电路原理模拟试题(卷)PDF.pdf

电工专业能力考试模拟题目和解答1. 题目某电路中有三个电阻，分别为R1=10Ω，R2=20Ω，R3=30Ω，串联连接。

请计算总电阻（Rt）。

1. 解答总电阻（Rt）可以通过串联电阻的公式计算：Rt = R1 + R2 + R3 = 10Ω + 20Ω + 30Ω = 60Ω2. 题目某电路中有两个电阻，分别为R1=15Ω，R2=25Ω，并联连接。

请计算总电阻（Rt）。

2. 解答总电阻（Rt）可以通过并联电阻的公式计算：1/Rt = 1/R1 + 1/R2 = 1/15Ω + 1/25Ω = (25 + 15)/(15 * 25) =40/375 = 8/75Rt = 75/8Ω = 9.375Ω3. 题目某电路中有四个电阻，分别为R1=10Ω，R2=20Ω，R3=30Ω，R4=40Ω，并联连接。

请计算总电阻（Rt）。

3. 解答总电阻（Rt）可以通过并联电阻的公式计算：1/Rt = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3 + 1/R4 = 1/10Ω + 1/20Ω + 1/30Ω +1/40Ω= (12 + 6 + 4 + 3)/(60 * 2) = 25/120Rt = 120/25Ω = 4.8Ω4. 题目某电路中有两个电阻，分别为R1=50Ω，R2=100Ω，串联连接。

请计算总电阻（Rt）。

4. 解答总电阻（Rt）可以通过串联电阻的公式计算：Rt = R1 + R2 = 50Ω + 100Ω = 150Ω5. 题目某电路中有三个电阻，分别为R1=20Ω，R2=30Ω，R3=40Ω，并联连接。

请计算总电阻（Rt）。

5. 解答总电阻（Rt）可以通过并联电阻的公式计算：1/Rt = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3 = 1/20Ω + 1/30Ω + 1/40Ω= (6 + 4 + 3)/(60 * 2) = 13/120Rt = 120/13Ω ≈ 9.23Ω以上是电工专业能力考试模拟题目和解答。

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师1、名词解释：(7分)答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。

Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。

SOI：绝缘体上硅。

RTA：快速热退火。

微电子：微型电子电路。

IDM：集成器件制造商。

Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。

LOCOS：局部氧化工艺。

STI：浅槽隔离工艺。

2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。

在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。

3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分)答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。

主流深亚微米隔离工艺是：STI。

STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。

4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分)答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能电子，它碰撞产生电子空穴对，热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱俘获，影响器件阈值电压控制。

LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。

LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场，把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，从而防止热载流子产生。

电路原理试卷及答案Word文档《电路原理》试题A卷一、填空：要求有计算过程。

(每空5分，共15分)1、图1所示电路中理想电流源的功率为。

(4分)2、图2所示电路中电流I为。

3、图3所示电路中电流U为。

二、分别用节点法、网孔法和戴维南定理求图4所示电路中的电流I。

图4图5图6三、求图5所示电路中的电压U ab。

(10分)四、含理想变压器电路如图6，V U S00100∠=•，求负载R上电压有效值U。

(10分)五、求图7中各二端网络的等效电阻。

(15分)图7六、电路如图8所示，开关K闭合前电路已稳定，用三要素法求K闭合后的u c(t)。

(10分)七、(10分)电路如图9所示。

已知：U=8V，Z1=1-j0.5Ω，Z2=1+j1Ω，Z3=3-j1Ω。

(1)求输入阻抗Zi；(2)求•1I。

图8图9一、选择题(单选)：(20分)1、电阻与电感元件并联，它们的电流有效值分别为3A和4A，则它们总的电流有效值为()。

A、7AB、6AC、5AD、4A2、关于理想电感元件的伏安关系，下列各式正确的有()A、u=ωLiB、u=LiC、u=jωLiD、u=Ldi/dt3、耦合电感的顺串时等效电感为()。

