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模电第五版课后答案第一章电路的基本概念和基本定律1.1 电路的基本概念1.电路是由电子元件、电源和连接线组成的。
2.电路分为直流电路和交流电路两种。
3.电子元件包括电阻、电容和电感等。
4.电路的连接方式有串联和并联。
1.2 电路的基本定律基尔霍夫定律•第一定律：电流在任一节点的进出代数和为零•第二定律：沿着任一回路，电动势之和等于电势降之和电阻定律•奥姆定律：电流通过一个电阻的大小与电阻两端的电压成正比，与电阻本身无关第二章基本电路分析方法和技巧2.1 基本电路分析方法1.求解线性方程组法2.叠加法3.超节点法2.2 基本电路分析技巧1.电流分配定理2.电压分配定理3.电流、电压与功率的关系第三章电路的时间特性3.1 RC电路的时域分析1.RC电路的充放电过程2.RC电路的阶跃响应3.RC电路的脉冲响应3.2 RL电路的时域分析1.RL电路的充放电过程2.RL电路的阶跃响应3.RL电路的脉冲响应第四章电路的频率特性4.1 交流电路的频率特性1.交流电路中的欧姆定律2.交流电路中的电流和电压的相位关系3.交流电路中的功率计算4.2 电阻、电容和电感的频率特性1.电阻的频率特性2.电容的频率特性3.电感的频率特性第五章运算放大电路5.1 差动放大器1.差动放大器的基本原理2.差模增益和共模增益3.差动放大器的共模抑制比5.2 频率和相位响应1.运算放大器的频率响应特性2.运算放大器的相位响应特性5.3 运放的应用电路1.非反馈放大电路2.反馈放大电路3.运放的综合应用以上是《模电第五版》课后答案的一些概要内容，希望对你的学习有所帮助。
详细的答案和解析请参考教材中的原文或者其他辅助教材。
祝你学习进步！。
模电第五版课后答案第一章简介1.1 什么是模拟电子技术？模拟电子技术是研究模拟电子元器件、电路和系统的原理和设计方法的一门学科。
它主要研究电子元器件和电路在连续信号情况下的原理和应用。
1.2 为什么学习模拟电子技术？学习模拟电子技术有以下几个原因：•模拟电子技术在许多领域中都有广泛的应用，比如通信、医疗设备、汽车电子等。
•模拟电子技术是电子技术的基础，掌握了模拟电子技术可以更好地理解和应用其他领域的电子技术。
•对于电子工程师来说，模拟电子技术是必备的基本技能。
第二章模拟电子元器件2.1 电阻器电阻器是一种常见的电子元器件，其主要功能是阻碍电流流过。
常见的电阻器有稳态电阻器、变阻器等。
2.2 电容器电容器是一种存储电荷的元器件。
电容器的主要特性有容量、介质、工作电压等。
2.3 电感器电感器是一种储存电能的元器件。
它主要由线圈组成，具有自感和互感等特性。
第三章模拟电路基础3.1 基本电路元件模拟电路基础中的基本电路元件包括电阻、电容、电感。
3.2 电路定理小结电路定理是研究电路行为和性质的基本理论。
常见的电路定理有欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南定理等。
第四章放大电路基础知识4.1 放大电路的基本概念放大电路是指通过放大输入信号的幅度来获得输出信号的电路。
放大电路常用于信号放大、功率放大等应用。
4.2 放大电路的分类放大电路可以分为线性放大电路和非线性放大电路两大类。
第五章放大电路的分析与设计5.1 放大电路的基本分析方法放大电路的基本分析方法包括小信号模型、频率响应等。
5.2 放大电路的设计方法放大电路的设计方法主要包括增益的设计、频率响应的设计等。
以上是《模电第五版》中第一章至第五章的课后答案摘要。
希望对你的学习有所帮助！。
第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。
A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。
A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。
A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。
( ) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。
( ) （3）运放的共模抑制比cdCMR A A K( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。
图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。
（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ ）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（ ）（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ ）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
（ ）解：（1）× （2）√ （3）× （4）√二、已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。
解：（1）B （2）C （3）A （4）D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。
图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。
童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）笔记和课后习题考研真题完整版>精研学习䋞>无偿试用20％资料
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第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
4.3名校考研真题详解
第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
6.3名校考研真题详解
第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
7.2课后习题详解
7.3名校考研真题详解
第8章功率放大电路
8.1复习笔记
8.2课后习题详解
8.3名校考研真题详解
第9章直流电源
9.1复习笔记
9.2课后习题详解
9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。
第五章 放大电路的频率响应（童诗白）自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，oU 与i U 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
基础课程教学资料第八章波形的发生和信号的转换自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）在图T8.1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。
（）图T8.1（2）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（）（3）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（）（4）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（）解：（1）√（2）×（3）×（4）×二、改错：改正图T8.2所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
图T8.2解：（a）加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
（b）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.3解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
如解图T8.3所示。
解图T8.3四、已知图T8.4（a）所示方框图各点的波形如图（b）所示，填写各电路的名称。
电路1为，电路2为，电路3为，电路4为。
图T8.4解：正弦波振荡电路，同相输入过零比较器，反相输入积分运算电路，同相输入滞回比较器。
五、试分别求出图T8.5所示各电路的电压传输特性。
图T8.5解：图（a）所示电路为同相输入的过零比较器；图（b）所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T＝±0.5 U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示解图T8.5六、电路如图T8.6所示。
图T8.6（1）分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路；（2）求出u O 1与u O 的关系曲线u O 1＝f （u O ）；（3）求出u O 与u O 1的运算关系式u O ＝f （u O 1）；（4）定性画出u O 1与u O 的波形；（5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）配套题库【考研真题精选＋章节题库】目录第一部分考研真题精选一、选择题二、填空题三、分析计算题第二部分章节题库第1章常用半导体器件第2章基本放大电路第3章集成运算放大电路第4章放大电路的频率响应第5章放大电路的反馈第6章信号的运算和处理第7章波形的发生器和信号的转换第8章功率放大电路第9章直流电源第10章模拟电子电路读图•试看部分内容考研真题精选一、选择题1以下说法正确的是（）。
[中山大学2018研]A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的D．若耗尽型N沟道MOS管的u G S大于零，则其输入电阻会明显变小【答案】A查看答案【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的u G S大于零，其输入电阻并不会有明显变化。
2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。
[中山大学2018研]A．增大B．不变C．变小【答案】A查看答案【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu G S之比，当漏极直流电流I D从2mA变为4m A时，显然g m增大。
3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。
[中山大学2017研] A．变窄B．基本不变C．变宽【答案】A查看答案【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。
4二极管的电流方程为（）。
[中山大学2017研]A．I s e UB．C．【答案】C查看答案【解析】二极管的I－V特性方程为其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则5U G S＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
