25μm金丝球焊引线键合推拉力标准

金丝焊接(引线键合）机器的故障判断与排除一、机器的维护保养：1．紧固劈刀时，不可用力太大，否则，易使换能器或劈刀螺丝滑牙；2．经常清洗劈刀，以保证可焊性（一次/周）；3．经常清洗过丝通道，以保证过丝顺畅和金丝的洁净（一次/2K）；4．经常清洗打火针尖端，以保证成球可靠一致（一次/2K）；5．经常清洗焊头触点，以保证焊头动作正常（一次/周）；6．定期对活动的导轨、滑轮、蜗轮、滚珠和轴承等进行注油保养（一次/1~2周，切忌过量造成污染）；7．定期清理工作台面上的残余金丝，以免其进入主机内部造成电路短路或造成丝杆堵塞（一次/班）；8．定期检查线夹的间隙和张力是否变化（一次/周）。

二、机器的焊接调整：1．超声波调节：调节旋钮见左面板。

根据所需焊点的大小调节时间、功率。

同样大小的焊点的情况下，时间长、功率小的焊点效果比时间短、功率大时焊点的效果好，功率过大会损伤芯片。

2．压力调节：调节旋钮见右面板。

一般在0.8~1.6N（第3格~第7格），压力大，则需要的超声波功率小，反之则大。

压力太大，易焊烂，压力太小，则不易焊上。

3．温度调节：调节旋钮见右面板。

将状态开关拔至“预置”位置，调节温度调节旋钮，显示器上显示的值即是设定的温度值，然后，将状态开关拔至“工作”位置，当温度升到设定的温度时，自动恒定下来。

“暂停”状态只显示工作台实际温度值，不加热（注：在“预置”状态也不加热）。

4．尾丝调节：将“尾丝/过片/锁定”开关拔至“尾丝”位置，待到完成二焊，焊头上升到尾丝位置时，焊头自动停止，此时调节限位螺钉即可调至所需尾丝长度值“L”。

调好后，将开关拔回“过片”位置，则焊头自动回到初始位置，并烧球。

若20秒内未调好，焊头也会自动复位。

注意：尾丝长度不能调至零。

即限位螺钉不能紧逼换能器座，否则劈刀不能上下活动，焊头检测不到焊点位置，使机器动作异常。

5．打火调节：调节旋钮见右面板。

根据所需金球的大小调节时间、电流。

金球同样大小的情况下，时间长、电流小的金球比时间短、电流大的金球球度好，且表面细腻。

半导体器件的贮存寿命时间:2008-09-03 08:34来源:可靠性论坛作者:张瑞霞，徐立生，高兆丰点击: 1291次１引言高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝１００℃）下的现场使用失效率可以小于１０－８／ｈ，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命MTTF大于１０８ｈ，即大于１００００年。

据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小一个数量级１引言高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝１００℃）下的现场使用失效率可以小于１０－８／ｈ，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命MTTF大于１０８ｈ，即大于１００００年。

据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小一个数量级，即小于１Ｆｉｔ。

国内航天用电子元器件有严格的超期复验规定，航天各院都有自己的相应标准，其内容大同小异［１］。

半导体器件在Ι类贮存条件下的有效贮存期最早规定为３年，后放宽到４年，最近某重点工程对进口器件又放宽到５年，比较随意。

同时规定，每批元器件的超期复验不得超过２次。

美军标规定对贮存超过３６个月的器件在发货前进行Ａ１分组、Ａ２分组以及可焊性检验［２］，并没有有效贮存期的规定。

在俄罗斯军用标准中，半导体器件的最短贮存期一般为２５年，器件的服务期长达３５年，和俄罗斯战略核武器的设计寿命３０年相适应。

然而，国内对于半导体器件的贮存寿命尤其是有效贮存期有着不同的解释，在认识上存在着误区。

国内的超期复验的规定过严，有必要参考美、俄的做法加以修订，以免大量可用的器件被判死刑，影响工程进度，尤其是进口器件，订货周期长，有的到货不久就要复验，在经济上损失极大。

２芯片和管芯的寿命预计高可靠半导体器件通常采用成熟的工艺、保守的设计（余量大）、严格的质量控制、封帽前的镜检和封帽后的多项筛选，有效剔除了早期失效器件。

用常规的寿命试验方法无法评估其可靠性水平，一般采用加速寿命试验方法通过阿列尼斯方程外推其MTTF，其芯片和管芯的寿命极长，通常大于１０８ｈ，取决于失效机构激活能和器件的使用结温。

