哈工大《集成电子技术》习题答案

哈工大数字电子技术基础习题册2010-答案6-7章第6章触发器【6-1】已知由与非门构成的基本RS触发器的直接置“0”端和直接置“1”端的输入波形如图6.1所示，试画出触发器Q端和Q端的波形。

R d SdQQ图 6.1解：基本RS触发器Q端和Q端的波形可按真值表确定，要注意的是，当dR和d S同时为“0”时，Q端和Q端都等于“1”。

d R和d S同时撤消，即同时变为“1”时，Q端和Q端的状态不定。

见图6.1（b）所示，图中Q端和Q端的最右侧的虚线表示状态不定。

R dS dQQ不定状态图6.1（b）题6-1答案的波形图【6-2】触发器电路如图6.2(a)所示，在图(b)中画出电路的输出端波形，设触发器初态为“0”。

QdS dQQR(a) (b)图6.2解：此题是由或非门构成的RS 触发器，工作原理与由与非门构成的基本RS 触发器一样，只不过此电路对输入触发信号是高电平有效。

参照题6-1的求解方法，即可画出输出端的波形，见图6.2(c)。

d S dQR 不定状态图6.2(c)【6-3】试画出图6.3所示的电路，在给定输入时钟作用下的输出波形，设触发器的初态为“0”。

“CPYZCP图 6.3解：见图6.3(b)所示，此电路可获得双相时钟。

Q Q CP Y Z图6.3(b)【6-4】分析图6.4所示电路，列出真值表，写出特性方程，说明其逻辑功能。

Q图6.4解：1．真值表(CP =0时，保持；CP =1时，如下表）D n Q n Q n+1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 12．特性方程Q n+1=D n3．该电路为锁存器（时钟型D 触发器）。

CP =0时，不接收D 的数据；CP =1时，把数据锁存，但该电路有空翻。

【6-5】试画出在图6.5所示输入波形的作用下，上升和下降边沿JK 触发器的输出波形。

设触发器的初态为“0”。

CP J K图 6.5解：见图6.5(b)所示。

CP J KJ K QQ图6.5(b)【6-6】试画出图P6.6(a)所示电路，在图6.6(b)给定输入下的Q 端波形，设触发器初态为“0”。

计算机集成考试题及答案[题目一]1. 计算机集成电路(CIC)是指什么？答：计算机集成电路是把电子器件、线路和封装组合在一起，形成一个或多个功能完整的电路模块，在单个芯片上集成电子器件、线路和封装。

