PECVD标准版设备操作规程

PECVD（48所）操作规程1.打开各路气体阀门。

包括氮气，CDA以及反应特气。

注意：打开反应特气（硅烷、氨气）时候须小心。

2.打开冷却水管的开关。

先打开出水管，后打开进水管。

即先打开上面4条水管，后打开下面4条水管。

切记顺序不能反，并且注意真空泵组以及设备有无水报警，检查水压。

3.打开电源总开关（在扩散车间），PECVD三相电源指示灯亮。

4.按下控制柜电源“上电”按纽，开启电脑。

5.手动设置工艺温度，然后按下加热“上电”开关，开始加热。

6.戴上工艺要求的手套开始将准备好的硅片放在石墨舟上，然后调整，使片子紧贴石墨舟。

7.待温度升至工艺要求的温度后，把石墨舟放在悬臂杆上.8.进入“PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0”程序，在“手动”模式下，将悬臂杆降至“下位”归零，然后上升至“上位”单击“工艺编辑”，然后在“工艺编辑”窗口中选择工艺程序文件，将工艺程序各步参数下载到工艺运行缓冲区中。

9.在主窗口中单击“系统图”图标，进入“系统图”窗口。

单击“系统图”窗口工具栏中的“启动”图标，计算机会给出一些提示，逐条检查每一条提示，然后“确定”，即开始工艺运行。

10. 单击“系统图”窗口工具栏中的“自循环”图标。

保证工艺运行到最后一步时间耗尽时，会自动跳转到第1步继续执行，而不会中止工艺运行。

11. 在悬臂杆将石墨舟推入石英管的过程中，密切注意悬臂杆与石墨舟是否会撞到石英管。

并从炉尾处的小窗口观察，高频电源电极和石墨舟电极是否接触良好；悬臂杆后退时候，从炉口观察，是否会把石墨舟带出。

12. 工艺运行中…….，操作员工可准备其它石墨舟的上片工作。

13. 工艺运行至“取片”步，悬臂杆将石墨舟退出来以后，整个工艺运行完毕，计算机会给出一个提示。

将其它上好片子的石墨舟放在悬臂杆上后，单击“确定”即进入下一个工艺循环。

14. 生产结束后，在“手动”模式下关掉炉门，关闭罗茨泵。

按下加热“关”，退出PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0，关闭电脑，但是不要断掉控制柜的电源。

版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate1.目的：规范操作，为生产车间操作规范化提供依据2.范围：适用于PECVD设备使用工序.3. 职责：3.1.1负责PECVD设备的开机和关机程序。

3.1.2负责PECVD设备的日常维护。

3.1.3负责发现作业过程中其设备出现问题怎样解决。

4. 名词定义：无5. 设备使用程序：5.1 使用环境及工作条件5.1.1 环境温度＜25℃5.1.2 相对湿度＜75%5.1.3 净化等级1000级~10000级5.1.4 电源三相五线，380V/50HZ，≤50KW/管5.1.5 供水水压0.2MPa~0.4MPa5.1.6 供气SiH4NH3N2O2CF4五路气体，气压0.2MPa~0.45MPa5.1.7 配排风排毒装置5.2对环境及能源的影响PECVD设备本身对环境及能源没有任何影响，若用户采用不同的工艺，使用不同的气体可能对环境稍有影响，但由于用气量非常小，不会造成任何危害。

5.3安全版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate本设备在设计过程中已充分地考虑了安全因素，只要用户不违反操作规程绝不会出现安全事故。

唯一可能在工艺过程中使用易燃气体SiH4，气体源应远离操作台，工作场地禁止使用明火，工作人员禁止吸烟。

所有气路管道不允许有任何泄漏点。

5.4使用前的准备5.4.1 接通整机电源；5.4.2 接通本机水路；5.4.3 接通各路气路。

若设备停止工作时，应该将反应管内部抽成真空，停止加热，其目的是为了防止真空管路过热，会使压力传感器严重零漂，影响压力测量。

待温度低于250℃再停水，并关断NH3、SiH4等气体的手动阀。

PECVD操作规程
1 目的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行
生产，特制定本规程。

2 适用范围：PECVD淀积车间。

3 职责：
3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，
务必仔细阅读本规程。

3.2 熟练掌握每道操作步骤。

4 定义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授
权。

5 运行程序：
5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。

5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（20 20C）应
同时满足。

(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同
5.1.2 气：N
2
时满足。

5.2 打开电源的主开关，开启机器。

5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。

5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启
动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可
将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。

5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔
后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。

6 附件：
6.1 插片及取片
6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅
片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。

6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。

技术部第一版
2008.7.11。

^PECVD设备操作规程^PECVD设备操作规程1(开机1.1 打开主氮气阀门(4-6bar)、主压缩空气阀门(5-7bar)、冷却水(2-4bar)、打开特气并确认。

