费米能级与金属接触势差
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金属与半导体接触后费米能级一样吗全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:金属与半导体是两种具有不同导电特性的材料,它们在电子性质方面存在着显著的差异。
金属是指导电子较多的材料,其费米能级处于导带之内,电子能够轻松地在导带内传导电流。
而半导体是指导电子较少的材料,其费米能级处于禁带内,需要受到外界激发才能使电子跃迁至导带中进行导电。
当金属与半导体接触时,由于两者性质的不同,费米能级也会发生变化。
在接触界面处,金属的费米能级与半导体的费米能级会发生调节,以达到能量平衡。
这个调节过程是通过电子的迁移和再分布来实现的。
在金属-半导体接触处,电子从金属中向半导体注入,直到两者的费米能级相等。
尽管金属与半导体接触后费米能级会趋于一致,但在实际情况中并不会完全相等。
这是因为金属与半导体是两种本质上不同的材料,它们的晶格结构、电子构型、导电机制等都存在差异,所以费米能级不会完全相等。
而费米能级的不同也会导致金属与半导体接触处的电子传输性质有所差异。
在金属-半导体接触中,金属的导电性会对半导体的电子输运性质产生影响。
当金属与半导体接触时,金属中的自由电子会向半导体中输运,增加半导体的导电性。
这种现象被称为肖特基势垒,通过肖特基势垒的形成,金属与半导体接触处会形成一个电子能量梯度,促使电子从金属流向半导体。
而这个能量梯度的存在也意味着金属-半导体接触处的费米能级并不是完全一致的。
金属与半导体接触后,由于两者的特性差异,还会产生其它现象,如反向漏电流、接触电势差等。
这些现象都表明金属与半导体接触处的费米能级虽然会趋于一致,但并不会完全相等。
金属与半导体接触后,费米能级并不会完全一致,而是会受到各种因素的影响而有所差异。
金属与半导体接触处的电子传输性质也因此会发生变化,这对于半导体器件的设计和性能有着重要的影响。
在研究金属-半导体接触时,需要考虑各种因素的综合作用,以更好地理解和控制金属与半导体接触处的费米能级和电子传输性质。
接触电动势和温差电动势的产生原理1. 概述电动势是指导致电荷在导体中移动的力,是电动力和电荷单位正电荷之间的关系。
电动势可以由多种方式产生,其中包括接触电动势和温差电动势。
本文将重点探讨接触电动势和温差电动势的产生原理及其相关知识。
2. 接触电动势的产生原理接触电动势是由两种不同金属直接接触时产生的电动势。
在接触处,金属之间的电子会发生迁移,导致带电情况发生变化,从而产生电动势。
接触电动势的产生原理主要包括以下几点:2.1 费米能级对齐原理费米能级是指在固体中,占据能级和未占据能级之间的分界线。
当两种不同金属直接接触时,它们的费米能级会趋向对齐。
如果两种金属的费米能级相差较大,电子将会从费米能级较低的金属向费米能级较高的金属转移,产生电势差。
2.2 阻隔层效应在两种不同金属直接接触时,通常会形成一个非导电的氧化层或其他低导电性物质的薄膜,称为阻隔层。
这个阻隔层会阻碍电子的自由传输,从而产生电势差。
2.3 温度效应接触电动势还会受到温度的影响。
温度升高会使金属内部的电子迁移速度增加,从而增强接触电动势的大小。
3. 温差电动势的产生原理温差电动势是在金属导体中,由于导体两端温度不同而产生的电动势。
其产生原理主要包括以下几点:3.1 热电效应热电效应是温差电动势产生的基础。
当导体两端温度存在差异时,导体中的自由电子会受到热运动的影响,从而产生电势差。
热电效应是温差电动势产生的主要机制之一。
3.2 Seebeck效应Seebeck效应是指在金属导体中,当两个不同金属导体的温度存在差异时,会产生由温度差引起的电势差。
Seebeck效应是温差电动势的重要表现形式,也是温差电动势产生的重要原理之一。
3.3 Thompson效应Thompson效应是指在导体内部存在温度梯度时,会产生由温度梯度引起的电势差。
Thompson效应也是导致温差电动势产生的重要原理之一。
4. 总结接触电动势和温差电动势的产生原理是电磁学中的重要知识点,对于理解电动势的产生机制与特性具有重要意义。
第七章一、基本概念1.半导体功函数: 半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。
