硼磷共扩散法制备硅背电场太阳电池

第53卷第5期2024年5月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.53㊀No.5May,2024TOPCon 太阳电池单面沉积Poly-Si 的工艺研究代同光,谭㊀新,宋志成,郭永刚,袁雅静,倪玉凤,汪㊀梁(青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安㊀710100)摘要:目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低㊂行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积㊂单面沉积存在Poly-Si 绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除难度较大,在用碱溶液去除绕镀层的同时,存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P +层被腐蚀的风险,导致P +发射极受损,严重影响电池片外观质量与性能㊂双面沉积可避免上述问题,但产能减少一半,制造成本增加㊂本文对单面沉积Poly-Si 工艺及绕镀层去除工艺进行研究,在TOPCon 电池正面及背面制作了一层合适厚度的氧化层掩膜,搭配合适的清洗工艺㊁去绕镀清洗工艺,既可有效地去除P +层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P +层及背面掺杂Poly-Si 层不受破坏,同时可大幅提升产能㊂关键词:TOPCon 太阳电池;Poly-Si 绕镀层;低压化学气相沉积;BSG;PSG;腐蚀速率中图分类号:TM914.4;TB43㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2024)05-0818-06Single-Sided Deposition of Poly-Si in TOPCon Solar CellsDAI Tongguang ,TAN Xin ,SONG Zhicheng ,GUO Yonggang ,YUAN Yajing ,NI Yufeng ,WANG Liang (Xi an Solar Power Branch,QingHai Huanghe Hydropower Development Co.,Ltd.,Xi an 710100,China)Abstract :At present,the technology of tunnel oxide passivated contact (TOPCon)solar cells is becoming more and more mature,and the manufacturing cost is decreasing.TOPCon cell technology has been applied in the process of manufacture.Low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)is widely used in the industry for double-sided deposition or single-sided deposition.Single-sided deposition has the problem of Poly-Si winding coating,which seriously affects the efficiency and appearance quality of solar cells.It is difficult to remove the winding coating on the front side.While removing the winding coating in alkali solution,there is a risk of incomplete removal of the winding coating or corrosion risk of P +layer in non-winding plating area.As a result,the P +emitter is damaged,which seriously affects the appearance quality and performance of solar cells.Double-sided deposition can avoid the above risks,but