１引言随着集成电路的发展，先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。

半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入／输出畅通的重要作用，是整个后道封装过程中的关键。

引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的９０％以上采用引线键合连接［１］。

目前封装形式一方面朝着高性能的方向发展，另一方面朝着轻薄短小的方向发展，对封装工艺圆片研磨、圆片粘贴、引线键合都提出了新的要求。

其中引线键合是很关键的工艺，键合质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性。

本文将对引线键合工艺展开研究，分析影响键合质量的关键参数，以使引线键合满足封装工艺高质量、高可靠性的要求。

２引线键合工艺２．１简介引线键合工艺分为３种：热压键合（Ｔｈｅｒｍｏ－ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎＢｏｎｄｉｎｇ），超声波键合（ＵｌｔｒａｓｏｎｉｃＢｏｎｄｉｎｇ）引线键合工艺介绍及质量检验吕磊（中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊１０１６０１）摘要：介绍了引线键合工艺流程、键合材料及键合工具，讨论分析了影响引线键合可靠性的主要工艺参数，说明了引线键合质量的评价方法，并提出了增强引线键合可靠性的措施。

关键词：引线键合；球形键合；楔形键合；毛细管劈刀；楔形劈刀；键合拉力测试；键合剪切力测试中图分类号：ＴＮ３０７文献标识码：Ａ文章编号：１００４－４５０７（２００８）０３－００５３－０８ＴｈｅＰｒｏｃｅｓｓＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎａｎｄＱｕａｌｉｔｙＩｎｓｐｅｃｔｉｏｎｏｆＷｉｒｅＢｏｎｄｉｎｇＬＶＬｅｉ（Ｔｈｅ４５ｔｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣＥＴＣ，ＢｅｉｊｉｎｇＥａｓｔＹａｎｊｉａｏ１０１６０１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓａｒｔｉｃｌｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、ｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄｔｏｏｌｓｏｆｗｉｒｅｂｏｎｄｉｎｇ，ｔｈｅｍａｉｎｐｒｏｃｅｓｓｐａｒａｍｅｔｅｒｓｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｏｎｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，ｔｈｅｍｅｔｈｏｄｓｆｏｒｑｕａｌｉｔｙｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎａｎｄｔｈｅｍｅｔｈｏｄｓｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｂｏｎｄｉｎｇｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｗｉｒｅｂｏｎｄｉｎｇ；Ｂａｌｌｂｏｎｄｉｎｇ；Ｗｅｄｇｅｂｏｎｄｉｎｇ；Ｃａｐｉｌｌａｒｙ；Ｗｅｄｇｅ；ＢｏｎｄＰｕｌｌＴｅｓｔ收稿日期：２００８－００－００与热压超声波键合（Ｔｈｅｒｍｏ－ｓｏｎｉｃＢｏｎｄｉｎｇ）［２～３］。

SSB键合在COB封装中的应用研究刘译蔓【摘要】针对常规的金丝球键合法用在COB封装时由于PCB板焊盘表面氧化、镀层缺陷及金层质量不佳等因素时常出现虚焊、脱焊等失效问题,采用SSB键合法作为常规金丝球键合的一种扩展,使其发挥出在PCB焊盘键合时常规金丝球键合方法所不具备的优势.以实际应用中某COB板级电路在PCB焊盘上不能有效键合的问题为实例,研究了SSB键合的工艺过程和键合强度表现.预先在PCB端植球以增加键合点与镀金PCB焊盘的接触面积,实现有效键合并确保了键合强度.该方法可被应用到其他COB的封装场合.【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】2019(040)003【总页数】3页(P11-13)【关键词】SSB键合;COB封装;键合不良;键合强度【作者】刘译蔓【作者单位】中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032【正文语种】中文【中图分类】TN305.941 引言COB（Chip On Board,板上芯片）技术是将裸露的IC 芯片直接贴装在印刷电路板上，通过键合线与电路板键合，然后进行芯片的钝化和保护，其结构如图1所示[1]。

如果裸芯片直接暴露在空气中，易受污染或人为损坏，将难以实现芯片功能，因此须用胶把芯片和键合引线包封起来，这种封装形式也被称为软包封。

引线键合是裸芯片与电路板相连接的过程，为电源和信号的分配提供电路连接[2]，键合工艺质量的好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性，也直接影响到封装的总厚度。

