模拟电子技术期中考试题

模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。

选择正确答案填入空内。

（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。

A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。

A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。

A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。

A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。

A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。

模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。

（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。

（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。

（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。

（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。

（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。

（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。

（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。

2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。

模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

《模拟电子技术基础》期中测试题一、填空题:(40分1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价元素可形成 n 型半导体。

2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3.二极管最主要的特性是单向导电。

在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。

4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向偏置电压,集电结必须加反向偏置电压。

5.场效应管是一种亚控器件,它利用善缘电压控制漏极电流i D 。

6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于饱和失真,消除该失真要增大 Rb 的阻值。

7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。

8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为型和型,用半导体材料和制成,电流放大系数β分别为和。

图1.8图1.99.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。

10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。

11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。

12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。

13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大高频信号。

·《模拟电子技术》课程(期中)第一题：填空题（每空2分，共32分）。

1、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素；其多数载流子为。

2、二极管伏安特性方程,表达式为。

3、BJT放大电路静态工作点选得偏高，可能使放大器进入区，并使输出信号的波形产生失真。

4、场效应管的输出特性曲线可分为三个区域，分别是截止区、、。

5、画放大电路的直流通路时，应将隔直电容看作；直流电压源可看作。

6、理想放大器，两输入端电压差可认为0，这种现象被称为概念。

7、电压的国际单位是；电感的国际单位是。

8、某放大器开环放大倍数为A，反馈系数为F，引入负反馈后放大倍数为。

9、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I C Q= ，静态时的电源功耗P D C=，但这种功放有失真。

10、长尾式差分放大器中电阻Re的作用是引入一个；所学过的基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。

第二题：判断题（每题2分，共10分）。

1、场效应管是电压控制型器件。

( )2、运放在线性应用时，必需使它处于开环或正反馈状态。

( )3、乙类互补对称功放电路在输出功率最大时，管子的管耗最大。

( )4、长尾式差分放大电路中，Re越大，K CMR越小。

( )5、放大器的组态中，共射极具有电压倒相作用，而共集电极没有。

（）第三题：单选题（每题2分，共10分）。

1、硅稳压管在稳压电路中时，工作在（）状态。

A.正向导通状态B.反向齐纳击穿状态C.反向截止状态D.放大状态2、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB，则该放大电路的电压放大倍数为（）倍。

A.100B.80C.1000D.100003、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。

A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管4、在图中，能够构成复合管的是( ) 。

5、放大器引入串联负反馈后，闭环输入电阻（）。

课程： 模拟电子技术（期中） 分数： 班级： 学号： 姓名： 第一题、分析计算题（共计15分）如题1图所示电路中，稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

当U I = 32V 时，请回答：1. 求此时输出电压U O 的值；2. 此时该电路是否能空载工作？为什么？题1图 第二题、读图分析题（共计20分）有一MOS 型场效应管输出特性曲线如题2图所示，试判断：1. 它是哪一类型的场效应管？2. 它的V GS（th）和I D0是多少？3. 画出其相应的转移特性曲线。

DS (V)题2图第三题、分析画图题（共计16分）电路如题3图所示，已知10sin (V)i u t ω=，E= 4V ，试对应i u 画出ou的波形，并标出对应的幅值。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

（要求：写出分析过程）题3图第四题、读图分析题（共计15分）如题4图所示，已知115k R =Ω，235k R R ==Ω，4 2.3k R =Ω，5100k R =Ω，6L 5k R R ==Ω，500S R =Ω，12V CC V =，两只晶体管的12150ββ==，BEQ1BEQ20.7V U U ==，请回答：1. 分别说明T1和T2管的组态；（10分）2. 说明该多级放大器采用的耦合方式；（5分）3. 求该多级放大器的输入电阻i R 。

（选做）R +ou u题4图第五题、分析计算题（共计34分）如题5(a)图所示三极管放大电路的50β=， BE 0.7V U =，200bb r '=Ω1. 现已测得静态管压降CEQ 6V U =,估算R b 约为多少千欧；（6分）2. 画出交流微变等效电路；（6分）3. 计算r be ；（5分）4. 若输入电压有效值U i =1mV ，经过该电路放大后测得的输出电压有效值U O 为多少？（6分）5.若Ce 开路，则在U i =1mV 时，输出电压有效值U O 为多少？（6分）6. 若测得o u波形出现如题5(b) 图所示时，说明电路产生什么失真？产生这种现象的原因是什么？（5分）tωo /u 题5(a)图 题5 (b)图。

模电期中测试一、 填空题(1空1分，共30分)1. 自然界的各种物质按导电能力分__导体____、_半导体______、__绝缘体________。

2. 杂质半导体具有___P______型和_____N _____型之分。

3. PN 结加正向电压，是指电源的正极接_P________区，电源的负极接_______N __区，这种接法叫___正向偏置法______。

4. N 型半导体是在本征半导体中掺入___+5_____价元素，其多数载流子是___自由电子_________，少数载流子是___空穴________。

5. P 型半导体是在本征半导体中掺入__+3______价元素，其多数载流子是____空穴________，少数载流子是___自由电子________。

6. 二极管的最主要特性是____单向导电性___________，它的两个主要参数是反映正向特性的___电流_____和反映反向特性的___电压________。

