硅料的清洗方法讲解(图文)_走过路过不要错过
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硅胶清洗方法
硅胶清洗方法硅胶是一种常见的材料，它在日常生活中被广泛应用于各种领域。
然而，随着时间的推移，硅胶可能会变得脏兮兮的，需要进行清洗。
那么，该如何正确地清洗硅胶呢？接下来，我将为大家介绍几种简单有效的硅胶清洗方法。
首先，我们可以使用清洁剂来清洗硅胶。
选择一种温和的清洁剂，将其稀释后，用湿布蘸取清洁剂，轻轻擦拭硅胶表面。
在清洁时，要注意不要使用过于刺激的清洁剂，以免对硅胶造成损害。
清洁完成后，用清水将表面残留的清洁剂洗净，然后用干布擦干即可。
其次，可以选择使用醋来清洗硅胶。
醋是一种温和的清洁剂，对硅胶没有任何腐蚀作用。
我们可以将适量的白醋倒入清水中稀释，然后用湿布蘸取稀释后的醋水，对硅胶进行擦拭。
醋水不仅可以去除硅胶表面的污垢，还可以去除异味，让硅胶恢复清洁、清新的状态。
另外，可以利用漂白水来清洗硅胶。
漂白水是一种强力清洁剂，能够有效去除硅胶表面的顽固污垢。
但是，在使用漂白水清洗硅胶时，一定要注意稀释比例，以免对硅胶造成损害。
清洗完成后，一定要及时用清水将表面的漂白水洗净，以免残留的漂白水对硅胶产生腐蚀作用。
最后，可以使用专门的硅胶清洗剂来清洗硅胶。
市面上有许多针对硅胶材料的清洁剂，这些清洁剂不仅能够去除硅胶表面的污垢，还能够保护硅胶材料，延长其使用寿命。
使用时，只需按照清洁剂的说明进行操作即可。
总的来说，清洗硅胶并不是一件复杂的事情，只要选择合适的清洁剂，正确使用，就能够轻松去除硅胶表面的污垢，让硅胶保持清洁、整洁的状态。
希望以上介绍的几种方法能够帮助大家更好地清洗硅胶，让硅胶在我们的生活中发挥更好的作用。
硅片清洗的方法
硅片清洗的方法一、硅片清洗的重要性硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。
现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。
这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。
表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。
超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。
二、硅片的表面状态与洁净度问题：硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附，其表面往往有一层很薄的自然氧化层，厚度为几个埃、几十个埃甚至上百埃。
真实的硅片表面是内表面和外表面的总合，内表面是硅与自然氧化层的界面，。
外表面是自然氧化层与环境气氛的界面，它也存在一些表面能级，并吸附一些污染杂质原子，而且不同程度地受到内表面能级的影响，可以与内表面交换电荷，外表面的吸附现象是复杂的。
完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层，代之以氧化物的、氯化物的或其它挥发元素(或分子)的连续无害膜层，即具有原子均质的膜层。
硅片表面达到原子均质的程度越高．洁净度越高。
三、硅片表面沾污杂质的来源和分类：在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接麓的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。
这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染，环境污染，水造成的污染，试剂带来的污染，工业气体造成的污染，工艺本身造成的污染，人体造成的污染等。
表1.硅片表面沾污杂质的分类四、清洗方法（一）RCA清洗：RCA 由Werner Kern 于1965年在N.J.Princeton 的RCA 实验室首创, 并由此得名。
技术研发部硅料清洗实验工艺