在COB 封装中，由于将裸芯片直接贴装在印制电路板上，没有对其单独封装，所以能有效地降低成本[3]。

早期COB 技术一般只面向对信赖度无过高重视的低阶消费性电子产品，如玩具、计算器、小型显示器、钟表等日常生活用品。

例如早期台湾COB 工艺大多由出身IC 封装厂的员工靠家庭代工方式完成，常给人COB 的质量不够牢靠的印象。

然而随着时代进步，电子产品趋于轻薄短小，COB 反而有越来越广的用途，如手机、照相机等具有小型化要求的产品大多已导入COB 工艺。

焊线工艺规范一．范围1.主题内容本规范规定了焊接的工艺能力，工艺要求，工艺参数，工艺调试程序，工艺治具的选用及注意事项2.适用范围a.ASM-EAGLE60,K&S1488机型b.适用于目前在线生产的所有产品二．工艺1.工艺能力a.焊盘最小尺寸：45um x 45umb.焊盘间距：大于等于60umc.最低弧线高度：大于等于6mild. 最高弧线高度：16 mile. 最大弧线长度：小于等于7mmf.直径：ASM-EAGLE60：18 um---75 um,K&S1488：18 um---50 um2.工艺要求：焊接位置：1.焊接面积不能有1/4以上在芯片压点之外，或触及其他金属体和没有钝化层的划片方格2.在同一焊点上进行第二次焊接时，重叠面积不能大于之前焊接面积的1/33.引线焊接后与相邻的焊点或芯片压点相距不能小于引线直径的1倍焊点状况1.键合面积的宽度不能小于引线直径的1倍或大于引线直径的3倍2.焊点的长度不能小于引线直径的的1倍或大于引线直径的4倍3.不能因为缺尾而造成键合面积减少1/4，丝尾的总长度不能超出引线直径2倍4.键合的痕迹不能小于键合面积的2/3，且不能有虚焊和脱焊焊球大小：焊球的直径应该大于2倍金线直径，小于4倍金线直径。

焊球厚度：焊球的厚度应该大于1.2倍金线直径，小于2.5倍金线直径。

弧度要求：最低：第一点的高度应该高出低二点的高度，形成第一由点到第二点的抛物线形状最高：不能高出晶片本身厚度的2倍拉力控制：0.8----1.0金线：拉力>=5g1.0----1.2金线：拉力>=6g弧度要求1.引线不能有任何超过引线直径1/4的刻痕，损伤，死弯等2.引线不能有任何不自然拱形弯曲，且拱丝高度不小于引线直径的6倍，弯屏后拱丝最高点与屏蔽罩的距离不应小于2倍引线直径3.不能是引线下塌在芯片边缘上或其距离小于引线直径的1倍4.禁止引线松动而造成相邻两引线间距小于引线直径的1倍或穿过其他引线和压点5.焊点与引线之间不能有大于的30度的夹角芯片外观1.不能因为键合而造成芯片的开裂，伤痕和铜线短路2.芯片表面不能有因为键合而造成的金属熔渣，断丝和其他不能排除的污染物3.芯片压点不能缺丝，重焊或未按照打线图的规定造成错误键合键合强度1.对于25 um线径拉力应该大于5g，23 um线径拉力应该大于4g，30um铜线线径拉力应该大于7g（当做破坏性试验时，断点不应该发生在焊点上）2.对于25 um线径要求铜线剪切力度大于25g框架不能有明显的变形，管脚，基底镀层表面应该致密光滑，色泽均匀呈白色，不允许有沾污，水迹，异物，发花，起皮，起泡等缺陷二．工艺调试程序：工艺调试员基本职责：1.以“品质”和“UPH”为工作重点2.从工艺方面着手逐步消除影响品质和UPH的因素3.进行过程监控4.协助主管工作5.监控当班期间工艺参数的适应性并作出适当调整6.监控当班期间劈刀使用状况7.填写相关记录工艺监控程序监控人：工艺技术员，工艺工程师监控项目及参数1.第一焊点焊接时间2.第一焊点功率3.第一焊点压力4.第一焊点功率输出方式5.第二焊点焊接时间6.第二焊点功率7.第二焊点压力8.第二焊点功率输出方式9.弧线高度10.反向弧度参数11.弧度因素12.烧球尺寸（BS）13.线径尺寸（WS）14.预加热时间15.加热时间16.预加热温度17.加热温度18.焊区温度19.劈刀打线总数20.规定的首件检验项目监控时机1.更换产品型号后2.设备重新调试，维修后3.交接班后4.更换劈刀，金线后5.更换新材料，新工艺投入生产后工艺调试作业依据1.《焊接作业指导书》2.《设备使用手册》3.本文件中的相关条款工艺治具的选用劈刀的选用1.根据金线线径，选用劈刀孔径(H)估算公式：孔径=金线线径+经验值（0.5mil—0.8mil）Eg:1.采用线径为23um---25um的金线，应选用孔径为30um的劈刀（如：UTS-30IE-CM-1/16-XL或UTS-30HE-CM-1/16-XL,K&S:CU-N8-1224-R35）2. 采用线径为38um---42um的金线，应选用孔径为46-um-56um的劈刀（如：UTS-46JI-CM-1/16-XL或UTS-56LJ-CM-1/16-XL）2.根据焊盘尺寸选择劈刀头部直径（T）的9大小估算公式：内倒角直径（CD）=焊盘尺寸—经验值（0.8 mil—0.9 mil）3.根据焊盘间距选择劈刀头部直径（T）大小估算公式：头部直径（T）=2X焊盘间距—平均进球直径4.焊盘间距大于110um的产品，可灵活选用UTS或CU“打头”的劈刀5.根据相邻弧度高度选用劈刀的头部形状6.如果相邻间距小于等于120um的产品，一般选用CU“打头”的劈刀7.如果相邻间距大于120um的产品，一般选用UTS“打头”的劈刀劈刀相关参数：1.TIP Stype劈刀头部类型细间距，瓶颈端面角为100(T<165um)普通型劈刀头部端面角度为0度，不适于细间距焊接使用2.Face Angle头部端面角度Z-0°,F-4°,S-8°,E-11°3.Chamfer Angle内倒角角度：内倒角角度标准为90°4.Hole Size内孔直径25 um（.0010）28 um（.0011）30 um（.0012）33 um（.0013）35 um（.0014）38 um（.0015）41 um（.0016）43 um（.0017）46 um（.0018）51 um（.0020）56 um（.0022）64 um（.0025）68 um（.0027）75 um（.0030）5.Tip Diameter劈刀头部直径70 um (.0028) 75 um (.0030) 80 um (.0032) 90 um (.0035) 100 um (.0039)110 um (.0043) 120 um (.0047) 130 um (.0051) 140 um (.0055) 150 um (.0059) 165 um (.0065) 180 um (.0071) 200 um (.0079) 225 um (.0089)Chamfer Diameter倒角直径35 um (.0014)41 um (.0016)46 um (.0018)51 um (.0020)58 um (.0023)64 um (.0025)68 um (.0027)74 um (.0029)78 um (.0031)86 um (.0034)92 um (.0036)100 um (.0039)114 um (.0045)127 um (.0050)6.Main Taper Angle外端面锥角度（外端面夹角）7.Tool Length劈刀长度8.Tool Diameter劈刀外圆直径9.Finish表面处理状况10.M aterial材料出师表两汉：诸葛亮先帝创业未半而中道崩殂，今天下三分，益州疲弊，此诚危急存亡之秋也。

