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结型场效应晶体管
1 场效应晶体管
场效应晶体管（Field-Effect Transistor，简称FET），是一种
小尺寸、低功耗、高速度的电动学元件，它是半导体物理的一个重要
表现，是一种关于电场和物质的交互作用的元件，是当今微机设计的
基础和原材料。
2 具体特征
场效应晶体管通常由三个部分组成，即源极电极、屏蔽极电极和
控制极电极，它们均处在一个封装的金属外壳内，以及其中的一层能
带 Git 隔离的绝缘薄膜。
场效应晶体管的特性有节流特征、抗漏特征，具有噪声放大小、低漏极性和小尺寸可靠性优点，因此它在电子设计
中是十分重要的一种晶体管。
3 应用
在军事、航空、通信等领域，场效应晶体管可以实现信息的传递
和控制，利用场效应晶体管实现信号截取，对于电子设计也是必不可
少的。
在家用电器如空调、电视机、洗衣机等设备中也可以看到场效
应晶体管的应用，例如微波炉、录像机等，在它们的控制系统中都有
场效应晶体管的使用。
4 总结
FET 是一种场效应晶体管，它通过电场控制导通电流，具有低功耗、小尺寸和高效率等优势，在电子设备的控制系统中是十分重要的一种元件，其极大地促进了电子科学的发展。
结型场效应管原理
场效应管是一种半导体器件，常用于放大、开关电路等应用。
结型场效应管（JFET）是其中一种常见的结构。
JFET的主要原理是利用PN结形成的场效应。
它由三个区域组成：中间是一个P型或N型的半导体材料，两侧分别是控制电极（Gate）和输出电极（Drain与Source）。
控制电极之间形成的PN结—反向偏置结（Reverse biased junction），形成一个可控制的电场区域，这个电场区域控制了从Source到Drain的电流。
在工作时，当Gate和Source之间的电压增加时，PN结的电导性减小，电场区域增宽。
这会导致Source到Drain的电流减小，即输出电流被控制。
这种控制过程是通过改变电场区域宽度而实现的，因此称为场效应。
JFET有两种常见的结构：N型JFET和P型JFET。
N型JFET 是由P型材料夹在两个N型材料之间形成的，而P型JFET则是由N型材料夹在两个P型材料之间形成的。
两者的工作原理基本相同，只是电流流动方向相反。
在实际应用中，JFET具有很多优点，比如体积小，可以工作在较高的频率范围内，具有较低的噪声，以及可以工作在宽温度范围内等。
因此，JFET被广泛应用于放大器、开关和稳压器等电路中。
实验六 结型场效应管放大电路一．实验摘要通过对实验箱上结型场效应管的测试，认识N 沟道JFET 场效应管的电压放大特性和开关特性。
给MOS 管放大电路加输入信号为：正弦波，Vpp=200mV-500mV ，f=2Khz 。
测量输入电阻时，输入端的参考电阻Rs=680K 。
二．实验主要仪器三极管，万用表，示波器，信号源及其他电子元件。
三．实验原理场效应管放大器性能分析图6－1为结型场效应管组成的共源级放大电路。
其静态工作点2PGS DSS D )U U (1I I -= 中频电压放大倍数 A V ＝－g m R L ＇＝－g m R D // R L 输入电阻 R i ＝R G ＋R g1 // R g2 输出电阻 R O ≈R D式中跨导g m 可由特性曲线用作图法求得，或用公式 )U U(1U 2I g PGS P DSS m --= 计算。
但要注意，计算时U GS 要用静态工作点处之数值。
输入电阻的测量方法场效应管放大器的静态工作点、电压放大倍数和输出电阻的测量方法，与实验二中晶体管放大器的测量方法相同。
其输入电阻的测量，从原理上讲，也可采SD DD g2g1g1S G GS R I U R R R U U U -+=-=用实验二中所述方法，但由于场效应管的R i 比较大，如直接测输入电压U S 和U i ，则限于测量仪器的输入电阻有限，必然会带来较大的误差。
