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电子元器件存储条件有效期限管理规定目的本管理规定的目的是确保电子元器件在存储过程中符合相应的条件以保证其有效期限。
有效的存储条件对于保护电子元器件的性能和可靠性至关重要。
适用范围本管理规定适用于所有存储电子元器件的相关环节和部门。
存储条件要求- 温度要求：- 存储温度应根据电子元器件的规格和要求进行确定，并确保恒定性和稳定性。
- 温度范围不得超过元器件特定温度范围的上下限。
- 湿度要求：- 存储湿度应控制在合适的范围内，以避免湿气对元器件造成损害。
- 湿度范围应符合电子元器件规格和要求，以确保元器件的稳定性和可靠性。
- 环境要求：- 存储环境应尽量避免任何可能影响电子元器件性能和可靠性的因素，如尘埃、振动和化学物质等。
- 包装要求：- 电子元器件应以合适的包装材料进行包装，以防止损坏和污染。
有效期限管理- 有效期限的确定：- 有效期限应根据电子元器件的规格和制造商的指导确定。
- 即使存储条件符合要求，电子元器件也可能存在超出有效期的情况，因此需要根据规定的有效期限对元器件进行定期检查和鉴定。
- 定期检查和鉴定：- 所有存储的电子元器件都应定期进行检查和鉴定。
- 根据元器件的种类和要求，可以采取适当的测试方法和工具进行检查和鉴定。
- 如果发现元器件已超出有效期限，应及时采取措施，如更新存储条件或淘汰不合格元器件。
监督和记录- 监督：- 存储电子元器件的负责部门应对存储条件进行监控和检查。
- 如发现存储条件不符合要求，应及时采取纠正措施。
- 记录：- 应建立和维护存储电子元器件的相关记录，包括存储条件、有效期限和检查结果等。
- 所有记录应完整、准确，并根据需要进行备份和保留。
附则- 所有相关部门和人员应严格遵守本管理规定。
- 如有违反本管理规定的情况，应及时进行整改并采取相应的纠正措施。
- 本管理规定的解释权归公司所有。
生效日期本管理规定自发布之日起生效。
以上为电子元器件存储条件有效期限管理规定的内容。
国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》（征求意见稿）编制说明一、工作简况1、任务来源《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》标准制定是2018年国家标准委下达的国家标准计划项目，计划号：20182268-T-339。
由中华人民共和国工业和信息化部提出，全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC 78/SC2）归口，中国电子科技集团公司第十三研究所负责标准的制定，项目周期为2年。
2、主要工作过程2.1 2018.12 成立了编制组，编制组成员包括检验试验管理人员、从事半导体器件长期贮存的技术研究人员，以及具有多年标准编制经验的标准化专家。
2.2 2019.01～2019.04 编制组成员广泛收集资料，对等同采用的IEC标准进行翻译、研究、分析和比较，对国内相关单位展开深入调研和部分试验验证。
2.3 2019.05～2019.06编制工作组讨论稿，编制组内部讨论，对工作组讨论稿进行修改、完善，形成征求意见稿，并完成编制说明。
3 标准编制的主要成员单位及其所做的工作本标准承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所。
在标准编制过程中，主要负责标准的翻译、制定、试验及验证工作。
二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题1、编制原则本标准为电子元器件半导体器件长期贮存系列标准的第1部分，属于基础标准。
为保证半导体器件试验方法与国际标准一致，实现半导体器件检验方法、可靠性评价、质量水平与国际接轨，本标准等同采用IEC 62435-1：2016《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》。
2、确定主要内容的依据除编辑性修改外，本标准的结构和内容与IEC 62435-1：2016保持一致，标准编写符合GB/T 1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准结构和编写》、GB/T 20000.2-2001 《标准化工作指南第2部分：采用国际标准》的规定。
本标准为制定半导体器件长期贮存方案提供了指导，主要论述了在长期贮存过程中对元器件的管理、定期检查及其它注意事项。
