《电力电子技术》第一阶段在线作业(自测)

大工17秋《电力电子技术》在线作业1 总分：100分100分一、单选题共10题，50分15分下列选项()是电力晶体管。

••••学生答案：C得分:5分25分下列各项中不是电平控制型器件的是()。

••••学生答案：A得分:5分35分有关肖特基二极管的特点描述错误的是()。

••••学生答案：D得分:5分45分有关晶闸管的特点,说法错误的是()。

••••学生答案：D得分:5分55分RCT是指()。

••••学生答案：C得分:5分65分RCT是()晶闸管。

••••学生答案：C得分:5分75分有关电力晶体管的说法错误的是()。

••••学生答案：A得分:5分85分有关电力MOSFET的说法错误的是()。

•••学生答案：B得分:5分95分下列说法正确的是()。

••••学生答案：D得分:5分105分IGCT是()缩写。

••••学生答案：B得分:5分二、判断题共10题，50分15分电力电子器件既可工作在开关状态,也可工作在线性放大状态。

•学生答案：B得分:5分25分晶闸管是电平控制型器件。

••学生答案：B得分:5分35分电力二极管一般都工作在大电流、高电压场合。

••学生答案：A得分:5分45分电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的电子技术。

••学生答案：A得分:5分55分电导调制效应使电力二极管在正向电流较大时管压降仍然会很低。

••学生答案：A得分:5分65分在实际应用中,应对晶闸管施加足够长时间的反向电压,使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻力,电路才能可靠工作。

••学生答案：A得分:5分75分晶闸管的型号为KP1-2表示为快速反向阻断型晶闸管。

••学生答案：B得分:5分85分GTR上的电压超过规定值时会击穿,击穿电压不仅和晶体管本身特性有管,还与外电路接法有••学生答案：A得分:5分95分电力MOSFET主要指N沟道增强型器件。

••学生答案：A得分:5分105分电力电子装置可能出现的过电压有外因过电压和内因过电压两种。

【2019奥鹏】-大工19秋《电力电子技术》在线作业1-0001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

A.5-10
B.15-20
C.10-15
D.0-5
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:C
2.静电感应晶体管的英文缩写是（）。

A.SITH
B.SIT
C.PIC
D.IGCT
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
3.整流二极管多用于开关频率在（）Hz以下的整流电路中。

A.5k
B.500
C.1k
D.10k
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:C
4.（）指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A.额定电流
B.浪涌电流
C.正向平均电流
D.反向重复峰值电流
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
5.（）的英文缩写是GTR。

A.门极可关断晶闸管
B.电力晶体管
C.电力场效应晶体管
D.电力二极管
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
6.电力电子器件采用的主要材料是（）。

大工21秋《电力电子技术》在线作业1试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)1.如果某电力二极管的正向平均电流为100A，那么它允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值为（）A。

<A项.>50<B项.>100<C项.>70.7<D项.>173.2<正确-选项>:B2.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（）。

<A项.>额定电压<B项.>额定电流<C项.>静态参数<D项.>维持电流<正确-选项>:C3.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

<A项.>0-5<B项.>5-10<C项.>10-15<D项.>15-20<正确-选项>:C4.静电感应晶体管的英文缩写是（）。

<A项.>PIC<B项.>IGCT<C项.>SITH<D项.>SIT<正确-选项>:D5.下列哪个方法能使晶闸管导通？（）<A项.>晶闸管承受反向电压时，门极有触发电流<B项.>晶闸管承受反向电压时，门极无触发电流<C项.>晶闸管承受正向电压时，门极有触发电流<D项.>晶闸管承受正向电压时，门极无触发电流<正确-选项>:C6.电力二极管的最高工作结温通常在（）℃之间。

<A项.>0-100<B项.>50-125<C项.>100-175<D项.>125-175二、多选题 (共 6 道试题,共 30 分)7.器件散热常用的冷却方式有（）。

<A项.>自冷式<B项.>风冷式<C项.>液冷式<D项.>蒸发冷却式<正确-选项>:ABCD8.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（）<A项.>触发脉冲有足够的幅值<B项.>触发脉冲波形有一定的宽度<C项.>触发脉冲功率足够<D项.>触发电路有良好的抗干扰性能<正确-选项>:ABCD9.电压驱动型与电流驱动型电路相比，（）。

答题要求:每题只有一个正确选项。

1(5.0分)变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在（）。

•A)0°-90°••B)30°-120°••C)60°-150°••D)90°-150°•2(5.0分)普通的单相半波可控整流装置中一共用了（）晶闸管。

•A)一只••B)二只••C)三只••D)四只•3(5.0分)三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关（）。

•A)α、Id、XL、U2••B)α、Id••C)α、U2••D)α、U2、XL•4(5.0分)单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）。

•A)90°••B)120°••C)150°••D)180°•5(5.0分)可实现有源逆变的电路为（）。

•A)三相半波可控整流电路••B)三相半控桥整流桥电路••C)单相全控桥接续流二极管电路••D)单相半控桥整流电路•6(5.0分)比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

•A)GTO••B)GTR••C)MOSFET••D)MOSFET•7(5.0分)普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

•A)有效值••B)最大值••C)平均值•8(5.0分)单相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。

•A)0.45U2••B)0.9U2••C)1.17U2••D)2.34U2•9(5.0分)晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。

