新型 650V 碳化硅肖特基二极管

碳化硅二极管型号碳化硅二极管是一种常见的电子元件，它具有许多不同的型号和规格。

本文将介绍一些常见的碳化硅二极管型号，以及它们的特点和应用领域。

1. 1N41481N4148是一种常见的快恢复二极管，它采用碳化硅材料制造。

该型号具有快速开关速度和较低的反向恢复时间，广泛用于通信设备、计算机和其他电子设备中的信号整形和开关电路中。

2. 1N40071N4007是一种常见的大功率二极管，它也采用碳化硅材料制造。

该型号具有较高的反向电压和较大的电流承载能力，常用于电源和电机驱动电路中的整流器。

3. UF4007UF4007是一种超快恢复二极管，它也是采用碳化硅材料制造的。

该型号具有较高的开关速度和较低的反向恢复时间，适用于高频电路和电源中的反向电压保护。

4. 1N58191N5819是一种常见的肖特基二极管，它采用碳化硅材料制造。

该型号具有较低的正向电压降和较快的开关速度，广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动器中。

5. 1N62631N6263是一种低压二极管，它也是采用碳化硅材料制造的。

该型号具有较低的正向电压降和较小的开启电流，常用于低压电源、电压参考和温度测量电路中。

6. 1N54081N5408是一种高电压二极管，它同样采用碳化硅材料制造。

该型号具有较高的反向电压和较大的电流承载能力，适用于电源和电机驱动电路中的整流器。

除了上述常见的碳化硅二极管型号，还有许多其他型号可供选择，以满足不同电路和应用的需求。

无论是高速开关电路、电源电路还是信号整形电路，选择合适的碳化硅二极管型号非常重要，以确保电路的正常工作和性能。

总结一下，碳化硅二极管具有许多不同的型号和规格，适用于各种不同的电子电路和应用领域。

通过了解不同型号的特点和应用，我们可以选择合适的碳化硅二极管，以满足我们的需求。

无论是快恢复二极管、大功率二极管还是肖特基二极管，碳化硅二极管都发挥着重要的作用，为电子设备的正常运行提供稳定的电流和保护。

肖特基二极管简介肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。

肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode.肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。

功放用肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，它在功放电路中发挥着重要的作用。

本文将从肖特基二极管的原理、特点以及在功放中的应用等方面进行介绍。

一、肖特基二极管的原理肖特基二极管是利用肖特基结的特殊性质而制成的二极管。

肖特基结是由金属与半导体之间的接触形成的，其结构与正常的PN结有所不同。

与PN结相比，肖特基结具有更低的正向电压降、更快的开关速度和更小的开关噪声等优点。

二、肖特基二极管的特点1. 低正向电压降：肖特基二极管的正向电压降很低，一般在0.2-0.5V之间。

这意味着在功放电路中，肖特基二极管可以有效地减小功耗，提高整体效率。

2. 快速开关速度：肖特基二极管的开关速度比普通二极管快得多。

这是由于肖特基结的结电容较小，能够更快地响应电路的变化。

3. 低开关噪声：由于肖特基二极管的结电容小，开关过程中产生的噪声也相对较小。

这对于要求低噪声的功放电路来说非常重要。

4. 高温稳定性：肖特基二极管具有较好的高温稳定性，能够在高温环境下正常工作。

这使得肖特基二极管在一些高温要求较高的场合得到广泛应用。

三、肖特基二极管在功放中的应用肖特基二极管在功放电路中有多种应用，下面将分别介绍几种常见的应用方式。

1. 整流电路：肖特基二极管由于其低正向电压降和快速开关速度的特点，非常适合用于功放电路中的整流电路。

它能够更有效地将交流信号转换为直流信号，提高功放电路的效率。

2. 电源保护：在功放电路中，肖特基二极管可以用于电源保护。

当输入电源出现反向电压或过电压时，肖特基二极管能够迅速切断电路，保护功放电路和其他元件的安全。

3. 稳压电路：由于肖特基二极管的稳定性好，可以用于功放电路中的稳压电路。

它能够稳定输出电压，保证功放电路的正常工作。

四、肖特基二极管的发展趋势随着科技的不断进步，肖特基二极管的性能不断提升。

目前，一些新型肖特基二极管已经实现了更低的正向电压降、更高的开关速度和更好的温度稳定性。

这使得肖特基二极管在功放电路中的应用更加广泛。

肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的整流器件。

它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。

肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。

二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。

例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。

2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。

例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。

3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。

例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。

4.最大瞬时正向电压（VF）：表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。

例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。

5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。

例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA（TA25）和 20.0mA（TA125）。

6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。

例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。

三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景：1.整流电路：将交流电转换为直流电，例如在电源电路中。