the production capacity will be reduced by half,the manufacturing cost will increase.In this paper,the single-sided deposition of Poly-Si process and the removal process of the winding coating were studied.A layer of oxide coating with appropriate thickness is made on the front and back of TOPCon solar cells.With appropriate cleaning process and unwinding plating cleaning process,the Poly-Si winding coated with P +layer can be effectively removed,and the front P +layer and the doped Poly-Si layer on the back can be well protected from damage,and the production capacity can be greatly improved.Key words :TOPCon solar cell;Poly-Si winding coating;low pressure chemical vapor deposition;BSG;PSG;corrosion rate ㊀㊀收稿日期:2023-09-11㊀㊀作者简介:代同光(1986 ),男,山东省人,工程师㊂E-mail:tg334334@0㊀引㊀㊀言近年来,为应对能源危机和日益严重的环境问题,各国都在大力发展新能源,太阳能光伏发电技术因具有高效㊁清洁㊁取之不尽等优点,越来越受到国际能源产业的青睐㊂目前产业上应用最广泛的太阳能电池为传统晶硅电池,主要是以P 型单晶硅为衬底的钝化发射极背接触太阳电池(passivated emitterand rear cell,PERC)为主,但受P 型硅材料质量和器件结构设计的限制,其光电转化效率很难提高到23%以上[1]㊂而以N 型单晶硅片为衬底的N 型电池片,具有少子寿命高㊁对金属污染容忍度高㊁光致衰减低等㊀第5期代同光等:TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究819㊀优点,可用于制备双面电池,提高了太阳能电池系统的发电量,所以N型技术替代P型技术已成为光伏行业发展的趋势㊂在现有的N型电池中,隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact,TOPCon)电池的隧穿氧化层和非晶硅层的沉积为硅片的背面提供了良好的表面钝化,提升了电池的开路电压和短路电流[2],TOPCon 电池具有工艺流程简单㊁效率提升空间大等优点,已被广泛应用于N型高效太阳能电池量产㊂TOPCon电池核心结构由SiO2隧穿氧化层和磷掺杂的多晶硅层组成,目前行业内TOPCon电池的制备方式主要为低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)法[3]㊁等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法和溅射法,其中LPCVD技术制备的多晶硅膜层在片内及片间呈现较好的均匀性,电池端良率较高,工艺时间相对较短,生产效率高,同时LPCVD设备具有产能大㊁易于维护等优势,因此,LPCVD技术是目前TOPCon电池厂商布局的主流技术路线[4]㊂该技术采用LPCVD方式进行双面沉积或单面沉积,工艺的基本原理是将一种或数种气态物质,在较低压力下,用热能激活,使气态物质发生热分解或化学反应,沉积在衬底表面形成所需的薄膜㊂本征Poly-Si层的沉积主要应用硅烷的热分解来完成,在580~620ħ高温下,通入一定流量的硅烷,并将压力控制在一定范围内,硅烷热分解后在硅片表面沉积一定厚度的Poly-Si,化学反应式为SiH4ңSiˌ+2H2ʏ(1)其中单面沉积产能大但容易导致硅片正面边缘被绕镀Poly-Si(简称绕镀层),该绕镀层的存在影响电池正面对光的吸收,进而影响电池光电转换效率[5]㊂研究发现,与HF/HNO3酸刻蚀处理电池表面多晶硅绕镀相比,采用KOH碱刻蚀方法所处理的电池样品,在电池漏电流方面更具有优势[6],所以目前行业内普遍采用碱刻蚀去除绕镀层㊂但是碱溶液对前表面的腐蚀是全面的,也就导致前表面非绕镀区域也会受到影响,在去除绕镀层的同时,存在正面绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P+发射极被腐蚀的风险,严重影响电池片外观质量和性能㊂双面沉积可避免上述问题,但产能将减少一半,制造成本增加㊂为了保证单面沉积后电池的P+发射极在碱刻蚀过程中不被损坏,需要在P+发射极表面制备一层掩膜㊂本工作采用硼扩散时产生的硼硅玻璃(borosilicate