变磁阻式传感器
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第1章传感器概述1.什么是传感器?(传感器定义)2.传感器由哪几个部分组成?分别起到什么作用?3. 传感器特性在检测系统中起到什么作用?4.解释下列名词术语: 1)敏感元件;2)传感器; 3)信号调理器;4)变送器。
第1章传感器答案:3.答:传感器处于研究对象与测试系统的接口位置,即检测与控制之首。
传感器是感知、获取与检测信息的窗口,一切科学研究与自动化生产过程要获取的信息都要通过传感器获取并通过它转换成容易传输与处理的电信号,其作用与地位特别重要。
4.答:①敏感元件:指传感器中直接感受被测量的部分。
②传感器:能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成。
③信号调理器:对于输入和输出信号进行转换的装置。
④变送器:能输出标准信号的传感器第2章传感器特性1.传感器的性能参数反映了传感器的什么关系?静态参数有哪些?各种参数代表什么意义?动态参数有那些?应如何选择?2.某传感器精度为2%FS ,满度值50mv ,求出现的最大误差。
当传感器使用在满刻度值1/2和1/8 时计算可能产生的百分误差,并说出结论。
3.一只传感器作二阶振荡系统处理,固有频率f0=800Hz,阻尼比ε=0.14,用它测量频率为400的正弦外力,幅植比,相角各为多少?ε=0.7时,,又为多少?4.某二阶传感器固有频率f0=10KHz,阻尼比ε=0.1若幅度误差小于3%,试求:决定此传感器的工作频率。
5. 某位移传感器,在输入量变化5 mm时,输出电压变化为300 mV,求其灵敏度。
6. 某测量系统由传感器、放大器和记录仪组成,各环节的灵敏度为:S1=0.2mV/℃、S2=2.0V/mV、S3=5.0mm/V,求系统的总的灵敏度。
7.测得某检测装置的一组输入输出数据如下:a)试用最小二乘法拟合直线,求其线性度和灵敏度;b)用C语言编制程序在微机上实现。
8.某温度传感器为时间常数 T=3s 的一阶系统,当传感器受突变温度作用后,试求传感器指示出温差的1/3和1/2所需的时间。
传感器原理及检测技术传感器技术是测量技术、半导体技术、计算机技术、信息处理技术、微电⼦学、光学、声学、精密机械、仿⽣学和材料科学等众多学科相互交叉的综合性和⾼新技术密集型前沿技术之⼀,是现代新技术⾰命和信息社会的重要基础,是⾃动检测和⾃动控制技术不可缺少的重要组成部分。
⽬前,传感器技术已成为我国国民经济不可或缺的⽀柱产业的⼀部分。
传感器在⼯业部门的应⽤普及率⼰被国际社会作为衡量⼀个国家智能化、数字化、⽹络化的重要标志。
传感器技术是新技术⾰命和信息社会的重要技术基础,是现代科技的开路先锋,也是当代科学技术发展的⼀个重要标志,它与通信技术、计算机技术构成信息产业的三⼤⽀柱之⼀。
如果说计算机是⼈类⼤脑的扩展,那么传感器就是⼈类五官的延伸,当集成电路、计算机技术飞速发展时,⼈们才逐步认识信息摄取装置——传感器没有跟上信息技术的发展⽽惊呼“⼤脑发达、五官不灵”。
从⼋⼗年代起,逐步在世界范围内掀起了⼀股“传感器热”。
美国早在80年代就声称世界已进⼊传感器时代,⽇本则把传感器技术列为⼗⼤技术之创⽴。
⽇本⼯商界⼈⼠声称“⽀配了传感器技术就能够⽀配新时代”。
世界技术发达国家对开发传感器技术部⼗分重视。
美、⽇、英、法、德和独联体等国都把传感器技术列为国家重点开发关键技术之⼀。
美国国家长期安全和经济繁荣⾄关重要的22项技术中有6项与传感器信息处理技术直接相关。
关于保护美国武器系统质量优势⾄关重要的关键技术,其中8项为⽆源传感器。
美国空军2000年举出15项有助于提⾼21世纪空军能⼒关键技术,传感器技术名列第⼆。
⽇本对开发和利⽤传感器技术相当重视并列为国家重点发展6⼤核⼼技术之⼀。
⽇本科学技术厅制定的90年代重点科研项⽬中有70个重点课题,其中有18项是与传感器技术密切相关。
美国早在80年代初就成⽴了国家技术⼩组(BTG),帮助政府组织和领导各⼤公司与国家企事业部门的传感器技术开发⼯作。
美国国防部将传感器技术视为今年20项关键技术之⼀,⽇本把传感器技术与计算机、通信、激光半导体、超导并列为6⼤核⼼枝术,德国视军⽤传感器为优先发展技术,英、法等国对传感器的开发投资逐年升级,原苏联军事航天计划中的第五条列有传感器技术。
可变磁阻式车速传感器原理