2.限幅电路：限制信号波形的幅值，例如在音频处理电路中。

3.开关电路：实现开关控制功能，例如在场效应管开关电路中。

4.稳压电路：稳定输出电压，例如在稳压电源电路中。

一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。

普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。

具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。

二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。

其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。

它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。

另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。

三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。

它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。

肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。

四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。

在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。

在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。

在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。

五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。

希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。

肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。

介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。

对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。

最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。

本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

Cree推出新型650V碳化硅肖特基二极管助力先进高能效数据中心电源系统设计科锐（Cree）公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V结型肖特基势垒（JBS）二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。

新型JBS二极管的阻断电压为650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。

据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达5%。

由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。

常规开关电源一般输入电压范围为90～264V，可以支持世界各地的各种交流输入电源。

现有的数据中心电源架构一般采用本地供电单位提供的三相/480V电源。

三相/480V电源经电力变压器降压为三相/208V电源，并经进一步处理后作为服务器电源的输入电源。

由于变压器的损耗，这种做法会降低总效率。

近期数据中心电源系统的发展趋势要求取消480V到208V的降压过程，以提高数据中心的总效率。

现在服务器电源有望直接从三相/480V相电压获得90～305V更宽泛的通用线电压（277V+10%的安全范围），而不再从三相/208V 相电压获得120V交流电压。

这种架构无需使用降压变压器，也就避免了相关的能耗及成本支出。

要让具有90～305V宽泛输入电压范围的服务器电源系统理想运行，就要求像肖特基二极管这样的功率电源器件具有高至650V的最大阻断电压。

Cree最新推出的650V额定器件为设计人员设计先进的数据中心和通信设备电源系统时提供了理想的解决方案，新款Z-Rec碳化硅二极管不仅提供了这些先进电源系统需要的650V阻断电压，而且与硅器件相比还能够消除反向恢复损耗，进一步降低能耗。

Cree 电源与射频部副总裁兼总经理Cengiz Balkas解释说：“碳化硅技术对开发新一代先进的高能效数据中心电源系统设计至关重要，因为它基本上消除了二极管的开关损耗。

众所周知，开关损耗是导致传统硅器件能效低的主要原因，因此采用碳化硅器件取代硅器件可以将电源的功率因数校正级的效率提升2个百分点，从而与单纯的架构修改相比能够带来更大的总效率提升。

碳化硅肖特基二极管的应用
碳化硅(SiC)肖特基二极管是一种新型半导体器件，具有高速、高温、高电压、高功率等优点，在电力电子、航空航天、汽车电子、军工等领域有着广泛的应用前景。

在电力电子领域，SiC肖特基二极管可以替代传统的硅元件，提高能效和可靠性。

在太阳能发电系统中，SiC肖特基二极管可以提高转换效率，减少损耗。

在轨道交通系统中，SiC肖特基二极管可以提高能源利用率，减少污染。

在军工领域，SiC肖特基二极管可以应用于高速电子战、通信系统等领域。

随着SiC肖特基二极管技术的不断发展，其应用领域将会更加广泛，为各行业的发展贡献力量。

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碳化硅快恢复二极管是一种高性能的功率半导体器件，具有高频率、低电压降和低功率损耗等优点，因此在电源、逆变器、汽车电子等领域得到了广泛的应用。

本文将主要介绍碳化硅快恢复二极管650V 8A 参数方面的相关内容。

1. 额定参数碳化硅快恢复二极管650V 8A的额定电压为650V，额定电流为8A。

这意味着该二极管可以在650V的电压下正常工作，并且可以承受不超过8A的电流。

这一参数是其正常工作的基本条件，也是其在实际应用中需要满足的最基本要求之一。

2. 反向恢复时间碳化硅快恢复二极管的反向恢复时间也是其重要参数之一。

650V 8A 的碳化硅快恢复二极管，在通电后能够在极短的时间内从导通状态迅速恢复到截止状态，这一特性使得其在高频开关电源和逆变器中具有重要的应用价值。

反向恢复时间长短直接影响了二极管在实际电路中的性能表现，因此该参数的优化对于碳化硅快恢复二极管的性能提升具有重要意义。

3. 导通压降碳化硅快恢复二极管的导通压降也是其重要参数之一。

650V 8A的碳化硅快恢复二极管在导通状态下具有较低的导通压降，这一特性使得其在功率电子器件中广泛应用。

较低的导通压降能够减小功率损耗，提高能效，因此对于碳化硅快恢复二极管的性能改善具有重要作用。

4. 封装类型碳化硅快恢复二极管650V 8A通常采用TO-220、TO-247等常见的封装形式，这些封装形式具有良好的散热性能和结构稳定性，能够满足对于高功率和高频率应用领域的实际要求。