glass,BSG)作为电池P+发射极掩膜,优点有:不增加新的生产设备,减少了电池制备成本;可通过调节硼扩散工艺实现P+发射极与BSG掩膜的共同制备,减少了电池制备流程,并避免样品转移过程带来的污染[6]㊂根据TOPCon电池工艺流程,在LPCVD后须对后表面进行磷掺杂㊂研究人员采用三氯氧磷热分解沉积方式进行磷掺杂,反应过程中生成的磷硅玻璃(phosphosilicon glass,PSG)被绕镀至硅片前表面,且绕镀的PSG厚度并不均匀,PSG的存在将影响Poly-Si绕镀层的去除,需要在去绕度工序前用HF 酸溶液去除㊂之前的研究人员通过实验发现,不同厚度的PSG叠加BSG,在HF酸溶液内的腐蚀速率不一致,进而影响前表面掩膜对P+发射极的保护作用㊂本文对单面沉积Poly-Si工艺及绕镀层去除工艺进行研究,通过在TOPCon电池正面及背面制备一层适宜厚度的氧化层掩膜,搭配刻蚀及去绕镀工序适宜浓度的清洗工艺,既可有效地去除P+层绕镀,也可很好地保护正面P+层及背面掺杂Poly-Si层不受破坏,解决Poly-Si绕镀层问题的同时,提高LPCVD产能㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀LPCVD单㊁双面Poly-Si沉积工艺对TOPCon电池外观及性能影响的实验在本公司TOPCon工艺产线其他工序工艺保持不变的条件下,LPCVD分别采用单插㊁双插方式制作电池,Poly-Si厚度120nm,对比LPCVD单㊁双面Poly-Si沉积时硅片前表面膜层结构的差异及LPCVD工艺后外观差异㊂1.2㊀LPCVD单㊁双面Poly-Si沉积时氧化层厚度对半成品外观影响的实验LPCVD采用单㊁双插方式制作电池半成品样片,在硼扩散㊁磷扩散工艺过程中,通过调整氧化压力,在硅片表面生长不同厚度的BSG㊁PSG,其他工序工艺保持不变,镀正面氮化硅后目测统计外观异常比例,实验设计如表1所示㊂820㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷表1㊀不同氧化层厚度对单、双面Poly-Si 沉积TOPCon 太阳电池外观影响实验方案Table 1㊀Experimental scheme of effect of different oxide layer thickness on the appearance of single-sided anddouble-sided Poly-Si deposited TOPCon solar cellsLPCVDGroup Count Thickness of BSG /nm Thickness of PSG /nm G1-14008030Single-sideG1-240010040G1-340012050G2-14008030Double-side G2-240010040G2-3400120501.3㊀HF 酸溶液对不同厚度氧化层腐蚀速率影响的实验在上述实验硼扩散㊁磷扩散工艺过程中,同步使用碱抛光片在表面制备不同厚度的BSG㊁PSG㊁BSG +PSG,对比其在刻蚀HF 酸溶液内的腐蚀速率差异,实验设计如表2所示㊂表2㊀不同厚度氧化层在HF 酸内腐蚀速率实验方案Table 2㊀Experimental scheme of corrosion rate comparison in HF acid for different oxide layer thicknessOxide layer Thickness /nm Concentration of HF /%Time /s BSG 80 1.5120PSG 50 1.512080+30 1.5120BSG +PSG80+40 1.512080+50 1.51201.4㊀Poly-Si 厚度及绕镀面积对单面Poly-Si 沉积TOPCon 电池外观影响的实验LPCVD 采用双插方式制作电池半成品样片,通过调整LPCVD 沉积时间得到不同厚度的Poly-Si,其他工序工艺保持不变,镀膜后统计外观异常比例㊂1.5㊀实验过程实验材料:N 型金刚线切割硅片制绒后半成品若干㊁N 型金刚线切割硅片抛光片若干㊁HF 酸溶液㊂图1㊀TOPCon 电池制备工艺路径Fig.1㊀Preparation