2. 请简要描述计算机集成电路的发展历程。

答：计算机集成电路的发展经历了多个阶段。

1960年代末，诞生了初级大规模集成电路，可以集成数百个逻辑门。

1970年代中期，产生了中级大规模集成电路，集成门数达到数千个。

1980年代初，出现了高级大规模集成电路，门数达到数万个。

1990年代初，随着超大规模集成电路的出现，门数更是达到了数亿个。

目前，超大规模和超大规模以上级别的集成电路已成为主流。

3. 请解释贝尔定律对集成电路发展的影响。

答：贝尔定律是指，每隔18至24个月，集成电路中所能容纳的晶体管数量将翻倍，而价格将减半。

这一定律推动了集成电路技术的快速发展，使得集成电路的性能不断提高，成本不断降低，为计算机技术的革新提供了强大的支持。

4. 请列举三种常见的计算机集成电路类型。

答：常见的计算机集成电路类型包括：数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路。

[题目二]1. 什么是计算机集成制造技术？答：计算机集成制造技术是指将电子器件、线路和封装等组合在一起，通过一系列制造工艺，实现对集成电路芯片的生产和加工。

2. 描述计算机集成制造技术的主要工艺流程。

答：计算机集成制造技术的主要工艺流程包括：晶圆加工、沉积、光刻、刻蚀、清洗、温度退火、封装、测试和分选等环节。

3. 请解释深亚微米工艺对计算机集成制造技术的意义。

答：深亚微米工艺是指制造集成电路中特征尺寸在0.1微米至0.25微米之间的工艺。

深亚微米工艺的采用使得集成电路的微细特征得以实现，使得芯片的密度增加、速度提高、功耗降低，从而推动了计算机集成制造技术的进步。

4. 请说明集成制造技术在计算机硬件发展中的重要性。

答：集成制造技术是计算机硬件发展中的关键技术之一。

试验七预考核试题1、555定时器中的得名指的是其结构中存在三个与5相关的A：电容；B：电阻；对C：电感；试题2、报警器电路中，第一个555定时器的3脚输出的电压波形为A：矩形波；对B：负脉冲；试题3、555定时器组成多谐振荡器时其工作方式为A：无稳态；B：单稳态；错C：双稳态；试题4、多谐振荡器中电容电压最大值和最小值分别为A： +Vcc和0；B：+2/3Vcc和+1/3Vcc；对C：±1/3Vcc；试题5、555定时器中的低电平触发端是A：2；B：3；错C：4；试题6、555定时器中的复位端是A：4；对B：5；C：6；试题7、555定时器是一种怎样的集成电路？A：模拟电路；B：数字电路；C：模拟与数字相混合的电路；对试题8、555定时器中的电压控制端是A：4；B：5；对C：6；试题9、下面哪一个不是555定时器的组成结构A：电压比较器；B：RS触发器；错C：放电管；D：JK触发器；试题10、单稳态触发器的输入信号为一高电平时，输出为A：高电平；错B：低电平； BC：不确定；试题1、多谐振荡器中电容电压最大值和最小值分别为A： +Vcc和0；B：+2/3Vcc和+1/3Vcc；对C：±1/3Vcc；试题2、555定时器中的得名指的是其结构中存在三个与5相关的A：电容；B：电阻；对C：电感；试题3、单稳态触发器的输入信号为一负的触发脉冲信号，对于其高低电平的要求为A：高电平大于+2/3Vcc，低电平小于+1/3Vcc；；对B：低电平大于+2/3Vcc，高电平小于+1/3Vcc；；错C：不确定；试题4、555定时器中的低电平触发端是A：2；对B：3；C：4；试题5、单稳态触发器的输入信号为一高电平时，输出为A：高电平；B：低电平；对C：不确定；试题6、单稳态触发器中，电容C的值增加，其暂稳时间twA：增加；对B：减小；C：不变；试题7、多谐振荡器的电阻R2增大时，输出波形的A：周期增大，占空比增大；错B：周期减小，占空比增大；C：周期增大，占空比减小；D：周期减小，占空比减小；试题8、555定时器组成多谐振荡器时其工作方式为A：无稳态；对B：单稳态；C：双稳态；错试题9、555定时器是一种怎样的集成电路？A：模拟电路；B：数字电路；C：模拟与数字相混合的电路；对试题10、555定时器中的高电平触发端是A：5；B：6；C：7；试题1、555芯片的管脚为A：8个；对B：14个；C：16个；D：18个；试题2、多谐振荡器中电容电压最大值和最小值分别为A： +Vcc和0；B：+2/3Vcc和+1/3Vcc；对C：±1/3Vcc；试题3、555定时器中的复位端是A：4；对B：5；C：6；试题4、555定时器中的得名指的是其结构中存在三个与5相关的A：电容；B：电阻；对C：电感；试题5、555定时器中的高电平触发端是A：5；B：6；对C：7；试题6、单稳态触发器的输入信号为一负的触发脉冲信号，对于其高低电平的要求为A：高电平大于+2/3Vcc，低电平小于+1/3Vcc；；对B：低电平大于+2/3Vcc，高电平小于+1/3Vcc；；C：不确定；试题7、555定时器中的电压控制端是A：4；B：5；对C：6；试题8、555定时器是一种怎样的集成电路？A：模拟电路；B：数字电路；C：模拟与数字相混合的电路；对试题9、下面哪一个不是555定时器的组成结构A：电压比较器；B：RS触发器；C：放电管；D：JK触发器；对试题10、．本实验中555芯片需要的直流稳压电源为A：+5V；试题5、555芯片的VCC和GND分别为A：8管脚和4管脚；B： 8管脚和1管脚；对C：5管脚和4管脚；试题7、555定时器中的放电端是C：7；对。