技术研发部硅料清洗实验工艺1、原生多晶清洗工艺实验：1.1 混酸清洗：1.1.1 将多晶硅装入花篮中，每个花篮装料量不能超过花篮的2/3高；1.1.2在酸洗槽中加入清洗时需要的酸液，酸液按照下面的比例用量杯加入，氢氟酸：硝酸 =1:6（氢氟酸2.5升，硝酸15升），待所有酸液添加完成后，用PP搅拌棒将混酸搅动均匀，静置2分钟后，完成配酸作业；1.1.3将装完原生多晶硅的花篮放入酸洗槽中进行清洗，清洗的具体操作为：将花篮缓缓放入酸洗槽中，静置10-15秒后将PP搅拌棒放入酸液中对原生多晶硅进行搅拌，先沿着花篮内圈用搅拌棒顺时针搅拌三圈，顺时针搅拌完成后再逆时针搅拌三圈，所有搅拌完成后，将装有硅料的花篮在酸洗槽中再静置10-15秒后拿出，完成混酸清洗作业。
1.1.4所有完成混酸清洗的原生多晶硅在从酸液中拿出后，需先在溢流水槽中静置15秒以去除表面的大部分残留酸及降低硅料表面温度；1.1.5将直接纯水清洗的原生多晶硅放入溢流水槽中进行清洗，将装有硅料的花篮进入溢流纯水中，沿着花篮内圈用搅拌棒顺时针搅拌三圈，顺时针搅拌完成后再逆时针搅拌三圈，所有搅拌完成后，将装有硅料的花篮在溢流水槽中再静置2分钟后取出，完成纯水清洗作业；1.1.6 超声清洗作业: 将清洗完成后的硅料从花篮中取出，放入网布加入超声波清洗机中进行超声清洗作业，每台超声波清洗机中装料不多于30-50公斤/台；超声清洗时间为30分钟，现场工艺以实际工艺流程卡为准，超声清洗过程中，每10分钟左右需提起网布抖动3次；超声作业完成后，应先将超声发生器主机电源关闭，将硅料连同网布直接放到烘车花篮中进行烘干后单独包装注明技术实验用料；2、单晶循环料2.1.1 混酸清洗:首先观察单晶边皮料、头尾料的表面，如果有明显的油性笔痕迹，需将物料用沾有酒精的百洁布将字迹擦净。
确保表面没有明显的字迹后，将硅料均匀的摆放到方形花篮中，确保每块硅料不能层叠摆放，每个花篮装料量为20-25公斤；）2.1.2在酸洗槽中加入清洗时需要的酸液，酸液按照下面的比例用量杯加入，氢氟酸：硝酸 =1:6（氢氟酸2.5升，硝酸15升），待所有酸液添加完成后，用PP搅拌棒将混酸搅动均匀，静置2分钟后，完成配酸作业；2.1.3将装完硅料的花篮放入酸洗槽中进行清洗，清洗的具体操作为：将花篮缓缓放入酸洗槽中，静置30-40秒后，用搅拌棒轻轻拨动硅料，确保每个表面都可以被酸液清洗到，完成上述操作后，将花篮在酸洗槽中再静置20-30秒后拿出，完成混酸清洗作业。
硅片清洗技术详解
硅片清洗技术详解硅片清洗主要内容讲解1、清洗的基本概念和目的。
硅片加工的目的是为器件生产制作一个清洁完美符合要求的使用表面，所谓清洗，就是清洗硅片的表面，去除附着在硅片上的污染物。
2、硅片清洗室的管理与维护；（1）人员流动的管理和清洁室的作业人数。
（2）清洗室内物品器具的管理。
（3）清洗室内其它影响清洗质量因素的管理维护。
如；空气过滤系统、防静电处理、温度与湿度系统等！3、硅片表面沾污的类型；（！）有机杂质沾污；如；胶黏剂、石蜡、油脂等。
（2）颗粒类型杂质沾污；一般来自加工中磨料和环境中的尘粒。
（3）金属杂质沾污；由生产加工的设备引起的金属杂质沾污。
4、硅片清洗处理方法分类；硅片清洗处理方法分为湿法清洗和干法清洗两大类。
而湿法清洗又分为化学清洗和物理清洗两种方法。
化学清洗——利用各种化学试剂对各种杂质的腐蚀、溶解、氧化及络合等作用去除硅片表面的沾污。
物理清洗——硅片的物理清洗法主要指的是利用超声波和兆声波清洗方法。
5、化学清洗的各种试剂的性质应用和分级；（1）有机溶剂清洗；有机溶剂能去除硅片表面的有机杂质沾污。
主要溶液有；甲苯、丙酮、乙醇等。
根据其性质须在使用甲苯、丙酮后在使用乙醇进行处理，最后在用水冲洗。
（2）无机酸及氧化还原清洗；无机酸试剂主要为；盐酸（HCI）、硝酸（HNO3）、硫酸（H2SO4）、氢氟酸（HF）以及过氧化氢（H2O2）—双氧水。
其中过氧化氢主要用于氧化还原清洗。
其它试剂按其本省性质进行应用清洗。
硅片金属清洗主要是利用了它们的强酸性、强腐蚀性、强氧化性的特性从而达到去除表面金属沾污的目的。
（3）化学清洗的分级主要分为优级纯、分析纯和化学纯三个级别。
视清洗的种类和场合进行合理选择。
通常硅片切割片和研磨片的清洗可以使用分析纯试剂，抛光片须用优级纯试剂。
具体试剂分类有国家规定标准。
6、超声波清洗原理、结构和应用要素；原理—提供高频率的震荡波在溶剂中产生气泡和空化效应，利用液体中气泡破裂所产生的冲击来波达到清洗目地。
硅片清洗PPT
