晶圆：由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片
微电子封装技术特点：
1：向高密度及高I/O引脚数发展，引脚由四边引出趋向面阵引出发展
2：向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装（SMT）技术及生产要求
3：向高频率及大功率封装发展
4：从陶瓷封装向塑料封装发展
5：从单芯片封装（SCP）向多芯片封装（MCP）发展
6：从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术
微电子封装的定义：是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片，并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳
狭义的电子封装技术定义：是指利用膜技术及微细连接技术，将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。（最基本的）
广义的电子封装技术定义：是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为能适用于设备或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学与技术。（功能性的）
微电子封装的功能：
1：提供机械支撑及环境保护；
2：提供电流通路；
3：提供信号的输入和输出通路；
4：提供热通路。
微电子封装的要点：
1：电源分配；
2：信号分配;
3：机械支撑；
4：散热通道；
5：环境保护。
零级封装：是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路；更确切地应该叫未加封装的裸芯片。
一级封装：是指采用合适的材料（金属、陶瓷或塑料）将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装，同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合（wire bonding,WB）、载带自动焊（tape automated bonding,TAB）、倒装片键合（flip chip bonding，FCB）三种互联技术连接，使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。
二级封装技术：实际上是一种多芯片和多元件的组装，即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。
表面贴装技术SMT
SMT主要工艺：波峰焊工艺和回流焊工艺
互连技术定义：是指实现芯片与芯片间，芯片与封装衬底间以及器件与基板间的物理量（电信号、光信号和流体新号等）连接技术。
互连技术的功能：
1：保证芯片、器件与系统的电源、地和电信号的畅通；
2：满足封装结构优化的需要；
3：提供芯片的机械支撑和散热。
互连技术的分类三种：
1：引线键合技术WB
2：载带自动焊技术TAB
3：倒装焊技术FCB
引线键合定义：是指通过AU、Al等的微细线，将芯片电极与引线框架或布线板电路上对应的电极键合连接的技术。
引线键合技术根据键合装置的自动化程度高低分为手动、半自动和全自动
根据键合工艺特点分为：超声键合、热压键合和热超声键合。
载带自动焊技术：是一种基于金属化柔性高分子载带将芯片组装到基板上的集成电路封装技术。
倒装焊定义：是指芯片面朝下、将芯片焊区与基板焊区直接互连的技术，它是一种无线芯片互连技术。
微电子封装形式分类
按封装材料分，主要可分为四种形式：金属封装、陶瓷封装、塑料封装和金属陶瓷封装；按气密性分：气密封装和非气密性封装。
金属封装特点：精度高，尺寸严格；金属零件以冲、挤为主，便于大量生产；价格低廉，性能优良；芯片放置容易，应用灵活，可靠性高，可以得到大体积的空腔。气密性封装
塑料封装的主要特点：工艺简单，成本低廉，便于自动化大生产。
陶瓷封装的特点：
1：气密性好，封装体的可靠性高；
2：具有优秀的电性能，可实现多信号、地和电源层结构，并具有对复杂的器件进行一体化封装的能力；
3：导热性性能好，可降低封装体热耗散体积限制和成本；
4：烧结装配时尺寸精度差、介电系数高，价格昂贵。
SIP：单列直插式封装single in-line package
DIP：双列直插式封装dual in-lin package
ZIP：Z型引脚直插式封装zigzag in-lin package
S-DIP：收缩双列直插式封装shink dual in-line package
SK-DIP：窄带双列直插式封装skinny dual in-line package
PGA：针栅阵列插入式封装pin grid array
SOP：小外形封装small out-line package
MSP：微型四方封装mini square package
QFP：四边引脚扁平封装quad flat package
FPG：玻璃（陶瓷）扁平封装flat package of glass
LCCC：无引脚陶瓷封装芯片载体leadless chio ceramic carrier
PLCC：塑封无引脚封装芯片载体plastic leadless chip carrier
SOJ：J型引脚小外形封装small out-line J lead package
BGA：球栅阵列封装ball grid array
CSP：芯片尺寸大小封装chio size package 芯片级封装chio scale package
TCP：载带封装tape carrier package
基板技术将面临来自三个不同方面的挑战：
1：微电子芯片发展的要求，即大面积化、针脚四边引出和表面贴装化、引脚阵列化和引脚间距密度化；
2：元器件发展的要求，即无引线化、小型化、片式化和集成化都需要与基板一起设计和制造并制成埋入式结构；
3：MEMS应用方面的要求，布线高密度化、层间互联精细化、机构的三维化/立体化。
基板选择与设计时需要重点考虑基板的材材料参数电参数热参数结构参数等，具体体现在一下方面：
1：材料参数方面：介电常熟、热膨胀系数和热导率等重要参数；
2：在结构方面，实现布线图形的精心化、层间互联小孔径化和电气参数最优化；
3：在热性能方面，重点考虑耐热性与Si等芯片材料的热匹配和系统的良好导热性；
4：电参数方面：
a.减小信号传输延迟时间Tpd，
b.系统内部分间特性阻抗的匹配；
c.降低L、C和R的寄生效应，使引线间距最短化，使用低磁导率的导体材料、低介电
常数的基板材料等；
d.为了降低交调噪声，要尽量避免信号线之间距离太近和平行布置，同时为了减小此影
响，应选用低介电常数的基板材料；
e.电路图形设计要考虑到防止信号发射噪声。
在微电子封装中主要按照基板的集体材料来分，可以分为三类：
1：有机基板：包括纸基板、玻璃布基板、复合材料基板、环氧树脂类、聚酯树脂类、耐热塑性基板和多层基板等；
2：无机基板：包括金属类基板、陶瓷类基板、玻璃类基板、硅基板和金刚石基板等；3：复合基板：包括功能复合基板、结构复合基板和材料复合基板等。