process path of TOPCon cells 实验设备及仪器:深圳捷佳创湿法槽式清洗设备㊁深圳捷佳创低压扩散设备㊁普乐LPCVD㊁RENA InOxSide 链式刻蚀机㊁深圳捷佳创管式镀膜设备㊁Syscos COSE PV4.0光谱椭偏仪㊂实验方法:取N 型金刚线切割硅片制绒后半成品若干,使用深圳捷佳创低压扩散设备进行硼扩散工艺,通过调整氧化压力制备不同厚度的BSG,硼扩后的样品按实验组进行分类,经RENA链式刻蚀机清洗背表面及侧边横截面的BSG 后,浸没在捷佳创湿法槽式设备NaOH 刻蚀槽中对背表面进行抛光,再使用普乐LPCVD 设备进行单㊁双面Poly-Si 沉积,之后在深圳捷佳创低压扩散设备进行磷扩散工艺,通过调整氧化压力制备不同厚度的PSG,后流转至去PSG 工序,使用RENA 链式刻蚀机清洗前表面绕镀Poly-Si 上层绕扩PSG,进一步在去绕镀清洗工序使用深圳捷佳创湿法槽式NaOH 刻蚀溶液去除绕镀Poly-Si,最后使用深圳捷佳创管式镀膜设备对硅片前表面镀氮化硅膜,实验结束后全检外观,统计半成品外观情况㊂上述硼扩散㊁磷扩散过程中,同步使用NaOH 碱刻蚀抛光后的硅片作为氧化层厚度监控片,并随样品进行流转,用于去PSG 工序监控氧化层厚度变化㊂实验样品制作工艺流程如图1所示㊂㊀第5期代同光等:TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究821㊀2㊀结果与讨论2.1㊀LPCVD单、双面Poly-Si沉积工艺对TOPCon电池结构及外观的影响当LPCVD采用双面沉积(单槽单插)时,硅片正表面㊁背面均沉积厚度一致的Poly-Si,硅片前表面颜色均匀㊂采用单面沉积(单槽双插)时,硅片背面沉积厚度一致的Poly-Si,硅片正面绕镀厚度不一致的Poly-Si,根据前表面外观颜色可以看出,从硅片边缘到中心,绕扩的多晶硅厚度呈递减趋势,单双面沉积P+层绕镀结构对比如图2所示㊂LPCVD工艺前和工艺后半成品前表面外观如图3所示㊂图2㊀LPCVD单面与双面结构图Fig.2㊀Structure of single-sided and double-sided by LPCVD图3㊀LPCVD单面与双面P+层外观Fig.3㊀P+layer appearance of single-sided and double-sided by LPCVD2.2㊀LPCVD单面Poly-Si沉积时氧化层厚度对半成品外观影响经实验数据分析(见表3)可知,LPCVD采用双面沉积时,样品镀膜后外观无异常㊂LPCVD采用单面沉积时,当硼扩散BSG厚度小于80nm时,在BOE去绕镀时不足以保护P+层,导致部分区域被腐蚀抛光;当BSG厚度大于100nm时,抛光现象消除;当PSG厚度大于40nm时,在BOE去绕镀时P+层局部被过度腐蚀导致外观发白的比例最高;当PSG厚度小于40nm时,发白比例随PSG厚度减小而递减㊂外观正常及异常图片如图4所示㊂表3㊀LPCVD单面与双面匹配不同厚度氧化层的外观数据Table3㊀Appearance data of single-sided and double-sided by LPCVD matching with different oxide layer thickness LPCVD Group Proportion of polishing/%Proportion of whiten/%G1-110 Single-side G1-200.5G1-30 1.5G2-100 Double-side G2-200G2-3002.3㊀HF酸溶液对不同掺杂氧化层腐蚀速率的影响HF酸对不同厚度氧化层腐蚀能力数据如图5所示㊂从图中可以看出,不同氧化层在同一浓度HF酸溶液内的腐蚀速率为:V BSG<V PSG<V BSG+PSG㊂在腐蚀BSG+PSG叠层掩膜时,随着PSG厚度的增加,腐蚀速率将增大,而在磷扩工艺过程中,P+层绕镀的PSG厚度是不一致的,这将导致刻蚀在去除P+层PSG绕镀时,腐822㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷蚀速率不一致,部分区域剩余掩膜较薄,在去绕镀时被腐蚀,被腐蚀区域比表面积变小,在镀氮化硅膜时,同一条件下,反应气体流量相同,比表面积大的区域沉积的氮化硅厚度越小,而比表面积小的区域则反之[7],导致被腐蚀区域膜厚异常,外观呈发白状,所以在选择磷扩散工艺时,要尽量降低P +层绕扩的PSG 厚度,以降低BSG +PSG 叠层掩膜在刻蚀的腐蚀速率差异㊂图4㊀LPCVD 单面经去绕镀㊁镀膜后的外观Fig.4㊀Appearance after dewinding and coating