当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给 了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了 电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部 电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是：光子能量转换成电能 的过程。 2、晶体硅太阳电池的制作过程: "硅"是我们这个星球上储藏最丰富的材料 之一。自从上个世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改 变了一切，甚至人类的思维，20世纪末，我们的生活中处处可见"硅"的 身影和作用,晶体硅太阳电池是近15年来形成产业化最快的。生产过程 大致可分为五个步骤:a)提纯过程 b)拉棒过程 c)切片过程 d)制电池过程 e)封装过程. 如下图所示：
14
硅片制绒
单晶制绒
单晶制绒工艺：
NaOH，Na2SiO3，IPA混合体系进行硅片制绒。 配比要求： NaOH浓度0.8wt%-2wt%； Na2SiO3浓度0.8wt%2wt%；IPA浓度5vol%-8vol%。 制绒时间：25-35min，制绒温度75-90oC。
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硅片制绒
单晶制绒
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硅片制绒
单晶制绒
各向异性腐蚀机理：
1967年，Finne和Klein第一次提出了由OH-，H2O与 硅反应的各向异性反应过程的氧化还原方程式： Si+2OH-+4H2O→Si(OH)62-+2H2； 1973年，Price提出硅的不同晶面的悬挂键密度可能 在各项异性腐蚀中起主要作用； 1975年，Kendall提出湿法腐蚀过程中，（111）较（ 100）面易生长钝化层； 1985年，Palik提出硅的各向异性腐蚀与各晶面的激 活能和背键结构两种因素相关，并提出SiO2（OH）22-是 基本的反应产物；
硅胶清洗方法
硅胶清洗方法硅胶是一种常见的材料，广泛应用于生活和工业中。
在使用硅胶制品的过程中，难免会出现一些脏污和污渍，因此清洗硅胶制品是必不可少的。
下面将介绍几种常见的硅胶清洗方法，希望能对大家有所帮助。
首先，我们来讲讲硅胶制品的日常清洗方法。
对于一些小型的硅胶制品，比如硅胶餐具、硅胶玩具等，我们可以选择用温水和中性洗涤剂进行清洗。
首先将硅胶制品浸泡在温水中，然后加入适量的中性洗涤剂，用软毛刷轻轻刷洗，最后用清水冲洗干净即可。
需要注意的是，清洗后的硅胶制品要彻底晾干，避免残留水分导致细菌滋生。
其次，对于一些大型的硅胶制品，比如硅胶垫、硅胶垫片等，我们可以选择用清洗剂进行清洗。
首先将硅胶制品放入清洗槽中，加入适量的清洗剂，然后开启清洗设备进行清洗。
清洗完毕后，将硅胶制品取出，用清水冲洗干净，然后晾干即可。
需要注意的是，清洗剂的选择要注意避免对硅胶造成损害，最好选择专用的硅胶清洗剂。
另外，对于一些硅胶密封圈、硅胶管等零部件，我们可以选择用酒精进行清洗。
首先将硅胶零部件取出，放入酒精中浸泡一段时间，然后用软毛刷轻轻刷洗，最后用清水冲洗干净即可。
需要注意的是，酒精清洗后要充分挥发，确保硅胶零部件完全干燥后再进行使用。
最后，对于一些硅胶制品表面的顽固污渍，我们可以选择用漂白水进行清洗。
首先将漂白水稀释后，用软布蘸取，轻轻擦拭硅胶制品表面的污渍，然后用清水擦拭干净即可。
需要注意的是，漂白水要避免与其他清洗剂混合使用，以免产生有害气体。
综上所述，清洗硅胶制品并不是一件复杂的事情，只要选择合适的清洗方法，就能轻松去除污渍，保持硅胶制品的清洁和卫生。
希望以上介绍的几种清洗方法能对大家有所帮助，让我们的生活更加美好。
以上就是关于硅胶清洗方法的相关内容，希望对大家有所帮助。
如果有任何疑问或者其他清洗方法，欢迎大家留言讨论。
【半导体清洗】半导体第五讲硅片清洗(4课时)
36
37
B式清洗程序
