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三极管单元测试题

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三极管单元测试题
一、单选题(每题2分)
1. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>
B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>
C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>
D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>
2. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。

A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
3. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
4. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN 管和PNP 管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管
D. 三极管和二极管
5. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。

A. 正弦小信号
B. 低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
6. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =，则此时三极管工作于（ ） 状态。

A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
7. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
8. 下面的电路符号代表（ ）管。

A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
9. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。

A.C B E I I I +=
B. B C I I β≈
C. CEO CBO I I )1(β+=
D. βααβ=+
10. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。

A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
二、判断题(每题2分)
1. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。

2. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。

3. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。

4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。

5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。

6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。

7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

8. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。

9.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。

10.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。

三、填空题(每题2分)
1.场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。

2.双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别_______和
3.当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。

4.三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置。

5.场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。

6.场效应管是利用效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。

7.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=，则电极为基极，为集电极，为发射极，为型管。

8.三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。

9. _______通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。

10.β反映态时集电极电流与基极电流之比；β反映态时的电流放大特性。

四、计算分析题(每题10分)
1.图中三极管均为硅管，试求各电路中的I C、U CE及集电极对地电压U O。

2. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。

3. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。

4. 场效应管电路如图所示，已知)mV (sin 20i t u ω=，场效应管的mS 58.0m =g 试求该电路的交流输出电压u o 的大小。

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新能源测试题(附答案)

新能源测试题(附答案)

新能源测试题（附答案）一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、一个完整的车辆识别系统应包括( )、图像采集、车牌识别等几部分。

A、环境检测B、车辆检测C、障碍物检测D、灯光检测正确答案：B2、基尔霍夫电压定律、电流定律()。

A、与电路结构无关,与元件性质也无关B、与电路结构有关,与元件性质也有关C、与电路结构无关,与元件性质有关D、与电路结构有关,与元件性质无关正确答案：D3、 CAN 总线网络传输的帧中用于接收单元向发送单元请求主动发动数据的帧为()。

A、数据帧B、远程帧C、过载帧D、错误帧正确答案：B4、进行驱动电机或驱动电机控制器进行液冷系统冷却回路密封性性能检测时,试验使用的介质可以是液体或气体,气体介质可以是( )、氮气或惰性气体。

A、氧化剂B、空气C、氢气D、氧气正确答案：B5、静态交通信息主要包括:城市基础地理信息、( )及交通管理信息。

A、环境状况信息B、城市道路网基础信息C、交通动态控制管理信息D、车辆实时动态信息正确答案：B6、某款动力电池的电芯容量:30.5Ah、连接方式:3P91S、工作电压范围:250~382V、额定电压:332V,请计算:电芯最高充电电压是( )。

A、4.2VB、4.15VC、2.65VD、2.75V正确答案：A7、直流电机为了消除环火而加装了补偿绕组,正确的安装方法是补偿绕组应与( )。

A、励磁绕组串联B、电枢绕组串联C、电枢绕组并联D、励磁绕组并联正确答案：B8、电阻性负载单相半波可控整流电路中,晶闸管的触发延迟角的范围是()。

A、30°~150°B、15°~120°C、0°~180°D、0°~120°正确答案：C9、下列不属于智能网联汽车车辆关键技术的是()。

A、控制执行技术B、智能决策技术C、环境感知技术D、高精定位技术正确答案：D10、下列描述汽车轻量化新工艺应用-激光拼焊错误的是( )。

第3章单元测试答案

第3章单元测试答案

第三章单元测试答案一、单选 (5分)1. TTL逻辑电路是以( A)为基础的集成电路A. 三极管B. 二极管C.场效应管D.晶闸管2. CMOS逻辑电路是以( D )为基础的集成电路A. 三极管B. NMOS管C. PMOS管D. NMOS管和PMOS管3. 能实现“线与”逻辑功能的门为( B )A. TTL三态门B. OC门C. TTL与非门D. TTL或非门4. 能实现总线连接方式的门为( A )A. TTL三态门B. OC门C. TTL与非门D. TTL或非门5. TTL电路的电源电压值和输出电压的高低电平值依次为( A )A. 5V、3.6V、0.3VB. 10V、3.6V、0.3VC. 5V、1.4V、0.3VD. 5V、3.6V、1.4V二、判断题 (10分)1. 在TTL类电路中，输入端悬空等于接高电平( A )。