可变磁阻式车速传感器原理是利用线圈自感量的变化来实现测量的。
可变磁阻式传感器由线圈、铁芯和衔铁组成,其可以用于测量位移和尺寸,也可以测量能够转换为位移量的其他参数力、张力、压力、压差、应变、转短、速度和加速度。
磁阻式转速传感器的特点如下:
灵敏度高。
磁阻式转速传感器能够非常灵敏地感应外界磁场变化,并将其转化为电信号输出,测量精度较高。
响应速度快。
由于磁阻效应的特性,磁阻式转速传感器的响应速度非常快,能够实时监测外界磁场变化以及被测物理量的变化。
浙江大学城市学院信息分院10192091 现代传感器技术赵梦恋,吴晓波 2008-2009学年冬学期2008年12月三、变磁阻式传感器(二)习 题3-1. 分别画出正负半周下二极管环形相敏检波电路的等效电路并据此说明其工作原理(如何反映衔铁运动的大小和方向)。
答:Z 1和Z 2为传感器两线圈的阻抗,Z 3=Z 4构成另两个桥臂,U 为供电电压,U O 为输出。
如图(b)示。
当衔铁处于中间位置时,Z 1=Z 2=Z ,电桥平衡,U O =0。
若衔铁上移,Z 1增大,Z 2减小。
(1)如供电电压为正半周,即A 点电位高于B 点,二极管D 1、D 4导通,D 2、D 3截至,如图(a)示。
在A -E -C -B 中,C 点电位由于Z 1增大而降低;在A -F -D -B 支路中,D 点电位由于Z 2减少而增高。
因此D 点电位高于C 点,输出信号为正。
(2)如供电电压为负半周,即B 点电位高于A 点,二极管D 2、D 3导通,D 1、D 4截至,如图(b)示。
在B -C -F -A 中,C 点电位由于Z 2减少而降低;在B -D -E -A 支路中,D 点电位由于Z 1增大而增高。
因此D 点电位仍高于C 点,输出信号为正。
(c)O同理证明,衔铁下移时,输出信号总为负。
故输出信号的正负代表了衔铁位移的方向。
O (b)3-2. 试推导差动变压器的输出电压与△M 之间的关系。
答:根据变压器原理,传感器输出电压为两次级线圈感应电势之差:()212212O U E E j M M I ω∙∙∙∙=-=--当衔铁在中间位置时,若两次级线圈参数与磁路尺寸相等,则12M M M ==,0O U ∙=。
当衔铁偏离中间位置时,12M M ≠,在差动工作时,有11M M M =+∆,22M M M =-∆。
在一定范围内,12M M M ∆=∆=,差值()12M M -与衔铁位移成比例,即 21222O U E E j M I ω∙∙∙∙=-=-∆。
变磁阻式传感器的工作原理
嘿,咱就说说这变磁阻式传感器啥工作原理哈。
哎呀呀,这变磁阻式传感器听起来挺高深,其实也不难理解啦。
你想啊,这变磁阻式传感器就像个小侦探,专门探测磁场的变化呢。
它里面有个线圈,还有个铁芯啥的。
这线圈就像个小弹簧,铁芯就像个小铁棍。
当有磁场变化的时候,这个铁芯就会受到影响。
比如说,磁场变强了,铁芯就会被吸进去一点;磁场变弱了,铁芯就会弹出来一点。
哇,这就像有个小磁铁在拉着铁芯一样。
这个铁芯的移动呢,就会让线圈的电感发生变化。
电感是啥呢?哎呀,咱也别管那么多,反正就是线圈的一种特性啦。
电感变化了,就会产生电流或者电压的变化。
这就像咱拉弹簧的时候,弹簧会有不同的长度,这个长度的变化就会引起别的东西的变化。
然后呢,这个电流或者电压的变化就可以被测量出来啦。
通过测量这个变化,咱就能知道磁场的变化情况。
就像咱看温度计,通过温度计上的刻度变化,咱就能知道温度的变化。
比如说,要是有个东西靠近这个传感器,它的磁场就会影响传感器里面的磁场。
这时候,传感器就会感受到这个变化,然后把这个变化变成电信号传出来。
哇,这就像有个小间谍在报告情况一样。
而且啊,变磁阻式传感器还可以很灵敏呢。
只要磁场有一点点变化,它就能察觉到。
就像咱的耳朵很灵,能听到很小的声音一样。
哎呀,这变磁阻式传感器的工作原理虽然有点复杂,但其实也不难嘛。
有了它,咱就能探测到很多磁场的变化,可方便啦。
能够测量压力并提供远传电信号的装置统称为压力传感器。
压力传感器是压力检测仪表的重要组成部分,其结构型式多种多样,常见的型式有应变式、压阻式、电容式、压电式、振频式压力传感器等。
此外还有光电式、光纤式、超声式压力传感器等。
采用压力传感器可以直接将被测压力变换成各种形式的电信号,便于满足自动化系统集中检测与控制的要求,因而在工业生产中得到广泛应用。