国家标准报批资料国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》（征求意见稿）编制说明一、工作简况1、任务来源《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》标准制定是2018年国家标准委下达的国家标准计划项目，计划号：20182268-T-339。
由中华人民共和国工业和信息化部提出，全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC 78/SC2）归口，中国电子科技集团公司第十三研究所负责标准的制定，项目周期为2年。
2、主要工作过程2.1 2018.12 成立了编制组，编制组成员包括检验试验管理人员、从事半导体器件长期贮存的技术研究人员，以及具有多年标准编制经验的标准化专家。
2.2 2019.01～2019.04 编制组成员广泛收集资料，对等同采用的IEC标准进行翻译、研究、分析和比较，对国内相关单位展开深入调研和部分试验验证。
2.3 2019.05～2019.06编制工作组讨论稿，编制组内部讨论，对工作组讨论稿进行修改、完善，形成征求意见稿，并完成编制说明。
3 标准编制的主要成员单位及其所做的工作本标准承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所。
在标准编制过程中，主要负责标准的翻译、制定、试验及验证工作。
二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题1、编制原则本标准为电子元器件半导体器件长期贮存系列标准的第1部分，属于基础标准。
为保证半导体器件试验方法与国际标准一致，实现半导体器件检验方法、可靠性评价、质量水平与国际接轨，本标准等同采用IEC 62435-1：2016《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》。
2、确定主要内容的依据除编辑性修改外，本标准的结构和内容与IEC 62435-1：2016保持一致，标准编写符合GB/T 1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准结构和编写》、部分：采用国际标准》的规定。
2第《标准化工作指南GB/T 20000.2-2001国家标准报批资料本标准为制定半导体器件长期贮存方案提供了指导，主要论述了在长期贮存过程中对元器件的管理、定期检查及其它注意事项。
电子元器件的储存电子工业：元件对潮湿的敏感性是一个复杂的主题潮湿敏感性元件的主题是相当麻烦但很重要的- 并且经常被误解的。
由于潮湿敏感性元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ball grid array)，使得对这个失效机制的关注也增加了。
当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、线捆接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。
在一一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。
IPC - 美国电子工业联合会制订和发布了IPC-M-109, 潮湿敏感性元件标准和指引手册。
它包括以下七个文件：IPC/JEDEC J-STD-020 塑料集成电路(IC)SMD的潮湿/回流敏感性分类IPC/JEDEC J-STD-033 潮湿/回流敏感性SMD的处理、包装、装运和使用标准IPC/JEDEC J-STD-035 非气密性封装元件的声学显微镜检查方法IPC-9501 用于评估电子元件(预处理的IC元件)的印刷线路板(PWB, printed wiring board)的装配工艺过程的模拟方法IPC-9502 电子元件的PWB装配焊接工艺指南IPC-9503 非IC元件的潮湿敏感性分类IPC-9504 评估非IC元件(预处理的非IC元件)的装配工艺过程模拟方法原来的潮湿敏感性元件的文件，IPC-SM-786, 潮湿/回流敏感性IC 的检定与处理程序，不再使用了。
IPC/JEDEC J-STD-020 定义了潮湿敏感性元件，即由潮湿可透材料诸如塑料所制造的非气密性包装的分类程序。
该程序包括暴露在回流焊接温度接着详细的视觉检查、扫描声学显微图象、截面和电气测试等。
电子元器件的储存电子工业：元件对潮湿的敏感性是一个复杂的主题潮湿敏感性元件的主题是相当麻烦但很重要的- 并且经常被误解的。
由于潮湿敏感性元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ball grid array)，使得对这个失效机制的关注也增加了。
