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《电路与电子技术》课后习题参考答案《电路与电子技术》课后习题参考答案填空1．电压 2．都（发生）变化 3．iA=53sin(314t+30°)A 4．220V 5．增大 6．单向导电性单选题11.C 12.A 13.D 14.B 15.B 16.C 17.D 18.D 19.C 20.D21. 变压器绕组在流过电流的时候，由于其自身存在电阻的原因，将消耗一部分电能，并转换成热量。
因为大部分变压器绕组都采用铜线绕制而成，所以将绕组的损耗成为变压器铜损,也叫空载损耗。
铁损包括磁性材料的磁滞损耗和涡流损耗以及剩余损耗. 当变压器的初级绕组通电后，线圈所产生的磁通在铁心流动，因为铁心本身也是导体（由硅钢片制成），在垂直于磁力线的平面上就会感应电势，这个电势在铁心的断面上形成闭合回路并产生电流，好象一个旋涡所以称为“涡流”。
这个“涡流”使变压器的损耗增加，并且使变压器的铁心发热变压器的温升增加。
由“涡流”所产生的损耗我们称为“铁损”。
22. 集成运算放大器(简称运放)实际上是一个具有高增益、低漂移，带有深度负反馈并直接耦合的直流放大器，因为它最初主要用作模拟计算机的运算放大器，故称为集成运算放大器。
其性能优良，广泛地应用于运算、测量、控制以及信号的产生、处理和变换等领域。
运算放大器本身不具备计算功能，只有在外部网络配合下才能实现各种运算。
23. 反馈又称回馈，指将系统的输出返回到输入端并以某种方式改变输入，进而影响系统功能的过程。
反馈可分为负反馈和正反馈。
负反馈使输出起到与输入相反的作用，使系统输出与系统目标的误差减小，系统趋于稳定；24.射极输出器的输入阻抗高，输出阻抗低，常用来当做多级放大器输入级和低电压、高电流的输出级，或者叫做隔离级。
由于射极输出器的电压动态范围较小，且电压放大倍数略小于1，这是其固有的缺点，但因其有较高的输入阻抗，可有效减轻信号源的负担。
在大电流输出电路中，比如功率放大器中，由于它的高的电流放大倍数，所以其功率放大倍数还是较高的，通常被直接用来推动负载。
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
基础电子技术试题一、填空或选择（20分）1. N 型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其中多数载流子是 。
2. 在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 区；在数字电路中三极管一般工作在 区或 区，此时也称它工作在 状态。
3. 电路如图1.1所示，TG 为CMOS 传输门，G 为TTL 与非门，则当C=0时 P= ；当C=1时P= 。
B &TG ACCΩk 10PG图1.14. 乙类功放电路如图1.2所示。
已知V 12CC=V 、Ω=8L R 、CES 0U =，i u 为正弦输入，则负载上可能得到的最大输出功率为 ；每个管子的管耗至少应为 。
Lu图1.25. 低电平有效的最小项译码器有n 个输入端，有 输出端。
每个输出对应一个 （最大项，最小项）。
6. 当TTL 门电路的输入端悬空时，应视为 （高电平，低电平，不定）。
此时，如用万用表测量其输入端电压，读数约为 （0V ，1.4V ，3.6V ）。
7. 某电路的电压放大倍数的频率特性表达式为：⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+=642u1011011015.0f j f j f j fA该电路的上限截止频率f H 为 ，下限截止频率f L 为 。
8. 组合逻辑电路如图1.3所示。
该电路输出逻辑函数P 的最简与或式为 ；该电路实现 逻辑功能。
A B图1.3二、（20分）已知某放大电路如图3a)所示，设Ω=k 6L R 、Ω=200bb'r ，U BE 忽略不计，请回答： 1. 请画出该电路的直流通路、微变等效电路；2. 该电路的直流负载线和交流负载线如图3b)所示，请计算电路参数R B 、R C1、R C2、V CC 和β；3. 计算电路的电压放大倍数i o u U U A=； 4. 计算电路的输入阻抗R i 、输出阻抗R o ；5. 定性说明若将电容3C 开路，对电路会产生什么影响？6. 当(mV) sin 25it u ω=时，o u 波形是否会产生失真？R LA μCE Va) b)图3 三、（10分）差分放大电路如图3所示。
15.2.5晶体管放大电路图如图15.01（a）所示，已知Ucc=12V，Rc=3kΩ，RB=240kΩ,晶体管的β=40。
（1）试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;（2）如晶体管的输出特性如图15.01（b）所示，试用图解法作出放大电路的静态工作点;（3）在静态时（ui=0）在C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。
解：（1）如图（a）所示的直流通路：C1,C2上的电压极性标在原图。
-6由 IB= Ucc-UBE=12-0.7=50X10 A=50μARB 240Ic=Βib=40x50=20mAUCE=Ucc-IcRc=12-2x3=6v。
（2）由输出特性作出直流负载线UCE=Ucc-IcRc已知：Ic=0，UCE=12V,UCE=0时。
Ic=Ucc=12=4mARc 3过（0，12），（4，0）两点，于是可作如图(b)所示，即为直流负载线。
由图可知IB=50βA时，Q点（2，6），即Ic=2mA，UCE=6v。
（3）静态时，Uc1=UBE,Uc2=UCE=6V。
极性在原图（a）中。
15.2.6在图中，U cc=10V，今要求U cE=5V,I c=2mA,试求R和R的阻值。
设晶体管的β=40。
解：由于U cE = U cc– I c R cR c ==2.5kΩ由于I c=βI B，I B ==I c ==50μ AR B ==200k15.2.7在图15.02中，晶体管是PNP型锗管。
（1）Ucc和C1，C2的极性如何考虑？请在图上标出；（2）设Ucc=-12v,Rc=3千欧姆，β=75，如果要将静态值Ic调到1.5毫安，问RB应调到多大？（3）在调整静态工作点时，如不慎将RB调到0，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？解答：（1）PNP三极管的电源极性和NPN型三极管相反，故电容C1和C2极性也和15.25中所示相反，用-或者+标明在图15.25中。
（2）由于Ic=βIB，于是IB=Ic／β=1.5／75=20µA此时RB=(-Ucc+UBE) ／IB≈600千欧姆（3）若RB=0时，UBE=12V＞＞0.7V（硅管）或UBE=12V＞＞0.3（锗管），于是IB大大增加，使得PN结发热而损坏。
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
1.直流稳压电源由变压器、整流(电路) 、滤波(电路) 和稳压(电路) 四部分组成。
2.双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为0 ，共模抑制比为 。