金属功函数:金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。
3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V sm D -=5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制,正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内,即空间电荷区。
表面空间电荷区=阻挡层=势垒层6.电子阻挡层:金属功函数大于N 型半导体功函数(Wm>Ws )的MS 接触中,电子从半导体表面逸出到金属,分布在金属表层,金属表面带负电。
半导体表面出现电离施主,分布在一定厚度表面层内,半导体表面带正电。
电场从半导体指向金属。
取半导体内电位为参考,从半导体内到表面,能带向上弯曲,即形成表面势垒,在势垒区,空间电荷主要有带正电的施主离子组成,电子浓度比体内小得多,因此是是一个高阻区域,称为阻挡层。
【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】7.电子反阻挡层:金属功函数小于N 型半导体功函数(Wm<Ws )的MS 接触,电子从金属流向半导体,半导体表面带负电,金属表面带正电,电场方向指向半导体。
从半导体内到表面,能带下弯曲,半导体表面电子浓度比体内高(N 型反阻挡层)。
8.半导体表面势垒(肖特基势垒)高度:s m s D W W qV qV -=-=9.表面势垒宽度:10.半导体表面势: 取半导体体内为参考电位,半导体表面的势能Vs 。
11 .表面态: 在半导体表面处的禁带中存在着表面态,对应的能级称为表面能级。
表面态一般分为施主型和受主型两种。
若能级被电子占据时呈中性,施放电子后呈正电性,成为施主型表面态;若能级空着的时候为电中性,接收电子后带负电,则成为受主型表面态。
化学势费米能级电导金属-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以这样写:化学势、费米能级、电导和金属是物理化学领域中非常重要且密切相关的概念。
它们之间存在着紧密的关联和相互作用。
化学势是描述系统在平衡态下的能量状态和粒子分布的基本物理量。
费米能级则是描述在固体中电子能量分布的参考能级,它决定类似导电性等电子的行为。
而电导恰好是对固体中电子运动能力的度量,它与费米能级以及化学势的概念密切相关。
金属则是具有良好导电性的固体材料,其导电机制与费米能级的位置有关。
本文将详细介绍这些概念的定义、物理意义以及它们之间的关系和影响因素。
通过对化学势、费米能级、电导和金属的研究,我们可以更加深入地了解物质中电子的行为特性,为材料科学和电子工程等领域的发展提供重要参考。
在接下来的章节中,我们将逐一介绍这些概念,探讨它们的定义、特性和相互关系,最后对本文的主要内容进行总结。
1.2 文章结构文章结构的设置是为了更好地组织和呈现文章的内容,使读者更容易理解和掌握文章的主旨和重点。
本文的文章结构如下:第一部分是引言,用于介绍化学势、费米能级、电导和金属的基本概念和背景。
引言部分包括三个子部分。
首先,概述部分简要介绍了本文要讨论的主题,即化学势、费米能级、电导和金属,并说明了这些概念在材料科学和物理学中的重要性。
其次,文章结构部分(1.2)将详细说明本文的组织结构以帮助读者更好地了解文章的发展思路。
下文将分为四个主要部分,分别是化学势、费米能级、电导和金属。
每个部分将在定义概念的基础上,探讨其相关的影响因素、物理意义和特性。
最后,目的部分说明了本文的目标是通过对化学势、费米能级、电导和金属的研究,增强读者对这些概念的理解,为材料科学和物理学领域的研究提供参考和指导。
第二部分是正文,主要内容有四个部分。
首先,化学势部分(2.1)定义了化学势的概念,并阐述了其在材料科学中的重要性。
接着,讨论了化学势受到的影响因素,包括温度、压力和化学组分等。
金属与半导体接触后费米能级一样吗1. 引言1.1 金属与半导体的能级特性金属和半导体是两种在电子能带结构方面具有明显差异的物质。
金属通常具有高导电性和良好的电子流动性,其能带结构呈现连续的态密度分布,电子几乎填满了费米能级以下的能级,而在费米能级以上则存在着大量空缺态,使得金属能够轻易导电。