当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、线捆接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。
在一一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。
IPC - 美国电子工业联合会制订和发布了IPC-M-109, 潮湿敏感性元件标准和指引手册。
它包括以下七个文件：IPC/JEDEC J-STD-020 塑料集成电路(IC)SMD的潮湿/回流敏感性分类IPC/JEDEC J-STD-033 潮湿/回流敏感性SMD的处理、包装、装运和使用标准IPC/JEDEC J-STD-035 非气密性封装元件的声学显微镜检查方法IPC-9501 用于评估电子元件(预处理的IC元件)的印刷线路板(PWB, printed wiring board)的装配工艺过程的模拟方法IPC-9502 电子元件的PWB装配焊接工艺指南IPC-9503 非IC元件的潮湿敏感性分类IPC-9504 评估非IC元件(预处理的非IC元件)的装配工艺过程模拟方法原来的潮湿敏感性元件的文件，IPC-SM-786, 潮湿/回流敏感性IC 的检定与处理程序，不再使用了。
IPC/JEDEC J-STD-020 定义了潮湿敏感性元件，即由潮湿可透材料诸如塑料所制造的非气密性包装的分类程序。
该程序包括暴露在回流焊接温度接着详细的视觉检查、扫描声学显微图象、截面和电气测试等。
电子元器件贮存条件有效期限管理规定
1. 引言
本规定旨在规范电子元器件在贮存过程中的质量管理，并规定
其贮存条件和有效期限要求，以确保元器件在使用前能够正常运行
并满足其设计要求。
2. 适用范围
本规定适用于我公司所贮存的所有电子元器件。
3. 贮存条件要求
1. 温度：元器件贮存温度应在 -40℃至 85℃之间。
2. 湿度：元器件贮存湿度应在 5%RH 至 85%RH 之间。
3. 光照：元器件应存放在阴凉、干燥、无直接阳光照射的地方。
4. 包装：元器件应采用符合国家标准的包装袋或盒，并贴上防
潮标识。
5. 存放环境：元器件应储存在无腐蚀性气体、无粉尘、无振动的环境中。
4. 有效期限要求
1. 元器件的有效期限应在包装袋或盒上进行标识，并应在使用前进行检查。
2. 元器件的有效期限为贮存开始之日起，不得超过两年。
若有效期限超过两年，则应进行再检验。
5. 责任和处罚
1. 对未遵守本规定进行贮存的人员进行警告，情节严重者应给予相应的处罚。
2. 对由于未遵守本规定带来的质量问题，由相应人员承担责任并进行赔偿。
3. 对于多次违反本规定的人员，应依据公司规章制度进行相应的处罚。
6. 结论
本规定的实施，将有助于提高电子元器件的贮存质量，确保元器件在使用前能够正常运行并满足其设计要求。
电子元器件储存条件有效期限管理规定根据国家标准的有关规定并从地区气温环境条件综合考虑，现规定我公司部品材料库储存和部品仓储管理要求：1、环境要求1.1 一般要求：(a) 环境温度+50C至+400C。
(b) 相对湿度50%至85%。
相对湿度小于60%时，对特殊器件存储、操作区需建立防静电安全工作区。
保持在常温、无酸、无碱和其它腐蚀性气体的条件。
杜绝阳光直接照射及雨水浸泡。
防止重物挤压变形。
1.2 包装好的一般部品元器件(包括零部整件)，应储存在温度不高于400C，相对湿度50%至85%的仓库中；2、温湿度监测每天需记录：早上8时、中午12时、下午18时温湿度来监测温湿度的变化，根据记录结果来调整存储环境。
3、湿敏器件（MSD ）的存储要求：当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、线捆接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。
在一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。
（ 图一） （ 图二）凡是外包装贴有JEDEC 标准湿敏元件标签（如图一）或印有湿敏警告标签（如图2）的元器开关、金属按键、连接器、插座类≦350C ≦70% 12 6 无 蜂鸣器、扬声器、振荡开关 ≦350C ≦70% 6 3 恒温恒湿 标贴、双面胶、带背胶材料 ≦350C ≦70% 6 3 恒温恒湿 彩盒、礼盒 ≦350C ≦70% 6 3 无 外包装材料 一般≦400C ≦85% 24 12 无 五金件≦400C≦70%1212无 注塑件≦400C ≦85% 12 12PC 、亚克力面板、镜片类要特别注意机械防护、防尘件都属于湿敏元件（PWA、BGA、IC、LED、NCU、FLASH等），其存储要求：a、仓库储存湿敏器件应保证湿敏包装袋密封的完好。
