第6章电子与微电子材料
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第一章目前的微电子制造技术可以分为四个方面:双极型制造工艺、MOS制造工艺、Bi-CMOS制造工艺和SOI制造工艺。
双极型工艺的优缺点:(1)缺点:双极型工艺过程复杂、成本高、集成度低,在现在的超大规模集成电路中已经很少单独使用。
(2)优点:双极型工艺速度快、较大的电流驱动能力等特点是CMOS 工艺所达不到的。
在某些情况下,作为CMOS工艺的补充,双极型工艺仍然被少量地使用。
双极型三极管:是双极型工艺的典型器件,由两种载流子参与导电,由两个pn结组成,是一种电流控制电流源器件,分为PNP和NPN两种。
PN结隔离分为三种结构:(1)标准下埋集电极三极管(SBC)(2)集电极扩散隔离三极管(CDI)(3)三重扩散三极管(3D)典型的PN结隔离的双极型工艺流程复杂,总的工序一般有40多道(9次光刻,5次隔离)。
MOS场效应晶体管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管的简称,它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。
MOS晶体管是电压控制元件,参与导电的只有一种载流子,因此称其为单极型器件。
MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。
根据沟道掺杂不同,又可分为N沟道增强型晶体管、P沟道增强型晶体管、N沟道耗尽型晶体管、P沟道耗尽型晶体管。
MOS场效应晶体管利用栅极电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。
P沟道MOS晶体管与N沟道MOS晶体管同时运用到一个集成电路中就构成了CMOS集成电路。
双阱工艺CMOS器件的结构示意图Bi-CMOS技术是一种将CMOS器件和双极型器件集成在同一芯片上的技术。
Bi-CMOS的制作工艺主要分为两大类:(1)低端Bi-CMOS工艺:以CMOS工艺为基础(2)高端Bi-CMOS工艺:以双极型工艺为基础,可进一步分为P阱Bi-CMOS工艺和双阱Bi-CMOS 工艺。
SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘层上覆硅)器件与体硅器件相比,除了具备良好的抗辐射性能还具有以下各项优点:(1)功耗低(2)工作速度快(3)静电电容小,寄生电容小(4)可进一步提高集成电路芯片的集成度、功能和可靠性,能在微功耗、低电压、高温、高压等方面发挥它的优势(5)耐高温环境SOI晶圆结构示意图SOI材料是在绝缘层上生长一层具有一定厚度的单晶硅薄膜的材料。
贵州大学固体物理学教案第一章:固体物理学概述1.1 固体物理学的基本概念固体的定义与分类晶体的基本特征晶体的空间点阵与布拉格子1.2 固体物理学的研究方法实验方法:X射线衍射、电子显微镜、光谱学等理论方法:周期性边界条件、平面波展开、密度泛函理论等1.3 固体物理学的历史与发展固态电子学的兴起晶体生长的技术发展新型材料的发现与应用第二章:晶体的结构与性质2.1 晶体的点阵结构点阵类型的定义与特点晶胞的参数与坐标描述晶体的对称性分析2.2 晶体的物理性质热膨胀与导热性弹性与硬度电性质与磁性质2.3 晶体的电子结构能带理论的基本概念电子在晶体中的散射与迁移半导体与半金属的特性第三章:金属物理学3.1 金属的电子结构自由电子模型与费米面电子与晶格振动的合作效应电子的输运性质3.2 金属的晶体结构金属晶体的常见类型晶界的特性与分类多晶体与微观缺陷3.3 金属的相变与合金相变的类型与特点合金的性能与设计纳米结构材料的应用第四章:半导体物理学4.1 半导体的电子结构能带结构的类型与特点载流子的产生与复合半导体的掺杂效应4.2 半导体的导电性质霍尔效应与载流子迁移率光电导性与光吸收半导体器件的应用4.3 半导体材料与应用硅与锗的特性与应用化合物半导体材料新型半导体材料的研究方向第五章:超导物理学5.1 超导现象的发现与发展超导的定义与实验发现超导体的临界温度与临界磁场超导体的微观机制5.2 