相比之下,半导体的能带结构则具有明显的带隙,使得其电导性较差。
在绝对零度下,半导体的价带全满,导带空缺,费米能级处于带隙中。
金属与半导体的能级特性差异导致它们在接触时会发生电荷转移和费米能级的调整。
当金属与半导体接触时,由于费米能级一致性原则,两者之间的费米能级会趋于一致。
在接触处形成的Schottky接触或Ohmic接触会导致电子从金属流向半导体或者从半导体流向金属,最终使得两者之间建立起稳定的电荷平衡态。
1.2 费米能级的定义费米能级,又称费米面能级或费米面,是固体物理学中一个重要的概念。
它指的是在热平衡时,电子系统中电子的能级达到50%的概率,也就是说费米能级是将电子分布的概率分为两等分的能级。
通常情况下,费米能级是指在零度时电子能级最高的能级。
在绝对零度时,费米能级以下的所有能级都被电子所填满,而费米能级以上的能级则为空。
费米能级在固体中起着至关重要的作用,它不仅关系到电子的导电性质,还决定了物质的电子输运、化学反应等性质。
在金属中,费米能级通常位于导带底部,这意味着金属中的电子能够自由传导并具有良好的导电性。
而在半导体中,费米能级则位于禁带中部,处于导带和价带能级之间,这使得半导体表现出了半导体的特性,即具有一定的导电性但电阻相对较大。
费米能级的位置不仅取决于材料的性质,还受到温度、掺杂等因素的影响。
在研究金属与半导体接触后费米能级的调整过程中,费米能级的定义和性质是至关重要的。
通过对费米能级的理解,可以更好地解释金属与半导体接触后电子态的变化和界面特性的形成。
2. 正文2.1 金属与半导体接触的费米能级调整金属与半导体接触后费米能级调整是一个非常重要的物理现象,它直接影响着材料的电子输运性质和器件的性能。
第7章 金属-半导体接触本章讨论与pn 结特性有很多相似之处的金-半肖特基势垒接触。
金-半肖特基势垒接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一:§金属半导体接触及其能级图一、金属和半导体的功函数1、金属的功函数在绝对零度,金属中的电子填满了费米能级E 以下的所有能级,而高于E 的能级则全部是空着的。
在一定温度下,只有E 附近的少数电子受到热激发,由低于E 的能级跃迁到高于E 的能级上去,但仍不能脱离金属而逸出体外。
要使电子从金属中逸出,必须由外界给它以足够的能量。
所以,金属中的电子是在一个势阱中运动,如图7-1所示。
若用E 表示真空静止电子的能量,金属的功函数定义为E 与E 能量之差,用W 表示:FM M E E W -=0它表示从金属向真空发射一个电子所需要的最小能量。
W M 越大,电子越不容易离开金属。
金属的功函数一般为几个电子伏特,其中,铯的最低,为;铂的最高,为 eV 。
图7-2给出了表面清洁的金属的功函数。
图中可见,功函数随着原子序数的递增而周期性变化。
2、半导体的功函数和金属类似,也把E 与费米能级之差称为半导体的功函数,用W 表示,即FS S E E W -=0因为E FS 随杂质浓度变化,所以W 是杂质浓度的函数。
与金属不同,半导体中费米能级一般并不是电子的最高能量状态。
如图7-3所示,非简并半导体中电子的最高能级是导带底E 。
E 与E 之间的能量间隔C E E -=0χ被称为电子亲合能。
它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。
利用电子亲合能,半导体的功函数又可表示为)(FS C S E E W -+=χ式中,E n =E C -E FS 是费米能级与导带底的能量差。
图7-1 金属中的电子图7-2 一些元素的功函数及其原子序数图7-3 半导体功函数和电子亲表7-1 几种半导体的电子亲和能及其不同掺杂浓度下的功函数计算值(eV)二、有功函数差的金属与半导体的接触把一块金属和一块半导体放在同一个真空环境之中,二者就具有共同的真空静止电子能级,二者的功函数差就是它们的费米能级之差,即W -W =E FS -E FM 。
《涨知识啦3-金属半导体接触系列》---肖特基接触形成原理从本周开始的《涨知识啦》板块,首先小赛将给大家讲解金属-半导体接触系列的第一部分肖特基接触,在详细介绍肖特基接触之前,我们需要先了解几个概念,真空能级以及功函数。