键合金丝概况一、简要说明：1、键合金丝概念以及其应用键合是集成电路生产中的一步重要工序,是把电路芯片与引线框架连接起来的操作。

键合丝是半导体器件和集成电路组装时为使芯片内电路的输入/ 输出键合点与引线框架的内接触点之间实现电气链接而使用的微细金属丝内引线。

键合效果的好坏直接影响集成电路的性能。

键合丝是整体IC封装材料市场五大类基本材料之一，是一种具备优异电器、导热、机械性能并且化学稳定性极好的内引线材料,是制造集成电路及分立器件的重要结构材料,键合丝主要用于各种电子元器件,如二极管、三极管、集成电路等。

下面的截面示意图描绘了半导体元件中各部分间的结构关系：2、性能要求以及测试方法标准键合金丝类型、状态、各项要求与其中部分测试方法、包装等均在中华人民共和国国家标准《GB/T 8750-2007 半导体器件用键合金丝》列出：图2 国家标准《GB/T 8750-2007 半导体器件用键合金丝》Pull strength: 抗拉强度，强度越高，可以实现更快速的键合FAB formation：自由空气球形球质量Gas cost: 保护气体成本，FAB形成时是否需要保护气体以及气体成本，Au丝不要保护气HTS：high temperature storage 性能，焊点可靠性Storage：库存成本Price：价格1 bond margin: 第一焊点——球焊点形成后，边缘直径，对于焊盘间距的设计非常重要Squashed ball deviation: FAB在超声和压力的作用下与芯片上焊盘键合后，变成的扁平球（Squashed ball），在进行大量键合后Squashed ball 尺寸的分散度，对于实际生产的质量控制非常关键3、客户以及相关信息表1 2010年键合丝用户及相关信息列表4、竞争对手以及行业标杆1.贺利氏：目前世界最大的键合金丝生产厂家，在中国有常熟和招远两个工厂，键合丝业务涉及金丝、铜丝、铝丝。

一、基础知识1. 目的在压力、热量和超声波能量的共同作用下，使金丝在芯片电极和外引线键合区之间形成良好的欧姆接触，完成内外引线的连接。

2. 技术要求2.1 金丝与芯片电极、引线框架键合区间的连接牢固2.2 金丝拉力：25μm金丝F最小>5CN,F平均>6CN: 32μm金丝F最小>8CN,F平均>10CN。

2.3 焊点要求2.3.1金丝键合后第一、第二焊点如图（1）、图（2）2.3.2 金球及契形大小说明金球直径A: ф25um金丝：60-75um，即为Ф的2.4-3.0倍；球型厚度H：ф25um金丝：15-20um，即为Ф的0.6-0.8倍；契形长度D: ф25um金丝：70-85um，即为Ф的2.8-3.4倍；2.3.3 金球根部不能有明显的损伤或变细的现象，契形处不能有明显的裂纹2.4 焊线要求2.4.1 各条金丝键合拱丝高度合适，无塌丝、倒丝，无多余焊丝2.5 金丝拉力2.5.1第一焊点金丝拉力以焊丝最高点测试，从焊丝的最高点垂直引线框架表面在显微镜观察下向上拉，测试拉力。