超导材料的性质与应用交流超导电缆与磁体超导量子干涉器高温超导材料的发现与应用前景5.3 高温超导材料的合成与表征高温超导材料的合成方法材料的结构表征技术材料的热电性质测量第六章:固体的磁性质与自旋电子学6.1 固体的磁性基础电子的自旋与磁矩磁性材料的类型与特点磁性的宏观表现:磁化、磁化率、磁滞回环6.2 磁性材料的微观机制顺磁性、抗磁性、铁磁性、反铁磁性磁畴与磁畴壁磁性材料的晶体结构与磁性关系6.3 自旋电子学及其应用自旋极化与自旋注入磁隧道结与自旋转移矩自旋电子学器件与新型存储技术第七章:固体的光学性质7.1 固体的能带结构与光吸收能带结构与光吸收的关系直接跃迁与间接跃迁带隙与半导体的发光性质7.2 固体的发光性质与LED技术发光二极管(LED)的工作原理半导体激光器有机发光二极管(OLED)7.3 非线性光学与光子晶体非线性光学效应与器件光子晶体的基本概念与特性光子晶体在光通信中的应用第八章:固体的电性质与器件8.1 固体的电导性与电阻器电导性的微观机制金属的电导性与电阻器半导体的电导性与二极管8.2 固体的晶体管与集成电路晶体管的工作原理集成电路的设计与制造微电子技术与纳米电子学8.3 新型纳米电子器件纳米线与纳米带器件单分子电子器件量子点与量子线器件第九章:固体的热性质与热力学9.1 固体的热传导性质热传导的微观机制热导率的测量与影响因素热绝缘材料与热开关9.2 热力学第一定律与第二定律热力学基本方程与状态方程熵与无序度的物理意义热力学循环与效率9.3 固体热力学应用实例热电材料与热电器件热泵与制冷技术热力学在能源转换中的应用第十章:固体物理学的前沿领域10.1 新型纳米材料一维纳米材料:纳米线、纳米管二维纳米材料:石墨烯、过渡金属硫化物三维纳米材料:纳米颗粒、纳米结构10.2 新型超导材料高温超导材料的发现与发展铁基超导材料的特性与应用拓扑绝缘体与量子相变10.3 量子计算与量子通信量子比特与量子电路量子纠错与量子保护量子通信的实验进展与未来挑战10.4 固态器件的模拟与设计计算机模拟方法与软件工具基于第一性原理的电子结构计算器件设计与优化的一般方法重点和难点解析重点一:晶体的基本特征与点阵结构晶体具有长程有序、周期性重复的点阵结构。
电子材料行业质量控制手册第1章质量控制概述 (5)1.1 质量控制的重要性 (5)1.2 质量控制的基本原则 (5)1.3 质量控制体系 (5)第2章电子材料行业背景及特点 (5)2.1 电子材料行业概述 (5)2.2 电子材料行业质量要求 (5)2.3 电子材料行业质量控制现状 (5)第3章电子材料质量标准与规范 (5)3.1 国内外电子材料质量标准 (5)3.2 电子材料质量规范制定 (5)3.3 质量标准的更新与维护 (5)第4章原材料质量控制 (5)4.1 原材料选择与采购 (5)4.2 原材料检验与验收 (5)4.3 原材料储存与运输 (5)第5章生产过程质量控制 (5)5.1 生产工艺流程优化 (5)5.2 在线检测与控制 (5)5.3 关键工序质量控制 (5)第6章质量控制工具与方法 (6)6.1 统计过程控制(SPC) (6)6.2 七种基本质量管理工具 (6)6.3 高级质量控制方法 (6)第7章质量管理体系建立与运行 (6)7.1 质量管理体系构建 (6)7.2 质量管理体系文件编写 (6)7.3 质量管理体系运行与改进 (6)第8章供应商质量控制 (6)8.1 供应商评估与选择 (6)8.2 供应商质量协议 (6)8.3 供应商质量改进 (6)第9章检验与测试 (6)9.1 检验计划制定 (6)9.2 抽样检验方法 (6)9.3 测试设备与实验室管理 (6)第10章质量问题分析与改进 (6)10.1 质量问题诊断与定位 (6)10.2 原因分析与解决方法 (6)10.3 改进措施实施与跟踪 (6)第11章客户满意度管理 (6)11.1 客户需求分析与梳理 (6)11.2 客户满意度调查与评估 (6)11.3 客户投诉处理与预防 (6)第12章持续改进与质量突破 (6)12.1 持续改进策略 (6)12.2 质量突破方法论 (6)12.3 质量改进成果分享与推广 (6)第1章质量控制概述 (6)1.1 质量控制的重要性 (7)1.2 质量控制的基本原则 (7)1.3 质量控制体系 (7)第2章电子材料行业背景及特点 (8)2.1 电子材料行业概述 (8)2.2 电子材料行业质量要求 (8)2.3 电子材料行业质量控制现状 (9)第3章电子材料质量标准与规范 (9)3.1 国内外电子材料质量标准 (9)3.1.1 国内电子材料质量标准 (9)3.1.2 国际电子材料质量标准 (10)3.2 电子材料质量规范制定 (10)3.2.1 确定规范范围 (10)3.2.2 收集资料和标准 (10)3.2.3 制定功能指标 (10)3.2.4 确定测试方法 (10)3.2.5 制定质量管理体系 (10)3.3 质量标准的更新与维护 (10)3.3.1 跟踪国内外标准动态 (10)3.3.2 评估现有标准的适用性 (10)3.3.3 征求意见和反馈 (11)3.3.4 发布和实施新标准 (11)第4章原材料质量控制 (11)4.1 原材料选择与采购 (11)4.2 原材料检验与验收 (11)4.3 原材料储存与运输 (12)第5章生产过程质量控制 (12)5.1 生产工艺流程优化 (12)5.1.1 分析现有工艺流程,找出存在的问题和瓶颈,针对性地进行改进。
微 电 子 器 件钟智勇办公室:<微电子楼>217室 电话:83201440 E-mail: zzy@ 答疑时间:周三晚上8:00-10:00绪 论1、课程介绍 2、半导体器件的发展简史 3、半导体器件的基本构件 4、半导体器件中的基本关系与方程一、课程介绍• 课程内容 • 为什么学习本课程 • 怎样学习本课程 • 课程的有关安排1、课程内容1.1、微电子器件与半导体器件的关系微电子器件微电子器件(Microelectronic Devices)主要是指 能在芯片上实现的电阻、电容、电感、半导体器 件等电子器件。
另一种说法是,微电子器件是指 芯片中的线宽在微米量级的器件,更小的称作纳 米电子器件。
半导体器件半导体器件(Semiconductor Device)指是利用半 导体材料(单晶)制备的具有特定功能的电子器 件。
1.2、半导体器件研究内容¾ 研究半导体器件中载流子(电子或空穴)的运动规律 ¾ 研究半导体器件中载流子运动行为的控制方法 ¾ 进而研究器件性能与器件结构以及材料特性间的关系 9 迄今大约有60种主要的半导 体器件以及100种和主要器件 相关的变异器件1.3、本课程的学习内容 1. pn结 2. 双极性晶体管(BJT) 3. MOS晶体管 建议阅读与深入学习内容 4.异质结微电子器件 5.有机微电子器件学习三种典型器件的 基本工作原理、结构 与电特性(交直流特 性等)的关系,为进 一步学习打下坚实的 理论基础。
6. 新器件(纳米-自旋电子器件)2、为什么学习本课程2.1 从课程体系看• 本课程是“电子科学与技术(微电 子技术)”与“集成电路设计与集 成系统”专业的一门专业主干课。
是从事微电子、集成电路等研究 、开发的专业基础课程之一IC的基础 数字集成电路的建库等 模拟集成电路、射频集成电路设计 近代集成电路设计和制造的重要理论基础9 9 9 92.2 从产业发展看电子产业的核心是集成电路,而半 导体器件是集成电路的基础电子工业是主导产业设 计 需求制 造封装测试 应用3、本课程的学习方法难 公式多 物理机理多1. 2. 3.理解推导思路 尽可能地亲自 推导相关公式 注意各公式的 使用条件 1. 结合物理机 理,理解与掌 握公式中各参 数之间关系 相关知识的灵 活应用1. 2.复习半导体物 理知识 多看、多思, 准确把握基本 物理概念及机 理2.4、本课程的讲述思路本课程目的: 三种器件的基本结构,工作原理,主要特性外电场作用下载流子在器件内的运动规律定性分析(掌握物理机理)定量分析(掌握器件性能与相关参数关系)掌握研究与 分析微电子 器件特性的 基本方法4、课程的相关安排与要求4.1、教材与参考书教材:微电子器件(第3版),陈星弼,张庆中,2011年参考书:1.半导体器件基础,B.L.Anderson, R.L.Anderson, 清华大学出版社,2008年2.半导体器件基础,Robert F. Pierret, 电子工业出版社,2004年3.集成电路器件电子学(第三版),Richard S. Muller,电子工业出版社,2004年4.半导体器件物理与工艺(第二版),施敏,苏州大学出版社,2002年5.半导体物理与器件(第三版),Donald A. Neamen, 清华大学出版社,2003年6. Physics of Semiconductor Devices( 3th Edition), S M Sze, Wiley-Interscience, 20072 晶体管的发明•1946年1月,Bell实验室正式成立半导体研究小组, W.Schokley,J. Bardeen、W. H. Brattain。