电子元器件仓库储存要求电子元器件仓库储存要求： (1)1环境要求： (2)a.温度：-5~30℃； (2)b.相对湿度：20%~75%； (2)c.仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短，参见附录。
(2)2特殊要求： (2)2.1、对静电敏感器件 (2)2.2、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件， (2)2.3、油封的机电原件 (2)3电子元器件有限储存期的确定： (2)附录：电子元器件的有限储存期 (2)A1有限储存期起始日期的确定 (3)A2电子元器件的有限储存期 (3)【表格】储存环境条件分类表 (3)【表格】电子元器件的有限储存期 (3)4防护 (4)4.1电子仓防护要求 (4)4.1.1 (4)4.1.2 (4)4.1.3 (4)4.1.4 (4)4.1.5 (4)4.1.6 (5)4.1.7 (5)4.2原材料防护要求 (5)4.2.1 (5)4.2.2 (5)4.2.3 (5)4.2.4 (5)1环境要求：电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内，仓库应处于通道通畅状态，严禁吸烟，禁止违章用火、用电并做好防火工作，消防标识明确。
除另有规定外，仓库的温度和相对湿度必须满足如下要求:a.温度：-5~30℃；b.相对湿度：20%~75%；c.仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短，参见附录。
2特殊要求：2.1、对静电敏感器件（如MOS场效应晶体管、砷化镓场效应晶体管、CMOS电路等），应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。
2.2、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件，应存放在具有磁屏蔽作用的容器内。
2.3、油封的机电原件应保持油封的完整。
3电子元器件有限储存期的确定：电子元器件的有限储存期按附录确定。
附录：电子元器件的有限储存期A1有限储存期起始日期的确定电子元器件有限储存期的起始日期按下列优先顺序确定：a.电子元器件上打印的日期（或星期代号），凡仅有年月而无日期的，均按该月15日计算，如无星期代号的则按星期四的日期计算；b.包装盒或包装袋上的检验日期货包装日期提前一个月计算。
电子元器件的储存方法及保管条件
场所：立体式货架仓库：通风、干燥、无腐蚀性气体。
仓库保持通风、通光、通气、通道通畅状态，严禁吸烟，禁止违章用火、用电并做好防火工作，消防标识明确。
4.2.2 贮存条件和期限
（1）无特殊要求的物品（合格原材料、半成品）存储条件：遮阳、常温、保持通风，干燥。
（2）储存期限
①电子元器件的有效储存期为12个月；
②塑胶件的有效储存期为12个月；
③五金件的有效储存期6个月；
④包装材料的有效储存期为12个月；
⑤成品的有效储存期为12个月。
（3）特殊要求的物品针对特殊要求的物料根据存储要求存放。
物料类别存贮相对温度贮存相对湿度存贮高度、容器贮存期限锡膏、胶水类2－10℃无特殊要求冰箱、冰柜根据保质期规定电子元器件20±5℃40%~70% 电子仓，标准包装12个月
电路板怎么保存
密封，干燥，常温。
如果电路板有IC,则保存在防静电环境或防静电袋.电路板无IC则不需.如果板上有较重器件，注意竖直存放，避免板变形。
防静电袋，屏蔽袋包装就OK了。
电子元器件的储存电子工业：元件对潮湿的敏感性是一个复杂的主题潮湿敏感性元件的主题是相当麻烦但很重要的 - 并且经常被误解的。
由于潮湿敏感性元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ball grid array)，使得对这个失效机制的关注也增加了。
当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、线捆接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。
在一一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。
IPC - 美国电子工业联合会制订和发布了 IPC-M-109, 潮湿敏感性元件标准和指引手册。