如图所示：键合拉力及断点位置要求：3.工艺条件由于不同机台的参数设置都不同，所以没有办法统一。

我在这里就简单的说一下主要要设置的地方：键合温度、第一第二焊点的焊接时间、焊接压力、焊接功率、拱丝高度、烧球电流、尾丝长度等等。

4．注意事项4．1 不得用手直接接触支架上的芯片以及键合区域。

4．2 操作人员需佩带防静电手环，穿防静电工作服，避免静电对芯片造成伤害。

4．3 材料在搬运中须小心轻放,避免静电产生及碰撞，需防倒丝、塌丝、断线及沾附杂物。

4．4 键合机台故障时，应及时将在键合的在制品退出加热板，避免材料在加热块上烘烤过久而造成银胶龟裂及支架变色。

二、键合设备先来张手动机台，很古老了先来张手动机台，很古老了ASM的立式机台ASM的立式机台KS的机台1488好古老的机台，下面这台已经快有20年的历史了最新的elite机台，确实不错，就是偶尔会出点莫名其妙的问题，不过重启一下就好了，估计是软件的问题。

微组装技术中金丝键合工艺研究作者：蒯永清来源：《西部论丛》2017年第08期摘要：随着科学技术的发展，我国的微组装工艺有了很大进展，在微组装工艺中，金丝键合是一道关键工艺。

金丝键合质量的好坏直接影响微波组件的可靠性以及微波特性。

对金丝键合工艺的影响因素进行了分析，并通过设计实验方案对25μm金丝进行键合实验。

对键合金丝进行拉力测试，测量结果全部符合军标GJB548B-2005要求。

根据测量结果寻求最佳键合参数，对实际生产具有一定的指导意义。

关键词：微组装技术金丝键合参数提取引言引线键合实现了微电子产品优良的电气互连功能，在微电子领域应用广泛。

自动引线键合技术作为一种先进的引线键合技术具有绝对优势。

自动键合技术是自动键合机执行相应的程序，自动完成引线键合过程。

自动键合具有可控化、一致性好和可靠性高等优势。

随着电子封装技术的不断发展，微波组件正在不断向小型化、高密度、高可靠、高性能和大批量方向发展，对产品的可控化、高一致性、高可靠性和生产的高效率都提出了更高的要求，顺应发展趋势实现自动化生产已成为一种趋势。

所以，对自动化键合工艺的研究和优化是非常有必要的。

1金丝键合工艺简介金丝键合指使用金属丝（金线等），利用热压或超声能源，完成微电子器件中固电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。

金丝键合按照键合方式和焊点的不同分为球键合和楔键合。

2金丝键合质量的影响因素2.1劈刀劈刀是金丝键合的直接工具，楔焊劈刀用于金丝、金带、铝丝、铝带等键合，主要分为深腔、非深腔、粗铝、金带/铝带键合等几大类，多为钨钢材料，刀头部分材料为陶瓷。

在一个完整的楔形键合中，第1键合点的键合强度主要受到劈刀的后倒角（BR）和键长（BL）、劈刀在键合第1点后上升过程、拉弧过程所产生的摩擦及拉力、线夹打开的宽度等因素的影响。

如果BR太小，则劈刀后倒角区域较锋利，就会导致第1键合点的根部较脆弱，在拉力测试实验中容易在此位置断裂。

引线键合工艺参数对封装质量的影响因素分析目前IC器件在各个领域的应用越来越广泛，对封装工艺的质量与检测技术提出了更高的要求，如何实现复杂封装的工艺稳定、质量保证和协同控制变得越来越重要。

目前国外对引线键合工艺涉与的大量参数和精密机构的控制问题已有较为深入的研究，并且已经在参数敏感度和重要性的排列方面有了共识。

我国IC封装研究起步较晚，其中的关键技术掌握不足，缺乏工艺的数据积累，加之国外的技术封锁，有必要深入研究各种封装工艺，掌握其间的关键技术，自主研发高水平封装装备。