A、L eq=L1+L2+2MB、L eq=L1+L2-2MC、L eq=L1L2-M2D、L eq=L1L2-M24、单口网络，其入端阻抗形式是Z=R+jX，当X<0时,单口网络呈()A、电阻性质B、电感性质C、电容性质二、填空：(每空2分，共14分)1、图1.1所示电路中理想电流源吸收的功率为。

2、图1.2所示电路中电阻的单位为Ω，则电流I为。

3、已知i=10cos(100t-30。

)A，u=5sin(100t-60。

)A,则i、u的相位差为且i u。

4、为提高电路的功率因数，对容性负载，应并接元件。

5、三相对称电路，当负载为星形接法时，相电压与线电压的关系为相电流与线电流的关系为。

三、电路见图3，用网孔分析法求I。

湖南科技学院二00五年下学期期末考试电子信息工程专业2003级《 集 成 电 路 原 理 及 应 用 》试 卷（一）考试类型：闭卷 考试时量：120分钟题号题号 一 二 三 四 五 六 总分总分 分数分数 签名签名一．填空题（一．填空题（1515分，每空1分）1、集成运放的基本构成包括 、 、 和 四个部分。

2、集成运放的引出端类别有 、 、 、和 五类。

3、 运算放大器的输入阻抗大， 运算放大器的输入阻抗小。

4、 运算放大器的输入电流等于零， 运算放大器的输入电入流等于 流过反馈电阻中的电流。

5、电压比较器的基本功能是实现 的比较，它是用输出 来给出判断结果的一种电路。

二、选择题（二、选择题（1414分，每小题2分）1、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 （（ ））。

A 减小温漂减小温漂 B 增大放大倍数增大放大倍数 C 提高输入电阻2、为提高集成运放的放大倍数，集成运放的中间级多采用、为提高集成运放的放大倍数，集成运放的中间级多采用 （（ ））。

A 共射极放大电路共射极放大电路 B 共集放大电路共集放大电路 C 共基放大电路3、现有电路：A 反相运算电路反相运算电路B 同相运算电路同相运算电路C 积分运算电路积分运算电路D 微分运算电路 E 加法运算电路 F 乘方运算电路得分得分 评卷人评卷人得分得分 评卷人评卷人（1）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 （ ））。

（2）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用 （ ））。

（3）欲实现 Au ＝－100的放大电路，应选用 （ ））。

（4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 （ ））。

（5）欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用 （ ））。

三．判断题（5分，每小题1分，对的打“V ”，错的打“X ”）1．采用有源负载可以增大放大电路的输出电流。

（ ）） 2．运放的输入失调电压Uio 是两输入端电位之差。

华南理工大学网络教育学院期末考试《电路原理》模 拟 试 题注意事项： 1.本试卷共四大题，满分100分，考试时间120分钟，闭卷；2.考前请将密封线内各项信息填写清楚；3.所有答案请直接做在试卷上，做在草稿纸上无效；4.考试结束，试卷、草稿纸一并交回。

题 号 一 二 三 四 总 分 得 分一、单项选择题（每小题2分，共70分）1、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1-1、图1-2、图1-3所示，其中表达式正确的是（ b ）。

（a ）图1-1（b ）图1-2（c ）图1-3 RIURUIURIU =－I R图 1图 2图 3U =－I RU =I R+++图1-1 图1-2 图1-3 2、在图1-4所示电路中，已知U ＝4V ，电流I =－2A ，则电阻值R 为（ b ）。

（a ）2（b ）2（c ）83、在图1-5所示电路中，U ，I 均为正值，其工作状态是（ b ）。

（a ）电压源发出功率（b ）电流源发出功率 （c ）电压源和电流源都不发出功率4、图1-6所示电路中的等效电阻R 为（ b ）。

（a ）4（b ）5（c ）6UR+ U I SS+AB4 Ω4 Ω6 Ω8 Ω1 Ω ...图1-4 图1-5 图1-65、在计算非线性电阻电路的电压和电流时，叠加定理（ a ）。

（a ）不可以用（b ）可以用 （c ）有条件地使用6、理想运放工作于线性区时，以下描述正确的是（ c ）。

（a ）只具有虚短路性质 （b ）只具有虚断路性质 （c ）同时具有虚短路和虚断路性质 7、用△–Y 等效变换法，求图1-7中A 、B 端的等效电阻R 为（ b ）。

