微变等效电路法
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微变等效电路法分析放⼤电路微变等效电路法分析放⼤电路本⽂介绍的定义⼀、简化的h参数微变等效电路⼆、微变等效电路法应⽤本⽂介绍的定义微变等效电路法、h参数微变等效电路、单管共射放⼤电路的微变等效电路、Rbe近似估算、微变等效电路法应⽤。
⼀、简化的h参数微变等效电路微变等效电路法:在信号变化范围很⼩的情况下,三极管电压、电流之间的关系基本是线性的。
此时,可以将⼆极管的输⼊、输出特性曲线近似地视为直线。
⽤⼀个线性电路来等效⾮线性的三极管。
这样的电路称为三极管的微变等效电路。
微变等效电路法⽤于电路的动态分析。
如上图所⽰,对于输⼊特性曲线(a),可⽤等效电阻表⽰Ube变化量和Ib变化量之间的关系。
对于上图输出特性曲线(b),Q点附近特性曲线基本上是⽔平的,可以⽤⼀个⼤⼩为βIb的恒流源来代替三极管。
这个电流源是⼀个受控电流源,体现了基极电流ib对集电极电流ic的控制作⽤。
最终得到下图(b)的微变等效电路,称为简化的h参数(混合参数)微变等效电路,因为忽略了Uce对Ic的影响,忽略了Uce对输⼊特性的影响。
但是由于忽略这些影响带来的误差⼩,所以简化的h参数微变等效电路⾜以应对⼯程计算。
单管共射放⼤电路的微变等效电路:⾸先⽤上图b的等效电路代替三极管,然后画其他部分的交流通路。
Ui、Uo、Ib、Ic上⾯有个点,表⽰输⼊电压、输出电压、基极电流、集电极电流的正弦相量。
⼀些公式如下,Au是单管共射放⼤电路的电压放⼤倍数。
Rbe近似估算:Rbe由三部分组成,基区体电阻、基射之间的结电阻、发射区体电阻。
流过PN结的电流Ie与PN两端电压Ube之间的关系:Is是反向饱和电流;Ut温度电压当量,常温等于26mv;⼯作在放⼤区发射结正向偏置,Ube⼤于0.1 。
由于上式括号⾥⾯左边的数远⼤于1,可以简化:对Ube求导,得到Rbe的倒数,那么就可以得到Rbe的值,⽽且在静态⼯作点附近⼀个⽐较⼩的变化范围内,Ie约等于Ieq,那么Reb表⽰如下。
放大电路微变等效电路法微变等效电路法仅用于对放大电路开展动态分析,不能计算直流静态工作点。
微变等效电路的实质是将由非线性元件三极管组成的交流放大电路等效成一个线性元件开展分析。
1.输入回路的微变等效电路从晶体管的输入特性曲线可见,共射极接法的晶体管的输入回路可用管子的输入电阻来等效代替。
其输入回路的等效电路如图(b)左半部所示。
工作中rbe用下式估算:IE是发射极静态电流,单位为mA。
从晶体管的输出特性曲线可见。
晶体管输出回路可以等效为一个受控的恒流源,如图(b)右半部分所示。
一、放大电路的微变等效电路画放大电路的微变等效电路的步骤是:(1)画出晶体管的微变等效电路,标定基极B、集电极C、发射极E和公共地的位置。
(2)将直流电源UCC及所有的电容短路(将放大电路转换成交流通路),再将其它元件对号入座。
二、放大器的性能分析画出微变等效电路以后,就可以用求解线性电路的方法计算放大器的主要性能指标,包括电压放大倍数、输入电阻ri和输出电阻ro 。
1.电压放大倍数当放大电路的输出端开路时,2.输入电阻ri放大电路对信号源来说是一个负载,可以用一个电阻等效代替,这个电阻既是信号源的负载,又是放大电路的输入电阻。
输入电阻定义为放大电路的输入电压与输入电流之比值,即通常要求放大器的输入电阻高一些,ri愈大,放大电路从信号源吸取的电流愈小,减轻信号源的负担。
3.放大电路的输出电阻ro对负载(或后一级放大电路)来说,放大电路相当于一个具有内阻ro 和Uo'恒压源的信号源,这个等效电源的内阻ro 就是放大电路的输出电阻。
ro越小,负载变化时,输出电压的变化也越小,说明放大电路带负载能力越强。
放大电路的输出电阻ro ,定义为[例1] 在图(a)所示电路中,若晶体管为3DG100,已知在工作点处β=40 ,设UBE =0.7V。
(1)计算静态工作点;(2)求rbe ;(3)计算电压放大倍数;(4)若CE 开路,再计算电压放大倍数;(5)CE未断开时,求放大电路的输入电阻ri、输出电阻rO。
2.3 微变等效电路分析法图解分析法虽然具有直观、形象等优点,但它不能进一步深入地分析放大电路动态性能。
微变等效电路分析法是一种线性化的分析方法,它的基本思想是:把晶体管用一个与之等效的线性电路来代替,从而把非线性电路转化为线性电路,再利用线性电路的分析方法进行分析。
当然,这种转化是有条件的,这个条件就是“微变”,即变化范围很小,小到晶体管的特性曲线在Q点附近可以用直线代替。
这里的“等效”是指对晶体管的外电路而言,用线性电路代替晶体管之后,端口电压、电流的关系并不改变。
由于这种方法要求变化范围很小,因此,输入信号只能是小信号,一般要求U be(即u i)≤10mV。
这种分析方法,只适用于小信号电路的分析,且只能分析放大电路的动态。
2.3.1 晶体管的h参数在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路。
如图2.3.1所示。
图2.3.1 晶体管交流电路方框图晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图2.3.2所示。
h参数的定义如图2.3.2。
hie、hre、hfe、hoe这4个参数称为晶体管的等效h参数,它们的物理意义为:hie称为输出端交流短路时的输入电阻,简称输入电阻。
它反映输出电U CE不变时,基极电压对基极电流的控制能力,习惯上用r be表示。
hre称为输入端交流开路时的反向电压传输系数,又称内部电压反馈系数。
它反映输出电压u CE通过晶体管内部对输入回路的反馈作用,它是一个无量纲的比例系数。
hfe称为输出端交流短路时的电流放大系数,简称电流放大系数。
它反映基极电流i B对集电极电流i C的控制能力,即晶体管的电流放大能力,是一个无量纲的数,习惯上用β表示。
hoe称为输入端交流开路时的输出电导,简称输出电导。
它反映当i B不变时,输出电压u CE对输出电流的控制能力。
单位是西门子(S),习惯上用1/r ce表示。
可见,这四个参数具有不同的最纲,故称为混合(Hybrid)参数,记作h。