• B式清洗程序的微粒、金属杂质去除效果比A式清洗好，已取代A式 清洗程序成为主要的湿式化学清洗程序。DHF中的浸蚀时间根据去 除氧化层的厚度而定，并需考虑氧化层刻蚀的均匀度。 B式清洗常 被用来作为栅极氧化层前清洗，因此需特别注意清洗后有源区 (active Area)的洁净度、微粒、金属杂质、有机污染、自然氧化物和 表面微粗糙度等。这种清洗程序也常被用来作为垫层氧化（pad oxide)及场区氧化(field oxide）前清洗和离子注人后清洗。
15
金属的玷污
➢ 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺
➢ 量级：1010原子/cm2
Fe, Cu, Ni,
Cr, W, Ti…
Na, K, Li…
➢ 影响： ➢ 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 ➢ 增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命
16
不同工艺过程引入的金属污染
离子注入
的可靠性。
42
SPM清洗
• 在前面已经讨论硫酸清洗去除光刻胶及其清洗配方。这里主要讨论 PSG、BFSG或全面离子注入(blanket implant)后的清洗。在磷硅玻璃 或硼磷硅玻璃沉积后，SPM清洗的主要目的是将玻璃沉积后析出表 面的磷玻璃及硼玻璃溶于硫酸，以消除表面的磷斑点或硼斑点。因 为磷、硼玻璃的吸水性较强，沉积后的磷硅玻璃或硼磷硅玻璃放置 在空气中，硼斑点或磷斑点将吸收空气中的水气形成磷酸或硼酸， 使沉积后的晶片表面形成斑点的污染源，其反应式如 下:B2O3+3H2O→2H3BO3
冷冻喷雾清洗可应用在任何刻蚀工艺后的清洗如多l晶硅栅极氧化层刻蚀氧化物刻蚀接触孔及走线孔刻蚀后的清洗能有效地去除刻蚀后残留下来的有机和无机副产品及不纯物抑制刻蚀后的化学反应使刻蚀后的图形和线路更清晰洁净提高产品的成6667图3金属刻蚀后侧壁残留物冷冻喷洗前后比较图4冷冻喷雾清洗与湿式清洗对金属腐蚀的影响比较68对硅造成表面腐蚀较难干燥价格化学废物的处理和先进集成工艺的不相容为解决这些问题开发了许多替代的清洗技术干式清洗技术drycleantechnology即是其中之一但仍无法完全取代湿式化学清洗技术
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B式清洗程序
• B式清洗程序的微粒、金属杂质去除效果比A式清洗好，已取代A式 清洗程序成为主要的湿式化学清洗程序。DHF中的浸蚀时间根据去 除氧化层的厚度而定，并需考虑氧化层刻蚀的均匀度。 B式清洗常 被用来作为栅极氧化层前清洗，因此需特别注意清洗后有源区 (active Area)的洁净度、微粒、金属杂质、有机污染、自然氧化物和 表面微粗糙度等。这种清洗程序也常被用来作为垫层氧化（pad oxide)及场区氧化(field oxide）前清洗和离子注人后清洗。
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金属的玷污
➢ 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺
➢ 量级：1010原子/cm2
Fe, Cu, Ni,
Cr, W, Ti…
Na, K, Li…
➢ 影响： ➢ 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 ➢ 增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命
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不同工艺过程引入的金属污染
离子注入
的可靠性。
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SPM清洗
• 在前面已经讨论硫酸清洗去除光刻胶及其清洗配方。这里主要讨论 PSG、BFSG或全面离子注入(blanket implant)后的清洗。在磷硅玻璃 或硼磷硅玻璃沉积后，SPM清洗的主要目的是将玻璃沉积后析出表 面的磷玻璃及硼玻璃溶于硫酸，以消除表面的磷斑点或硼斑点。因 为磷、硼玻璃的吸水性较强，沉积后的磷硅玻璃或硼磷硅玻璃放置 在空气中，硼斑点或磷斑点将吸收空气中的水气形成磷酸或硼酸， 使沉积后的晶片表面形成斑点的污染源，其反应式如 下:B2O3+3H2O→2H3BO3