本文将对引线键合工艺展开研究，分析影响封装质量的关键参数，力图为后续的质量影响规律和控制奠定基础。

2. 引线键合工艺WB随着前端工艺的发展正朝着超精细键合趋势发展。

WB过程中，引线在热量、压力或超声能量的共同作用下，与焊盘金属发生原子间扩散达到键合的目的。

根据所使用的键合工具如劈刀或楔的不同，WB分为球键合和楔键合。

根据键合条件不同，球键合可分为热压焊、冷超声键合和热超声键合。

根据引线不同，又可分为金线、铜线、铝线键合等。

冷超声键合常为铝线楔键合。

热超声键合常为金丝球键合，因同时使用热压和超声能量，能够在较低的温度下实现较好的键合质量，从而得到广泛使用。

2.1 键合质量的判定标准键合质量的好坏往往通过破坏性实验判定。

通常使用键合拉力测试（BPT）、键合剪切力测试（B ST）。

影响BPT结果的因素除了工艺参数以外，还有引线参数（材质、直径、强度和刚度）、吊钩位置、弧线高度等。

因此除了确认BPT的拉力值外，还需确认引线断裂的位置。

主要有四个位置：⑴第一键合点的界面；⑵第一键合点的颈部；⑶第二键合点处；⑷引线轮廓中间。

BST是通过水平推键合点的引线，测得引线和焊盘分离的最小推力。

剪切力测试可能会因为测试环境不同或人为原因出现偏差，Liang等人 [1]介绍了一种简化判断球剪切力的方法，提出简化键合参数（RBP）的概念，即RBP=powerA ×forceB×timeC，其中A，B，C为调整参数，一般取0.80， 0.40，0.20。