of single-side by LPCVD图5㊀HF 酸对不同厚度氧化层腐蚀能力数据Fig.5㊀Etching ability data of HF acid to different oxide layers thickness 2.4㊀改进效果评估综上所述,通过在TOPCon 电池前表面制备适宜厚度的BSG 掩膜,同时控制PSG 厚度,可有效解决单面Poly-Si 沉积导致的外观异常,同步制作两组改进前和改进后的电池片进行对比,统计前表面外观异常比例和电性能参数,评估改进效果,实验条件及结果如表4所示㊂实验结果显示,改进前外观抛光比例1.2%,外观发白比例1.8%,改进后外观无明显异常㊂改进前外观异常区域PN 结被腐蚀破坏,难以产生光生伏特效应,导致转化效率损失,改进后外观无异常,电池性能显著提升㊂表4㊀不同厚度氧化绕镀层对单面Poly-Si 沉积TOPCon 太阳电池外观及电性能影响Table 4㊀Effects of different oxide layer thickness on the appearance and electrical properties of TOPCon solar cells deposited by single-sided Poly-SiGroup Count Thickness of BSG /nm Thickness of PSG /nm U oc /V I sc /AR s /ΩR sh /ΩFF /%NCell /%Proportion of polishing /%Proportion of whiten /%Baseline 40080500.706513.69140.0009460282.6624.27 1.2 1.8Improvement 400100300.707413.69950.0008466582.7824.32003㊀结㊀㊀论1)在TOPCon 工艺过程中,LPCVD 采用单面Poly-Si 沉积时,前表面非绕镀区域在清洗去绕镀时容易被腐蚀,导致电池片外观异常㊁效率损失㊂㊀第5期代同光等:TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究823㊀2)氧化层厚度对TOPCon电池外观起着至关重要的作用,当硼扩散BSG厚度小于一定量时,在BOE去绕镀时不足以保护P+层,导致部分区域被腐蚀抛光;PSG厚度大于一定厚度时,在BOE去绕镀时P+层局部易被过度腐蚀导致发白㊂3)各掺杂氧化层在刻蚀HF酸溶液内的腐蚀速率为:V BSG<V PSG<V BSG+PSG㊂在腐蚀BSG+PSG叠层掩膜时,随着PSG厚度的增加,腐蚀速率将增大㊂4)通过在TOPCon电池正面制备一层适宜厚度的氧化层掩膜,搭配刻蚀及去绕镀工序化学品1.5%浓度的清洗工艺,即可有效地去除P+层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P+层不受破坏,解决单面沉积Poly-Si 外观异常的同时,提高LPCVD产能㊂参考文献[1]㊀张㊀志.隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池的研究[D].昆明:昆明理工大学,2019.ZHANG Z.Research on tunneling oxide passivation contact(TOPCon)solar cells[D].Kunming:Kunming University of Science and Technology,2019(in Chinese).[2]㊀肖友鹏,李桂金.硅太阳电池钝化载流子选择性接触概念与现状[J].电源技术,2019,43(11):1897-1900.XIAO Y P,LI G J.Concept and present situation of passive carrier selective exposure in silicon solar cells[J].Chinese Journal of Power Sources,2019,43(11):1897-1900(in Chinese).[3]㊀SACHS E,PRUEGER G,GUERRIERI R.An equipment model for polysilicon LPCVD[J].IEEE Transactions on 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太阳能电池硼扩pl亮度太阳能电池的工作原理是将太阳能转换成电能，利用光照照射到太阳能电池上的光子，使得光电效应在太阳能电池材料中发生，从而产生电子和空穴。