答案2.1解：本题练习分流、分压公式。

设电压、电流参考方向如图所示。

(a) 由分流公式得：23A 2A 23I R Ω⨯==Ω+解得75R =Ω(b) 由分压公式得：3V 2V 23R U R ⨯==Ω+解得47R =Ω答案2.2解：电路等效如图(b)所示。

20k Ω1U +-20k Ω(b)+_U图中等效电阻(13)520(13)k //5k k k 1359R +⨯=+ΩΩ=Ω=Ω++由分流公式得：220mA 2mA 20k RI R =⨯=+Ω电压220k 40V U I =Ω⨯= 再对图(a)使用分压公式得：13==30V 1+3U U ⨯答案2.3解：设2R 与5k Ω的并联等效电阻为2325k 5k R R R ⨯Ω=+Ω(1) 由已知条件得如下联立方程：32113130.05(2) 40k (3)eqR U UR R R R R ⎧==⎪+⎨⎪=+=Ω⎩由方程(2)、(3)解得138k R =Ω 32k R =Ω 再将3R 代入(1)式得210k 3R =Ω答案2.4解：由并联电路分流公式，得1820mA 8mA (128)I Ω=⨯=+Ω2620mA 12mA (46)I Ω=⨯=+Ω由节点①的KCL 得128mA 12mA 4mA I I I =-=-=-答案2.5解：首先将电路化简成图(b)。

图 题2.5120Ω(a)图中1(140100)240R =+Ω=Ω2(200160)120270360(200160)120R ⎡⎤+⨯=+Ω=Ω⎢⎥++⎣⎦ 由并联电路分流公式得211210A 6A R I R R =⨯=+及21104A I I =-= 再由图(a)得321201A 360120I I =⨯=+由KVL 得，3131200100400V U U U I I =-=-=-答案2.6xRx(a-1)图2.6解：（a ）设R 和r 为1级，则图题2.6(a)为2级再加x R 。

哈工大电路习题答案哈工大电路习题答案在学习电路课程的过程中，我们经常会遇到各种各样的习题。

这些习题不仅能够帮助我们巩固所学的知识，还能够提高我们的解题能力。

然而，有时候我们可能会遇到一些难以解答的问题，这时候就需要一些参考答案来帮助我们。

下面，我将为大家提供一些哈工大电路习题的参考答案。

1. 电路基础习题1.1 电阻与电流关系题目：一个电阻为10欧姆的电路中，通过的电流为2安培，求电路中的电压是多少？答案：根据欧姆定律，电压等于电流乘以电阻，所以电压等于2安培乘以10欧姆，即20伏特。

1.2 串联电路题目：有两个电阻分别为5欧姆和10欧姆的电路，串联连接在一起，通过的电流为3安培，求电路中的总电阻是多少？答案：串联电路中的总电阻等于各个电阻之和，所以总电阻等于5欧姆加上10欧姆，即15欧姆。

1.3 并联电路题目：有两个电阻分别为5欧姆和10欧姆的电路，并联连接在一起，通过的电流为2安培，求电路中的总电阻是多少？答案：并联电路中的总电阻等于各个电阻的倒数之和的倒数，所以总电阻等于(1/5 + 1/10)的倒数，即6.67欧姆。

2. 电路分析习题2.1 戴维南定理题目：有一个电阻为10欧姆的电路，通过的电流为2安培，求该电路中的电压是多少？答案：根据戴维南定理，可以通过测量电阻两端的电压来求解。

由于电阻为10欧姆，电流为2安培，所以电压等于电阻乘以电流，即20伏特。

2.2 超节点法题目：有一个包含电流源和电阻的电路，其中一个节点既有电流源又有电阻，如何应用超节点法来简化电路分析？答案：超节点法是一种简化复杂电路分析的方法，可以将包含电流源和电阻的节点分解为两个节点，其中一个节点为电流源连接的节点，另一个节点为电阻连接的节点。