它包括以下七个文件：IPC/JEDEC J-STD-020 塑料集成电路(IC)SMD的潮湿/回流敏感性分类IPC/JEDEC J-STD-033 潮湿/回流敏感性SMD的处理、包装、装运和使用标准IPC/JEDEC J-STD-035 非气密性封装元件的声学显微镜检查方法IPC-9501 用于评估电子元件(预处理的IC元件)的印刷线路板(PWB, printed wiring board)的装配工艺过程的模拟方法IPC-9502 电子元件的PWB装配焊接工艺指南IPC-9503 非IC元件的潮湿敏感性分类IPC-9504 评估非IC元件(预处理的非IC元件)的装配工艺过程模拟方法原来的潮湿敏感性元件的文件，IPC-SM-786, 潮湿/回流敏感性IC的检定与处理程序，不再使用了。
IPC/JEDEC J-STD-020 定义了潮湿敏感性元件，即由潮湿可透材料诸如塑料所制造的非气密性包装的分类程序。
该程序包括暴露在回流焊接温度接着详细的视觉检查、扫描声学显微图象、截面和电气测试等。
电子元器件的储存电子工业：元件对潮湿的敏感性是一个复杂的主题潮湿敏感性元件的主题是相当麻烦但很重要的 - 并且经常被误解的。
由于潮湿敏感性元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ball grid array)，使得对这个失效机制的关注也增加了。
当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。
常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、线捆接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。
在一一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。
IPC - 美国电子工业联合会制订和发布了 IPC-M-109, 潮湿敏感性元件标准和指引手册。
它包括以下七个文件：IPC/JEDEC J-STD-020 塑料集成电路(IC)SMD的潮湿/回流敏感性分类IPC/JEDEC J-STD-033 潮湿/回流敏感性SMD的处理、包装、装运和使用标准IPC/JEDEC J-STD-035 非气密性封装元件的声学显微镜检查方法IPC-9501 用于评估电子元件(预处理的IC元件)的印刷线路板(PWB, printed wiring board)的装配工艺过程的模拟方法IPC-9502 电子元件的PWB装配焊接工艺指南IPC-9503 非IC元件的潮湿敏感性分类IPC-9504 评估非IC元件(预处理的非IC元件)的装配工艺过程模拟方法原来的潮湿敏感性元件的文件，IPC-SM-786, 潮湿/回流敏感性IC的检定与处理程序，不再使用了。
IPC/JEDEC J-STD-020 定义了潮湿敏感性元件，即由潮湿可透材料诸如塑料所制造的非气密性包装的分类程序。
该程序包括暴露在回流焊接温度接着详细的视觉检查、扫描声学显微图象、截面和电气测试等。
国家标准《半导体集成电路快闪存储器（FLASH）》（征求意见稿）编制说明一、工作简况1、任务来源本项目任务来源为国家标准化管理委员会文件“国家标准化管理委员会关于下达第二批推荐性国家标准计划的通知”（国标委发〔2019〕22号）。
项目计划代号为20192063-T-339，主办单位为中国电子技术标准化研究院。
2、主要工作过程编制组首先收集了国内外相关标准及技术资料，并进行了整理和分析。
首先，编制组对我国国家标准《GB/T 12750-2006 半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》的技术内容及其对当前快闪存储器产品考核的适用性进行了深入的研究。
同时，编制组收集了快闪存储器国内外众多厂商的产品手册，并对手册技术指标进行了详细的分析。
编制组根据对上述国内外相关标准及技术资料的研究与分析，充分结合我国快闪存储器行业技术现状以及前期调研工作中所了解的各领域对快闪存储器的功能、性能要求及可靠性要求，编制了标准草案。
之后，编制组组织召开了行业讨论会，针对标准草案进行了逐条讨论，会后对标准草案做了进一步修改完善，包括调整了标准结构、补充了欠缺的技术内容、修正了表述不准确或有歧义的文字描述，形成了征求意见稿。
3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作标准编制的主要成员单位包括北京兆易创新科技股份有限公司，开展了资料搜集与分析、标准重大问题的讨论等工作。
二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题1、编制原则本标准编制在参考国内外相关标准及技术资料的基础上，结合我国快闪存储器的技术现状，充分考虑我国各重点应用领域对快闪存储器的需求，确定具体技术要求，保证该标准能够切实符合当前的技术发展现状。