良好的封装类型能够保证二极管的工作稳定性和可靠性，也是其在实际应用中被广泛采用的重要原因之一。

5. 可靠性指标除了以上主要参数外，碳化硅快恢复二极管650V 8A还需要满足一系列的可靠性指标，如温度特性、耐压能力、耐湿能力、抗干扰能力等。

这些可靠性指标是其在实际应用中必须要满足的，对产品品质和性能表现具有重要影响。

总结来看，碳化硅快恢复二极管650V 8A在电源、逆变器、汽车电子等领域的应用前景广阔，其具有较高的额定电压和电流、较短的反向恢复时间、较低的导通压降等优点，同时也需要满足一系列的可靠性指标。

38 THE WORLD OF INVERTERS安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V)SiC MOSFET 基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650V 击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp(Rdson*area)。

NVBG015N065SC1、N T B G 015N 065S C 1、N V H 4L 015N 065S C 1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L 和To247封装，具有市场最低的Rdson(12mOhm)。

这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。

内置门极电阻(Rg)为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。

更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

市场动态推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET 器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

设计人员用新的SiC 器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani等的硅开关技术显著提高性能，使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。

增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰(EMI)。

使用这些新的SiC MOSFET 的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。

”。

功率肖特基二极管esd
功率肖特基二极管（Power Schottky Diode）是一种特殊的肖特基二极管，用于在高功率和高频率应用中提供低压降和快速开关。

它由功能区域、阳极和阴极三部分组成，阳极作为高功率输入端，阴极为接地端。

功率肖特基二极管具有以下特点：
1. 低压降：由于其肖特基结的特殊构造，功率肖特基二极管具有低正向压降，可以减少能量损耗。

2. 高速开关：功率肖特基二极管具有快速开关特性，能够迅速地切换开关状态，适用于高频率应用。

3. 高温特性：功率肖特基二极管能够在高温环境下正常工作，具有良好的热稳定性。

4. 高电流承载能力：功率肖特基二极管能够承受较高的电流，适用于高功率应用。

5. ESD保护：功率肖特基二极管还具有电静电放电（ESD）保护功能，可以有效地防止和抑制ESD对电路的损害。

功率肖特基二极管常用于电源管理、交流/直流转换器、功率放大器、变换器等高功率和高频率应用中。

它们能够提供高效的能量转换和保护电路免受ESD等干扰。

肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理•FCH10A15型号简称：10A15•主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V•产品封装：TO-220F•脚位长度：6-12mm•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•型号全名：FCH20A15•型号简称：20A15•主要参数：20A 150V•产品封装：TO-220F•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。

因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

肖特基整流二极管的主要参数•以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：肖特基二极管肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 60.34SS12 GS DO214 1.00 200.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 400.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57SS16 GS DO214 1.00 600.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 510MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 76CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 203.00SS34 GS DO214 3.00 400.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 1000.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.9852CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.8465PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.5185CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045A IR D61 80.00 45 0.47 83CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41肖特基整流二极管型号额定I（AV）A VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns SB020 0.6 20 20 10SB030 0.6 30 20 10SB040 0.6 40 20 101N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10 SR230 2 30 50 10 SR240 2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25。

关于碳化硅功率器件的调研关于碳化硅功率器件的调研前言以硅器件为基础的电力电子技术，因大功率场效应晶体管(功率MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而日臻成熟。

目前,这些器件的开关性能己随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限,依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。

首先,硅低的击穿电场意味着在高压工作时需要采用厚的轻掺杂层,这将引起较大的串联电阻,特别是对单极器件尤其如此。

为了减少正向压降,电流密度必须保持在很低的值,因此硅器件的大电流是通过增加硅片面积来实现的。

在一定的阻断电压下,正向压降由于载流子在轻掺杂区的存储而降低,这种效应称为结高注入的串联电阻调制效应。

然而存储电荷的存储和复合需要时间,从而降低了器件的开关速度,增加了瞬态功率损耗。

硅器件由于小的禁带宽度而使在较低的温度下就有较高的本征载流子浓度,高的漏电流会造成热击穿,这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。

其它限制是硅的热导率较低。

于是,依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求,早在世纪交替之前就在电力电子学界与技术界形成共识,对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热点。

1 碳化硅材料以SiC,GaN 为代表的宽禁带半导体材料，是继以硅和砷化镓为代表的第一代&第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料。