冷冻喷雾清洗可应用在任何刻蚀工艺后的清洗如多l晶硅栅极氧化层刻蚀氧化物刻蚀接触孔及走线孔刻蚀后的清洗能有效地去除刻蚀后残留下来的有机和无机副产品及不纯物抑制刻蚀后的化学反应使刻蚀后的图形和线路更清晰洁净提高产品的成6667图3金属刻蚀后侧壁残留物冷冻喷洗前后比较图4冷冻喷雾清洗与湿式清洗对金属腐蚀的影响比较68对硅造成表面腐蚀较难干燥价格化学废物的处理和先进集成工艺的不相容为解决这些问题开发了许多替代的清洗技术干式清洗技术drycleantechnology即是其中之一但仍无法完全取代湿式化学清洗技术
太阳能硅片的化学清洗技术
太阳能硅片的化学清洗技术一.硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。
B.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4µm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2µm颗粒。
C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。
b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。
硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。
a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
b.用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。
c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。
自1970年美国RCA 实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。
⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。
⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)。
⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304DSS清洗系统)。
⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。
⑹以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。
目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。
SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。
单晶硅清洗工艺
3.由于反应生成的六氟硅酸H2[SiF6]是一种强酸，在溶液中全 部电离。随着反应地进行，氢离子的浓度不断增加，就不 断增加反应速度。加入氟化铵以后，在反应中就不能生成 六氟硅酸，而是生成六氟硅酸铵，使氢离子浓度不会随反 应而增加。
腐蚀液的检测和调整
4.1 滴定管使用以及滴定技术：
滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器，分酸式和 碱式两种。酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞，用于装 酸性、氧化性、稀盐类溶液；碱式滴定管的下端用橡皮管 连接一个带尖嘴的小玻璃管，橡皮管内有一玻璃球，以控 制溶液的流出速度。
一次清洗
硅片
机械损伤层（10微米）
图2 单晶硅表面损伤层去除
c.形成金字塔型的绒面。
一次清洗
Reflectance
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
Wavelength (nm)
smooth texture
图3 单晶硅片表面的 金字塔状绒面