2、确定主要内容的依据本标准规定了快闪存储器分类、技术要求、电测试方法及检验规则。
其中分类、技术要求等内容均根据当前快闪存储器的技术类型、产品功能及性能特点、封装特点、工作及贮存温度要求来确定。
浙江和瑞电子电子元器件储存要求召坚强/2011-8-17
马 杰/2011-8-17
陈步阳/2011-8-17第一页 共一页文件编号：HR-CK-005
编制审核批准电子元器件仓库储存要求：
环境要求：
电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内；除另有规定外，仓库的温度和相对湿度必须满足如下要求：
a.温度： -5~30℃；
b.相对湿度：20%~75%；
仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短，参见附录A。
特殊要求：
1.2.1、对静电敏感器件（如MOS场效应晶体管、发光二极管、CMOS电路等），应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。
1.2.2、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件，应存放在具有磁屏蔽作用的容器内。
1.2.3、油封的机电原件应保持油封的完整。
1.3、电子元器件有限储存期的确定：
电子元器件的有限储存期按附录A确定。
附录A：
电子元器件的有限储存期
A 1 有限储存期起始日期的确定
电子元器件有限储存期的起始日期按下列优先顺序确定：
电子元器件上打印的日期（或星期代号），凡仅有年月而无日期的，均按该月15日计算，如无星期代号的则按星期四的日期计算；
包装盒或包装袋上的检验日期货包装日期提前一个月计算。
A2 电子元器件的有限储存期与储存的环境条件有关，仓库储存的环境条件可分为以下三类，详见下表;。
电子元器件储存要求
1、电子元器件仓库储存要求：
1.1、环境要求：
电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内；除另有规定外，仓库的温度和相对湿度必须满足如下要求：
a.温度：-5~30℃；
b.相对湿度：20%~75%；
仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短，参见附录A。
1.2、特殊要求：
1.2.1、对静电敏感器件（如MOS场效应晶体管、砷化镓场效应晶体管、CMOS电路等），应存放在具
有静电屏蔽作用的容器内。
1.2.2、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件，应存放在具有磁屏蔽作用的容器内。
1.2.3、油封的机电原件应保持油封的完整。
1.3、电子元器件有限储存期的确定：
电子元器件的有限储存期按附录A确定。
附录A：
电子元器件的有限储存期
A 1 有限储存期起始日期的确定
电子元器件有限储存期的起始日期按下列优先顺序确定：
a.电子元器件上打印的日期（或星期代号），凡仅有年月而无日期的，均按该月15日计算，如无
星期代号的则按星期四的日期计算；
b.包装盒或包装袋上的检验日期货包装日期提前一个月计算。
A2 电子元器件的有限储存期与储存的环境条件有关，仓库储存的环境条件可分为以下三类，详见下表A-1;
表A-1 储存环境条件分类
电子元器件的有限储存期以下表A-2所示。
国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总
则》（征求意见稿）编制说明
一、工作简况
1、任务来源
《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》标准制定是2018年国家标准委下达的国家标准计划项目，计划号：20182268-T-339。
由中华人民共和国工业和信息化部提出，全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC 78/SC2）归口，中国电子科技集团公司第十三研究所负责标准的制定，项目周期为2年。
2、主要工作过程
2.1 2018.12 成立了编制组，编制组成员包括检验试验管理人员、从事半导体器件长期贮存的技术研究人员，以及具有多年标准编制经验的标准化专家。
2.2 2019.01～2019.04 编制组成员广泛收集资料，对等同采用的IEC标准进行翻译、研究、分析和比较，对国内相关单位展开深入调研和部分试验验证。