然后根据电流源和电阻之间的关系，可以求解出电路中的电流和电压。

3. 电路设计习题3.1 电路的功率计算题目：有一个电阻为10欧姆的电路，通过的电流为2安培，求该电路的功率是多少？答案：根据功率公式，功率等于电流的平方乘以电阻，所以功率等于2安培的平方乘以10欧姆，即40瓦特。

电子技术_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.电路如图所示，试判断4个二极管的工作状态并求电位。

二极管的正向压降可忽略不计。

答案:6V2.当放大电路接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得的输出电压为4V，在信号源内阻增大到1kΩ，其它条件不变时，测得输出电压为3V，该放大电路的输入电阻为（）kΩ。

答案:33.对由NPN晶体管构成的共射极组态固定式偏置放大电路，观察发现输出电压波形出现了底部削平的失真，说明静态工作点设置太（），若要通过调节RB消除失真，则应该（）。

答案:高，增大RB4.在多级放大电路的阻容耦合、直接耦合与变压器三种耦合方式中，（）耦合便于集成。

答案:直接5.放大电路如图所示，（1）是否具有稳定静态工作点的功能？（2）设UCC=20V，RC=10k，RF=330k ，，试求其静态UCE。

答案:（1）有，（2）8.5V6.为提高共模抑制能力，集成运放的输入级一般都采用什么样的电路结构？答案:差动（差分）放大电路7.电路如下图所示，输出电压Uo为（）。

答案:-118mV8.产生正弦波振荡的振荡条件是（）。

答案:AF=19.在下图所示电路中，已知，,求输出电压为多少伏？（）答案:-5V10.将八进制数1725转换为十六进制数，结果为（）。

答案:3D511.答案:A12.答案:ABC+D13.答案:14.图示组合逻辑电路的逻辑功能是（）。

答案:判断一致15.设计一个三变量判奇电路（输入中有奇数个变量为1，其输出就为1），其逻辑表达式为（）。

答案:16.低电平有效的8线-3线优先编码器74LS148，如果输出Y2Y1Y0是010，则以下错误的是（）。

答案:I4肯定为117.图示电路的波形为（）。

答案:18.如果Q0Q1Q2Q3的初始值均为0，则图示电路可实现（）进制计数器功能。

答案:619.图示电路是由计数器和多路数据选择器构成的顺序脉冲发生器，如果Q3Q2Q1Q0的初始状态为1001，则一个计数循环内，输出脉冲为（）。

数字电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下哈尔滨工程大学哈尔滨工程大学绪论单元测试1.数字电子技术应用范围（）答案:航空航天;通信技术;雷达技术;电视技术;计算机、自动控制第一章测试1.和二进制数（1100110111.001）2等值的十六进制数是（）。

答案:（337.2）162.和（23.25）10等值的数是（）。

答案:（10111.010）23.和（8191.875）10等值的数是（）。

答案:（1111111111111.111）24.和八进制数（166）8等值的数有（）。

答案:118D;76H5.和（01001001）余3码编码相同的是（）。

答案:（00010110）8421;（01101101）余3循环码;（00011001）52116.（-25）10可以表示为（）。

答案:（1111001）原码;（1010101）原码;（100111）补码7.在二进制运算中，减去某个数可以用加上它的补码来代替（）。

答案:错8.与普通二进制代码相比，格雷码在代码转换过程中不会产生过度“噪声”（）。

答案:对9.二进制的加、减、乘、除运算全部可以用“移位”和“相加”两种操作实现（）。

答案:对10.下列数中最大的是（）。

答案:（12F）16第二章测试1.一个四输入或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有（）种。

答案:12.与逻辑式ABC+A’相等的式子是（）。

答案:A3.下列类型的逻辑门中，可以用（）实现与、或、非三种基本运算。

答案:或非门;与非门4.下列逻辑代数式中值为0的是（）。

答案:A⊕A;A⊕1⊕0⊕1⊕A;A⊕1⊕A’5.已知判断成立的依据是（）。

答案:对偶定理6.的对偶式为（）。

答案:7.逻辑函数F=AB+BC’的对偶式F D=。

（）答案:错8.一个逻辑函数全部最小项之和恒等于1。

（）答案:对9.逻辑函数的最简与非-与非式为。

（）答案:对10.F=A´+B+CD´的反函数为（）。

第十三章 习题13.1 在图示网络的图中，问下列支路集合哪些是割集？哪些不是割集？为什么？(1)1、3、5；(2)2、3、4、7、8；(3)4、5、6；(4)6；(5)4、7、9；(6)1、3、4、7。