BGA球的拉拔力标准因不同的应用场景和要求而异。

一般来说，BGA焊点的拉力应在1-10克之间，推力应在10-30克之间，且推拉力应保持一定时间（一般为5秒钟）不变，以确保焊点连接的牢固性。

在IPC-7095C标准中，对BGA球的拉拔力标准做出了规定。

该标准要求BGA焊点的推力应在10-30克之间，拉力应在1-10克之间。

同时，该标准还要求推拉力应保持一定时间（一般为5秒钟）不变，以确保焊点连接的牢固性。

需要注意的是，以上标准仅供参考，具体标准可能因产品类型、应用场景等因素而有所不同。

在实际应用中，应根据具体要求和实际情况进行测试和评估。

关于25μm金丝球焊引线键合推拉力标准的文章25μm金丝球焊引线键合推拉力标准引线键合是电子封装工艺中的重要环节之一，而金丝球焊引线键合是其中一种常见的方式。

在金丝球焊引线键合过程中，推拉力的标准是一个关键因素，它直接影响着键合的质量和可靠性。

25μm金丝球焊引线键合推拉力标准是指在该过程中所施加的力度范围。

这个标准的制定是为了确保引线能够牢固地连接到芯片和基板上，并能够承受正常使用过程中的应力和振动。

如果推拉力过大，可能会导致引线断裂或者松动；而如果推拉力过小，则可能会导致引线与芯片或基板之间的接触不良，从而影响电子器件的性能。

根据国际标准和行业经验，25μm金丝球焊引线键合推拉力标准通常在2-5克之间。

这个范围被认为是最适宜的，因为它既能够保证引线与芯片、基板之间的牢固连接，又不会对金丝球焊引线本身造成损伤。

当然，具体的推拉力取值还需要根据具体的键合工艺和材料来确定，以确保最佳的键合效果。

为了确保25μm金丝球焊引线键合推拉力标准的准确性和一致性，需要进行严格的质量控制和检测。

首先，需要使用专业的键合设备和工艺参数来进行键合操作，以确保施加的推拉力在标准范围内。

其次，还需要使用合适的测试仪器来对键合后的引线进行拉力测试，以验证其质量是否符合标准要求。

总之，25μm金丝球焊引线键合推拉力标准是确保引线键合质量和可靠性的重要指标。

通过制定适当的推拉力范围，并进行严格的质量控制和检测，可以有效地提高金丝球焊引线键合过程中的成功率，并提高电子器件的性能和可靠性。

【25μm金丝球焊引线键合推拉力标准探析】1. 前言在微电子封装和芯片制造过程中，金丝键合是一项关键的工艺。

而其中的引线键合推拉力标准更是至关重要的参数之一。

今天，我们将深入探讨25μm金丝球焊引线键合推拉力标准，从而全面了解这一关键性的工艺参数。

2. 25μm金丝球焊引线键合的意义引线键合是指将芯片引脚与封装基板之间用金属丝焊接连接的过程。

在微电子封装中，金丝键合承担着传导信号和电力的重要功能。

而25μm金丝球焊引线键合，作为一种常用的金丝键合方式，其推拉力标准更是直接关系到键合质量和电子器件的可靠性。

3. 推拉力标准的深度解读推拉力标准是指在引线键合过程中，金丝在受到拉力或者推力作用下的承载能力。

而25μm金丝球焊引线键合，其推拉力标准的合理设置将直接影响到键合点的结构完整性和稳定性。

针对不同封装材料和应用场景，推拉力标准也会有所差异，因此需要根据实际情况进行深入评估和调整。

4. 25μm金丝球焊引线键合推拉力标准的实践应用在实际生产中，25μm金丝球焊引线键合推拉力标准的设置需要考虑多方面的因素。

封装基板材料的硬度、引线键合点的设计结构、温度和湿度环境等。

在这些因素的综合影响下，合理设置推拉力标准将能够确保键合点的稳固连接和长期可靠性。

5. 25μm金丝球焊引线键合推拉力标准的个人观点和理解在我看来，25μm金丝球焊引线键合推拉力标准的设置决策需要兼顾工艺稳定性和产品可靠性。

只有在充分考虑了封装材料、环境因素和实际应用需求的情况下，才能够制定出符合实际情况的合理推拉力标准。

也需要在生产实践中不断总结经验，以不断优化和调整推拉力标准，从而提高键合工艺的稳定性和可靠性。

6. 总结与回顾通过本文的探讨，我们对25μm金丝球焊引线键合推拉力标准有了更深入和全面的了解。

关于这一工艺参数的设置，需要充分考虑封装材料、环境因素和实际应用需求，以确保键合点的稳固连接和长期可靠性。

也需要在生产实践中不断总结经验，以不断优化和调整推拉力标准，从而提高键合工艺的稳定性和可靠性。

金丝球焊工艺参数优化摘要：金丝键合作为混合微电路组装中芯片电气互联方式的关键技术被广泛应用。

最优化的键合参数是批量生产实现键合高可靠性、高质量、高效的重要保障。

本文作者采用正交试验法安排在两种不同型号键合机上完成了金丝球焊第二点工艺参数优化，并进行了实验验证，得到了适用于25um金丝球焊的工艺参数。

关键词：正交试验法；金丝球焊；工艺参数优化1、引言键合是通过施加压力、机械振动、电能或热能等不同能量与焊接头，形成连接接头的一种方法。

在混合集成微电路的组装过程中，大量采用引线键合进行电气互连。

因此，对引线键合工艺设计的第二点参数开展研究，并且得到参数敏感度和重要性的排列顺序，是提高混合集成微电路产品质量和可靠性的关键技术。

金丝球焊键合的主要参数有超声功率、键合压力、键合时间、键合温度。

键合第二点参数异常，会出现飞丝、不粘等现象。

正是由于影响键合因素多，且出现问题分析起来难度较大，如果所调试的工艺参数无法满足大批量生产时，再对第二点键合参数进行调试或使用材料和设备进行更改，则需要技术人员具有丰富的键合经验，且费时，影响生产效率和产品质量。

工艺参数的组合众多，技术人员仅凭经验难以得到最优的键合工艺参数。

本研究将正交试验方法用于两台键合机的参数优化，得出了优化后的工艺参数，进行了优化后参数键合质量的可靠性验证，并得出了出现键合第二点异常情况时的解决方案。

2、键合工艺参数优化本论文主要的目的在于对直径25um金丝球焊键合在XX和YY键合机上进行第二键合点优化，同时分析各参数对键合强度的影响程度。

键合质量首先以金丝的拉力测试值来评价，初始拉力值越高，说明参数越接近最优化参数。

在工艺参数优化过程中，影响因素的取值范围相当重要。

根据理论和以往经验，确定影响键合强度的主要因素为超声功率、键合压力、键合时间、键合温度。

由于经验参数值能够键合强度较稳定，故只针对超声功率（USP）、键合压力（BF）、键合时间（UST）三个因素进行进一步优化，XX键合机中简称为因子AXX，BXX，CXX；YY键合机中简称为因子AYY，BYY，CYY。

微组装比赛理论试题集库0 2020 年成都高新“技高一筹，能为匠新”一、填空题1、微组装是在高密度多层互连基板上，采用表面贴装和互连工艺，将构成电子电路的集成电路芯片、片式元器件及各种微型元器件组装起来，并封装在同一外壳内，形成高密度、高速度、高可靠性的3D 立体结构的高级微电子组件。

2、闭环引线长度不应超过金属丝直径的100 倍。

但在某些多I/O 情况下，引线长度可能要超过5mm。

键合设备在芯片与引线框架之间牵引金属丝时不允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆。

3、钎焊密封工艺主要用于陶瓷封装和金属陶瓷封装。

4、金丝的质量和直径对键合质量都有影响。

金丝的纯度一般为99.99%以上，且要求尺寸精确、表面均匀无污染、达到标准的拉断力和延展率。

5、将未封装的半导体裸芯片直接安装在微波多芯片组件（MCM）基板上，是微组装技术的重要进步。

6、在进行热超声金丝球形键合时，应调整好EFO 打火强度及丝尾端与打火杆的间隙大小，成球的直径宜为金丝直径的 2 倍~3 倍。

7、焊盘清洁方法现在普遍采用分子清洁方法即离子清洁或紫外线臭氧清洁。

8、环氧贴装是用导电或绝缘环氧树脂胶将裸芯片和（或）片式阻容元件贴装在基板上，并通过加热固化环氧树脂实现芯片（元件）与基板间的物理连接。

9、再流焊是在电路板的焊盘上预涂的焊锡膏经过干燥、预热、熔化、润湿、冷却，将元器件焊接到印制板上的工艺。

10、共晶焊是将二元或三元合金焊料加热到不小于其共熔温度（也即共晶温度）而熔融，并经冷却直接从液态共熔合金凝固形成固态共晶合金，实现芯片等元件的焊接的工艺。

11、倒装焊是一种IC 裸芯片基板直接装的互连方法，将芯片面朝下放置，通过加热、加压、超声等方法使芯片电极或基板焊区上预先制作的凸点变形（或熔融塌陷），实现芯片电极与基板焊区间的对应互连焊接的工艺。