电子行业新型电子元器件研发方案第1章引言 (3)1.1 背景与意义 (3)1.2 国内外研究现状 (3)1.3 研究目标与内容 (3)第2章新型电子元器件技术概述 (4)2.1 新型电子元器件分类 (4)2.2 新型电子元器件发展趋势 (4)2.3 技术挑战与机遇 (5)第3章新型半导体材料研究 (5)3.1 材料选择与功能分析 (5)3.1.1 选取原则 (5)3.1.2 材料功能分析 (6)3.2 材料制备与表征 (6)3.2.1 制备方法 (6)3.2.2 表征技术 (6)3.3 材料在新型电子元器件中的应用 (6)第4章新型电子元器件设计与仿真 (7)4.1 设计原理与要求 (7)4.1.1 设计原理 (7)4.1.2 设计要求 (7)4.2 仿真模型与方法 (7)4.2.1 仿真模型 (7)4.2.2 仿真方法 (8)4.3 设计与仿真案例分析 (8)4.3.1 案例一:新型MOSFET器件设计 (8)4.3.2 案例二:新型铁电存储器设计 (8)第五章制造工艺与封装技术 (9)5.1 制造工艺研究 (9)5.1.1 制造工艺概述 (9)5.1.2 制造工艺关键技术研究 (9)5.2 封装技术探讨 (9)5.2.1 封装技术概述 (9)5.2.2 封装技术关键问题研究 (9)5.3 工艺与封装技术在新型电子元器件中的应用 (10)第6章新型传感器研发 (10)6.1 传感器类型与原理 (10)6.1.1 类型概述 (10)6.1.2 工作原理 (10)6.2 传感器设计方法 (10)6.2.1 敏感元件设计 (10)6.2.2 转换元件设计 (11)6.3 传感器功能测试与分析 (11)6.3.1 功能指标 (11)6.3.2 测试方法 (11)6.3.3 数据分析 (11)第7章新型功率器件研究 (11)7.1 功率器件类型与结构 (11)7.1.1 功率MOSFET (11)7.1.2 功率IGBT (11)7.1.3 功率二极管 (12)7.2 功率器件设计要点 (12)7.2.1 器件结构设计 (12)7.2.2 制造工艺 (12)7.2.3 封装技术 (12)7.3 功率器件功能评估 (12)7.3.1 静态特性 (12)7.3.2 动态特性 (12)7.3.3 可靠性 (12)7.3.4 应用场景 (12)第8章新型微电子器件摸索 (13)8.1 微电子器件发展趋势 (13)8.1.1 高集成度与小型化 (13)8.1.2 低功耗与高功能 (13)8.1.3 新材料与新工艺 (13)8.2 微电子器件设计创新 (13)8.2.1 器件结构创新 (13)8.2.2 封装技术革新 (13)8.2.3 系统集成创新 (13)8.3 微电子器件应用前景 (13)8.3.1 智能终端 (13)8.3.2 物联网 (14)8.3.3 高功能计算 (14)8.3.4 智能汽车 (14)第9章研发成果验证与优化 (14)9.1 实验设计与实施 (14)9.1.1 实验样本制备 (14)9.1.2 实验设备与仪器 (14)9.1.3 实验方法 (14)9.1.4 实验过程 (15)9.2 测试结果分析 (15)9.2.1 高温高湿实验结果分析 (15)9.2.2 温度冲击实验结果分析 (15)9.2.3 振动实验结果分析 (15)9.2.4 电功能测试结果分析 (15)9.3.1 结构优化 (15)9.3.2 材料选择 (15)9.3.3 工艺改进 (15)9.3.4 电功能优化 (15)第十章市场分析与未来展望 (16)10.1 新型电子元器件市场分析 (16)10.2 竞争对手分析 (16)10.3 未来发展趋势与展望 (16)第1章引言1.1 背景与意义信息技术的飞速发展,电子行业在国民经济中的地位日益显著。