因此为了减小误差，常利用被测放大器的隔离作用，通过测量输出电压U O 来计算输入电阻。
测量电路如图所示。
输入电阻测量电路在放大器的输入端串入电阻R ，把开关K 掷向位置1（即使R ＝0），测量放大器的输出电压U 01＝A V U S ；保持U S 不变，再把K 掷向2（即接入R ），测量放大器的输出电压U 02。
由于两次测量中A V 和U S 保持不变，故V S iii V 02A U R R R U A U +== 由此可以求出 R U U U R 02O102i -=四．实验步骤1.检测实验所用三极管及示波器是否能够正常使用；2.由于电路图已经搭建好，接通信号源，连接示波器；3.调节电路板上的旋钮，使波形先后处于截止，饱和的状态，测量此时的GS V 、DS V 和3R V ；4.调节电路板上的旋钮，使波形处于既不截止又不饱和的状态，测量输入电阻。
场效应晶体管的分类
1. 结型场效应晶体管啊，这可就像电路中的小卫士！比如在一些音频放大器里就能看到它的身影呢。
2. 绝缘栅型场效应晶体管，那可是厉害角色，就如同精确的指挥官，在各种电子设备中掌控着电流，像电脑里就有它在默默工作哟。
3. 增强型场效应晶体管呀，简直是给电路注入活力的魔法棒！想想那些快速运行的电子玩具，可不就有它的功劳。
4. 耗尽型场效应晶体管呢，就好像沉稳的老大哥，在很多地方都发挥着独特作用，比如一些仪器仪表里就有它哦。
5. N 沟道场效应晶体管，不就如同勇敢的战士在电流的战场上冲锋陷阵嘛，好多电子产品可都靠它啦。
6. P 沟道场效应晶体管，像是默默奉献的幕后工作者呢，在特定的电路环境里发挥关键作用，一些智能设备中可少不了它。
7. 高压场效应晶体管，那就是应对大场面的强者呀！难道不是在高压环境下展现出强大的力量吗？
8. 低噪声场效应晶体管哇，就如同一个安静的守护者，悄悄地让设备安静而高效地运行，像一些精密仪器里它可重要了呢。
总之，场效应晶体管的分类丰富多样，每一种都在电子世界里有着不可替代的地位呀！。
结型场效应管工作原理场效应管简称FET，是一种可以调控电流的电子器件。
它具有低功耗、高带宽和高输入阻抗等优势，因此在模拟和数字电路中被广泛应用。
PN结型JFET由PN结与控制电极（门极）组成。
PN结由一个P型区和两个N型区组成，控制电极将外部电场应用于PN结。
在没有输入电压的情况下，JFET处于截止区，导通状态。
当外加一个负偏压（Vgs）时，控制电极中的电子从PN结中受到吸引，形成一个电子井，电子井的深度和宽度由Vgs控制。
PN结中的载流子移动会减少井的深度，导致电阻增加。
新来的电子流与减少的电子流相抵消，保持平衡。
在平衡状态下，电流保持不变，即输入电流等于输出电流。
因此，JFET被称为恒流源。
当控制电极中的电压增大，导电路径的宽度减小，电流减小。
类似地，当控制电极中的电压减小，导电路径的宽度增加，电流增加。
PN结型JFET主要有三个工作区域：截止区、三级区和饱和区。
在截止区，输入电压较低，导通电流很小。
在三级区，输入电压增大，电流增大。
在饱和区，输入电压进一步增大，电流几乎保持不变。
JFET的输人电导（gm）是指输出电流变化与输入电压变化的比例。
输入电导是一个重要的参数，用于描述JFET的电流放大特性。
输入电导又与电流平方成正比，因此平方特性也是JFET的一个重要特点。
除了上述工作原理外，JFET还具有一些特殊特性。
首先，JFET具有高输入阻抗，因此具有很好的阻抗匹配能力。
其次，JFET没有输入电流偏置，因此它几乎没有直流功耗。
此外，JFET具有极低的噪声水平，使其成为放大器、滤波器和混频器等器件的理想选择。
总之，结型场效应管通过控制电场在PN结中的分布，从而调节输出电流。
它具有恒流源特性、平方特性以及高输入阻抗等特点。
结型场效应管被广泛应用于各种电子器件中，为实现低功耗、高效率的电路设计提供了很大的便利。