2.3 2019.05～2019.06编制工作组讨论稿，编制组内部讨论，对工作组讨论稿进行修改、完善，形成征求意见稿，并完成编制说明。
3 标准编制的主要成员单位及其所做的工作
本标准承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所。
在标准编制过程中，主要负责标准的翻译、制定、试验及验证工作。
二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题
1、编制原则
本标准为电子元器件半导体器件长期贮存系列标准的第1部分，属于基础标准。
为保证半导体器件试验方法与国际标准一致，实现半导体器件检验方法、可靠性评价、质量水平与国际接轨，本标准等同采用IEC 62435-1：2016《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》。
2、确定主要内容的依据
除编辑性修改外，本标准的结构和内容与IEC 62435-1：2016保持一致，标准编写符合GB/T 1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准结构和编写》、GB/T 20000.2-2001 《标准化工作指南第2部分：采用国际标准》的规定。
本标准为制定半导体器件长期贮存方案提供了指导，主要论述了在长期贮存过程中对元器件的管理、定期检查及其它注意事项。
本部分与本系列标准其它部分一起使用，用于贮存时间可能超过12个月的长期贮存器件。
三、主要试验[或验证]情况分析
从长期贮存设施中取出10只晶体管进行周期性检验，按照本标准规定的要求对产品进行了目检、电特性测试、可焊性试验、DPA（外部目检、PIND、密封、内部目检、键合强度、剪切强度）。
试验结果：试验项目均符合技术要求。
取出10个混合电路进行周期性检验，按照本标准规定的要求对产品进行了目检、电特性测试、可焊性试验、DPA（外部目检、PIND、密封、内部目检、键合强度、剪切强度）。
试验结果：试验项目均符合技术要求。
通过以上试验验证表明，试验方法规定合理，试验程序清晰，试验条件可行，具有可操作性。
四、知识产权情况说明
本标准的技术内容不涉及知识产权。
五、产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果
本标准是电子元器件半导体器件长期贮存标准之一，是进行半导体器件长期贮存的重要和基础的试验方法之一，对于评价和考核半导体器件的质量和可靠性起着重要作用。
其在行业内得到推广应用，将有助于我国半导体器件制造行业竞争有序进行，促进半导体器件质量与可靠性的提高，降低用户使用风险，推进高可靠半导体器件在工程中的广泛应用。
六、采用国际标准和国外先进标准情况
本标准使用翻译法，等同采用IEC 62435-1：2016《Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices –Part1：General》，标准中技术内容和标准结构以及章、条、图号与IEC标准等同，便于与国际标准接轨。
七、与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性
国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存》的预计结构如下：
——第1部分：总则；
——第2部分：失效机理；
——第3部分：数据；
——第4部分：贮存；
——第5部分：芯片和晶圆；
——第6部分：封装的或镀层的器件；
——第7部分：MEMS；
——第8部分：无源电子器件；
——第9部分：特殊管壳；
本标准是该系列标准中的第1部分，在标准内容上，与其他相关标准无矛盾和不协调的地方。
八、重大分歧意见的处理经过和依据
本标准为半导体器件长期贮存标准，属于基础标准，等同采用IEC 62435-1：2016，无重大分歧意见。
九、标准性质的建议
建议本标准为推荐性国家标准。
十、贯彻标准的要求和措施建议
本标准是半导体器件长期贮存标准之一，是进行半导体器件长期贮存的重要和基础的试验方法之一，对于评价和考核半导体器件的质量和可靠性起着重要作用。
建议由国家标准管理机构组织贯彻本标准的相关活动，利用各种条件（如标委会的管理和活动、专家培训、技术交流、标准化技术刊物、网上信息等）宣贯本标准。
十一、替代或废止现行相关标准的建议
无。
十二、其它应予说明的事项
建议尽快等同采用该系列标准，为半导体器件的质量和可靠性的检验和试验提供依据。
国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存第1
部分：总则》编制工作组
2019-06-25。
