静态随机存取存贮器）
5000～5999 计算器
6000～6999 视频、时钟、通讯
7000～7999 特别用途
8000～8999 通讯、控制器、电荷耦合器件
9000～9999 ――