2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P 所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2 。
二次清洗
在二次清洗过程中，对二氧化硅的腐蚀发生如下反应：
SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O 由于这个反应太快，不便于控制，因此不能单独用氢氟作 为腐蚀剂。根据化学平衡原理，减小氢氟酸的浓度和氢离 子浓度，可以降低腐蚀速度。所以要在氢氟酸的溶液中加 入氟化铵溶液，以减少氢氟酸的浓度和氢离子的浓度，从 而减缓氢氟酸对SiO2的腐蚀速度。其原因： 1. 氟化铵是一种弱酸和弱碱组成的盐，由于它在水中可
腐蚀液的检测和调整
4.1 滴定管使用以及滴定技术：
滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器，分酸式和 碱式两种。酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞，用于装 酸性、氧化性、稀盐类溶液；碱式滴定管的下端用橡皮管 连接一个带尖嘴的小玻璃管，橡皮管内有一玻璃球，以控 制溶液的流出速度。
一次清洗
硅片
机械损伤层（10微米）
图2 单晶硅表面损伤层去除
c.形成金字塔型的绒面。
一次清洗
Reflectance
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
300
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600
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Wavelength (nm)
smooth texture
图3 单晶硅片表面的 金字塔状绒面
2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P 所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2 。
二次清洗
在二次清洗过程中，对二氧化硅的腐蚀发生如下反应：
SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O 由于这个反应太快，不便于控制，因此不能单独用氢氟作 为腐蚀剂。根据化学平衡原理，减小氢氟酸的浓度和氢离 子浓度，可以降低腐蚀速度。所以要在氢氟酸的溶液中加 入氟化铵溶液，以减少氢氟酸的浓度和氢离子的浓度，从 而减缓氢氟酸对SiO2的腐蚀速度。其原因： 1. 氟化铵是一种弱酸和弱碱组成的盐，由于它在水中可
硅胶清洗方法
硅胶清洗方法硅胶是一种常见的材料，广泛用于各种产品的制造中。
但是，随着时间的推移，硅胶表面可能会积聚灰尘、油渍或其他污垢，影响其外观和使用效果。
因此，了解如何正确清洗硅胶是非常重要的。
本文将介绍几种常用的硅胶清洗方法，希望对您有所帮助。
首先，最简单的方法是使用温和的肥皂水和软布来清洗硅胶。
将温水和少量的温和肥皂混合，然后用软布浸泡在肥皂水中，轻轻擦拭硅胶表面。
注意不要使用含有酒精或酸性成分的清洁剂，因为这些物质可能会损害硅胶材料。
清洗完毕后，用清水将表面残留的肥皂水彻底冲洗干净，然后用干净的软布擦干。
其次，如果硅胶表面有顽固的污垢，可以尝试使用稀释的白醋来清洗。
将白醋和水按1:1的比例混合，然后用软布蘸取混合液，轻轻擦拭硅胶表面。
白醋具有去污和除味的作用，可以有效清洁硅胶表面的污垢，并且对硅胶材料没有损害。
清洗完毕后，同样要用清水将表面彻底冲洗干净，然后擦干。
另外，如果硅胶表面有霉菌或细菌，可以考虑使用稀释的漂白水来清洗。
将漂白水和水按1:10的比例混合，然后用软布蘸取混合液，轻轻擦拭硅胶表面。
漂白水具有消毒和去除霉菌的作用，可以有效清洁硅胶表面，并且对硅胶材料影响较小。
清洗完毕后，同样要用清水将表面彻底冲洗干净，然后擦干。
最后，对于硅胶制品中的硅胶密封条，可以使用专门的硅胶清洁剂来清洗。
这些清洁剂通常具有去污、除味、杀菌的功能，可以更彻底地清洁硅胶表面，并且对硅胶材料没有损害。
清洗完毕后，同样要用清水将表面彻底冲洗干净，然后擦干。