图 题13.1图 题13.213.2 在图示网络的图中，任选一树，指出全部的基本回路的支路集合和全部基本割集的支路集合。

13.3 设某网络的基本回路矩阵为⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡--=100100010111001110B（1） 若如已知连支电流44=i A,55=i A,66=i A ，求树支电流。

（2） 若已知树支电压11=u V ，22=u V ，33=u V ，求连支电压。

（3） 画出该网络的图。

13.4 网络的图如图所示，已知部分支路电流。

若要求出全部支路电流应该怎样补充已知条件？图 题13.41u 图 题13.513.5 网络的图如图所示，已知其中的三条支路电压，应该怎样补充已知条件，才能求出全部未知支路电压？13.6 设某网络图的关联矩阵为⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-----=010110000101101110001A取1,2,3支路为树支，写出基本割集矩阵。

13.7 某网络图的基本割集矩阵为⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡------=00111000011101001110001010010001C 画出对应的网络的图。

13.8 已知某网络图的基本回路矩阵⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡----=10111000011101001100001001100001B 试写出此网络的基本割集矩阵C 。

13.9 某网络有6条支路，已知3条支路的电阻分别是Ω=21R ，Ω=52R ，Ω=103R ；其余3条支路的电压分别是44=u V ，65=u V ，126-=u V 。

又知该网络的基本回路矩阵为⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-----=110100*********001B试求全部支路电流。

13.10 图示网络的图，根据所选的树，列出独立的KCL 方程和独立的KVL 方程，并写成矩阵形式。

第十四章 习题 14.1 求图示各二端口网络的Y 参数。

2(a)-+u -+2u(b)2(c)2-+u (d)图题14.114.2 一个互易网络的两组测量值如图题14.2所示。

试根据这些测量值求Y 参数。

j2V(a)(b)图题14.214.3 在线性RLC 二端口网络的端口1处接单位阶跃电流源, (a)端口2短路时算得：)(ε)e1(32231t u t a --=V , )(ε)e 1(21232t i t a --=A(b)端口2接上一个4Ω电阻时算得：)(ε)e1(76671t u t b --=V , )(ε)e1(72672t i t b --=A试在复频域内求该二端口网络的导纳参数矩阵Y(s)。

14.4 求图示各二端口网络的Z 参数。

(a)(b)(c)u 2(d)图题14.414.5求图示各二端口网络的A 参数。

(a)(b)(c):(d)图题14.514.6 图示二端口网络。

当开关S 断开时测得V 3,V 5V,9213===U U U ；开关S 接通时测得V 2,V 4V,8213===U U U 。

求网络N 的传输参数矩阵A 。

Ω6图题14.614.7 求图示各二端口网络的H 参数。

(a)2(b):(d)图题14.714.8 设二端口网络的阻抗参数Ω⎥⎦⎤⎢⎣⎡=5334Z 。

(1)求它的混合参数矩阵H ；(2)若A 101=i ，V 202=u ,求它消耗的功率。

14.9 试绘出对应于下列开路阻抗矩阵的任一种二端口网络模型。

(a)Ω⎥⎦⎤⎢⎣⎡2113； (b)Ω⎥⎦⎤⎢⎣⎡++s sss/23/2/2/41； (c)Ω⎥⎦⎤⎢⎣⎡-442314.10 证明给定Y 参数可以用图题14.10所示电路来等效，求等效电路参数。

-+U2图题4.10 图题4.1114.11 证明给定Z 参数可以用图题14.11所示电路来等效，求等效电路参数。

14.12 图示电路可以用来等效二端口网络。

模拟电子技术（黑龙江联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下哈尔滨工程大学哈尔滨工程大学绪论单元测试1.工作在放大状态的某NPN晶体管，各电极电位关系为（）。

