模拟电路第一章常用半导体器件

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

第一章 常用半导体器件一、判断题：正确： “√”，错误：“×”。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ）（5）稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。

（ ）（6）PN 结正偏时正向电阻很小，呈现低阻态，反偏时反向电阻很大，呈现高阻态。

（ ）（7）在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。

（ ）（8）PN 结外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。

（ ）（9）最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。

（ ）（10）二极管最高反向工作电压就是击穿电压。

（ ）（11）双极型晶体管比场效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

（ ）（12）当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。

（ ）（13）在测量的稳压管参数时，稳压管的稳定电流Iz 是与稳定电压Uz 所对应的稳压管电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。

（ ）（14）稳压管电路中，外加反向电压必须大于稳压管的稳定电压，并且必须串联一个电阻来限制反向击穿电流，从而保证稳压管安全正常工作，故称这个电阻为限流电阻。

（ ）（15）晶体管能够放大的内部条件是发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结面积较大。

（ ）（17）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成P 型半导体。

( )（18）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成N 型半导体。

( )（19）普通硅二极管的正向导通压降约等于0.7V （ ）。

（20）普通锗二极管的正向导通压降约等于0.7V （ ）。

（21）普通硅二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V （ ）。

（22）普通锗二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V （ ）。

模电知识整理第零章 导言第一章 常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体1.1.1.1 半导体物质的导电性能决定于原子结构。

导体一般为低价元素。

绝缘体一般为高价元素（如惰性气体）。

常用半导体材料硅锗均为四价元素。

1.1.1.2 本征半导体的晶体结构晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

本征半导体中的电子通过共价键互联。

1.1.1.3 本征半导体中的两种载流子常温下，极少数价电子由于热运动（热激发）获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，带负电。

自由电子脱离轨道束缚，原处留下空位置，称为空穴，带正电。

自由电子与空穴成对出现，数目相等。

在本征半导体外加电场，则自由电子将产生定向移动，形成电子电流；空穴将被价电子按一定方向依次填补，即空穴也产生定向移动，形成空穴电流。

二者运动方向相反。

半导体中电流为自由电子与空穴电流之和。

运载电荷的粒子称为载流子。

导体的载流子仅有自由电子一种；本征半导体的载流子有自由电子和空穴两种。

1.1.1.4本征半导体中载流子的浓度本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。

复合：自由电子填补空穴的现象。

动态平衡：本征激发产生的自由电子与空穴数目相等。

在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，且自由电子与空穴浓度相等。

环境温度升高时，载流子浓度升高，导电性增强。

3-3221,,()GOE kT i i i i n p K T e n p cm -==分别表示自由电子与空穴的浓度本征半导体的导电性能很差，且与环境温度密切相关。

可用于制作热敏、光敏器件，但也会造成半导体器件温度稳定性差。

1.1.2杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素得到的半导体。

1.1.2.1 N 型半导体在纯净的硅晶体中掺入五价元素。

杂质原子外层有五个价电子，因此除了参与构成共价键的价电子，还多出一个电子，这个电子只需要很少的能量就可以挣脱束缚，成为自由电子。

《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握：1，二极管、稳压管二极管的伏安特性。

2，三极管的输入特性、输出特性。

3，场效应管的输出特性、转移特性。

理解：1，PN结的单向导电性。

2，三极管的放大作用。

3，场效应管的放大作用。

了解：1，半导体中的两种载流子。

2，N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。

第二章放大电路的基本原理和分析方法（重点）掌握：1，放大的基本概念；放大电路主要技术指标的含义。

2，放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。

3，放大电路的静态工作点（Q点）求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。

（必考）理解：1，三极管放大电路的三种组态（共射、共集、共基）的电路组成、工作原理和性能特点。

2，场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。

了解：1，多级放大电路的三种耦合方式（阻容耦合、变压器耦合、直接耦合）的原理和特点。

2，多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。

3，场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。

第三章放大电路的频率响应掌握：1，频率响应的基本概念。

理解：1，含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。

2，波特图的意义和画法。

了解：1，频率失真的含义。

2，三极管频率参数的含义。

3，多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。

第四章功率放大电路理解：OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理，最大输出功率和效率的估算。

了解：1，功率放大电路的主要特点和类型；2，集成功率放大电路的特点。

第五章集成运算放大电路（重点）掌握：1，集成运放主要技术指标的含义。

2，差分放大电路的静态工作点，以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。

理解：1，差分放大电路的组成和工作原理，以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。

2，各种电流源（镜像电流源、比例电流源、微电流源）的工作原理和特点。

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。

〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

〔 〕 〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

〔 〕〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

〔 〕〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

〔 〕 〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

〔 〕〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。

〔 〕解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×二、选择正确答案填入空内。

〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄B. 根本不变C. 变宽〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I〔3〕稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如下图，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率P CM8、温度升高时，三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质四、在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。

已量出I 1=-1.2mA ，I 2=-0.03mA ，I 3=1.23mA 。

由此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。

2、此晶体管的电流放大系数β约为 40 。

3、此晶体管的类型是 PNP 型（PNP 或NPN ）。