压力传感器的类型:01应变式压力传感器应变式压力传感器是一种通过测量各种弹性元件的应变来间接测量压力的传感器。
根据制作材料的不同,应变元件可以分为金属和半导体两大类。
应变元件的工作原理基于导体和半导体的“应变效应”,即当导体和半导体材料发生机械变形时,其电阻值将发生变化。
当金属丝受外力作用时,其长度和截面积都会发生变化,其电阻值即会发生改变,假如金属丝受外力作用而伸长时,其长度增加,而截面积减少,电阻值便会增大。
当金属丝受外力作用而压缩时,长度减小而截面增加,电阻值则会减小。
只要测出加在电阻两端的电压的变化,即可获得应变金属丝的应变情况。
02压阻式压力传感器压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。
单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。
它又称为扩散硅压阻压力传感器,它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过硅膜片感受被测压力的。
压阻压力传感器主要基于压阻效应(Piezoresistive effect)。
压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。
不同于压电效应,压阻效应只产生阻抗变化,并不会产生电荷。
大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。
其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。
由于硅是现今集成电路的主要原料,以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。
硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变,而且也来自材料本身与应力相关的电阻,这使得其程度因子大于金属数百倍之多。
实验14 磁阻效应及磁阻传感器的特性研究磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
和霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到的洛仑兹力而产生的。
若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应。
磁阻效应还与样品的形状有关,不同几何形状的样品,在同样强度的磁场作用下,其电阻大小不同,该效应称为几何磁阻效应。
由于半导体的电阻率随磁场的增加而增加,有人又把该磁阻效应称为物理磁阻效应。
目前,磁阻效应广泛应用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。
一、实验目的1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法。
2、测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线,并进行相应的曲线和直线拟合。
4、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。
5、观测在弱正弦交流磁场中,磁阻传感器的交流倍频特性。
二、实验预习问题1、由于严禁在带电情况下对励磁线圈插拔,实验中插拔励磁电流连线之前如何操作?2、打开电源前,测试仪的“I M/F调节”和“Is调节”必须处在什么位置?3、磁阻效应是怎样产生的?磁阻效应和霍尔效应有何内在的联系?4、什么是横向磁阻效应,什么是纵向磁阻效应?5、请简述横向磁阻效应的产生机理。
6、实验时为何要保持霍尔工作电流和流过磁阻元件的电流不变?7、磁阻公式如何表示?8、不同的磁场强度时,磁阻传感器的电阻值与磁感应强度关系有何规律?三、实验原理一定条件下,导电材料的电阻值R随磁感应强度B的改变而变化的现象称为磁阻效应。
如图1所示,当半导体处于磁场中时,导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转,而大于此速度的电子则沿相反方向偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少,即沿电场方向的电流密度减小,电阻增大。