这些电子和空穴被太阳能电池表面的电场分离，形成电流，从而实现太阳能转化为电能的过程。

在太阳能电池中，硼扩散是一种常用的工艺方法。

硼扩散是指在太阳能电池的p-n结上，在高温下将硼原子扩散到材料中，使得p区中的磷原子被硼原子取代。

这样可以增加太阳能电池的p区掺杂浓度，提高了其导电性能，从而提高了太阳能电池的转换效率。

硼扩散还可以减小太阳能电池的接触电阻，提高电流的输出能力。

除了硼扩散，pl亮度也是太阳能电池性能的一个重要指标。

pl亮度是指太阳能电池在光照下的发光亮度。

太阳能电池材料的pl亮度越高，能够产生更多的光子，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

提高pl亮度有以下几种方法：1. 提高材料的纯度：杂质对太阳能电池的光电转换效率有一定的负面影响，提高材料的纯度可以减少杂质的存在，从而提高pl亮度。

2. 优化太阳能电池的结构：通过优化太阳能电池的结构，可以减小材料的缺陷和界面反射，提高光电转换效率，进而提高pl亮度。

3. 提高光吸收效率：通过增加材料的厚度或者采用多层结构，可以增加材料对光的吸收，提高光电转换效率和pl亮度。

4. 使用表面纳米结构：利用纳米结构可以提高材料的光吸收效率，增加光子在材料中的扩散路径，从而提高pl亮度。

5. 掺杂优化：适当的掺杂可以调节材料的能带结构，提高其光电转换效率和pl 亮度。

除了硼扩散和pl亮度，提高太阳能电池的转换效率还可以通过其他方式实现，例如增加p-n结界面面积，提高光敏电池材料和载流子的载流率，减小电池的能量损失等。

随着技术的不断发展，太阳能电池的转换效率和pl亮度都有望进一步提高，推动太阳能电池在能源领域的广泛应用。

电池片背部磷扩散电池片是太阳能光伏系统的核心组件之一，用于将太阳能转化为电能。

为了提高太阳能电池的效率和性能，研究人员一直在努力寻找新的材料和工艺来改进电池片的制造过程。

其中，磷扩散技术是一种常用的工艺方法，可以在电池片背部形成磷掺杂层，从而提高电池片的性能。

磷扩散是一种通过在材料表面引入磷元素来改变材料性质的过程。

在太阳能电池片的制造中，磷扩散主要用于背面电场形成和电池片的电性能优化。

下面将详细介绍电池片背部磷扩散的工艺过程和其对电池性能的影响。

1. 磷扩散的工艺过程电池片背部磷扩散的工艺过程主要包括以下几个步骤：1.1 清洗：首先，需要对电池片进行表面清洗，以去除表面的污垢和杂质。

这可以通过浸泡在酸性或碱性溶液中、超声波清洗或机械刷洗等方法来实现。

1.2 磷源制备：接下来，需要准备磷源。

常用的磷源包括磷酸、磷酸盐或磷化氢等。

磷酸和磷酸盐在高温下可以分解释放出磷，而磷化氢则需要特殊的设备和条件来生成。

1.3 扩散：在背部扩散过程中，将磷源涂覆在电池片的背面，然后将其暴露在高温环境中。

高温会促进磷元素的扩散，使其渗透到电池片的表面和内部。

1.4 烧结：扩散完成后，需要进行烧结以稳定磷的分布并形成均匀的磷掺杂层。

烧结温度和时间的选择对于磷扩散层的性能和稳定性至关重要。

2. 磷扩散对电池性能的影响电池片背部磷扩散可以对太阳能电池的性能和效率产生多方面的影响。

2.1 背面电场形成：磷扩散可以在电池片背面形成掺杂层，增加背面的载流子浓度，从而形成背面电场。

这种电场可以减小电池片的反射损失、提高光吸收效率，并增强电池片的光电转换效率。

2.2 电池片效率：磷扩散可以提高电池片的效率。

通过形成磷掺杂层，可以增加电池片的导电性能和光电转换效率，从而提高电池片的整体效率。

2.3 电池片稳定性：磷扩散可以增强电池片的稳定性。

磷掺杂层可以提高电池片的抗腐蚀性能和抗氧化性能，从而延长电池片的使用寿命。

2.4 热稳定抱歉，我在之前的回答中意外地截断了。

专利名称：一种太阳能电池硼扩散方法及硼扩散装置专利类型：发明专利
发明人：张伟,杨伟光,郎芳,王平,史金超,宋登元
申请号：CN201610563642.1
申请日：20160718
公开号：CN106129177A
公开日：
20161116
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硼扩散方法及硼扩散装置，属于太阳能电池制作技术领域。

本发明包括以下步骤：将需要进行硼扩散的硅片放入扩散炉内，升温；通入硼源、二氯乙烯、氧气和氮气进行硼扩散；停止通硼源、氧气和二氯乙烯，在氮气氛围下保持温度在900℃‑960℃，持续时间15min‑40min，氮气流量为10‑20L/min；降温，取出硅片，完成扩散过程。

本发明是在BBr液态源高温扩散过程中引入二氯乙烯，能够提高硼扩散的片内均匀性及片间均匀性，减缓BO对炉内石英器件的腐蚀，延长石英器件的使用寿命，避免硅片在高温过程中受到金属污染。

申请人：保定天威英利新能源有限公司
地址：071051 河北省保定市高开区复兴中路3055号
国籍：CN
代理机构：石家庄国为知识产权事务所
代理人：黄辉本
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太阳能光伏组件制造工艺过程1.光伏电池片制备（1）硅片制备：首先，从硅矿石中提取硅，然后通过炉石法或氧化法将硅精炼成多晶硅。