（a ）6（b ）7（c ）98、图1-8所示电路中，每个电阻R 均为8，则等效电阻R 为（ a ）。

（a ）3（b ）4（c ）69Ω9Ω9Ω3Ω9ΩAB....RRRRR图9、在图1-9所示电路中，如果把每个元件作为一条支路处理，则图中支路数和结点数分别为（ b ）。

7. 非线性电路第1套题1. 图示电路中二个非线性电阻元件的伏安关系均为⎩⎨⎧<>=002R R RR i i i k u （1）设S 是理想的电压源。

电阻串联和电阻并联电路哪个消耗的功率大？（2）若S 为理想的电流源，又是哪个电路消耗的功率大？答案：（1）S 是理想的电压源时，电阻并联电路消耗的功率大；（2）S 为理想的电流源时，电阻串联电路消耗的功率大。

2. 含理想二极管D 的电路如图所示，已知电阻R =200Ω。

分别给出：（1）U S =0V ；（2）U S =20V 时伏安特性关系式I =f (U )及U 1=f 1(U )，并画出相应的特性曲线。

答案：(1) U S =0V （2）U S =20VU S DR 串联电路并联电路3. 图示电路中，二端元件N 的伏安特性为⎩⎨⎧<>+=0 0012I I I U 求电路中的电压U 、电流I 和I 1。

答案：I =1A ，U =2V ，I 1=1A 。

4.图示电路中已知电阻R 1=R 2=25Ω，R 3=50Ω，电流源I S =3.2A ，非线性电阻的伏安特性曲线如右图所示。

求：流过非线性电阻的电流I 以及电流源I S 发出的功率。

答案：I =0.2A ； P IS 发 =184w5. 图示电路中非线性电阻元件的伏安特性为：⎩⎨⎧<>=-0 001024u u u i ，直流电压U S 和小信号电压u S (t )=10-3sin(ωt )V 共同作用于电路，直流电压U S 使得非线性电阻工作在10V 电压上。

求由小信号作用在输出电压中的增量u out 。

II S8V U -+u SU u out +-答案：mV sin 5.0t u out ω=6. 已知图示电路中2个MOSFET 均工作在饱和区。

假定这2个MOSFET 的特性相同，且特性参数K =4mA/V 2，U T =1V 。

求该电路的输出电压u o 。

电子装配考试试题库
电子装配考试试题库涵盖了电子元件识别、电路原理、焊接技术、故障诊断与维修等方面的知识，以下是一些模拟试题：
一、选择题
1. 电阻的基本单位是：
A. 欧姆（Ω）
B. 伏特（V）
C. 安培（A）
D. 法拉（F）
2. 下列哪个不是电子元件：
A. 电阻
B. 电容
C. 电感
D. 变压器
3. 焊接时，使用焊锡的目的是：
A. 导电
B. 固定元件
C. 散热
D. 绝缘
二、填空题
1. 电路的基本组成包括电源、________、________和负载。

2. 电子元件的标记中，104表示的电阻值是________Ω。

3. 焊接时，应使用合适的焊接温度，以防止电子元件________。

三、简答题
1. 请简述电子装配中常用的焊接工具有哪些，并简要说明其用途。

2. 在电子装配过程中，如何正确识别和使用不同颜色的电阻？
四、计算题
1. 假设有一个串联电路，其中包含两个电阻，R1=100Ω，R2=200Ω，总电压为12V。

求电路的总电阻和通过每个电阻的电流。

2. 一个并联电路中有两个电容，C1=10μF，C2=20μF，已知总电容为30μF。

求单个电容的电压。

五、实操题
1. 描述如何使用万用表测量电阻值，并给出测量步骤。

2. 给出一个简单的电路图，并说明如何根据电路图进行电子元件的装配。

结束语：
通过本试题库的学习和练习，考生可以对电子装配的基本知识和技能有一个全面的了解和掌握。

希望每位考生都能够在考试中取得优异的成绩，为今后的电子工程领域打下坚实的基础。