BJT的电流分配与放大原理

BJT的放大原理
图2
具体文字说明
依据BJT放大工作状态下电流安排关系aIE≈ IC，可组成一简洁放大电路，如图1。

放射结的外加电压vEB=VEE+DvI，由于外加电压的变化，将使放射极电变化DiE（如DiE=1mA），由于IC=aIE，所以IC也产生相应的变化DiC（当a=0.98时，DiC=0.98mA），DiC通过接在集电极上的负载电阻RL（1kW）上产生一个变化的电压Dvo （Dvo=DiCRL=0.98mA1kW=0.98V），则从RL得到的变化电压Dvo随时间的变化规律和DvI相同，但幅度却大了很多倍。

所增大的倍数称为电压增益，即
该电路的放射极作为信号输入端，以集电极作输出端，基极作为输入、输出回路的共同端，称为共基极电路。

依据bIB≈ IC电流安排关系可组成共射极电路如图2所示。

如在基极输入端加入一个待放大的信号DvI，这样，放射结电压vBE 就在原来VBB的基础上叠加了一个DvI后，使DiB按DvI的规律产生
相应的变化，DiC也将随之而变。

DiC在RL=1kW上得到电压变化Dvo=–DiCRL。

Dvo比DvI增大了很多倍。

该电路以基极为输入端，集电极为输出端，放射极作为输入、输出回路的共同端，称为共放射极电路。

读者可依据（1+b）IB=IC电流安排关系画出共集电极电路。

BJT的电流分配与放大作用 - 家电维修三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

（BJT的工作条件）1. 内部载流子的传输过程ü发射区：发射载流子ü基区：传送和控制载流子ü集电区：收集载流子（以NPN为例）发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。

基区空穴向发射区的扩散可忽略。

进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB’ ,多数扩散到集电结。

集电区收集扩散到集电结边缘处的电子形成集电极电流Inc（IC的主要部分）。

因集电结反偏，有少子形成反向电流ICBO 。

由以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。

2. 电流分配关系（1）三个电极电流总关系IE = IB+ ICIC = InC+ ICBOIB = IB’ - ICBO（2）共基极电流传输系数a由载流子的传输过程可知，由于电子在基区的复合，发射区注入到基区的电子并非全部到达集电区，管子制成后，复合所占的比例也就定了。

也就是由发射区注入的电子传输到集电区所占的百分比是一定的，这个百分比用α表示。

因 IC= InC+ ICBO，且 IC ICBOa 称为共基极电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。

一般 a = 0.9~0.99。

（3）共发射极电流放大系数b，∴ iC＝b iB发射区每向基区供给一个复合用的载流子，就要向集电区供给b 个载流子,亦即iC是iB的b 倍。

b 是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。

一般 b 1，通常为20～200。

b 和 a 的关系：， iC＝b iB由和， iC =αiE所以可得两种类型三极管各电极电流方向NPN型三极管 PNP型三极管3. 三极管的三种组态BJT的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示;共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。