接着，将多晶硅加热到1400℃以上熔化，并进行等温处理，待温度降至1000℃时，将多晶硅投入到单晶硅种子上，从而制备出单晶硅棒。

最后，将单晶硅棒切割成薄片，形成硅片。

（2）氧化：将硅片进行氧化处理，使硅片表面形成一层二氧化硅（SiO2）薄膜。

（3）扩散：将经过氧化处理的硅片放入扩散炉中，加入磷或硼等杂质，并进行加热处理，使磷或硼渗入硅片表层，形成P型或N型半导体层。

（4）金属化：在扩散之后，使用光刻和蒸镀等技术，在硅片表面涂覆金属导电层，形成正负极。

2.组装装配（1）电池片排列：将多个光伏电池片按照一定的顺序排列在基板上，并使用胶水或胶带固定。

（2）排列背板：在电池片排列的背面加上封装材料，一般采用聚合物材料作为背板，保护电池片。

（3）电池片连接：使用导线将电池片的正极和负极连接起来，形成闭合回路。

3.封装封装是为了保护组件，防止电池片受到环境的损害，并增强耐久性。

（1）玻璃封装：在电池片上方加上一层玻璃，形成太阳能电池板的表面。

玻璃透明且具有良好的耐候性和耐腐蚀性，可以有效保护电池片。

（2）背板封装：在电池片背板上方加上一层背板封装材料，形成太阳能电池板的背面。

背板封装材料一般采用聚合物材料，具有良好的耐候性和耐温性。

（3）边框封装：在电池片四周加上边框，一方面可以增强电池片的稳固性，另一方面可以减少电池片与环境之间的接触。

4.测试最后，对太阳能光伏组件进行测试，确保其质量和性能达到标准要求。

（1）电性能测试：使用太阳能模拟器将光照照射到光伏组件上，测量其电流、电压和功率等参数。

（2）外观检查：检查组件的外观是否完好，是否存在破损和缺陷。

（3）耐候性测试：将光伏组件放置在模拟气候箱中，模拟不同的气候条件，测试其性能稳定性和耐久性。

通过以上的制造工艺过程，太阳能光伏组件的制造完成，可以在适当的太阳光照下，将太阳能转化为电能，广泛应用于太阳能光伏发电系统中。

光伏硼扩散工艺原理
光伏硼扩散工艺是一种将硼元素扩散到硅晶片中的过程，用于制作光伏电池的p型区域。

以下是光伏硼扩散工艺的原理：
1. 原料准备：准备所需的硼源材料，一般为硼化合物如硼酸或硼酸铵。

2. 清洗晶片：将硅晶片进行清洗，以去除表面的污染和杂质，确保扩散过程的顺利进行。

3. 涂敷硼源材料：将硼源材料溶液涂敷在硅晶片表面，形成一层薄膜。

硼源材料通常是一种粘性液体，可以通过旋涂的方式均匀涂敷在晶片表面。

4. 热处理：将涂有硼源材料的硅晶片放入炉中进行热处理。

在高温条件下，硼源材料会扩散到硅晶片中，与硅发生反应形成p型区域。

5. 退火处理：完成硼扩散后，对晶片进行退火处理，以消除应力和缺陷，并提高光伏电池的性能。

通过光伏硼扩散工艺，可以在硅晶片中形成p型区域，用于形成PN结构的光伏电池。

这种结构能够吸收光能，并将其转化为电能。

光伏硼扩散工艺的原理是利用硼元素的掺杂，改变硅晶片的导电性质，形成正电荷的p型区域，为光伏电池的正负极提供电荷传输和分离的功能。

光伏电池pn结制备实验心得一、技术迭代推动降本增效，N 型电池技术发展提速晶硅电池技术是以硅片为衬底，根据硅片的差异区分为 P 型电池和 N 型电池。

其中 P 型电池主要是 BSF 电池和 PERC 电池，N 型电池目前投入比较多的主流技术为 HJT 电池和 TOPCon 电池。

1）P 型电池，传统单晶和多晶电池主要技术路线为铝背场技术（Al-BSF），目前主流的 P 型单晶电池技术为 PERC 电池技术，该技术制造工艺简单、成本低，叠加 SE（选择性发射技术）提升电池转换效率；2）N 型电池，随着 P 型电池逐渐接近其转换效率极限，N 型将成为下一代电池技术的发展方向。

N 型电池具有转换效率高、双面率高、温度系数低、无光衰、弱光效应好、载流子寿命更长等优点，主要制备技术包括 PERT/PERL、 TOPCon、IBC、异质结（HJT）等。

技术迭代推动提效降本，PERC 电池产能占 86%过去五年，PERC 代替 Al-BSF 成为目前主流电池技术。

P 型电池技术主要经历了 Al-BSF（传统铝背场）到单面 PERC 再到双面PERC 技术的发展路线。

根据 CPIA 数据， 2015 年之前，铝背场电池是主流的电池技术，市占率一度超过 90%，2015 年开始随时 PERC 电池技术的推广，BSF 电池市占率开始下降并在 2020 年市占率降至8.8%。

PERC 电池技术的推广主要得益于单晶硅片的大规模推广，设备国产化率快速提升等因素。

根据 CPIA数据，2020 年新建量产产线仍以 PERC 电池为主，PERC 电池市场占比达到 86.4%。

1） Al-BSF 电池技术。

为改善太阳能电池效率，在 P-N 结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备 P+层，称为铝背场电池。

