2
1
T
1
3
1
T
2
1
3
(a)
(b)
唐东自动化教研室
电子技术基础 主编 吴利斌
例2图所示的电路中,晶体管均为硅管,β=30,试分析各晶体管的
工作状态。 解: (1)因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压,
故管子的发射结正偏,管子导通,基极电流:
+6V 5K IB
+10V 1K IC
-2V 5K IB
IC
10 0.3
+2V
9.7mIBA
5K
1K IC
因为IC ICS ,所以饱和
(a)
(b)
(c)
(2)因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压,管
子的发射结反偏,管子截止,所以管子工作在截止区。
(3)因为基极偏置电源++21V0V大于管子的导通电压+,10故V管
+10
子的发射结正偏,管子导通基极电流::
UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的 特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值,结果发现:之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同,曲线基本不 再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V,所以其输入特性通 常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出,双极型三极 管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大,集电极电流IC也不 会再有明显的增加,具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V