真空能级E0,顾名思义,即真空中静止电子的能量,而功函数W则是真空能级E0与费米能级E F之差,表示一个能量为费米能级的电子从材料中逸出到真空中需要的最小能量。
功函数的大小标志着材料对电子的束缚能力的强弱。
金属功函数为
半导体功函数为
当金属与n型半导体接触,且金属功函数W m大于半导体功函数W s时,根据上述功函数公式可知,功函数越大,费米能级越小,即半导体的费米能级E Fs大于金属的费米能级E Fm。
费米能级表征一个材料系统中电子能量的高低,当金属与半导体接触后,电子将从系统能量高的半导体流向金属,在半导体中留下正电中心,与pn结类似,半导体中的正电中心与金属中的电子将形成从n型半导体指向金属的电场,抑制电子从半导体向金属的流动,最终实现动态平衡,金属与半导体达到统一的费米能级。
在该种金-半接触情形下,在金属一侧形成了很高的电子势垒,即肖特基势垒,能量高于该势垒的电子才可从金属流向半导体,理想情况下金属一侧势垒高度不随偏压改变,因此金属一侧加反偏压时将产生很大的界面电阻,而金属一侧加正偏压时,从半导体流向金属的
电子在克服内建电势后,导通电阻将变得很小,这种正反特性不同的金-半接触成为肖特基接触。
第7章 金属-半导体接触本章讨论与pn 结特性有很多相似之处的金-半肖特基势垒接触。
金-半肖特基势垒接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一:§7.1金属半导体接触及其能级图一、金属和半导体的功函数1、金属的功函数在绝对零度,金属中的电子填满了费米能级E F 以下的所有能级,而高于E F 的能级则全部是空着的。
在一定温度下,只有E F 附近的少数电子受到热激发,由低于E F 的能级跃迁到高于E F 的能级上去,但仍不能脱离金属而逸出体外。
要使电子从金属中逸出,必须由外界给它以足够的能量。
所以,金属中的电子是在一个势阱中运动,如图7-1所示。
若用E 0表示真空静止电子的能量,金属的功函数定义为E 0与E F 能量之差,用W m 表示:FM M E E W -=0它表示从金属向真空发射一个电子所需要的最小能量。
W M 越大,电子越不容易离开金属。
金属的功函数一般为几个电子伏特,其中,铯的最低,为1.93eV ;铂的最高,为5.36 eV 。
图7-2给出了表面清洁的金属的功函数。
图中可见,功函数随着原子序数的递增而周期性变化。
2、半导体的功函数和金属类似,也把E 0与费米能级之差称为半导体的功函数,用W S 表示,即FS S E E W -=0因为E FS 随杂质浓度变化,所以W S 是杂质浓度的函数。
与金属不同,半导体中费米能级一般并不是电子的最高能量状态。
如图7-3所示,非简并半导体中电子的最高能级是导带底E C 。
E C 与E 0之间的能量间隔C E E -=0χ被称为电子亲合能。
它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。
利用电子亲合能,半导体的功函数又可表示为)(FS C S E E W -+=χ式中,E n =E C -E FS 是费米能级与导带底的能量差。
图7-1 金属中的电子势阱图7-2 一些元素的功函数及其原子序数图7-3 半导体功函数和电子亲合能表7-1 几种半导体的电子亲和能及其不同掺杂浓度下的功函数计算值二、有功函数差的金属与半导体的接触把一块金属和一块半导体放在同一个真空环境之中,二者就具有共同的真空静止电子能级,二者的功函数差就是它们的费米能级之差,即W M -W S =E FS -E FM 。
第六章 自由电子论和电子的输运性质6-1电子气的费米能和热容量自由电子气(自由电子费米气体):自由的、无相互作用的 、遵从泡利原理的电子气。
一 费米能量1.模型(索末菲)(1)金属中的价电子彼此之间无相互作用;(2)金属内部势场为恒定势场(价电子各自在势能等于平均势能的势场中运动); (3)价电子速度服从费米—狄拉克分布。
2.费米分布函数在热平衡时,能量为E 的状态被电子占据的概率是1e 1)(B F )(+=-T k E E E fE F ---费米能级(等于这个系统中电子的化学势),它的意义是在体积不变的条件下,系统增加一个电子所需的自由能。
它是温度T 和晶体自由电子总数N的函数。
随着T 的增加,f (E )发生变化的能量范围变宽,但在任何情况下,此能量范围约在E F附近±k B T 范围内。