1.2 确认六个红色急停按钮在正常位置状态。

1.3 打开主控制柜上的电源开关,打开电脑,此时电脑进入WINDOW操作界面。

1.4 自动进入软件程序。

1.5 作业员登录,输入名字和口令。

1.6 再次检查上式1.1项正常后,按F9。

1.7 在所有的门和盖子都关闭的情况下,在“system(系统)”状态下按“pu mps(真空泵)”按钮，先按中间的“evacuate(抽真空)”按钮，再按另外两个“evacuate”此时真空泵打开。

1.8 按“process chamber(工艺腔)”按钮，点“parameters(参数)”对加热“2”和加热“3”进行温度设定，设定“400”度，按“save”保存。

1.9 等待加热“2”和加热“3”达到设定的温度。

1.10 当加热“2”和加热“3”的温度达到设定的温度时进行工艺运行。

按“control(控制)”选择要加载的工艺名后(目前使用的预热工艺方案是“process prheating”),按“load(加载)”再按“start(开始)”，此时传输系统打开。

生产前，每次载板预热2次，载板预热结束后，点击停止，停止预热方案。

Test 01-25-07 low gas flow), 按“load1.11 选择生产工艺方案:点击工艺腔，选择工艺方案 ((加载)”再按“start(开始)”，待显示，工艺正在运行时，在传输台上放上预热过的载板。

(备注:开始工艺时，Test 01-25-07 low gas flow 下显示为:“等待温度达到设定值”------ “打开特气”------“打开微波源”------“工艺正在运行” )1.12 当硅片全部放入石墨框里的时候，同时按下传送台上的黑色按钮，石墨筐进入腔里进行镀膜。

PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。

一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。

六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。

反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。

PSI表示磅每平方英寸。

七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。

1.打开水箱和氩气：开水箱时，依次打开open，开关1，开关2。

开氩气（起保护作用）时，先旋转逆时针打开主阀，观察压力表检查瓶中是否有气。

注意顺时针打开打开减压阀，气流指示针为0.5.2.开PECVD和磁控电源开关。

3.清洗腔体并装入样本若有真空保护，需要打开空气进气阀使腔体的压强恢复到正常大气压105Pa。

若没有，则打开腔体，然后用纱布擦拭，并用吸尘器吸净。

样本需要先清洗、压平，然后才能放入腔体中。

若样本太轻，需要黏住。

如铜，要粗糙面向上，容易附着，便于薄膜生长。

然后封闭腔体。

4.打开机械泵：先打开机械泵开关和蝶阀开关。

然后先缓慢打开角阀V5，待压强显示数不变时，继续拧角阀V5..直到示数为200Pa 左右。

打开罗茨泵，调节角阀，是腔体内压强为10Pa左右，对腔体起清洗保护作用。

5.打开流量计和射频源开关：射频源提前打开是为了进行预热。

开流量计和气路模拟开关。

6.打开气路阀：抽净管道和流量计。

逐步对各个部分抽气。

7.打开硅烷SiH4，操作和开氩气流程一样，但硅烷主阀开5～20S即够我们实验用的量，随后关闭主阀，并使气流指示针显示到0.2.8.调节流量计，使硅烷和氩气的比例为1:10左右。

实验过程中要使这个比例数尽量保持不变。

调节射频匹配器，起辉。

使板压粗调和微调为 5.记录初始反应压强和时间。

时间约为10分钟。

9.先关硅烷和射频源电源，再通氩气3min，然后打开角阀，抽气5min。

关角阀，蝶阀，罗茨泵，机械泵。

10.缓慢放入空气，使得腔体达到大气压强，拿出实验样本。

打开机械泵，调节角阀，使腔体的压强为200Pa左右，为真空保护。

11.关闭角阀，蝶阀，机械泵。

先关PECVD电源开关，然后关磁控溅射开关。

关闭水箱和氩气。

1.目的确保PECVD良好的运转和延长PECVD的寿命2.使用范围PECVD维护及保养3. 内容（ Centrotherm PECVD）3.1 开机3.1.1 打开冷却水（先开出水阀，再开进水阀）、压缩空气、N2、特气（SiH4、NH3）关。

将冷却水压力计调为5～6公斤；N2压力计调为2～3 bar；特气压力计调为1～2bar；3.1.2 打开设备侧面红色旋转式电源开关；打开位于真空泵正上方的黑色旋钮电源开关，绿色指示灯亮为开关已打开；3.1.3打开设备UPS电源开关；打开电脑UPS电源开关，正常显示为“ON Line”的状态，启动触摸屏；3.1.4 打开设备UPS电源开关＋V－4F7及＋V－4F8；打开＋V－F开关（24V in general CMS），以及相对应的加热开关（＋V1－S1、＋V2－S1、＋V3－S1、＋V4－S1）。