A. 对B. 错2. 在CMOS类电路中，对未使用的输入端可以悬空( B )。

A. 对B. 错3. 对于TTL与非门，只要有一个输入为低电平，输出为高电平，所以对与非门多余输入端的处理不能接低电平( A )。

A. 对B. 错4. 或非门的多余输入端不能接高电平( A )。

A. 对B. 错5. TTL门电路输出端不能直接接电源，必须外接电阻后再接电源( A )。

A. 对B. 错6. OC门和普通TTL门均可实现“线与”功能( B )。

A. 对B. 错7. CMOS门电路可以把输出端并联使用以实现“线与”逻辑( B )。

A. 对B. 错8. TTL与非门输入端接+5V时，逻辑上属于输入“1”( A )。

A. 对B. 错9. 三态门电路能控制数据进行单向、双向传递( A )。

A. 对B. 错10. 基本型的TTL门电路输出端不允许相互并联，否则将损坏器件( A )。

A. 对B. 错三、集成门电路（不论是与、或、与非…等）的输入端若超过了需要，则这些多余的输入端应按哪种方式去处置才是正确的？(3分) 答案：DA．让它们开路；B．让它们通过电阻接最高电平（例如电源电压）；C．让它们接地，或接电源的最低电平；D．让它们和使用中的输入端并接。

模电第1单元自测题解答分析

模电第1单元自测题解答分析

第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。

2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。

3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。

PN结的这种特性称为单向导电性。

4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。

5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。

6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。

7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。

8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。

9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。

10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。

晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。

二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。

（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。

（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。

电子线路单元测试题(集成运放部分1)

电子线路单元测试题(集成运放部分1)

电子线路单元测试题（集成运放部分1）根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一判断题：（每题2分，共60分）1.各级静态工作点互相干扰的耦合电路是阻容耦合或变压器耦合。

（）2.反馈是把电路的输出信号的部分送回到放大电路的输入端的过程. （）3.为减小放大电路的非线性失真的措施采用引入负反馈的方法。

（）4. 直接耦合时,各级静态工作点互相干扰。

（）5.多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带都要宽,级数愈多,通频带愈宽。

（）6.若一个放大电路具有电流并联负反馈，则可以稳定输出电压，增大输入电阻。

（）7. 若一个放大电路具有电压并联负反馈，则可以稳定输出电压. 减小输出电阻。

（）8.瞬时极性法在信号的各作用点标记的“＋”、“－”是表示电流的流入和流出极性。

（）9.若接入反馈后与未接反馈时相比输出量变大,则引入的反馈为负反馈. （）10.多级放大器是牺牲通频带的宽度来提高放大倍数. （）11.负反馈电路改善电子电路的工作状态和性能，正反馈电路可以做自激振荡器。

（）12.低频放大电路中，主要采用直接耦合方式。

（）13.变压器耦合放大器中的变压器起电压变换作用，使前后级的静态工作点互不干扰。

（）14.直接耦合放大器可以阻止直流使信号变得缓慢。

（）15.变压器耦合放大器的优点是既能放大交流信号，也能放大直流信号还可变换电压。

（）16.多级放大器总增益的表达式为Gu =Gu1 + Gu2 + Gu3 + ………+ Gun 。

（）17.多级放大器总电压放大倍数的表达式为AU =AU1×AU2×AU3×………×AUn。

（）18.多级放大器总电压放大倍数的表达式为AU =AU1 + AU2 + AU3 + …… + AUn。

（）19. 负反馈电路可以减小放大器的外部噪声和干扰。

（）20.并联负反馈可以使放大器输入电阻减小，串联负反馈可以使放大器输入电阻增大。

（）21.直流放大器不只能放大直流信号，还能放大交流信号。