3.费米面0.a =T ⎪⎩⎪⎨⎧>=<<=F FF 01)(E E E E E E E f 陡变0.b ≠T ⎪⎩⎪⎨⎧>>=<<=FFF0211)(E E E E E E E fE=EF 的等能面称为费米面。
在绝对零度时,费米面以内的状态都被电子占据,球外没有电子。
T ≠0时,费米球面的半径k F 比绝对零度时费米面半径小,此时费米面以内能量离EF 约k B T 范围的能级上的电子被激发到EF 之上约k B T 范围的能级。
4.求EF 的表达式E~E+dE 间的电子状态数:E E N )d ( E~E+dE 间的电子数:E E N E f )d ()( 系统总的电子数:⎰∞=0E E N E f N )d ()(分两种情况讨论:(1)在T=0K 时,上式变成:⎰=0)d (FE E E N N 0将自由电子密度N(E)=CE 1/2代入得:()23021032d ⎰==FE FE C E CE N 0其中23222π2⎪⎭⎫⎝⎛= m V C c()23023222π232FE m V N ⎪⎭⎫ ⎝⎛=令n=N/V ,代表系统的价电子浓度()32220π32n mE F=金属中一般 n~1028m-3,电子质量m=9×10-31kg , 自由电子气系统中每个电子的平均能量由下式计算NN E E ⎰d =0⎰=0023d FE E E NC053F E =由上式可以看出即使在绝对零度时电子仍有相当大的平均能量,这与经典的结果是截然不同的。
费米能级设计及金属的接触势差
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(1091900416)
摘要:由量子电子理论,对Fermi-Dirac 分布函数推导出费米能级的计算公式,得出费米能级依赖于电子密度n ,进而对费米能级进行设计。
接触电势差来源于两块金属的费米能级不一样高,应用公式推导从而得出金属接触势差与费米能级的关系。
关键词:费米能级;电子密度;金属接触势差
费米能级是指对于金属,绝对零度下,电子占据的最高能级就是费米能级;也可以理解为绝对零度时金属中电子的化学势。
金属接触势差为两种不同的金属相互接触时在它们之间产生的电势差。
一、 费米能级及费米能级的设计
自由电子气服从Fermi-Dirac 统计分布规律,满足下式:
(,)f E T =
()/1
1E kT
e
μ-+
它表示温度在T 的热平衡石,能量处于E 的电子态被电子所占据的概率。
K 为波尔兹曼常数,T 为热力学温度,μ为化学势,定义为:
μ=,(
)T V
F N
∂∂
表示温度T 和压力V 一定是,体系自由能F 与电子数目N 的变化率。
在分布函数中,μ是一个决定电子在各能级分布的函数,它与N 的关系满足:
1/2
3/2
2
2
()/0
2(,)()(
)
21E kT
V m E dE N f E T g E dE e
μπ
∞∞-=
=
+⎰
⎰
当T=0K 时,体系处于基态,也就是体系能量的最低函数,分布函数为:
1,(0)
0,(0)
(,){lim
E E T f E T μμ<>→=
μ(0)为T-=0体系的化学势。
可见能量大于μ(0)的轨道是空的,而能量小于μ(0)的轨道被电子所填满。
由于Pauli 不相容原理,每个轨道只能容纳自旋相反的两个电子,所以电子只能按照能量从低到高的规律填充在各轨道中。
μ(0)为基态时电子能量最高的轨道。
通常称为Fermi 面。
由公式0
()()N f E g E dE ∞
=
⎰
()F E N E dE =
⎰
=
1
20
()F E C E d E ⎰
=
3
2
2()3
F C E ()()
3
232
2
3
23F V m E π=
所以有
()2
3
2
32
2
22
3322F N E n m V m
ππ⎛⎫= ⎪
⎝⎭= =2
2
F 2m k 21/3(3)F k n π= F
k 称为Fermi 波矢,它只依赖于电子密度n ,从而Fermi 能级F E 也完全由n 决
定。
所以费米能级的设计依赖于对电子密度的改变。
金属中电子浓度的改变可通过
掺杂价态不同于基体金属价态的元素来调节基体金属的电子浓度。
但应该考虑两者之间的固溶程度。
二、 金属的接触势差
有两种不同金属1M 和2M 构成的非闭合回路(图1),在真空中靠近金属表面的a 和b 存在着因为金属逸出功不同而存在的势差12U '