12、引线键合是使极细金属丝的两端分别附着在芯片、基板或外壳引脚上，从而在它们之间形成电气连接的工艺。

微组装金丝键合工序统计过程控制技术范少群;赵丹【摘要】金丝键合质量是影响微波多芯片组件(MMCM)可靠性的一个主要因素,有效识别和控制键合过程的波动,是保证工艺稳定性和合格率的有效手段.SPC技术是定量判断工艺是否处于统计受控状态的核心技术.文中对某型号产品中抽取的金丝拉力数据进行正态分布拟合及正态性检验,采用均值-标准差、均值-极差控制图对金丝拉力数据稳定性进行分析,讨论了不同波动异常情况下的影响因素及解决方法.另外对金丝键合工序能力指数Cpk进行计算、评价,着重分析了提高Cpk值的有效方法.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2016(016)012【总页数】6页(P1-5,11)【关键词】金丝键合;统计过程控制SPC;工序能力指数;分析【作者】范少群;赵丹【作者单位】中国电子科技集团公司第38研究所,合肥230088;中国电子科技集团公司第38研究所,合肥230088【正文语种】中文【中图分类】TN305.94金丝键合是多芯片微波组件微组装工艺中的一道关键工序，由于其工艺实现简单、成本低廉、适用于多种封装形式而成为芯片与芯片之间、内部芯片与外部器件之间实现电气互连的主要模式[1]。

金丝键合质量的优劣直接影响微波组件的可靠性，是决定产品质量与成品率的重要环节，因此对金丝键合工序质量的控制显得尤为重要。

元器件可靠性常规评价手段有产品检验、可靠性寿命试验、现场积累使用寿命数据等。

但这些传统的评价方法均只对工艺的最终结果进行定性评价，而不能定量反映工艺水平及工艺过程状态的稳定性程度。

统计过程控制技术（SPC）是一项能够定量判断工艺过程是否处于统计受控状态的质量与可靠性评价方法。

美国规定军用微电路生产线在1991年前必须建立SPC体系，我国近年对军用微电路贯标生产线也作出了SPC体系建设要求[2]。

文中采用统计过程控制技术（SPC），根据数理统计分析理论，对连续采集的多批金丝键合关键工艺参数数据进行定量的统计分析。

焊线工艺规范1 范围 (2)2 工艺 (2)3 焊接工艺参数范围 (3)4 工艺调试程序 (5)5 工艺制具的选用 (6)6 注意事项 (8)1 范围1.1 主题内容本规范确定了压焊的工艺能力、工艺要求 .工艺参数、工艺调试程序、工艺制具的选用及注意事项。

1.2 适用范围1.2.1 ASM-Eagle60. k&s1488机型。

1.2.2 适用于目前在线加工的所有产品。

2 工艺2.1 工艺能力2.1.1 接垫最小尺寸：45µm×45µm2.1.2 最小接垫节距(相邻两接垫中心间距离)：≥60µm2.1.3 最低线弧高度：≥6 mil2.1.4 最大线弧长度：≤7mm2.1.5 最高线弧高度：16mil2.1.6 直径：Eagle60:Ф18—75um , K&S1488: Ф18—50um2.2 工艺要求2.2.1 键合位置2.2.1.1 键合面积不能有1/4以上在芯片压点之外，或触及其他金属体和没有钝化层的划片方格。

2.2.1.2 在同一焊点上进行第二次键合，重叠面积不能大于前键合面积的1/3。

2.2.1.3 引线键合后与相邻的焊点或芯片压点相距不能小于引线直径的1倍。

2.2.2 焊点状态2.2.2.1 键合面积的宽度不能小于引线直径的1倍或大于引线直径的3倍。

2.2.2.2 焊点的长度：键合面积的长度不能小于引线直径的1倍或大于引线直径的4倍。

2.2.2.3 不能因缺尾而造成键合面积减少1/4，丝尾的总长不能超出引线直径的2倍。

2.2.2.4 键合的痕迹不能小于键合面积的2/3，且不能有虚焊和脱焊。

2.2.3 弧度2.2.3.1 引线不能有任何超过引线直径1/4的刻痕、损伤、死弯等。

2.2.3.2 引线不能有任何不自然拱形弯曲，且拱丝高度不小于引线直径的6倍，弯屏后拱丝最高点与屏蔽罩的距离不应小于2倍引线直径。

2.2.3.3 不能使引线下塌在芯片边缘上或其距离小于引线直径的1倍。