硅料的清洗方法讲解(图文)_走过路过不要错过

硅片清洗的方法一、硅片清洗的重要性硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。

现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。

这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。

表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。

超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。

二、硅片的表面状态与洁净度问题：硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附，其表面往往有一层很薄的自然氧化层，厚度为几个埃、几十个埃甚至上百埃。

真实的硅片表面是内表面和外表面的总合，内表面是硅与自然氧化层的界面，。

外表面是自然氧化层与环境气氛的界面，它也存在一些表面能级，并吸附一些污染杂质原子，而且不同程度地受到内表面能级的影响，可以与内表面交换电荷，外表面的吸附现象是复杂的。

完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层，代之以氧化物的、氯化物的或其它挥发元素(或分子)的连续无害膜层，即具有原子均质的膜层。

硅片表面达到原子均质的程度越高．洁净度越高。

三、硅片表面沾污杂质的来源和分类：在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接麓的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。

这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染，环境污染，水造成的污染，试剂带来的污染，工业气体造成的污染，工艺本身造成的污染，人体造成的污染等。

表1.硅片表面沾污杂质的分类四、清洗方法（一）RCA清洗：RCA 由Werner Kern 于1965年在N.J.Princeton 的RCA 实验室首创, 并由此得名。

硅料的清洗方法讲解（图文）在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。

要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。

就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。

原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。

但问题是：1、生产厂家处理了没有?2、生产厂家处理的结果是什么?3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。

通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。

硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。

还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。

头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。

因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。

我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。

这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。

碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。

埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。

综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。

我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。

其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。

一、硅料的浸泡随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。

硅料的清洗方法讲解图文走过路过不要错过 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。

要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。

就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。

原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。

但问题是：1、生产厂家处理了没有2、生产厂家处理的结果是什么3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。

通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。

硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。

还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。

头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。

因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。

我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。

这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。

碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。

埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。

综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。

我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。

其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。

硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。

2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。

由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3．1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。

化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。

3．1．1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。

CL2+UV（〈400nm〉表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3．1．2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。

它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。

选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。

如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。

硅料的清洗方法讲解（图文）_走过路过不要错过在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。

要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。

就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。

原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。

但问题是：1、生产厂家处理了没有2、生产厂家处理的结果是什么3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。

通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。

硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。

还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。

头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。

因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办那就是清洗。

我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。

这三个问题怎样处理切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。

碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。

埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。

综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。

我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。

其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。

一、硅料的浸泡随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。

颗粒硅清洗工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!颗粒硅的清洗工艺流程详解在半导体制造和光伏行业中，颗粒硅作为重要的原材料，其纯净度直接影响到产品的质量和性能。