表1列出了不同半导体材料的特性对比。

从表中可以看出，碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高，还具有电子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制作各种耐高温的高频大功率器件。

SiC 由碳原子和硅原子组成,其晶体结构具有同质多型体的特点，在半导体领域最常用的是4H-SiC 和6H-SiC 两种。

碳化硅材料的优异性能使得SiC 电力电子器件与Si 器件相比具有以下突出的性能优势：表1 不同半导体材料的特性对比类型Si GaAs GaN SiC 4H-SiC 6H-SiC 3C-SiC 禁带宽度/eV1.12 1.42 3.45 3.2 3.02.2 击穿电场（MV/cm ）0.6 0.6 >1 2.2 2.4 2 热导率（W/cm.k ）1.5 0.5 1.3 4.9 4.9 5 介电常数11.9 13.1 9 9.7 9.7 9.72 电子饱和漂移速度（10e7cm/s ）1.0 1.22.2 2 2 2.2 电子迁移率（cm2/v.s ）1200 6500 1250 1020 600 1000 空穴迁移率（cm2/v.s ） 420 320 850 120 40 40⑴SiC电力电子器件具有更低的导通电阻。

集成电路应用 第 38 卷 第 2 期（总第 329 期）2021 年 2 月 1Research and Design 研究与设计摘要：提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构，基于半导体仿真软件Silvaco，验证了其正反向的器件性能，并与目前国际最新的商业化产品进行对比。

使用更低势垒高度的钼（Mo）金属作为肖特基势垒金属，显著降低器件的开启阈值电压，利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽，在此基础上离子注入形成的深P+结，可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度，从而降低器件的反向漏电流。

双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻，提升器件整体导通性能。

关键词：碳化硅肖特基二极管，Silvaco，势垒高度，双层外延，沟槽。

中图分类号：TN402，TN311.7 文章编号：1674-2583(2021)02-0001-03DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.02.001中文引用格式：季益静.低导通压降和低反向漏电流碳化硅肖特基二极管的研究[J].集成电路应用, 2021, 38(02): 1-3.两个P+结之间区域形成肖特基接触，这些P+结会在正向导通大电流时开启，形成少数载流子注入，借助电导调制效应提升单极型器件的抗浪涌电流能力。

由于得到两侧P+结耗尽区的屏蔽保护，反向阻断时肖特基区域的电场强度也可以大大降低[3]。

目前商业化的碳化硅肖特基二极管各方面性能已非常出色，相比于硅基快恢复二极管，目前存在的主要问题是导通压降相对较高，主要表现为开启阈值电压较高（碳化硅二极管一般为1.0V，硅快恢复二极管仅为0.7V），这主要由于碳化硅材料与现有常用的势垒金属（一般为钛金属）形成的势垒高度较大。

目前国际上领先的碳化硅器件厂商已开发出基于更低势垒高度的钼（Mo）势垒金属的碳化硅肖特基二极管，可以将二极管的开启电压降低到0.6V，显著降低碳化硅二极管的正向导通损耗[4]。

常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关速度、低反向电流和低电压丢失的特点，广泛应用于电源管理、开关电源、高频电路、自增放大器、矩阵存储等领域。

下面是一些常见的肖特基二极管型号及其参数。

1.1N5711：1N5711是一种常用的肖特基二极管型号，其最大正向电流为15mA，最大反向电流为2uA，最大反向电压为70V。

2.BAT54：BAT54是一种超小型、超低电压丢失的肖特基二极管，其最大正向电流为600mA，最大反向电流为5uA，最大反向电压为30V。

该型号适用于电源管理、无线通信、自增放大器等应用领域。

3.BAS70：BAS70是一种超小型、超低电压丢失、低反向电流的肖特基二极管，其最大正向电流为70mA，最大反向电流为50nA，最大反向电压为70V。

该型号适用于电源管理、高频电路、模拟开关等领域。

4.1N5819：1N5819是一种经典的肖特基二极管型号，其最大正向电流为1A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。

该型号适用于开关电源、充电器、汽车电路等应用领域。

5.SB520：SB520是一种超速肖特基二极管，其最大正向电流为5A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为20V。

该型号适用于变换器、电源管理、DC/DC转换器等高功率应用领域。

6.SR240：SR240是一种高速肖特基二极管，其最大正向电流为2A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。

该型号适用于开关电源、电机驱动、变换器等高速开关应用领域。

以上只是常见的一些肖特基二极管型号及其参数，不同型号的肖特基二极管在正向电流、反向电流和反向电压等参数上存在差异。

在实际选择时，需要根据具体应用场景和要求来选择合适的肖特基二极管型号。