如图所示。
其中:
12U ' =
211()
W W e
-
e 为电子电荷的绝对值,1W 、2W 分别为1M 、2M 的逸出功。
同时在两金属接触的地方(如图c,d 两点),存在着因两金属单位体积中的自由电子数不同而产生的另一种接触势差——内接触势差12U '',把金属中的自由电子当作经典理想气体近似处理,得到:
1122
ln n K T U e n ''-
其中1n 、2n 分别为1M 、2M 自由电子数密度,K 为Boltzman 常数,T 为热力学温度(K )。
因此总的接触势差为:
1121212212
1()ln n K T U U U W W e
e n '''=+=
-+
三、金属接触势差与费米能级的关系
1. 把相互接触金属1M 、2M 看成是可以交换粒子,它们在一定温度和压强的通常情况下相互接触后,由于电子交换,一开始整个系统的化学势φ的变化是
1122F F d E dN E dN φ=+
其中1F E 、2F E 和1dN 、2dN 分别为第一、第二系统金属1M 、2M 的Fermi 能级和电子数变化,因为1dN = -2dN ,所以
112()F F d dN E E φ=-
若1F E = 2F E ,d φ=0,相当于平衡态。
若1F E ≠2F E ,系统就不平衡;过渡到平衡态,意味着d φ< 0。
设1F E >2F E ,条件d φ< 0要求1dN < 0,1dN = -2dN > 0,即具有较高Fermi 能级的子系统1M 的电子数将减少,具有较低Fermi 能级子系统2M 的电子数将增加,即电子从1M 流入2M 直至由于电子转移引起金属1M 、2M 的电势发生变化,使两者的Fermi 能级达到一致为止。
因此原来能带位置如(图2)的两种不同金属1M 、2M 接触后,变成如(图3)所示。
结果1M 带正电,电势升高,电子的势能减小;2M 带负电,电势降低,电子的势能增大。
也就是说,由原来的两金属Fermi 能级不同引起的电子转移,在1M 、2M 间形成了静电场,使金属1M 的电势高于金属2M ,其电势差即通常所说的外接触电势差。
这时候金属1M 中的电子附加在正的静电场中的能量(负值),同时金属2M 中的电子附加在负的静电场中的能量(正值),恰好使两金属的Fermi 能级相同,达到平衡,电子的净转移过程也就停止了。
令φ为金属接触后产生的电势差附加到两金属电子的能量差,我们从图可以得出
φ=21
W W -
那么,外接金属电势差满足下式:
12211()
U W W e
e
φ
=
=
-
由于金属逸出功在绝对能量参考系中与Fermi 能级相同,我们可以得出:
1210201()
F F U E E e
=
-
因此,金属接触势差和Fermi 能级相关。
2.既然外接触电势差起源于Fermi 能级差,而Fermi 能级是随温度略有变化的,所以外接触电势差也随温度略有变化。
做经典近似处理我们把Fermi 分布函数写成:
()/()/(,)22F F E E K T
E E K T
f E T e
e
---==
设金属单位体积中的自由电子数为n ,则
/2i E K T
i
z e
-=
∑
相当于经典理论中的电子分配函数,从而我们得到:
1ln F
K T n E z
=
在温度不高的时候:
2
22
012
F F
F
K T E E E π
=-
带入化简得:
2
0/ln
12
F F
n E E KT z π
=-
故在温度T 时,外接金属接触势差的大小:
1020
21
12F F E E W W U e
e
--=
=
2
002110
20
1()(1/ln
1/ln
)
12
F F n n KT E
E e
e
z
z
π=
-+
-
2
0011210
20
1()ln
/(ln
)(ln )
12
F F n n n K T E
E
e
e
n
z
z
π
=-+
金属接触势差与两金属绝对零度时的Fermi 能级,热力学温度T (K )有关。
温度变化,接触金属的费米能级的改变都将改变金属的接触势差。
在一般情况下,KT 较小,忽略温度这一影响因素,则只需讨论两金属的Fermi 能级对金属接触势差的影响。
参考文献
[1]孙汪典 .金属接触电势差问题讨论,暨南大学学报;1989. [2]黄昆,韩汝琦.固体物理学. 北京:高等教育出版社,1988:288—290。