7. 稳压二极管是利用二极管的___反向击穿________特性进行稳压的。

8. .双极型晶体管从结构上可以分成__NPN____和___PNP ____两种类型，它们工作时有_自由电子____和____空穴__两种载流子参与导电。

9. 晶体三极管用来放大时，应使发射结处于__正向___偏置，集电结处于_反向____偏置。

10. 为了实现下列目的，应引入A.电压B.电流C.串联D.并联①为了稳定放大电路的输出电压，应引入_A ____。

②为了稳定放大电路的输出电流，应引入__B ___。

③为了增大放大电路的输入电阻，应引入__C ___。

④为了减小放大电路的输入电阻，应引入__D ___。

⑤为了增大放大电路的输出电阻，应引入__B ___。

⑥为了减小放大电路的输出电阻，应引入__A ___。

※电流串联电阻大，电压并联电阻小，对应出入电阻二、 判断题(每题2分，共10分)1.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。

由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。

2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。

3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。

影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。

（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。

当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。

题号 一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3（16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。

答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。

A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。

A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。

A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。

A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。

A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。

答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。

答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。

浙江传媒学院《模拟电子技术》期中考试卷2010 — 2011学年第二学期班姓名学号V U 82-=、V U 2.53-=，则三极管对应的电极是：1为 极、2为 极、3为 极，该三极管属 型三极管。

4、在下图所示电路中， 已知VCC ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。

试求下列空格（要求先填文字表达式后填得数）。

（1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和Rb ＝______________________≈_________k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则Rc ＝______________________≈____________k Ω。

（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数u A ＝_____________________≈________。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝_______________＝___________V 。

5、在三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是____________，高频特性最好的是___________________，输入电阻最大的是____________________。

三、简答题（每小题5分，共10分）1、简述利用半导体可以制造哪些器件？其各自的特性是什么？2、温度的变化对放大器有什么影响？如何解决？四、分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

(每小题5分，共20分)五、计算题(共计40分)1、电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

(8’)2、电路如图P2.19所示，晶体管的 ＝60，'bb r =100Ω。

模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。

A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。

A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。

A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。

A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。

A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。

A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。

A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。

2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。

3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。

4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。

5. 负反馈可以提高放大器的________和________。

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。

答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。

答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。

答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。

（每题3 分，共36 分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。

A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出I 1 =-1.2mA, I2=-0.02mA, I3= 1.22mA 由此可知对应电极①是。

A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN 管三个电极对地电位分别为:V E = 1.0V ;VB= 1.65V ;VC= 1.3V , 则该管工作在区。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.P NP 型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是。

A.Vc <Vb <VeB.Ve<Vc<VbC.Vc >Vb>VeD.Vc<Ve<Vb6.在图示电路中,设 C1、C2 对交流信号的影响可以忽略不计,当输入 f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察Vi和Vo ,则二者的相位关系为。

A.相差90ºB.相差45ºC.相同D.相差180º7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。

A．共射电路 B.差动放大电路C．OCL 电路（互补对称电路） D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是。

A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）A. 电压放大倍数近似为1B. r i很大C. r O很小10.PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，。

A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B 两端的电压为。

A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应。

天津市第一轻工业学校2003年上学期01级《模拟电子技术》期中试卷班级_______姓名______学号____成绩_____一、填空1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是，掺杂越多，则其数量一定越，相反，少数载流子应是掺杂越多，其数量一定越。

室温下，若多数载流子的浓度达到1015/cm3,则少数载流子的浓度为。

2、PN节空间电荷区又称为，在平衡条件下，电性呈，因为区中所带的电量相等。

P区侧应带，N区侧带。

空间电荷区内的电场为，其方向从指向。

3、场效应管的导电机理为，而晶体三极管为。

比较两者受温度的影响优于。

4、场效应管属于式器件，其G、S间的阻抗要晶体三极管B、E间的阻抗，后者则应属于式器件。

5、晶体三极管3种工作区域是、、，与此不同，场效应管常把工作区域分为、、。

6、场效应管3个电极G、D、S类同晶体三极管的电极，而N沟道、P沟道场效应管则分别类同于、两种类型的晶体三极管。

7、掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的主要的因素是，温度变化时受影响更大的是载流子。

8、半导体二极管按制造工艺分为、、三种。

通常流过的电流最大，流过的电流最小。

而对工作频率而言，最高，最低。

9、在放大电路中，若测的某管的三个电极的电位分别为-2.5v，-3.2v，-9v，则分别代表管子的三个电极是，，。

10、一个单端输出的差动放大电路，要提高共模抑制比的方法为。

二、判断1、交流放大电路中，耦合电容C1、C2和发射极旁路电容总是可看作对交流短路。

（）2、晶体管放大电路中，耦合电容C1、C2取得较大，而场效应管放大电路中取得较小，是由于晶体管是电流控制元件，而场效应管是电压控制元件。

（）3、直流负载线是静态下，负载开路时工作点移动的轨迹。

（）4、交流负载线是动态下，接负载工作点移动的轨迹。

（）5、单管放大电器的电压放大倍数A u= -βR c/r be，所以R c越大，电压放大倍数就越大。

（）6、单管放大电路中，当电源电压U cc和集电极电阻R c决定后，若基极电流I B太大会引起饱和失真，I B太小会引起截止失真。

2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术:（共52分，每空2分）1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。

C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，， C ．400）。

V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 。

a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。

影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。

（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）HLV CC( a )( b )f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。

5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 班 级 学 号 姓 名R L12E4826104V，这说明放大电路的输出电阻为0.5KΩ。

5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。

（1）．电压放大倍数uA >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。

（2）．电压放大倍数uA >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。

（3）．电压放大倍数uA ≈1，输入电阻iR>100kΩ的电路是 B 。

L( a )L( b )L( c )6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。

（1）电源电压V CC= 12 V，cR= 2 Ωk，bR= 377 Ωk；最大不失真输出电压幅值=omU 4.5 V；；为获得更大的不失真输出电压，bR应减小（增大、减小）（2）若Ω=KR6L，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分)7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。