答案:VC>VB>VE2.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。

答案:晶体管参数随环境温度的变化而变化3.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。

当CB电路时，，ui和uo的相位________。

答案:同相4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。

答案:抑制共模信号能力增强5.多级放大电路的初级一般采用（）答案:差动放大电路第一章测试1.二极管的重要特点之一为（）答案:单向导通性2.稳压二极管主要用途是（）答案:稳压3.常见的彩灯采用的是（）管答案:发光二极管4.三极管是（）器件答案:电流控制电流5.三极管静态工作点Q点过高，容易引起（）失真答案:饱和6.场效应管是答案:电压控制电流7.场效应管三个电极分别为（）答案:G,S,D8.场效应管是单极性载流子参与导电答案:对9.场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路答案:对10.场效应管和三极管工作原理相同答案:错第二章测试1.在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同答案:对2.理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是答案:电容3.直流负载线的斜率是（）。

答案:-1/Rc4.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真答案:对5.共发射极放大电路信号从（）答案:基极输入，集电极输出6.对于一个共集组态的基本放大电路，它具有的特点。

答案:电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小7.差动放大电路对（）有放大作用答案:差模信号8.电路的共模抑制比越大表示抑制共模信号和零点漂移的能力越强答案:对9.下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路答案:中低频大信号10.答案:第三章测试1.阻容耦合放大电路不能放大答案:直流信号2.直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成答案:对3.差动放大电路一般放在多级放大电路的第（）级答案:14.下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。

第三章组合逻辑电路题2.3.1 某功能的逻辑函数表达式为L=∑m(1,3,4,7,12,14,15);(1)试用最少量的“与-非”门实现该函数； (2)试用最少量的“或-非”门实现该函数；(3)试用7454型4-4-3-2“与-或-非”门实现该函数。

解： (1)A 、B 、C 、D ，用卡诺图化简，结合“1”方格得：D B A CD A ABC D C B D B A CD A ABC D C B D C B A f L =+++==),,,((2)“0”方格，求最简的“或—与”表达式，得：DC AD C B D B B A D C A D C B D B B A L +++++++++=++++++=))()()((00 AB CD 00 01 01 11 11 10 10 1 1 1 1 0 1 0 1 0 00 00 1 0 0 DBC A& & && & BA B C D L 00 ABCD00 01 01 11 11 10 10 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 ≥1≥1 ≥1≥1 ≥1A B CDC A B DL(3)D C A D C B D B B A D C B A f L +++==),,,(D C A D C B D B B A L +++=用4—4—3—2的“与—或—非”门实现的电路图如下所示：题2.3.2 设计一个编码器，其6个输入信号和输出三位代码之间的对应关系如题表2.3.2所示。

试用“或-非”门实现该编码电路。

题表2.3.2输 入输 出5A 4A 3A 2A 1A 0A2Y 1Y 0Y0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 01 1 0输 入 输 出2Y 2Y 2Y0A0 0 1 1A 0 1 0 2A 0 1 1 3A 1 0 0 4A 1 0 1 5A1 1 000 AB CD 00 01 01 11 11 10 10 1 1 1 1 0 1 0 1 0 00 00 1 0 0 & ≥1 4 4 3 2BD CA DBCAL5435432A A A A A A Y ++=++=5215211A A A A A A Y ++=++= 4204201A A A A A A Y ++=++=题2.3.3 图题2.3.3是一个函数发生器，试写出当S 0S 1S 2S 3为0000～1111的16种不同取值时，Y 关于逻辑变量AB 的逻辑函数式。