bjt共射放大电路BJT共射放大电路是一种常用的放大电路。

它采用双极型晶体管（BJT）作为放大器件，通过合适的偏置和负反馈来实现信号放大。

本文将介绍BJT共射放大电路的基本原理、特点、工作原理以及其在实际应用中的一些注意事项。

一、BJT共射放大电路的基本原理BJT共射放大电路是一种单级放大电路，其基本原理是将输入信号接在晶体管的基极上，输出信号从晶体管的集电极上取出。

通过合适的偏置和负反馈，将输入信号放大到需要的幅度，并输出到负载中。

二、BJT共射放大电路的特点1.电压放大倍数大：由于BJT晶体管能够提供大的β值（即电流放大倍数），因此在共射放大电路中，可以获得较大的电压放大倍数。

2.输入电阻低：共射放大电路的输入电阻主要由无源负载电阻和晶体管的输入电阻组成，通常输入电阻的数值较小，能够适应各种源的输出特性。

3.输出电阻高：由于BJT晶体管的输出电阻较高，因此共射放大电路能够驱动较大的负载电阻。

4.频率响应好：BJT晶体管的频率响应范围广，使得共射放大电路在高频场合中能够得到很好的放大效果。

三、BJT共射放大电路的工作原理BJT共射放大电路的工作原理可以分为静态工作点分析和动态分析两个方面。

1.静态工作点分析：在共射放大电路中，为了使晶体管正常工作，需要对其进行偏置设置，以确保处于放大区，同时避免饱和或截止状态。

通过选择适当的电阻分压网络和电源电压，可以使得输入电压能够提供合适的基极电压，使BJT晶体管处于放大区。

2.动态分析：在共射放大电路中，输入信号作为输入电压，接在晶体管的基极上。

当输入信号变化时，由于输入电容的存在，晶体管的电流也随之变化，进而影响到输出电压。

通过适当地选择偏置条件和输入电容的阻抗，可以实现对输入信号的有效放大，并利用输出电容，增加频率响应。

四、BJT共射放大电路的应用注意事项1.偏置稳定性：在设计共射放大电路时，需要保证偏置点的稳定性，使得晶体管能够始终处于放大区，避免过度饱和或过度截止。

bjt放大区的电位1.引言1.1 概述BJT放大区的电位是指在双极型晶体管（BJT）放大区域内的电位分布情况。

BJT是一种常用的放大器件，其放大原理是通过控制输入信号电流来调节输出信号的放大倍数。

为了实现这种放大效果，BJT放大区的电位分布起着至关重要的作用。

概括地说，BJT是由三层半导体材料构成的，包括一个基区（B）、一个发射区（E）和一个集电区（C）。

当输入信号被施加到基区，通过控制输入电流的大小，就可以改变发射区和集电区之间的电位差，从而影响输出信号的放大程度。

在BJT放大区的电位分布中，有两个关键点需要注意。

首先是发射极电位（Vbe），它是基区和发射区之间的电位差。

在正常工作状态下，发射极电位必须为正，通常约为0.6到0.7伏。

这个电位差是通过输入信号的电流在基区产生的压降引起的。

其次是集电极电位（Vce），它是集电区和发射区之间的电位差。

在正常工作状态下，集电极电位可以为正或负，取决于BJT的工作模式（如放大模式或截止模式）。

当BJT处于放大模式时，集电极电位应尽量接近电源电压，以保证输出信号的最大幅度。

为了实现这样的电位分布，BJT放大区一般由两个PN结组成：发射-基结和集电-基结。

这些结的存在导致了电位分布的产生，使得BJT在工作时能够实现信号的放大。

总之，BJT放大区的电位分布在电子学和放大器设计中扮演着重要的角色。

通过控制发射极电位和集电极电位，我们可以调节BJT的放大倍数和输出信号的幅度。

这对于各种电子设备和电路的正常运行至关重要。

在接下来的内容中，我们将更深入地了解BJT放大区的电位分布原理及其在实际电路中的应用。

1.2文章结构文章结构部分是用来介绍文章的整体构架和各个章节的内容安排。

下面是文章结构部分的一个可能的内容：1.2 文章结构本文将围绕着BJT放大区的电位分布展开讨论，并按照以下结构进行阐述：2.1 BJT放大区的基本原理在本章节中，我们将介绍BJT放大区的基本工作原理。

BJT共射放大电路是一种常见的电子电路。

在这种电路中，双极晶体管（BJT）被用作放大器，其输入和输出都通过晶体管的发射极和集电极进行。

共射放大电路的工作原理是利用BJT的电流放大作用，将输入的微弱信号放大到足够大的输出信号。

具体来说，当输入信号加到基极上时，基极电流发生变化，这个变化通过晶体管的电流放大作用被放大，进而在集电极产生相应的输出电流。

此外，BJT的特性也决定了共射放大电路的性能。

例如，BJT的输入电阻和输出电阻会影响电路的增益和效率。

同时，BJT的截止频率和特征频率也会影响电路的频率响应。

以上信息仅供参考，如有需要，建议您咨询专业技术人员。