•A)不变••B)增大••C)减小•10(5.0分)三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。

•A)0.45U2••B)0.9U2••C)1.17U2••D)2.34U2•答题要求:判断下列说法是否正确。

11(5.0分)单相桥式全控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是180°。

大工23春《电力电子技术》在线作业1-00001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

[A.]0-5
[B.]5-10
[C.]10-15
[D.]15-20
正确答案:C
2.如果某电力二极管的正向平均电流为100A，那么它允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值为（）A。

[A.]50
[B.]100
[C.]70.7
[D.]173.2
正确答案:B
3.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（）V。

[A.]（-5）-（-15）
[B.]10-15
[C.]15-20
[D.]20-25
正确答案:C
4.下列哪项不属于典型全控型器件？（）
[A.]电力二极管
[B.]门极可关断晶闸管
[C.]电力晶体管
[D.]电力场效应晶体管
正确答案:A
5.静电感应晶体管的英文缩写是（）。

[A.]PIC
[B.]IGCT
[C.]SITH
[D.]SIT
正确答案:D
6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。

[A.]半控型器件
[B.]全控型器件
[C.]不可控器件。

电力电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新商丘工学院第一章测试1.电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。

（）参考答案:对2.电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。

（）参考答案:对3.变流技术也成为了电力电子器件的应用技术。

（）参考答案:对4.对电力电子器件描述正确的是（）。

参考答案:电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件5.电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是（）。

参考答案:能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件第二章测试1.晶闸管的阳极和阴极外加正向电压时晶闸管就可以导通。

（）参考答案:错2.晶闸管的阳极电流小于维持电流时晶闸管就可以关断。

（）参考答案:对3.晶闸管稳定导通的条件是（）。

参考答案:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流4.晶闸管的伏安特性是指（）参考答案:阳极电压与阳极电流的关系5.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）。

参考答案:全控型器件6.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为阳极、阴极和（）。

参考答案:门极7.选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大（）倍，使其有一定的电压裕量。

参考答案:2-38.对于同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有，I L（）I H。

参考答案:大于9.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。

参考答案:二次击穿10.双向晶闸管与普通晶闸管一样，其内部由四层半导体PNPN构成。

（）参考答案:错第三章测试1.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。

参考答案:0°～150°2.请问三相半波可控整流电路的自然换相点是（）。

参考答案:比三相不控整流电路的自然换相点超前30°3.α为（）时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

参考答案:30°4.三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。

西南交《现代电力电子技术》在线作业一---------------------------单选题1.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D. 不定正确答案:B2.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后30度正确答案:B3.对于电力MOSFET，栅极不加电压时，电流（）A.一定导通B.可能导通C.不能导通D.不确定正确答案:C4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止正确答案:B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）A.功率晶体管B. IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管正确答案:D6.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相范围是（）A. 90oB. 120oD. 180o正确答案:D7.三相半波带电阻性负载时，α为（）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态A. 0B. 60C. 30D. 120正确答案:C8.一般可逆电路中的βmin选（）合理A.30o-35oB.10o-25oC.0o-10oD. 0o正确答案:A9.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A. 电容B. 电感D.电动机正确答案:B10.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A.减小输出幅值B.增大输出幅值C.减小输出谐波D.减小输出功率正确答案:C---------------------------多选题1.变频电路可分为（）A.交交变频B.交直变频C.交值交变频D.直交变频正确答案:A2.相控整流电路实现有源逆变的条件有（）A.负载侧存在直流电势B.直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值C.晶闸管触发角大于90度D.晶闸管触发角小于90度正确答案:A3.IGBT具有以下哪三种极性？（）A. 门极KB. 栅极GC.集电极CD.发射极E正确答案:B4.相控整流电路的负载大致可以分为（）A.电阻性负载B.电感性负载C.电容性负载D.反电势负载正确答案:A5.电力变换的类型有（）A.交流变直流B.直流变交流C.直流变直流D.交流变交流正确答案:A6.下列元器件中，半控型有（）A.普通晶闸管B.整流二极管C.逆导晶闸管D.双向晶闸管正确答案:A7.开关管的驱动电路采用的隔离技术有（）A.磁隔离B.电容隔离C.电感隔离D.光耦隔离正确答案:A8.无源逆变电路可以输出（）A.三角波B. 斜波C.矩形波D.脉宽调制波正确答案:C9.电压逆变电路的特点（）A.直流侧接大电感B.交流侧电流接正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流无脉动正确答案:B10.按照开关控制能力，电力电子器件可分为（）A.不可控器件B.半空型器件C.电压控制型器件D.全控型器件正确答案:A---------------------------判断题1.单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些A. 错误B. 正确2.三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比，要输出相同的Ud，晶闸管承受的正、反向峰值电压较低A. 错误B. 正确正确答案:A3.换相压降消耗有功功率A. 错误B. 正确正确答案:A4.在三相交流调压电路中，至少有一相正向晶闸管与另一相反向晶闸管同时导通A. 错误B. 正确正确答案:B5.变频调速装置属于无源逆变的范畴A. 错误B. 正确6.直流斩波器属于隔离型直直变换器A. 错误B. 正确正确答案:A7.脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点A. 错误B. 正确正确答案:B8.带阻性负载的单相桥式全控整流电路中，触发角为0时，功率因数也为0A. 错误B. 正确正确答案:A9.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。