总之，清洁硅胶的方法并不复杂，关键是选择合适的清洁剂和方法，避免使用对硅胶有害的化学物质。
另外，在清洗之后一定要用清水将表面彻底冲洗干净，然后擦干，确保清洁效果和硅胶材料的安全。
希望本文介绍的清洗方法对您有所帮助，谢谢阅读！。
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在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。
要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。
就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。
原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。
但问题是：1、生产厂家处理了没有2、生产厂家处理的结果是什么3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。
通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。
硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。
还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。
头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。
因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办那就是清洗。
我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。
这三个问题怎样处理切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。
碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。
埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。
综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。
我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。
其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。
一、硅料的浸泡
随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。
但对处理相对简单，低成本的可再利用料仍可以降低成本，这些主要是坩埚底料和半导体废片料等。
我们在对埚底料和半成品半导体硅片进行除石英和金属电路处理上通常采用洗篮和花篮静止泡洗12小时(根据酸的浓度和比例)。
这种方法是最简易和节约成本的。
问题在于静止过程中料的表面和酸反应、酸的处理能力需要长时间慢慢释放。
在此种情况下，如果加入循环泵，用于搅拌酸液，缩短浸泡时间更能起到均匀处理的作用。
如果用以上常规方法对小颗粒埚底料、碎电池片料和有电路半导体料进行浸泡就很难处理或者会造成更多的浪费。
因为在处理杂质过程中，酸在料的中心点的处理能力大大减弱，而在外围酸的强度没有改变，同时也损耗硅料。
针对此种情况要采用翻转式浸泡，利用浮力翻动，使得料在酸液中能进行均匀浸泡处理。
二、硅料的碱洗
在生产太阳能单晶多晶硅片过程中，都会产生晶棒的头尾边皮和切割后的残余。
其表面在加工过程中残留了切割液、金属离子、指纹和附带杂质等。
1、通常是把部分料在回用过程中需通过碱洗，从产生至清洗回用这个过程中要注意三个事项：
A.残余料产生到清洗时间尽量要短;
B.硅料尽量浸入溶液，不要裸露在空气中;
C.操作过程中应避免指纹留在硅料上。
2、清洗过程：
超声碱洗→超声漂洗→超声漂洗
3、清洗工艺：(一般情况)
清洗槽溶液时间温度超声功率
超声碱洗碱+ID 20min 60℃～80℃ 20w/升
超声漂洗 ID 20min 常温 20w/升