3.正弦波振荡器一般由放大电路、正反馈电路和选频电路电路、稳幅电路四部分组成。
4.三极管具有放大作用的前提条件是发射结正偏、集电结反偏。
5. 三极管工作在截止区时，其发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置。
6. 电压射极输出器的输出电阻R0的值越小越好好。
7 为消除乙类功放的交越失真，给三极管发射结加一定的正向偏压，使Q点上移，摆脱_____死区（门坎）____电压的影响。
这时，电路工作在甲乙类状态。
7\锗二极管的门坎电压约为0.1V 。
8\放大器输出产生非线性失真的原因是设置的静态工作点不合适或输入信号过大晶体管特性的非线性。
9、在P型半导体中，多数载流子为空穴。
10、双端输出差动放大器在电路完全对称时，共模增益为0 。
11、直流稳压电源电路由变压器、整流、滤波、稳压等4部份构成。
12、正弦振荡电路的振荡条件是_________。
13、为了等到稳定的输出电压和较高的输入电阻，应采用反馈。
14、集成运算放大器的输入级一般由电路组成，利用它的电路对称性可以提高整个电路的性能。
15、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，为了消除交越失真要采用电路。
16、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
17、三极管工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。
18、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。
19、为消除乙类功放的交越失真，给三极管发射结加一定的偏压，使Q点上移，摆脱_________电压的影响。
这时，电路工作在状态。
20 运算放大器的输出电阻越小，它带负载的能力，如果是恒压源，带负载的能力。
21 深度负反馈是指，负反馈深度等于。
1·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定2·可以放大电压，但不能放大电流的是___C______组态放大电路。
华东理工大学2009–2010学年第_二_学期《电工学》课程期末考试试卷 A 2010.6开课学院：信息学院，专业：大面积考试形式：闭卷，所需时间考试形式：闭卷，所需时间 120 120 120 分钟分钟考生姓名：学号：班级任课教师题序一二三四五六七八九总分得分评卷人一．选择题（每题1分，共10分）1、图示电路中，当R 1增加时，电压U 2将____C________。
A ．变大B ．变小C ．不变R 1U I S2R 2+2、三相四线制供电系统中，为了实现短路保护，中线上应该、三相四线制供电系统中，为了实现短路保护，中线上应该__B_____B_____B___熔断器。
熔断器。
A. A. 装接装接装接B. B. B. 不能装接不能装接不能装接C. C. C.根据需要可以装接也可以不装接根据需要可以装接也可以不装接3、图中所示电路，、图中所示电路，ab ab 端电压Ｕab ＝___C______C___。
A. 15VB. 4VC. 5VD. 10V4、在实际生产、生活应用中，为了提高功率因数，可以采用、在实际生产、生活应用中，为了提高功率因数，可以采用___B___ ___B___ ___B___ 。
A. A. 串联谐振串联谐振串联谐振B. B. B.并联谐振并联谐振并联谐振5、在正弦交流电路中，如果电流超前电压，称电路是、在正弦交流电路中，如果电流超前电压，称电路是____A________A________A____。
A.A.电容性的电容性的电容性的B. B. B. 电感性的电感性的电感性的C. C. C. 电阻性的电阻性的电阻性的 6、下列表达式不正确的是、下列表达式不正确的是__A_____A_____A___。
A. 102sin(31430)I t A =+°B. 1030I A =аC. 3010j I eA °= D. 8.75I j A =+7、三盏规格相同的白炽灯按图所示接在三相交流电路中都能正常发光，现将S2断开，则EL1EL1、、EL3将__D______D____。
一、 选择题6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D ） A ．串联反馈；B 并联反馈；C ．正反馈；Ｄ．负反馈。
7、由一个三极管组成的基本门电路是（B ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．异或门。
8、在脉冲门电路中，应选择（B ）的三极管。
A ．放大能力强；B ．开关速度快；C ．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。
9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．与非门。
24、对半导体而言，其正确的说法是（C ）A ．P 型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；B ．N 型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；C ．P 型半导体和N 型半导体本身都不带电；D ．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为9V 、4V 、3.7V ，则这3 个极分别为（A ） A ． C 、B 、E ； B ．C 、E 、B ； C ．E 、C 、B 。
26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V 、-2.3V 、-2V ，则这-2.3 V 的那个极为（B ）A ．集电极；B ．基极；C ．发射极。
27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V 、1.2V 、1V ，则该管为（C ） A ．NPN 型硅管；B ． PNP 型锗管； C ．NPN 型锗管；D ． PNP 型硅管。
28、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC >0,U CE >0, 则此管工作在（B ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
29、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE <0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（C ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
30、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（A ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