打开24V电源控制开关；3.1.5 打开CESAR控制开关。

检查每根炉管的状态，正常状态为：Tube＝ready，Life＝ready，Door=closed，PLC=ok，SLS=up，TGA free=Yes；将炉管温度设置为450℃（Manual T-Paddle All Set point＝450）；3.1.6 待炉管内的温度高于400℃时，便可进行生产。

3.2关机3.2.1 降温，确保每个炉管的温度降至100℃以下：Manual T-Paddle All Setpoint＝20℃3.2.2 将炉管内的压力设置为最小。

Manual Vacuum Tube Pressure＝Minimum3.2.3 打开大氮开关，向炉管内充氮气；Atmpress>1000mbar时，关闭大氮阀门；打开大氮：Manual Gas N2NO Valve＝Open关闭大氮：Manual Gas N2NO Valve＝Close3.2.4 关闭特气阀门，可以只关闭位于真空泵房的特气保护阀，设备尾部的特气阀可以不关闭；关闭设备尾部氮气阀门。

PECVD SOP1．目 的为规范PECVD 操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。

2．适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD 淀积车间。

3. 职 责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。

3.2熟练掌握每道操作步骤。

4．定 义4.1PECVD 间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。

5. 程 序5.1 开启设备抽风系统电源。

5.2 向设备部确认SiH 4 和NH 3的供气系统及SiH 4燃烧塔已开启。

5.3 打开分气箱中的SiH 4气体的阀门（图1-1）和NH 3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力（图1-2）。

（图15.3 开启电控柜中PECVD 总电源，开始向设备供电。

5.4打开冰水机电源（图2-1），检查温度控制器的显示温度是否正常（图2-2），打开制冷开关（图2-3），打开冷液泵（图2-4），开始向系统提供冷却水。

（图2）5.5 打开真空泵电源开关（图3）。

（图3）5.6 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮（图4-1），按下“加热开”按钮（图4-3），炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度（图4-2），。

在运行过程中报警器鸣叫（图4-4），可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。

（图4）5.7 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD 计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统（图5）。

（图5）5.8点击屏幕左上角的“编辑”按钮（图6）来选取工艺执行文件。

（图6）5.9点击“启动”（图7-1）→点击“确定”→点击“自循环”（图7-2）→点击“加锁”（图7-3），系统按程序自动运行。

（图7）5.10 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。

PECVD标准作业指导书1. 目的该标准作业指导书旨在指导操作人员正确进行PECVD（等离子增强化学气相沉积）工艺，确保设备的安全和产品的质量。

2. 适用范围本标准作业指导书适用于所有使用PECVD工艺的设备和产品。

3. 安全要求- 在操作PECVD设备时，必须穿戴适当的个人防护装备，包括但不限于安全眼镜、防护手套和工作服。

- 在操作前，需要对设备进行全面的安全检查，确保设备正常运作并且没有安全隐患。

- 禁止在操作时使用不符合要求的物品，以免引起危险或质量问题。

4. 操作步骤- 开机前检查：检查PECVD设备的各个部件是否完好，确保真空泵、气体流控制系统、加热系统等均正常运转。

- 处理前准备：将待处理的衬底清洗干净并放置在PECVD反应腔中。

- 气体处理：根据工艺要求设置气体流量和流程，确保设备内气体的稳定和纯度。

- 处理参数设置：根据要求设置反应腔的温度、压力、沉积时间等参数。

- 处理结束：待沉积结束后，关闭气体供给和真空泵，将处理后的产品取出并进行必要的后续工艺。

5. 质量控制- 在进行PECVD处理前需要进行质量控制样品的测试，确保设备的稳定性和处理的产品质量符合要求。

- 在处理过程中需要定期检测设备的气体流量、温度、压力等参数，发现异常情况及时进行调整。

- 处理结束后，需要对产品进行外观和性能检测，确保产品质量符合要求。

6. 后续处理- 处理结束后，需要将设备做必要的清洁和维护，确保下次操作的安全和质量。

- 如有异常情况发生，需要及时记录并向相关部门汇报，以便进行故障排除和改进。

7. 相关记录- 操作人员应当及时记录每次PECVD处理的工艺参数、产品质量、设备状态、异常情况等，以供后续追溯和分析。

8. 责任分工- 设备操作人员负责具体的操作过程和设备维护，同时要确保操作安全和产品质量。

- 监督员负责监督操作过程，确保操作符合标准作业指导书的要求，并且做好相应记录和报告。

9. 总结本标准作业指导书介绍了PECVD操作的基本要求和步骤，并指导了在操作过程中应注意的安全和质量控制问题。