铝背层主要进行表面钝化，降低背表面复合速率，增加光程，提升效率。

但红外辐射光只有 60-70%能被反射，产生较多的光电损失，在转换效率方面有明显的局限。

光伏前道硼扩散后道
在光伏电池的制造过程中，“前道”和“后道”是指电池片生产的不同阶段。

硼扩散是光伏电池制造过程中的一个关键步骤，它通常位于“前道”工艺中。

以下是光伏电池制造过程中前道和后道的简要概述，以及硼扩散的作用：
1. 前道工艺：
硅片准备：包括清洗、切割和抛光等步骤，以获得干净、平整的硅片。

掺杂：在硅片表面掺杂硼（B）或磷（P）等元素，形成P型或N 型硅片。

硼扩散就是在这个阶段进行的，它通过高温使硼原子深入硅片内部，形成均匀的P型层。

去损伤层：在掺杂后，通常需要去除硅片表面的损伤层，以保证电池的性能。

2. 硼扩散：
硼扩散是在高温下将硼原子从硅片表面扩散到硅片内部的过程，以形成P型半导体。

这个过程对于形成光伏电池的PN结至关重要。

硼扩散的均匀性和深度控制是关键，它们直接影响电池的性能和效率。

3. 后道工艺：
PECVD/PEC：在硅片表面沉积一层抗反射层，以减少光的反射和提高光的吸收率。

丝网印刷：在硅片上印刷电极，形成电路。

烧结：通过高温烧结使电极材料与硅片表面结合，同时完成电池片的固化。

质量检测：对电池片进行性能测试，包括电流-电压特性、光谱响应等。

在整个光伏电池的制造过程中，前道和后道工艺的每个步骤都非常重要，它们共同决定了电池片的最终性能。

硼扩散作为前道工艺的关键步骤，对于确保电池片的导电性和光电转换效率具有重要作用。

因此，对硼扩散工艺的优化和控制是提高光伏电池质量的关键。

2021年2月第34卷第1期山西能源学院学报Journal of Shanxi Institute of EnergyFeb.,2021Vol.34No.1•自然科学研究•硼扩散工艺对多晶黑硅效率的影响分析赵彩霞郭丽张波杨飞飞赵科巍(山西潞安太阳能科技有限责任公司，山西长治046000)【摘要】本文针对硼扩散下多晶黑硅的表面复合速率高光电转换效率低的问题，在多晶黑硅太阳电池片上采用了多步变温扩散工艺增加前氧化工艺方法,研究了多步硼扩散工艺下进行的方阻梯度变化情况。

结果表明：多晶黑硅在背面硼扩散方阻2800左右的条件下，电性能最佳，方阻过高或过低均不利于电池片光电转换。

【关键词】多晶黑硅;硼扩散；多步扩；方阻;转换效率【中图分类号】TD32【文献标识码】A【文章编号】2096-4102(2021)01-0100-031引言目前在晶硅太阳能产业链中，由于硅片的切割技术已由原本的砂线切割改为金刚线切割，单晶硅硅基电池以其技术路线成熟效率高的特点已逐渐在市场占有率上高于多晶硅。

加上经过制绒后的单晶硅片反射率通常在11%左右，而砂浆切割的多晶硅片反射率为18%左右，因此多晶电池片更不具有竞争优势。

但由于黑硅有着优越的陷光作用，于是将黑硅多晶金属催化化学腐蚀法制绒工艺(Metal-catalyzed chemical etching，简称MCCE)应用到金刚线切割多晶硅片后，反射率可以降低至12%左右，并大幅降低多晶电池片的光学损失，提高多晶电池的转换效率，从而逐步缩小多晶电池与单晶电池的效率差异。

另外，多晶电池片本身加工成本较低，在缩小电池片转换效率之后，给多晶黑硅电池带来了转机。

在晶硅电池中影响光电转换效率的主要因素一是载流子表面复合速率;二是硅铝背接触的接触电阻。

但传统铝背场以吸杂与钝化来增加少子寿命来提高光电转换效率也不满足目前的高效电池要求，如何进一步降低表面复合速率提高光电转换效率的研究显得更加重要。