超声漂洗 ID 20min 常温 20w/升
4、清洗的头尾边料：
碱洗中主要清洗目的是去掉切割液和附带物等杂质。
切割下来的料放置时间过久会增加切割液和杂质的附着力，比如用完餐的碟子上的油脂，凝固了以后清洗时间会延长，清洗难度也增加了。
如果时间过长、温度不宜或环境不好还会造成氧化等化学反应，就像日常用的水龙头，经常擦洗会一直光亮，长时间不擦洗，被氧化成花纹等不良后果，很难恢复到以前的样子。
关于指纹的清洗工艺更难，原因有二：1、每个人分泌的手汗不同;2、每个人手指接触的地方不同。
指纹带来的杂质比较复杂，有酸性、有碱性、有油性，并且这些杂质会在料表面产生物理和化学反应。
我们对清洗没有指纹的硅料，用一种通用工艺就可以处理的。
因此在清洗行业里指纹是最难清洗的一种杂质，要处理长时间裸放的硅料我们的工艺要增加浸泡槽，使杂质的附着力柔化。
对有裂纹的硅料和坩底料的碱洗尽量要让纹路裂开，因为杂质或氧化物在裂纹里很难清洗干净。
如果没有氧化物在碱洗过程中碱液也会侵入到裂纹里，从而漂洗工艺里增加了难度。
5、清洗碎片料：
在切割、脱胶和清洗等过程中产生的碎片，通常是放在单槽或多槽超声波中清洗。
此方面存在的问题在于碎片有两个平面，它们容易粘合。
在粘合处的杂质、油污很难被清洗出来。
通过人工来处理一方面劳动强度大，另一方面硅片会更碎，更难处理。
我们介绍的方法是把碎片放入一个特定篮筐内，让其在溶液中翻转，利用溶液浮力和篮筐的翻转让硅片在溶液中漂浮，从而达到分离，完全清洗干净粘合面的杂质和油污。
要清洗干净一种硅料首先要分析硅料的种类，继而选择适合的工艺和方法。
没有洗不干净的料只有不正确的洗料方法。
对症下药才能事半功倍。
三、硅料的酸洗
在生产单晶棒和多晶块时，使用的硅料的纯度须达到%以上。
酸洗的目的主要是去除金属离子和氧化皮，原生多晶主要是在炸料时产生，头尾埚底及碎片主要是在切割时等情况产生。
1、酸洗方法：
A、原生多晶在生产厂家经过清洗处理原则上不需要再进行酸洗，对一些包装损坏或有疑惑的硅料依据情况选择酸洗方式。
一般采用柠檬酸或氢氟酸处理即可，若表面有氧化现象的采用混合酸洗;
B、头尾、埚底和碎片料，铸多晶时可以采用单酸洗，拉单晶时必须采用混合酸洗;
C、小颗粒和碎片料在酸洗时一定要多翻动，使其充分反应。
2、酸洗工艺：
A、根据不同硅料的情况配置相应的混合酸比例及选择酸的种类;
B、酸反应→纯水漂洗→纯水冲洗(酸洗到漂洗要注意控制时间避免氧化)
3、酸洗设备：
现今一般企业都采用二槽式手动酸洗产品：即酸槽、水槽另加冲水槽。
此设备适用于普通大块硅料清洗，对小颗粒和碎片硅料清洗有一定难度。
再者对操作人员要求相对较高，酸雾和酸液对操作人员的危害系数增多。
考虑安全生产和为了保证产品清洁度，在此设备上做了三项工艺改进：
A、在人员安全方面：采用了传动方式将工件篮放置在升降机构上，自动下降至酸槽，可避免酸液和酸雾对操作人员造成的伤害。
处理时间可以定时，到时自动升起。
B、在酸雾处理方面：常规办法是顶部吸风，致使酸雾在上升过程中易膨胀，泄漏到车间。
采用槽体侧吸风方法，在酸雾刚产生时就进行吸雾处理，顶部吸风和后吸风加强，空气对流避免酸雾往前泄漏;
C、在均匀清洗硅料方面：在升降机构上设计一个翻转动作，硅料一进入槽体即开始翻转动作，硅料便在酸液中滚动从而达到均匀清洗的目的。
在设定的时间内完成清洗，翻转停止，工件篮升出酸液;
D、在纯水漂洗槽内具有同样自动升降和翻转功能，达到无死角漂洗目的。
四、硅料的超声漂洗：
1、在硅料酸洗后，虽然经过了漂洗和冲洗，但在硅料的表面或缝隙等仍有可能残留酸。
如果直接干燥，残留酸会对硅料进行氧化，因此还需在酸洗后进行超声漂洗。
2、现在一般厂家采用酸洗后经过二级超声漂洗后，烘干、包装，还有一种是在超声漂洗后，再在ID水中养一段时间后烘干、包装。
实际上这些工序要分清硅料的种类和生产车间的环境等因素而定。
对一些相对较大的硅料是可以的，但是硅料不能在酸洗车间停留使其被酸雾污染。
3、若想达到更好的达到超声漂洗的目的：(1)、相对大的硅料采用纯水二级反溢流;(2)、小颗粒料和片料采用纯水三级反溢流，硅料最好要翻
动;(3)、超声清洗和酸洗需要隔离;(4)、避免使金属与硅料直接接触产生金属离子转移;(5)、对在同一台设备中完成酸洗、超声漂洗、干燥的设备，其吸风系统必须选用优良系统。