华南理工大学 清华大学教材 模拟电子技术基础-课程作业答案

模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B；C；F；2、C；D；3、B、E4、B、E；5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问：没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问：rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A．(A) 电压串联B．(B) 电压并联C．(C) 电流串联D．(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。

2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。

习题（1）A C （2）A （3）C （4）A不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。

u i 和u o 的波形如图所示。

ttttu i和u o的波形如图所示。

u o的波形如图所示。

I D＝（V－U D）/R＝，r D≈U T/I D＝10Ω，I d＝U i/r D≈1mA。

（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。

I ZM＝P ZM/U Z＝25mA，R＝U Z/I DZ＝～Ω。

（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。

第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。

2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。

习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。

1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。

模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3.2解：当u i>0V时，D导通，u o =u i；当u i≤0V时，D截止，u o=0V。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。

电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业答案教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i=150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O的波形。

20V100Vu Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V ωt150ωt10060u i V /0100605电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

u I2R Lu Ot 1t 2t2D 1D 2图1图2u I1+-u I1-22-2u I2/ V答案t 1t 2u O /V -2t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

++++++++U CCoU CCU CCU CC()a (c)(d)+--+-+-+-+-+-+-u iu iu ou iu ou i++++2图示电路，已知晶体管β=60，U BE.V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B应取( a )。

(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u u i+-+-+12V3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u与u O的波形，并标出幅值。

i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

华工模拟电子技术基础平时作业参考解答过程一、反馈放大电路作业题1.已知反馈放大电路的放大倍数A=1000，反馈系数β=0.01，求开环增益Af和闭环增益A。

解答过程：首先，我们可以利用反馈放大电路的基本公式：A=Af/(1+Aβ)，其中A为闭环增益，Af为开环增益，β为反馈系数。

根据题目给出的已知条件，代入公式进行计算：A=1000/(1+1000*0.01)=1000/(1+10)=1000/11≈90.91所以，闭环增益A约为90.91，开环增益Af为1000。

2. 将一个放大倍数A=1000的反馈放大电路，加上一个带通滤波电路，滤波器增益模为0.1，求该系统的直流增益Adc和交流增益。

解答过程：在这个问题中，我们需要考虑到加入了滤波器增益模为0.1的带通滤波电路，所以我们需要分别计算直流增益Adc和交流增益。

首先，直流增益Adc可以通过将输入信号的频率调整为0，然后计算输出信号和输入信号的比值来求得。

根据题目给出的放大倍数A=1000，Adc = Af * 滤波器增益模 = 1000 * 0.1 = 100。

其次，交流增益可以通过将输入信号的频率调整为一个很小的数（通常为零），然后计算输出信号和输入信号的比值来求得。

根据题目给出的放大倍数A=1000，交流增益等于放大倍数A。

所以，交流增益等于1000。

二、运算放大器作业题1.已知运放电路中的输入电阻为1kΩ，运放电路的放大倍数为1000，输入电压为5mV，求输入电流。

解答过程：首先，根据题目给出的运放电路的输入电阻为1kΩ，我们可以知道输入电流Iin等于输入电压Vin除以输入电阻Rin。

所以，输入电流Iin = Vin / Rin = 5mV / 1kΩ = 5μA。

所以，输入电流为5μA。

解答过程：所以，输出电压为100V。

总结：在模拟电子技术基础课程中，我们学习了反馈放大电路和运算放大器的基本原理和计算方法。

通过解答反馈放大电路和运算放大器的作业题，我们巩固了所学知识，并学会了如何计算闭环增益、开环增益、直流增益、交流增益、输入电流和输出电压等参数。

模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA .如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0。

1pA 。

（1）当二极管正偏压为0。

65V 时，二极管的正向电流为多少？(2）当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时,S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k （即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1—3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示.已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。

试求： （1)流过二极管的直流电流;(2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。