第十二章存储器和可编程器件12--1 填空1、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。

磁芯存储器利用 正负剩磁 来存储数据；而半导体存储器利用 器件的开关状态 来存储数据。

两者相比，前者一般容量较 大 ；而后者具有速度 快 的特点。

2、半导体存储器按功能分有 ROM 和 RAM 两种。

3、ROM 主要由 地址译码器 和 存储矩阵 两部分组成。

按照工作方式的不同进行分类，ROM 可分为 固定内容的ROM 、 PROM 和 EPROM 三种。

4、某EPROM 有8数据线，13位地址线，则其存储容量为 213×8 。

5、在系统可编程逻辑器件简称为 ISPPLD 器件，这种器件在系统工作时 可以 （可以、不可以）对器件的内容进行重构，它包括 ISPGAL 、 ISPGDS 、 ISPLSI 三种系列的产品。

6、对isp 器件进行编程时不需要（需要、不需要）专门的编程器，对GAL 器件进行编程时需要 （需要、不需要）专门的编程器。

7、对GAL 器件和ispLSI 器件进行编程时可以选用下列那几种输入方式。

a)原理图方式 b)ABEL-HDL 语言c)VHDL 语言 d)原理图与ABEL 语言混合输入方式 e)FM 输入方式GAL 器件 : a) b ）c) d) e) ispLSI 器件: a) b ）c) d)12--2 D 0A 0D 1m (3,6,9,12,15)D 210D 3m (0,5,9,13)==∑=⋅=∑⎧⎨⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪ 12--3地址译码器A1A0D3 D2 D1 D0B1B0m 0m 1512--4 1。

F Q Q Q Q Q Q Q F Q Q Q Q Q Q F Q Q 110212102210210210310=⋅+⋅+⋅=⋅⋅+⋅+⋅⋅=⋅⎧⎨⎪⎪⎩⎪⎪2、CP F1F2F312--5AA B B C C i-1i-1S i C i12—61、状态转换表000111100001111000011110Qe =0D aQ a Q b c Q Q d Q e =1100011101注：卡诺图中的空格为约束项。

第六章 习题6.1 已知图示电路中)10 cos(100︒+=t u ωV 、)100 cos(21︒+=t i ωA 、）︒+-=190 cos(42t i ωA 、）︒+=10 sin(53t i ωA 。

试写出电压和各电流的有效值、初相位，并求电压越前于电流的相位差。

6.2 写出下列电压、电流相量所代表的正弦电压和电流(设角频率为ω)： (a)V 10/10m ︒-=U (b)V )8j 6(--=U (c)V )8j20.2.0(m-=I (d)-=I 30A 6.3 下列各式中电压、电流、磁通、电荷均为同频率的正弦量，设角频率为ω。

试将各式变换为相量形式。

(a)n u u =21，ni i 121-= (b)t Nu d d Φ= (c)u t i L Ri =+d d 6.4 用相量法计算图题6.1所示电路的总电流i 。

3图 题6.1图 题6.56.5 图示电路中正弦电流的频率为50Hz 时，电压表和电流表的读数分别为100V 和15A ；当频率为100Hz 时，读数为100V 和10A 。

试求电阻R 和电感L 。

6.6 图示各电路中已标明电压表和电流表的读数，试求电压u 和电流i 的有效值。

(a)(b)(c)图 题6.66.7 在图示电路中已知t i cos 2R ω=A ，3102⨯=ωrad/s 。

求各元件的电压、电流及电源电压u ，并作各电压、电流的相量图。

Ω200Ri 图 题6.7图 题6.86.8 在图示电路中各元件电压、电流取关联参考方向。

设1I =1A ，且取1I 为参考相量，画出各电流、电压相量图，根据相量图写出各元件电压、电流相量。

6.9 已知图示电路中10L R ==U U V ，Ω=10R ，Ω=10C X ，求S I 。

第六章 正弦电流电路-+L-+U 图 题6.9LX j 16.10 已知图示电路中的感抗L X ，要求12j I I =。

以电压U 为参考相量画出相量图，求电阻R 和容抗C X 。

哈工大数字电子技术基础习题册2010-答案6-7章————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2第6章 触发器【6-1】已知由与非门构成的基本RS 触发器的直接置“0”端和直接置“1”端的输入波形如图6.1所示，试画出触发器Q 端和Q 端的波形。

R d S d Q Q图 6.1解：基本RS 触发器Q 端和Q 端的波形可按真值表确定，要注意的是，当d R 和d S 同时为“0”时，Q 端和Q 端都等于“1”。

d R 和d S 同时撤消，即同时变为“1”时，Q 端和Q 端的状态不定。

见图6.1（b ）所示，图中Q 端和Q 端的最右侧的虚线表示状态不定。

R d S d QQ不定状态图6.1（b ） 题6-1答案的波形图【6-2】触发器电路如图 6.2(a)所示，在图(b)中画出电路的输出端波形，设触发器初态为“0”。

QQR d S dd S d Q QR(a) (b)图6.2解：此题是由或非门构成的RS 触发器，工作原理与由与非门构成的基本RS 触发器一样，只不过此电路对输入触发信号是高电平有效。

参照题6-1的求解方法，即可画出输出端的波形，见图6.2(c)。

d S d Q QR 不定状态图6.2(c)【6-3】试画出图6.3所示的电路，在给定输入时钟作用下的输出波形，设触发器的初态为“0”。

C11J 1K R SQ“1”CPYZCP图 6.3解：见图6.3(b)所示，此电路可获得双相时钟。

CPQQYZ图6.3(b)【6-4】分析图6.4所示电路，列出真值表，写出特性方程，说明其逻辑功能。

Q QD CP图6.4解：1．真值表(CP=0时，保持；CP=1时，如下表）D n Q n Q n+10 0 00 1 01 0 11 1 12．特性方程Q n+1=D n3．该电路为锁存器（时钟型D触发器）。

CP=0时，不接收D的数据；CP=1时，把数据锁存，但该电路有空翻。

1.在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在（开关）状态，这样才能降低（变换过程中的电能损耗）。

2.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论（门极是否有触发电流），晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在（门极有触发电流）情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，（门极）就失去控制作用。

要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流（降到接近于零的某一数值以下）。

3.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（Power Diode ）,属于半控型器件的是(SCR),属于全控型器件的是(GTO,GTR,电力MOSFET,IGBT),在可控的器件中，容量最大的是(GTO),工作频率最高的是（电力MOSFET）,属于电压驱动的是(电力MOSFET,IGBT),属于电流驱动的是(GTO,GTR,SCR)。

•D3不能导通时输出电压波形？•器件的导通顺序？4.P组N组6.图2－1为简化的单相晶闸管变流电路（Ls=0），交流电源电压有效值为Vs ，大电感负载（近似认为负载电流恒定为Id ）,回答下列问题：1)试画出α＝45º时，输出电压vd ，电源电流is ，晶闸管T1上电压vT1（电压的参考方向：阳极正，阴极负），和晶闸管T1中电流iT1的波形。

2) 再画出此时其它3只晶闸管上的电压和电流波形。

3)计算晶闸管上承受的反向峰值电压vT_peak,晶闸管中电流的平均值idT 和有效值IT_eff 。

(用Vs 和Id 来表达)5.晶闸管三相桥式变流电路，在设计触发电路时，为什么要采用“双窄脉冲”触发方式？晶闸管单相桥式变流电路，是否也需要采用这种双窄脉冲触发方式，为什么？答：三相桥式变流电路要求按T1，T2，T3，T4，T5，T6的顺序依次触发晶闸管，触发脉冲相位依次差600，所以为保证同时导通的2个晶闸管均有触发脉冲，采用“双窄脉冲”触发方式，即在触发某晶闸管时，给之前导通的晶闸管发1个补脉冲。

习题解答【1-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。

两种载流子的浓度。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

漂移电流是在作用下形成的。

3．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。

4．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

5．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。

6．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。

7．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。

8．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。

9．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。

10．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。

11．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。

12．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

解：1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。

2.杂质浓度，温度，少数载流子，(内)电场力。

3.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。

4.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）5.增大;6.NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。

7.结型，绝缘栅型，多数，单极型。

8.电压，电流。

9.变大，变大，变小。

10.各管脚对地电压;11.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。

12.左移，上移，增大.。

sin V，二极管D视为理想二极管，试分【1-2】在图1-2的各电路图中，E=5V，u i=10t别画出输出电压u o的波形。